JPH04336502A - カラ−フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に使用され
るカラ−フィルタに関するものであり、さらに詳しくは
、エッチング特性や低抵抗の点で優れた透明導電層を有
するカラ−フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に透明導電層としては酸化インジウ
ムに錫を数％ド−プしたＩＴＯなどの酸化物半導体が採
用される。液晶表示素子用途には高透明化および低抵抗
化の要請が強く、透明導電層の改良が続けられている。 また液晶表示素子用途には画素に対応したパタ−ンを作
るために透明導電層は良好なエッチング特性を備えてい
ることも要求される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高透明
化および低抵抗化の改良やエッチング性の改良は、もっ
ぱらガラス基体上に直接設けられた透明導電層について
検討されてきており、有機物層の上に透明導電層を設け
る場合については研究例は非常に少ない。本発明者らは
カラ−フィルタの製造にあたって有機物層の上に透明導
電層を積層することを試みたところ、有機物層の組成や
状態もしくは透明導電層形成条件によっては、ガラス基
体上に透明導電層を直接積層した場合に比べて特性が劣
った透明導電層ができる問題があることが明らかになっ
た。すなわち、抵抗値が大きくなってしまったり、エッ
チングにおいてサイドエッチングが大きかったり、不規
則なサイドエッチングが起きたりすることが明らかにな
った。該有機物層の上にスパッタ法やディップ法で形成
したシリコン酸化物層を介して透明導電層を積層するこ
とも提案されているが、この場合は透明導電層作成後の
保管期間やエッチング時あるいは超音波洗浄時にクラッ
クや剥離が発生しやすいという問題があった。またスパ
ッタ法やディップ法では、生産性の上での制限や製造方
法の本質的な制限から０．０２μｍ程度の比較的薄い膜
しか形成できず、該有機物層と透明導電膜との分離が十
分でない問題もあった。

【０００４】本発明者らは上記のごとき課題を解決せん
と鋭意検討した結果、本発明に到達した。その目的とす
るところは、高透明性、低抵抗性およびエッチング特性
に優れた透明導電層を備えたカラ−フィルタを提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成により達成される。

【０００６】基体、有機着色層、保護層および透明導電
層をこの順に積層してなるカラ−フィルタであって、該
保護層がシリコン、酸素および炭素を含んでおり、かつ
該保護層と該透明導電層との間に厚さが０．０５〜０．
５μｍの範囲のシリコン酸化物層が形成されていること
を特徴とするカラ−フィルタ。

【０００７】本発明において使用される基体としては、
耐熱性や寸法安定性の点でガラスであることが好ましい
が、ポリエチレンテレフタレ−トやポリカ−ボネ−トな
どのプラスチックも使用することができる。これらの基
体と有機着色層との間に遮光や基体と有機着色層との相
互作用の防止を目的とした層を挿入することは適宜許さ
れる。遮光層としては、クロム膜や部分酸化させたクロ
ム膜が好適である。基体と有機着色層との相互作用を防
止するための層としては、酸化シリコン膜が好適である
。遮光方法としては遮光層の挿入のほか、有機着色層の
重ね合わせにより透過光を減少させる方法も採用できる
。

【０００８】本発明において使用される有機着色層は、
着色剤とポリマの複合体からなる。着色剤としては顔料
や染料が用いられるが、特に耐熱性および耐光性の良好
な顔料が好ましい。一方、ポリマとしては２００℃以上
の熱処理でも軟化、分解、着色を生じない高分子材料が
用いられ、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ア
クリル樹脂、ポリビニルアルコ−ル樹脂、ポリイミド樹
脂およびこれらの混合物が好ましく用いられる。中でも
耐熱姓に優れるポリイミド樹脂が特に好ましい。これら
に感光性を付与した樹脂も好ましく用いられる。

