JPH07146480A - 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 - Google Patents
透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH07146480A JPH07146480A JP29530893A JP29530893A JPH07146480A JP H07146480 A JPH07146480 A JP H07146480A JP 29530893 A JP29530893 A JP 29530893A JP 29530893 A JP29530893 A JP 29530893A JP H07146480 A JPH07146480 A JP H07146480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- color filter
- doped
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】樹脂保護層３と透明導電膜４の間に不純物をド
ープさせたＳｉターゲットを用いて、Ｎ2 および／また
はＮＨ3 を含むガス雰囲気でＤＣスパッタリング法によ
りＳｉＮX 膜５を設けるカラーフィルター基板の製造方
法。 【効果】透明導電膜の付着力が向上し、透明導電膜のパ
ターニング性が向上し良好な透明電極パターンが形成で
きる。
ープさせたＳｉターゲットを用いて、Ｎ2 および／また
はＮＨ3 を含むガス雰囲気でＤＣスパッタリング法によ
りＳｉＮX 膜５を設けるカラーフィルター基板の製造方
法。 【効果】透明導電膜の付着力が向上し、透明導電膜のパ
ターニング性が向上し良好な透明電極パターンが形成で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】カラー液晶表示装置に用いる透明
導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法に関するも
のである。
導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のカラー液晶表示装置に用いられる
透明電極は、一般的に透明基体、カラーフィルター層、
樹脂保護層上にスパッタリング法や真空蒸着法等のＰＶ
Ｄ法により錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明
導電膜を形成し、そののちフォトリソグラフィー工程、
ウェットエッチング工程によりＩＴＯ電極の微細加工
（パターニング）をして作製される。
透明電極は、一般的に透明基体、カラーフィルター層、
樹脂保護層上にスパッタリング法や真空蒸着法等のＰＶ
Ｄ法により錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明
導電膜を形成し、そののちフォトリソグラフィー工程、
ウェットエッチング工程によりＩＴＯ電極の微細加工
（パターニング）をして作製される。
【０００３】しかし、樹脂保護層と透明導電膜の付着力
が十分でなくウェットエッチング工程で透明導電膜が剥
離したり、またアンダーカットやサイドエッチングが大
きくパターニングが安定しないという問題点があった。
が十分でなくウェットエッチング工程で透明導電膜が剥
離したり、またアンダーカットやサイドエッチングが大
きくパターニングが安定しないという問題点があった。
【０００４】これらを解決する方法として樹脂保護層と
透明導電膜の間にＲＦ放電スパッタリング法により中間
膜としてＳｉＯ2 膜を形成する手法が主に用いられてい
るが、活性度の高いＲＦ放電プラズマ、とりわけ酸素プ
ラズマによる樹脂保護膜層へのダメージのために透明導
電膜のパターニング特性が安定しないものであった。ま
た、耐久性テスト後に、樹脂保護層とＳｉＯ2 膜との間
で剥離が生じるなど十分とはいえないのものであった。
透明導電膜の間にＲＦ放電スパッタリング法により中間
膜としてＳｉＯ2 膜を形成する手法が主に用いられてい
るが、活性度の高いＲＦ放電プラズマ、とりわけ酸素プ
ラズマによる樹脂保護膜層へのダメージのために透明導
電膜のパターニング特性が安定しないものであった。ま
た、耐久性テスト後に、樹脂保護層とＳｉＯ2 膜との間
で剥離が生じるなど十分とはいえないのものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の透明電極の製造方法が有していた前述の問題点を解決
しようとするものであり、透明導電膜の付着力が向上
し、生産性に優れた透明導電膜付きカラーフィルター基
板の製造方法を提供する。
の透明電極の製造方法が有していた前述の問題点を解決
しようとするものであり、透明導電膜の付着力が向上
し、生産性に優れた透明導電膜付きカラーフィルター基
板の製造方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題を
解決すべくなされたものであり、透明基体上に、カラー
フィルター層、樹脂保護層、透明導電膜を順に形成して
なるカラーフィルター基体の製造方法において、樹脂保
護層と透明導電膜の間に不純物をドープさせたＳｉター
ゲットを用いて、Ｎ2 および／またはＮＨ3 を含むガス
雰囲気でＤＣスパッタリング法によりＳｉＮX 膜を形成
