JPH04336448A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04336448A JPH04336448A JP3107408A JP10740891A JPH04336448A JP H04336448 A JPH04336448 A JP H04336448A JP 3107408 A JP3107408 A JP 3107408A JP 10740891 A JP10740891 A JP 10740891A JP H04336448 A JPH04336448 A JP H04336448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- die
- picker
- reinforcing plate
- protective tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造、
中でもウエハプロセスで素子形成完了後のウエハのダイ
シング、ピックアップ工程のための補強方法に関するも
のである。
中でもウエハプロセスで素子形成完了後のウエハのダイ
シング、ピックアップ工程のための補強方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）〜（ｆ）は、従来の半導体素
子のウエハプロセス完了後から、ダイススクライブ、ピ
ックアップまでの工程を示したものである。
子のウエハプロセス完了後から、ダイススクライブ、ピ
ックアップまでの工程を示したものである。
【０００３】図２（ａ）は、半導体素子作成工程を完了
した、半導体ウエハ１であり、一般的に６″φウエハで
６２５μｍ、８″φウエハで７２５μｍの厚さ２を有し
ている。しかしこのようなウエハ厚２は、ダイス実装に
不適当であり、半導体ウエハ１の裏面は、２００〜４５
０μｍの実装仕様に適した厚さに研削されている。この
研削工程においてデバイス面３を保護するため、表面保
護テープ４が接着用糊（図示しない）によって接着され
ている。この状態において図２（ｂ）に示すように、半
導体ウエハ１は実装の仕様に合せ２００〜４５０μｍの
厚さ２′に研削される。その後表面保護テープ４を機械
的に剥離し、接着用糊を洗浄工程で除去した図が図２（
ｃ）である。しかる後、チップの電気的特性良・否判定
を行なうプロービング工程を経て、組立工程に搬送され
る。その後図２（ｄ）に示す様に、チップスクライブ工
程およびダイス抜き取りを行なうため、ダイシングテー
プ５が半導体ウエハ１裏面に接着糊を用いて接着される
。さらに図２（ｅ）に示すように、スクライブラインに
沿って、ウエハ１はダイシングされるが、６はこの時の
ダイシング溝であり、ダイシングテープ５に達するよう
にウエハ１はダイシングされる。７は、この処理により
、分離されたダイスであり、ダイシング後、ダイシング
テープ５とダイス７を分離しやすくするため、テープ面
より、紫外線を照射し接着糊を硬化させる。その後ダイ
スダイシングテープ５をピッカー針８により突き破るこ
とにより、ダイシングテープ５よりダイス７は剥離され
、コレット９で真空吸着されダイス７は抜き取られる。
した、半導体ウエハ１であり、一般的に６″φウエハで
６２５μｍ、８″φウエハで７２５μｍの厚さ２を有し
ている。しかしこのようなウエハ厚２は、ダイス実装に
不適当であり、半導体ウエハ１の裏面は、２００〜４５
０μｍの実装仕様に適した厚さに研削されている。この
研削工程においてデバイス面３を保護するため、表面保
護テープ４が接着用糊（図示しない）によって接着され
ている。この状態において図２（ｂ）に示すように、半
導体ウエハ１は実装の仕様に合せ２００〜４５０μｍの
厚さ２′に研削される。その後表面保護テープ４を機械
的に剥離し、接着用糊を洗浄工程で除去した図が図２（
ｃ）である。しかる後、チップの電気的特性良・否判定
を行なうプロービング工程を経て、組立工程に搬送され
る。その後図２（ｄ）に示す様に、チップスクライブ工
程およびダイス抜き取りを行なうため、ダイシングテー
プ５が半導体ウエハ１裏面に接着糊を用いて接着される
。さらに図２（ｅ）に示すように、スクライブラインに
沿って、ウエハ１はダイシングされるが、６はこの時の
ダイシング溝であり、ダイシングテープ５に達するよう
にウエハ１はダイシングされる。７は、この処理により
、分離されたダイスであり、ダイシング後、ダイシング
テープ５とダイス７を分離しやすくするため、テープ面
より、紫外線を照射し接着糊を硬化させる。その後ダイ
スダイシングテープ５をピッカー針８により突き破るこ
とにより、ダイシングテープ５よりダイス７は剥離され
、コレット９で真空吸着されダイス７は抜き取られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実装仕
様によって２００〜４５０μｍに薄く研削されたウエハ