【０００９】本発明のシリコン、酸素および炭素を含ん
だ保護層としては、オルガノシランを縮重合して得られ
るシリコ−ン樹脂やオルガノシランとイミド基を有する
化合物とを縮重合して得られるイミド変性シリコ−ン樹
脂等が使用される。中でもイミド変性シリコ−ン樹脂は
透明性、耐熱性、塗布時の平坦性および密着性に優れる
ため好ましい。オルガノシランとしては、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルト
リエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリ
シドキシプロピルトリエトキシシランなどのトリアルコ
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、エチルフェニルジメトキシシラン、メチ
ルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキ
シシランなどのジアルコキシシラン、トリメチルメトキ
シシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルエ
トキシシランなどのモノアルコキシシランを挙げること
ができる。またオルガノシランに代えてオルガノシラン
の加水分解物や部分的縮合物を採用することもできる。 またこれらのオルガノシランは単独でなく複数の種類を
混合して使用することも可能である。使用されるオルガ
ノシランの少なくとも一種類が分子量が５００以下であ
ることが本発明のシリコン酸化物層を形成しやすい点で
好ましい。該分子量は２００以下であることがさらに好
ましい。使用されるオルガノシランの少なくとも一種類
がジアルコキシシランもしくはモノアルコキシシランで
あることが本発明のシリコン酸化物層を形成しやすい点
で好ましい。

【００１０】イミド基を有する化合物としては、縮合反
応タイプのポリイミド前駆体が使用される。例えばテト
ラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物などとアミノシラン化合物を溶媒中で反応させる
ことにより、ポリアミド酸溶液すなわち縮合反応タイプ
のポリイミド前駆体を得ることができる。テトラカルボ
ン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の
具体例としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’−　オキシジフタル酸二無水物を挙げる
ことができる。アミノシラン化合物の具体例としては、
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメエキ
シシラン、３−アミノブチルトリメトキシシラン、３−
アミノブチルトリエトキシシランを挙げることができる
。イミド基の他にポリイミドの耐熱性を損なわない範囲
でアミノ基、アミド基、カルボキシル基、スルホンアミ
ド基などの核置換基を有していても良い。

【００１１】本発明の保護層に塗布性、接着性などの改
善を目的として、カップリング剤などの接着性付与剤や
非イオン性界面活性剤などを加えることは適宜許される
。

【００１２】本発明において使用される透明導電層とし
ては、酸化錫、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸
化亜鉛、酸化カドミウム、錫添加酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、錫添加酸化カドミウムなどが用いられるが、中で
もＩＴＯが高透明性および低抵抗性の点で好ましい。Ｉ
ＴＯにおける錫の添加量は重量で５〜１５％の範囲が抵
抗値を小さくするために好ましく、７〜１３％がさらに
好ましい。透明導電層の厚みは、必要とされる表面抵抗
値によって変化するが、０．００５〜０．３μｍの範囲
が好ましく、０．０１〜０．２μｍの範囲がさらに好ま
しい。

【００１３】本発明における保護層と透明導電層との間
に形成されたシリコン酸化物層とは、主としてシリコン
と酸素からなる層であって、原子個数で３０％以下、好
ましくは２０％以下の炭素、窒素、水素やその他不可避
の不純物が混入していても良い。該シリコン酸化物層は
、化学量論的な組成であるＳｉＯ２　だけでなくＳｉＯ
ｘ　で表される非化学量論的な組成であっても良い。Ｓ
ｉＯｘ　のＸの値は０．８≦Ｘ≦２．２の範囲であるこ
とが透明導電層の抵抗値を小さくするためやエッチング
特性を改良するために好ましく、１≦Ｘ≦２の範囲であ
ることがさらに好ましい。

【００１４】該シリコン酸化物層の厚みは薄すぎると透
明導電層の抵抗値を小さくするためやエッチング特性を
改良する効果が小さく、厚すぎるとクラックが発生しや
すくなるほか生産性を低下させたりするため、０．０５
〜０．５μｍの範囲であることが重要である。該シリコ
ン酸化物層の厚みは、０．０６〜０．３μｍであること
がさらに好ましく、０．０８〜０．２μｍであることが
最も好ましい。

【００１５】本発明のシリコン酸化物層と保護層との間
に形成される連続的に組成が変化している境界層とは、
シリコン酸化物層と保護層との中間の組成を持ち、かつ
例えば炭素の割合がシリコン酸化物層内での割合から保
護層側に向かって保護層内での割合へ連続的に増加して
いる層を言う。該境界層の厚みは０．０５μｍ以上ある
ことが、透明導電層の抵抗値を小さくするためやエッチ
ング特性を改良するために好ましい。該境界層の厚みは
０．１μｍ以上あることがさらに好ましい。