することを特徴とする透明導電膜付きカラーフィルター
基板の製造方法を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、透明基体上に、カラー
フィルター層、樹脂保護層、透明導電膜を順に形成して
なるカラーフィルター基体の製造方法において、樹脂保
護層と透明導電膜の間に不純物をドープさせたＳｉター
ゲットを用いて、Ｎ2 および／またはＮＨ3 を含むガス
雰囲気でＤＣスパッタリング法によりＳｉＮX 膜を形成
することを特徴とする透明導電膜付きカラーフィルター
基板の製造方法を提供するものである。
【０００７】図１は本発明に係わるカラーフィルター基
体の断面図である。１は透明基体、２はカラーフィルタ
ー、３は樹脂保護層、４は透明導電膜、５はＳｉＮX 膜
である。
体の断面図である。１は透明基体、２はカラーフィルタ
ー、３は樹脂保護層、４は透明導電膜、５はＳｉＮX 膜
である。
【０００８】透明基体１はガラスに代表される基体であ
る。透明導電膜４としては例えば、錫が５〜１０ｗｔ％
ドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）等が代表として
挙げられるが、他の金属化合物薄膜でもよい。
る。透明導電膜４としては例えば、錫が５〜１０ｗｔ％
ドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）等が代表として
挙げられるが、他の金属化合物薄膜でもよい。
【０００９】カラーフィルター２としては、顔料分散法
によるポリイミド樹脂やアクリル樹脂、印刷法によるエ
ポキシ樹脂、染色法によるゼラチン等などが挙げられる
が、特に限定されるものではない。
によるポリイミド樹脂やアクリル樹脂、印刷法によるエ
ポキシ樹脂、染色法によるゼラチン等などが挙げられる
が、特に限定されるものではない。
【００１０】樹脂保護層３の材料としては、特に限定さ
れるものではなく、アクリル系、ポリイミド系、シリコ
ーン系など、いずれでも使用できる。
れるものではなく、アクリル系、ポリイミド系、シリコ
ーン系など、いずれでも使用できる。
【００１１】ＳｉＮX 膜５の成膜にあたっては、ターゲ
ットとして、不純物がドープされたＳｉターゲットを用
いる。不純物としてはＰ、Ｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、およびＡｌ
からなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として
含むものがよいが、カラー液晶表示装置の作動を阻害す
るものでなければ他の３Ｂ族や５Ｂ族の元素あるいは他
の金属元素でもかまわない。特に、比抵抗が１０4 Ωｃ
ｍ以下になるように不純物をＳｉにドープしたターゲッ
トを用いると、制御が容易で、成膜速度が速く、膜質の
均一性に優れるＤＣスパッタリングが可能となる。
ットとして、不純物がドープされたＳｉターゲットを用
いる。不純物としてはＰ、Ｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、およびＡｌ
からなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として
含むものがよいが、カラー液晶表示装置の作動を阻害す
るものでなければ他の３Ｂ族や５Ｂ族の元素あるいは他
の金属元素でもかまわない。特に、比抵抗が１０4 Ωｃ
ｍ以下になるように不純物をＳｉにドープしたターゲッ
トを用いると、制御が容易で、成膜速度が速く、膜質の
均一性に優れるＤＣスパッタリングが可能となる。
【００１２】ここで不純物がドープしたＳｉターゲット
の比抵抗値が減少する機構は、必ずしも明確ではない
が、３Ｂ族や５Ｂ族の元素をＳｉにドープした場合は禁
止帯内にアクセプター準位やドナー準位が形成され比抵
抗が下がり、また金属元素をＳｉにドープさせた場合は
金属元素の導電率が高いため全体として比抵抗が下がる
と考えられる。
の比抵抗値が減少する機構は、必ずしも明確ではない
が、３Ｂ族や５Ｂ族の元素をＳｉにドープした場合は禁
止帯内にアクセプター準位やドナー準位が形成され比抵
抗が下がり、また金属元素をＳｉにドープさせた場合は
金属元素の導電率が高いため全体として比抵抗が下がる
と考えられる。
【００１３】ＳｉＮX 膜の作製方法としてはＤＣスパッ
タリングがもっとも好ましく、スパッタリングに使用す
るガスはＮ2 、ＮＨ3 だけでもよいが、放電の安定には
Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスとの混合ガスが好ましい。
タリングがもっとも好ましく、スパッタリングに使用す
るガスはＮ2 、ＮＨ3 だけでもよいが、放電の安定には
Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスとの混合ガスが好ましい。
【００１４】またＳｉＮX 膜厚は特に限定されないが、
２０Å以上５００Å以下が好ましい。２０Åよりも薄い
と十分なガス遮断性能や密着性能が得られず、また、５
００Åよりも厚いと膜中の内部応力が大きくなり、クラ
ックなどが生じやすい。
２０Å以上５００Å以下が好ましい。２０Åよりも薄い
と十分なガス遮断性能や密着性能が得られず、また、５
００Åよりも厚いと膜中の内部応力が大きくなり、クラ
ックなどが生じやすい。
【００１５】