においては、厚さ的に強度が低下し、プロービング工程
やウエハ搬送工程、さらにはダイシングテープ接着工程
において、ウエハ割れが発生する問題があった。特に最
近、使用されるようになった、８″φウエハや２００μ
ｍ以下のＩＣカード用等のウエハは、ウエハ割れが多く
発生する要因となっている。又一般的に前処理のウエハ
処理工場と組立工場間の搬送は大きなウエハ割れ要因と
なっていた。この様な薄いウエハの対応技術として、特
願昭６１−１８０８９０号においては、裏面に有機膜を
約１０μｍコートし、強度向上を計っているが、６″φ
以下のウエハにおいては、有効なものの、８″φ以上の
ウエハでは、ウエハ強度を満足させるには不充分であり
、さらに特願昭６０−１４６５２２号では、ウエハ強度
を向上させるため、ウエハ裏面に発泡スチロールの基板
を貼り付け、ダイスのピックアップは、この発泡スチロ
ールをピッカー針で貫通させることにより行なう方法も
提案されている。しかし基板材がやわらかいため、ダイ
ススクライブ時ウエハが固定されずチップの欠けが起る
という欠点があった。
様によって２００〜４５０μｍに薄く研削されたウエハ
においては、厚さ的に強度が低下し、プロービング工程
やウエハ搬送工程、さらにはダイシングテープ接着工程
において、ウエハ割れが発生する問題があった。特に最
近、使用されるようになった、８″φウエハや２００μ
ｍ以下のＩＣカード用等のウエハは、ウエハ割れが多く
発生する要因となっている。又一般的に前処理のウエハ
処理工場と組立工場間の搬送は大きなウエハ割れ要因と
なっていた。この様な薄いウエハの対応技術として、特
願昭６１−１８０８９０号においては、裏面に有機膜を
約１０μｍコートし、強度向上を計っているが、６″φ
以下のウエハにおいては、有効なものの、８″φ以上の
ウエハでは、ウエハ強度を満足させるには不充分であり
、さらに特願昭６０−１４６５２２号では、ウエハ強度
を向上させるため、ウエハ裏面に発泡スチロールの基板
を貼り付け、ダイスのピックアップは、この発泡スチロ
ールをピッカー針で貫通させることにより行なう方法も
提案されている。しかし基板材がやわらかいため、ダイ
ススクライブ時ウエハが固定されずチップの欠けが起る
という欠点があった。
【０００５】この発明は以上述べたウエハの薄形化や大
口径化にともない、相対的にウエハ強度が低下し、プロ
ービング工程や、ウエハ搬送時において、ウエハ割れが
発生するという問題点を、ウエハ強度を向上させること
により防止したものである。
口径化にともない、相対的にウエハ強度が低下し、プロ
ービング工程や、ウエハ搬送時において、ウエハ割れが
発生するという問題点を、ウエハ強度を向上させること
により防止したものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は前述の目的の
ために、半導体装置の製造方法において、裏面研削時に
、デバイス面を保護するために用いたテープを残した状
態において、裏面にウエハ強度を向上させる、補強板を
接着するようにしたものであり、この板の素材を紫外線
透過率の良い材質とし、ダイス抜き取り工程で用いるピ
ッカー用の穴を有する構造にしたものである。
ために、半導体装置の製造方法において、裏面研削時に
、デバイス面を保護するために用いたテープを残した状
態において、裏面にウエハ強度を向上させる、補強板を
接着するようにしたものであり、この板の素材を紫外線
透過率の良い材質とし、ダイス抜き取り工程で用いるピ
ッカー用の穴を有する構造にしたものである。
【０００７】
【作用】前述のように、この発明によれば、ウエハ強度
の大巾に低下する、裏面研削工程の直後に、表面保護テ
ープを貼り付けた状態で、ウエハ裏面に補強板を貼り付
け、ウエハ強度を向上させたため、表面保護テープ剥離
工程、プロービング工程や、アセンブリ工程等で発生す
るウエハの割れを無くすことが出来る。又、ピッカーに
対応するように、ピッカー穴を有しているため、ダイス
ピッカー処理によるダイス抜き取り工程まで使用するこ
とが出来、ダイシングテープ貼り付け工程が除去出来る
。
の大巾に低下する、裏面研削工程の直後に、表面保護テ
ープを貼り付けた状態で、ウエハ裏面に補強板を貼り付
け、ウエハ強度を向上させたため、表面保護テープ剥離
工程、プロービング工程や、アセンブリ工程等で発生す
るウエハの割れを無くすことが出来る。又、ピッカーに
対応するように、ピッカー穴を有しているため、ダイス
ピッカー処理によるダイス抜き取り工程まで使用するこ
とが出来、ダイシングテープ貼り付け工程が除去出来る
。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明の実施例を示す工程のウエ
ハ断面図である。図１（ａ）は裏面研削後を示したもの
であり、２１は半導体ウエハで、２２で示すように実装
の仕様のため、２００〜４５０μｍの厚さに研削されて
おり、２３はこの研削工程において、デバイス作製面２