【００１６】該透明導電層、該シリコン酸化物層、該境
界層の厚みや組成はイオンエッチングとオ−ジェ電子分
光分析の組合せなどによって知ることができる。図１は
本発明のカラ−フィルタの内、透明導電層から保護層表
層までの部分の深さ方向の組成分布の一例である。本発
明では、透明導電層を構成する主たる元素（図１ではイ
ンジウム）の濃度が透明導電層の厚さ方向の中央部での
濃度の半分になる位置Ａを透明導電層とシリコン酸化物
層の境界とする。またシリコン酸化物層と保護層との境
界は炭素原子が増加を始める位置Ｂとする。シリコン酸
化物層と保護層との間の連続的に組成が変化している境
界層とは、位置Ｂから本来の保護層の組成に回復する位
置Ｃまでとする。

【００１７】以下、本発明によるカラ−フィルタの製造
方法の概略を説明するが、これに限定されるものではな
い。

【００１８】スパッタ法によって酸化クロムからなる遮
光層をガラス基体上に形成し、フォトリソグラフィ法に
よって格子状に加工する。赤、青、緑の顔料とポリマ−
と溶媒を分散混合した３種類のペ−ストを用意する。ス
トライプ状の酸化クロム層が形成されたガラス上へ緑ペ
−ストを塗布しセミキュアした後、フォトリソグラフィ
法によって画素に対応したストライプ状の緑有機着色層
を形成し、キュアする。同様にして、続けて赤、青の有
機着色層を形成する。３色の画素が形成された上へオル
ガノシランとイミド基を有する化合物とを共重合して得
られるイミド変性シリコ−ン樹脂を塗布、キュアし、保
護層とする。該保護層を設けた基体を所定の条件で加熱
処理またはプラズマ処理することによって、該保護層表
層にシリコン酸化物層および境界層を形成する。次いで
スパッタ法によってＩＴＯ透明導電層を形成し、フォト
リソグラフィ法によってストライプ状に加工する。かく
して本発明のカラ−フィルタを得る。

【００１９】該加熱処理は、保護層のキュアから５時間
以上、好ましくは２４時間以上放置した後、１７０℃以
上の温度雰囲気に３０分間以上保管することを言う。キ
ュア後から加熱処理までの時間経過により該加熱処理の
効果は顕著になる。エッチング特性に優れた透明導電層
を得られる点で、該温度雰囲気は１７０〜３５０℃の範
囲であることが好ましく、２００〜３００℃の範囲であ
ることがさらに好ましい。該加熱処理の時間は３０分〜
３時間の範囲であることが好ましい。該加熱処理雰囲気
は特に限定されないが、大気など酸素や水蒸気を含む雰
囲気が好適に採用される。高温高湿雰囲気での加熱処理
が特に好ましい。

【００２０】該プラズマ処理とは、減圧下で発生させた
グロ−放電に処理物を晒すことを言う。プラズマ処理装
置としては公知のものが利用できるが、低抵抗およびエ
ッチング特性に優れた透明導電層を得られる点で、処理
時の圧力は、１０−３〜２０Ｔｏｒｒの範囲が好ましく
、１０−２〜５Ｔｏｒｒの範囲がさらに好ましい。処理
雰囲気としては、空気、ネオン、アルゴン、クリプトン
、窒素、酸素などが採用できるが、良質のシリコン酸化
物層を高速に形成するためや保護層の酸化などの劣化を
抑えるためには、空気、アルゴン、窒素が好ましい。常
圧プラズマと呼ばれる大気圧のヘリウムもしくはアルゴ
ンとアセトンなどのケトン類の混合ガス雰囲気でのグロ
−放電も採用することができる。