【作用】本発明のＳｉＮX 膜は作製時にＯ2 ガスを用い
ていないため、ＳｉＯ2 膜を形成する際に問題となる反
応性に富むＯ2 プラズマがないこと、さらにＳｉターゲ
ットに前記したような不純物をドープさせて導電性を向
上させたことによって、活性度の高いプラズマを伴うＲ
Ｆスパッタリングではなく、ＤＣスパッタリングが使用
でき、樹脂保護層のプラズマによる劣化を極力抑えるこ
とができる。また、本発明のＳｉＮX 膜は、透明導電膜
作製の際の樹脂保護層からの有機性ガスを遮断し、透明
導電膜を劣化させないため、付着力が高く透明導電膜の
パターニング性を向上させるという作用を有する。
ていないため、ＳｉＯ2 膜を形成する際に問題となる反
応性に富むＯ2 プラズマがないこと、さらにＳｉターゲ
ットに前記したような不純物をドープさせて導電性を向
上させたことによって、活性度の高いプラズマを伴うＲ
Ｆスパッタリングではなく、ＤＣスパッタリングが使用
でき、樹脂保護層のプラズマによる劣化を極力抑えるこ
とができる。また、本発明のＳｉＮX 膜は、透明導電膜
作製の際の樹脂保護層からの有機性ガスを遮断し、透明
導電膜を劣化させないため、付着力が高く透明導電膜の
パターニング性を向上させるという作用を有する。
【００１６】さらに、ＤＣスパッタリング法が可能なた
め、ＲＦ放電スパッタリング法よりも制御が容易とな
り、非常に高価なマッチングボックスが不用で、成膜速
度も著しく速く、生産性に優れるという作用も有する。
め、ＲＦ放電スパッタリング法よりも制御が容易とな
り、非常に高価なマッチングボックスが不用で、成膜速
度も著しく速く、生産性に優れるという作用も有する。
【００１７】
【実施例】透明なガラス基板にスピンコーターにより顔
料を樹脂中に分散したカラーフィルター形成液を塗布し
て５μｍのカラーフィルター層を形成し、その上にロー
ルコーター方式で樹脂保護層としてアクリル樹脂を３μ
ｍコーティングした。その上にＳｉにＰを１ｐｐｍドー
プした比抵抗が１. ６Ωｃｍのターゲットを用い、また
ＡｒガスとＮ2 ガスを７対３の比としたスパッタリング
ガスを用い、このガスをＤＣスパッタリング装置の真空
チャンバーに圧力を４×１０-3Ｔｏｒｒになるように導
入し、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＰドープＳｉ
ＮX 膜（以下、ＤＣ−ＳｉＮX 膜という）を膜厚１００
Åとなるように形成した。さらにその上にＩＴＯ膜をＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法により膜厚が２５００Åにな
るように作製した。
料を樹脂中に分散したカラーフィルター形成液を塗布し
て５μｍのカラーフィルター層を形成し、その上にロー
ルコーター方式で樹脂保護層としてアクリル樹脂を３μ
ｍコーティングした。その上にＳｉにＰを１ｐｐｍドー
プした比抵抗が１. ６Ωｃｍのターゲットを用い、また
ＡｒガスとＮ2 ガスを７対３の比としたスパッタリング
ガスを用い、このガスをＤＣスパッタリング装置の真空
チャンバーに圧力を４×１０-3Ｔｏｒｒになるように導
入し、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＰドープＳｉ
ＮX 膜（以下、ＤＣ−ＳｉＮX 膜という）を膜厚１００
Åとなるように形成した。さらにその上にＩＴＯ膜をＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法により膜厚が２５００Åにな
るように作製した。
【００１８】上記ＩＴＯ膜上にフォトリソグラフィー法
によりライン状のレジストを形成し、塩酸と塩化第二鉄
と水が重量比２：１：１のエッチング液によりＩＴＯ膜
のパターニングを行った。その結果を表１に示す。
によりライン状のレジストを形成し、塩酸と塩化第二鉄
と水が重量比２：１：１のエッチング液によりＩＴＯ膜
のパターニングを行った。その結果を表１に示す。
【００１９】比較のために樹脂保護層に直接ＩＴＯ透明
導電膜を２５００Å成膜したもの、また樹脂保護層とＩ
ＴＯ透明導電膜の間に中間膜としてＲＦ放電スパッタリ
ングによりＳｉＯ2 膜（以下、ＲＦ−ＳｉＯ2 膜とい
う）とＳｉＮX （以下、ＲＦ−ＳｉＮX 膜という）膜を
それぞれ１００Å形成したのち、ＩＴＯ透明導電膜を２
５００Å成膜し、ＩＴＯ膜をパターニングしたものも表
１に示す。同時に２次イオン質量分析法で測定したＩＴ
Ｏ膜中に取り込まれたカーボン量（Ｃ量）をインジウム
量（Ｉｎ量）に対する比として表した。また、耐久テス
ト後の樹脂保護層と中間膜の界面の状態も表１に示し
た。
導電膜を２５００Å成膜したもの、また樹脂保護層とＩ
ＴＯ透明導電膜の間に中間膜としてＲＦ放電スパッタリ
ングによりＳｉＯ2 膜（以下、ＲＦ−ＳｉＯ2 膜とい
う）とＳｉＮX （以下、ＲＦ−ＳｉＮX 膜という）膜を
それぞれ１００Å形成したのち、ＩＴＯ透明導電膜を２
５００Å成膜し、ＩＴＯ膜をパターニングしたものも表
１に示す。同時に２次イオン質量分析法で測定したＩＴ
Ｏ膜中に取り込まれたカーボン量（Ｃ量）をインジウム
量（Ｉｎ量）に対する比として表した。また、耐久テス
ト後の樹脂保護層と中間膜の界面の状態も表１に示し
た。
【００２０】本発明のＤＣ−ＳｉＮX 膜を中間膜として
用いた場合は、中間膜を用いない場合や中間膜をＲＦ−
ＳｉＯ2 膜やＲＦ−ＳｉＮX 膜としたものよりもＩＴＯ