４を保護するための保護テープであり、水溶性の接着糊
（図示しない）でデバイス作製面２４に貼り付けてある
。次に図１（ｂ）のように、テープ貼り付け状態のまま
、厚さ３００〜１０００μｍの補強板２５を接着糊で貼
り付ける。この方法において補強板２５は、たとえば紫
外線透過率の良好な石英とし、又接着糊は、紫外線によ
り硬化し、接着強度が弱くなる素材を使用すれば、後述
する補強板からのダイス剥離を容易にすることができる
。さらにこの補強板２５は、ピッカー穴２６を有する構
造としておく。
ハ断面図である。図１（ａ）は裏面研削後を示したもの
であり、２１は半導体ウエハで、２２で示すように実装
の仕様のため、２００〜４５０μｍの厚さに研削されて
おり、２３はこの研削工程において、デバイス作製面２
４を保護するための保護テープであり、水溶性の接着糊
（図示しない）でデバイス作製面２４に貼り付けてある
。次に図１（ｂ）のように、テープ貼り付け状態のまま
、厚さ３００〜１０００μｍの補強板２５を接着糊で貼
り付ける。この方法において補強板２５は、たとえば紫
外線透過率の良好な石英とし、又接着糊は、紫外線によ
り硬化し、接着強度が弱くなる素材を使用すれば、後述
する補強板からのダイス剥離を容易にすることができる
。さらにこの補強板２５は、ピッカー穴２６を有する構
造としておく。
【０００９】次に、図１（ｃ）に示すように、保護テー
プ２３を剥離し、水溶性の糊をスピン洗浄法等で洗浄す
る。しかる後、図１（ｄ）に示すように、スクライブラ
インに沿ってダイシングプレートで、補強板２５に達す
るまでスクライブしダイスに分割する。２７は、このと
きのスクライブ溝であり、２８は分割されたダイスであ
る。そして、スクライブ完了後、補強板２５方向より紫
外線を接着糊に照射し、接着強度を低下させる。その後
図１（ｅ）に示すように、ピッカー穴２６よりピッカー
２９を突き上げることにより、ダイス２８を補強板２５
より剥離し、コレット３０で真空吸着し、ダイス抜き取
りを行う。この時のダイス２８とピッカー２６と補強板
２５との位置関係の断面図を示したものが図３（ａ）で
あり、その平面図を示したのが図３（ｈ）である。補強
板２５は、ダイス２８のサイズにより、あらかじめ、ダ
イス２８に対応するように、又、ピッカー針２６の径よ
り充分に大きく、さらにピッカー間隔はピッカー穴の間
隔に応ずるように設定する。尚このピッカー穴２６は、
ひとつのダイスに対して、図では、４個で設置し、ピッ
カー針４本でダイスを支持するようにしているが、３個
以上であれば何個でも可能である。以上のように設置さ
れたピッカー穴２６は、ウエハとの貼り合せにおいて、
スクライブラインを目標として、これと等間隔となるよ
うに合せて接着糊３１で接着する。
プ２３を剥離し、水溶性の糊をスピン洗浄法等で洗浄す
る。しかる後、図１（ｄ）に示すように、スクライブラ
インに沿ってダイシングプレートで、補強板２５に達す
るまでスクライブしダイスに分割する。２７は、このと
きのスクライブ溝であり、２８は分割されたダイスであ
る。そして、スクライブ完了後、補強板２５方向より紫
外線を接着糊に照射し、接着強度を低下させる。その後
図１（ｅ）に示すように、ピッカー穴２６よりピッカー
２９を突き上げることにより、ダイス２８を補強板２５
より剥離し、コレット３０で真空吸着し、ダイス抜き取
りを行う。この時のダイス２８とピッカー２６と補強板
２５との位置関係の断面図を示したものが図３（ａ）で
あり、その平面図を示したのが図３（ｈ）である。補強
板２５は、ダイス２８のサイズにより、あらかじめ、ダ
イス２８に対応するように、又、ピッカー針２６の径よ
り充分に大きく、さらにピッカー間隔はピッカー穴の間
隔に応ずるように設定する。尚このピッカー穴２６は、
ひとつのダイスに対して、図では、４個で設置し、ピッ
カー針４本でダイスを支持するようにしているが、３個
以上であれば何個でも可能である。以上のように設置さ
れたピッカー穴２６は、ウエハとの貼り合せにおいて、
スクライブラインを目標として、これと等間隔となるよ
うに合せて接着糊３１で接着する。
【００１０】図４はダイススクライブ時において、ダイ
シングブレートで補強板をカットしないようにしたもの
であり、スクライブラインに沿って、ダイスブレードよ
け溝３２を設置したものであり、溝巾３３は、約４０μ
ｍのダイスブレード厚に対して、１００〜１０００μｍ
と充分にマージンを取るとともに、溝深さ３４は、切り
込み量に対して約１００μｍと深めに設定する。
シングブレートで補強板をカットしないようにしたもの
であり、スクライブラインに沿って、ダイスブレードよ
け溝３２を設置したものであり、溝巾３３は、約４０μ
ｍのダイスブレード厚に対して、１００〜１０００μｍ
と充分にマージンを取るとともに、溝深さ３４は、切り
込み量に対して約１００μｍと深めに設定する。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウエ
ハ強度の大巾に低下する、裏面研削工程の直後に、表面
保護テープを貼り付けた状態で、ウエハ裏面に補強板を
貼り付け、ウエハ強度を向上させたため、表面保護テー
プ剥離工程、プロービング工程や、アセンブリ工程等で
発生するウエハの割れを無くすことが出来る。更に、こ
の補強板は石英等の材質を用いるため、ダイススクライ
ブの基板としても使用が可能であり、又ピッカーに対応
するように、ピッカー穴を有しているため、ダイスピッ
カー処理によるダイス抜き取り工程まで使用することが
出来、ダイシングテープ貼り付け工程が除去出来るとい
う特徴がある。
ハ強度の大巾に低下する、裏面研削工程の直後に、表面
保護テープを貼り付けた状態で、ウエハ裏面に補強板を
貼り付け、ウエハ強度を向上させたため、表面保護テー
プ剥離工程、プロービング工程や、アセンブリ工程等で
発生するウエハの割れを無くすことが出来る。更に、こ
の補強板は石英等の材質を用いるため、ダイススクライ
ブの基板としても使用が可能であり、又ピッカーに対応
するように、ピッカー穴を有しているため、ダイスピッ
カー処理によるダイス抜き取り工程まで使用することが
出来、ダイシングテープ貼り付け工程が除去出来るとい
う特徴がある。
【図１】本発明の実施例説明図
【図２】従来例の説明図
【図３】ダイスとピッカー穴と補強板の関係図
【図４】
ブレードよけ溝を設けた補強板
ブレードよけ溝を設けた補強板
２１ 半導体ウエハ
２２ ウエハ厚
２３ 保護テープ
２５ 補強板
２６ ピッカー穴
２７ スクライブ溝
２８ ダイス
２９ ピッカー
３０ コレット
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の製造において、ウエハプ
ロセスで半導体素子形成を完了した後のダイシング、ピ
ックアップなどの工程の為の補強方法として、前記半導
体ウエハ研削後、表面保護テープを貼り付けた状態で裏
面に補強板を接着するようにしたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の補強板を高紫外線透過
材とし、その接着剤を紫外線硬化材として、ダイススク
ライブ後に前記補強材面より紫外線を照射し、前記接着
強度を低下させるようにしたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の補強板をダイスに対応
するように配設し、かつダイスピッカー用の穴を設け、
該穴よりピック針で突き上げ、ダイスを前記補強板より
剥離するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 補強板に、ダイススクライブ時にその
ダイシングブレードで前記補強板がカットされないため
のブレードよけ溝を設けたことを特徴とする請求項１な
いし３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107408A JPH04336448A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107408A JPH04336448A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336448A true JPH04336448A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14458394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107408A Pending JPH04336448A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04336448A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1261938A1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-12-04 | SCHLUMBERGER Systèmes | Reinforced integrated circuit |
| WO2002089176A3 (de) * | 2001-04-10 | 2004-03-11 | Muehlbauer Ag | Verfahren zum vereinzeln von elektronischen bauteilen aus einem verbund |
| US7459343B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate |
| JP2015072994A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3107408A patent/JPH04336448A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1261938A1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-12-04 | SCHLUMBERGER Systèmes | Reinforced integrated circuit |
| WO2002089176A3 (de) * | 2001-04-10 | 2004-03-11 | Muehlbauer Ag | Verfahren zum vereinzeln von elektronischen bauteilen aus einem verbund |
| US7459343B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate |
| JP2015072994A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6175162B1 (en) | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating | |
| US6896760B1 (en) | Fabrication of stacked microelectronic devices | |
| JP4109823B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3865184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3485525B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001044144A (ja) | 半導体チップの製造プロセス | |
| US6777310B2 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a semiconductor wafer using a carrier plate during grinding and dicing steps | |
| US20030190795A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2001035817A (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20040006546A (ko) | 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템 | |
| JPH11204551A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07106285A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2004119718A (ja) | 薄型半導体チップの製造方法 | |
| JP2005019435A (ja) | ウェハ研磨方法 | |
| KR100816641B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공방법 및 이것에 사용되는 지지기판 | |
| JPH04336448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4768963B2 (ja) | ウェハの転写方法 | |
| JP3803214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070057410A1 (en) | Method of fabricating wafer chips | |
| US20030073264A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device from semiconductor wafer having thick peripheral portion | |
| JP3094488B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20110055977A (ko) | 반도체 패키지 제조용 장비 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법 | |
| US20110155297A1 (en) | Method of applying an adhesive layer on thincut semiconductor chips of a semiconductor wafer | |
| US6528354B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH0521597A (ja) | 半導体素子の製造方法 |