【００２１】低抵抗を得るためには、加熱処理よりもプ
ラズマ処理のほうが効果が大きく好ましい。

【００２２】［特性の測定方法、評価方法］（１）深さ
方向の組成分布の測定方法 オ−ジェ電子分光分析機（日本電子（株）製ＪＡＭＰ−
１０Ｓ）を用いた。透明導電層を構成する主たる元素の
濃度が透明導電層の厚さ方向の中央部での濃度の半分に
なる位置Ａを透明導電層とシリコン酸化物層の境界とす
る。またシリコン酸化物層と保護層との境界は炭素原子
が増加を始める位置Ｂとする。シリコン酸化物層と保護
層との間の連続的に組成が変化している境界層とは、位
置Ｂから本来の保護層の組成に回復する位置Ｃまでとす
る。

【００２３】（２）エッチング特性の評価方法得られた
透明導電層試料をフォトリソグラフィ法によってストラ
イプ状にエッチングし、レジストパタ−ンの幅からの広
がりやストライプの直線性からエッチング特性を評価す
る。エッチングは４０℃の塩酸と塩化第二鉄が２：１の
混合液中で行い、ジャストエッチングできる時間の２倍
の時間をかけてオ−バ−エッチングした。レジストパタ
−ンの幅からの広がり（サイドエッチング）が小さく、
ストライプの直線性が良いものが好ましい。

【００２４】（３）抵抗値の測定方法 四探針抵抗測定器（共和理研（株）　ｍｏｄｅｌ　Ｋ−
７０５ＲＤ）を用いた。

【００２５】

【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２６】実施例１ スパッタ法によって厚さ０．１μｍの酸化クロム遮光層
をガラス基体上に形成し、フォトリソグラフィ法によっ
て、一方は１１０μｍピッチ、これと直交する方向には
３３０μｍピッチで線幅が３０μｍの格子状に加工した
。赤、緑、青の顔料としてそれぞれＣｏｌｏｒ　Ｉｎｄ
ｅｘ　Ｎｏ．７３９０５　Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｒｅｄ　２
０９で示されるキナクリドン系顔料、Ｃｏｌｏｒ　Ｉｎ
ｄｅｘ　Ｎｏ．７４１６０　Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｇｒｅｅ
ｎ　３６　で示されるフタロシアニングリ−ン系顔料、
Ｃｏｌｏｒ　Ｉｎｄｅｘ　Ｎｏ．７４１６０　Ｐｉｇｍ
ｅｎｔ　ｂｌｕｅ　１５−４で示されるフタロシアニン
ブル−系顔料を用意した。透明なポリイミド先駆体溶液
（東レ（株）製セミコファインＳＰ−９１０）と上記顔
料を分散混合した赤、緑、青の３種類のペ−ストを用意
した。 格子状の酸化クロム層が形成されたガラス上へ緑ペ−ス
トを塗布しセミキュアした後、フォトリソグラフィ法に
よって、該格子の開口部を埋めるように、画素に対応し
た幅９０μｍ、ピッチ３３０μｍのストライプ状の緑有
機着色層を形成し、キュアした。該緑有機着色層の厚さ
は１．５μｍとした。同様にして、続けて赤、青の有機
着色層を形成した。メチルトリメトキシシランおよびジ
メチルジメトキシシランを酢酸を加え加水分解した後、
１：１に混合してオルガノシラン縮合物を作製した。３
，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物と３−アミノプロピルトリエトキシシランとをｎ
−メチル−２−ピロリドン溶媒中にてモル比で１：２の
割合で混合し、反応させ、イミド基を有する縮合物を作
製した。該オルガノシラン縮合物と該イミド基を有する
縮合物およびｎ−メチル−２−ピロリドンとを７：２：
４の割合で混合した組成物を赤、青、緑の有機着色層が
形成された基体上に塗布、キュアしてシリコン、酸素お
よび炭素を含んだ厚さ２μｍの保護層を得た。

【００２７】プラズマリアクタ−（ヤマト科学（株）製
　ｍｏｄｅｌ　ＰＣ−１０１Ａ）にて１Ｔｏｒｒのアル
ゴン雰囲気中で、該保護層を設けた基体に５０Ｗ、３分
間のプラズマ処理を施した。次にスパッタ法によって錫
が１０％含有されたＩＴＯ層を０．１１μｍの厚さで該
保護層上に形成した。ＩＴＯ層形成前の真空排気時間は
１５分、ＩＴＯ層形成中の基体の温度は２５０℃とした
。有機着色層のストライプとは直交する方向に幅２９０
μｍ、ピッチ３０μｍのフォトレジストのパタ−ンを設
け、フォトリソグラフィ法によって該ＩＴＯ層を該格子
の開口部を埋めるようにストライプ状にエッチングした
。ＩＴＯ層のエッチングは塩酸と塩化第二鉄とが２：１
の混合液にて行った。かくして本発明のカラ−フィルタ
を得た。