膜中に取り込まれたカーボンが少量で、サイドエッチン
グ量が少なく１μｍ以下であり、パターニング性に優れ
ていた。さらにＤＣ−ＳｉＮX 膜を中間膜とした場合
は、耐久テスト後も樹脂保護層との界面でハクリが見ら
れなかった。
用いた場合は、中間膜を用いない場合や中間膜をＲＦ−
ＳｉＯ2 膜やＲＦ−ＳｉＮX 膜としたものよりもＩＴＯ
膜中に取り込まれたカーボンが少量で、サイドエッチン
グ量が少なく１μｍ以下であり、パターニング性に優れ
ていた。さらにＤＣ−ＳｉＮX 膜を中間膜とした場合
は、耐久テスト後も樹脂保護層との界面でハクリが見ら
れなかった。
【００２１】また中間膜なしではＩＴＯ膜の面抵抗値は
１２〜１３Ω／□、中間膜としてＲＦ−ＳｉＯ2 膜やＲ
Ｆ−ＳｉＮX 膜を用いるとＩＴＯ膜の面抵抗値は９〜１
０Ω／□であったが、中間膜としてＤＣ−ＳｉＮX 膜を
用いた場合は８〜９Ω／□の面抵抗値が得られた。
１２〜１３Ω／□、中間膜としてＲＦ−ＳｉＯ2 膜やＲ
Ｆ−ＳｉＮX 膜を用いるとＩＴＯ膜の面抵抗値は９〜１
０Ω／□であったが、中間膜としてＤＣ−ＳｉＮX 膜を
用いた場合は８〜９Ω／□の面抵抗値が得られた。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明は透明電極付きカラーフィルター
基体の製造方法において、樹脂保護層と透明導電膜の間
に不純物ドープＳｉターゲットを用いてＤＣ放電スパッ
タにより不純物ドープＳｉＮX 膜を形成することで透明
導電膜の付着力が向上し、透明導電膜のパターニング性
が向上し良好な透明電極パターンが形成できるという効
果がある。また、ＳｉＮX 膜の作製時に、ＤＣスパッタ
リング法を用いることによって、制御が容易で、成膜速
度も著しく速いため生産性に優れるという効果も有す
る。さらに、ＲＦ放電を利用しないために、非常に高価
なマッチングボックスが不用となり、装置コストの低減
がはかれるという経済的効果も有する。
基体の製造方法において、樹脂保護層と透明導電膜の間
に不純物ドープＳｉターゲットを用いてＤＣ放電スパッ
タにより不純物ドープＳｉＮX 膜を形成することで透明
導電膜の付着力が向上し、透明導電膜のパターニング性
が向上し良好な透明電極パターンが形成できるという効
果がある。また、ＳｉＮX 膜の作製時に、ＤＣスパッタ
リング法を用いることによって、制御が容易で、成膜速
度も著しく速いため生産性に優れるという効果も有す
る。さらに、ＲＦ放電を利用しないために、非常に高価
なマッチングボックスが不用となり、装置コストの低減
がはかれるという経済的効果も有する。
【図１】本発明にかかるカラーフィルター基体の断面図
１：基体 ２：カラーフィルター ３：樹脂保護層 ４：透明導電膜 ５：ＳｉＮX 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大崎 壽 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 林 泰夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】透明基体上に、カラーフィルター層、樹脂
保護層、透明導電膜を順に形成してなるカラーフィルタ
ー基体の製造方法において、樹脂保護層と透明導電膜の
間に不純物をドープさせたＳｉターゲットを用いて、Ｎ
2 および／またはＮＨ3 を含むガス雰囲気でＤＣスパッ
タリング法によりＳｉＮX 膜を形成することを特徴とす
る透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法。 - 【請求項２】前記不純物がＰ、Ｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、および
Ａｌからなる群から選ばれる少なくとも１種類であるこ
とを特徴とする請求項１記載の透明導電膜付きカラーフ
ィルター基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530893A JPH07146480A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530893A JPH07146480A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146480A true JPH07146480A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17818931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29530893A Withdrawn JPH07146480A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242140B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method for manufacturing color filter |
| US6818328B2 (en) | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Color conversion filter substrate, color conversion type multicolor organic EL display having the color conversion filter substrate, and methods of manufacturing these |