【００２８】ストライプ状に加工する前に測定したＩＴ
Ｏ層の表面抵抗値は１８．４Ω／□と十分小さかった。 ＩＴＯ層のストライプの直線性は良好で、またレジスト
パタ−ンに比べてサイドエッチングは７％と小さかった
。

【００２９】カラ−フィルタをＩＴＯ層側からオ−ジェ
電子分光分析法で深さ方向の組成分布を調べたところ図
１のようであり、シリコン、酸素および炭素を含んだ保
護層とＩＴＯ層との間に厚さが０．１７μｍのシリコン
酸化物層（位置Ａ−Ｂ間）があり、またさらにその基体
側に０．２μｍの連続的に組成が変化している境界層（
位置Ｂ−Ｃ間）があった。

【００３０】実施例２ 実施例１と同様にして、赤、青、緑の有機着色層を形成
した。メチルトリメトキシシランとジメチルジメトキシ
シランとを１：１に混合して酢酸を加え加水分解した。 この加水分解物とｎ−メチル−２−ピロリドンとを１：
１に混合して得られた組成物を、該有機着色層上に塗布
し、１５０℃で２時間のキュアを施してシリコン、酸素
および炭素を含んだ保護層を得た。

【００３１】プラズマリアクタ−にて１Ｔｏｒｒのアル
ゴン雰囲気中で、該保護層を設けた基体に５０Ｗ、３分
間のプラズマ処理を施した。次に実施例１と同様にして
ＩＴＯ膜を形成し、エッチングを施して、本発明のカラ
−フィルタを得た。

【００３２】ストライプ状に加工する前に測定したＩＴ
Ｏ層の表面抵抗値は１８．６Ω／□と十分小さかった。 ＩＴＯ層のストライプの直線性は良好で、またレジスト
パタ−ンに比べてサイドエッチングは８％と小さかった
。

【００３３】カラ−フィルタをＩＴＯ層側からオ−ジェ
電子分光分析法で深さ方向の組成分布を調べたところ、
シリコン、酸素および炭素を含んだ保護層とＩＴＯ膜と
の間に厚さが０．２μｍのシリコン酸化物層があり、ま
たさらにその基体側に０．２３μｍの連続的に組成が変
化している境界層があった。

【００３４】実施例３ 実施例１と同様にして、赤、青、緑の有機着色層および
該有機着色層上のシリコン、酸素および炭素を含んだ保
護層を得た。

【００３５】保護層のキュア後、２４時間大気中に該保
護層を設けた基体を放置した。次に、熱風オ−ブンにて
２００℃で３時間の加熱処理を施した。該保護層上に実
施例１と同様にしてＩＴＯ膜を形成し、エッチングを施
して、本発明のカラ−フィルタを得た。

【００３６】ストライプ状に加工する前に測定したＩＴ
Ｏ層の表面抵抗値は１９．４Ω／□と実施例１に比べて
やや大きくなったが、比較例１よりは小さかった。ＩＴ
Ｏ層のストライプの直線性は非常に良好で、またレジス
トパタ−ンに比べてサイドエッチングは５％と特に小さ
かった。

【００３７】カラ−フィルタをＩＴＯ層側からオ−ジェ
電子分光分析法で深さ方向の組成分布を調べたところ、
シリコン、酸素および炭素を含んだ保護層とＩＴＯ膜と
の間に厚さが０．１３μｍのシリコン酸化物層があり、
またさらにその基体側に０．３μｍの連続的に組成が変
化している境界層があった。

【００３８】比較例１ 保護層形成後、プラズマ処理を行わなかったこと以外は
実施例１と同様にしてカラ−フィルタを作製した。

【００３９】ストライプ状に加工する前に測定したＩＴ
Ｏ層の表面抵抗値は２０．４Ω／□であり、ガラス基板
上に同じ条件で成膜した場合の１８．８Ω／□より著し
く増大した。ＩＴＯ層のストライプの幅方向端部には不
規則な剥離が生じ直線性が損なわれたほか、レジストパ
タ−ンに比べて３０％のサイドエッチングが観察された
。

【００４０】カラ−フィルタをＩＴＯ層側からオ−ジェ
電子分光分析法で深さ方向の組成分布を調べたところ、
図２のようであり、シリコン、酸素および炭素を含んだ
保護層とＩＴＯ膜との間にはシリコン酸化物層や連続的
に組成が変化している境界層が見られなかった。

【００４１】比較例２ 保護層形成後、プラズマ処理を行わなかったこと以外は
実施例２と同様にしてカラ−フィルタを作製した。

【００４２】ストライプ状に加工する前に測定したＩＴ
Ｏ層の表面抵抗値は２１Ω／□であり、ガラス基板上に
同じ条件で成膜した場合の１８．８Ω／□より著しく増
大した。ＩＴＯ層のストライプの幅方向端部には不規則
な剥離が生じ直線性が損なわれたほか、レジストパタ−
ンに比べて４０％のサイドエッチングが観察された。カ
ラ−フィルタをＩＴＯ層側からオ−ジェ電子分光分析法
で深さ方向の組成分布を調べたところ、シリコン、酸素
および炭素を含んだ保護層とＩＴＯ膜との間にはシリコ
ン酸化物層や連続的に組成が変化している境界層が見ら
れなかった。

【００４３】

【発明の効果】本発明は、シリコン、酸素および炭素を
含んだ保護層の上に厚さ０．０５〜０．５μｍのシリコ
ン酸化物層を介して透明導電層を形成したので、ガラス
基体上に形成した場合と同等かそれ以下の小さな抵抗値
が得られたものである。透明導電層の抵抗値が小さいこ
とは、液晶駆動信号の遅延が抑えられより大型のディス
プレイが可能になったり、液晶駆動信号回路への負担が
小さくなるので非常に重要である。また該シリコン酸化
物層が無い場合には透明導電層をややオ−バ−エッチン
グすると顕著なサイドエッチングや不均一なサイドエッ
チングが起こりやすいが、該シリコン酸化物層を設けた
場合には良好なエッチングができたものである。オ−バ
−エッチングしても良好なパタ−ンが得られることは、
製造工程を安定させるために効果が大きい。さらに該シ
リコン酸化物層および該シリコン酸化物層と該保護層と
の間に連続的に組成が変化する境界層があることにより
、液晶表示素子製造時の熱履歴や洗浄によるクラックの
発生が抑制される効果もあった。

【００４４】

【発明の作用】シリコン、酸素および炭素を含んだ保護
層に適当な前処理を施し、表層を改質した後、透明導電
層を形成することにより、透明導電層形成時の保護層か
らの低分子量のアルコキシシランなどの脱離を抑えるこ
とができ、ガラス基体上に形成した場合と同等かそれ以
下の小さな抵抗値でかつエッチング特性に優れた透明導
電層が得られるものと推定される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のカラ−フィルタの深さ方向の組成分布
の一例である。

【図２】比較例のカラ−フィルタの深さ方向の組成分布
の一例である。

【符号の説明】

Ａ：透明導電層とシリコン酸化物層との境界Ｂ：シリコ
ン酸化物層と該シリコン酸化物層と保護層との間の連続
的に組成が変化する境界層との境界Ｃ：該境界層と該保
護層との境界

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体、有機着色層、保護層および透明導電
   層をこの順に積層してなるカラ−フィルタであって、該
   保護層がシリコン、酸素および炭素を含んでおり、かつ
   該保護層と該透明導電層との間に厚さが０．０５〜０．
   ５μｍの範囲のシリコン酸化物層が形成されていること
   を特徴とするカラ−フィルタ。
2. 【請求項２】該シリコン酸化物層と該保護層との間に０
   ．０５μｍ以上の厚さの連続的に組成が変化している境
   界層を有することを特徴とする請求項１記載のカラ−フ
   ィルタ。