| US7579768B2 (en) | 2004-10-19 | 2009-08-25 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with improved moisture protection |
| US8082876B2 (en) | 2000-08-24 | 2011-12-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Manufacturing method of OLED display and apparatus for manufacturing the OLED display |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29530893A patent/JPH07146480A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242140B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method for manufacturing color filter |
| US8082876B2 (en) | 2000-08-24 | 2011-12-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Manufacturing method of OLED display and apparatus for manufacturing the OLED display |
| US6818328B2 (en) | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Color conversion filter substrate, color conversion type multicolor organic EL display having the color conversion filter substrate, and methods of manufacturing these |
| US7579768B2 (en) | 2004-10-19 | 2009-08-25 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with improved moisture protection |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6471879B2 (en) | Buffer layer in flat panel display | |
| JPWO2004105054A1 (ja) | 非晶質透明導電膜、及びその原料スパッタリングターゲット、及び非晶質透明電極基板、及びその製造方法、及び液晶ディスプレイ用カラーフィルタ | |
| US6548227B2 (en) | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch | |
| US20110102722A1 (en) | Indium tin oxide sputtering target and transparent conductive film fabricated using the same | |
| JPH0843841A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP3611618B2 (ja) | 非晶質導電膜のパターニング方法 | |
| JPH07146480A (ja) | 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 | |
| JP3094421B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP2010061837A (ja) | 透明導電膜性基材 | |
| JP3627273B2 (ja) | 透明導電膜付き樹脂基板およびその製造方法 | |
| KR20010068549A (ko) | 반사방지막을 가지는 평판표시장치 | |
| JPH06160876A (ja) | 透明電極板及びその製造方法 | |
| JP3837903B2 (ja) | 透明導電膜とその製造方法 | |
| JP3369728B2 (ja) | 積層型透明導電基材 | |
| JPS58206008A (ja) | 透明導電性積層体の形成方法 | |
| JPH0713147A (ja) | カラーフィルター基板及び液晶表示素子 | |
| JPH07333656A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| KR101490452B1 (ko) | 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2651940B2 (ja) | 透明導電膜付基板 | |
| JPH06308539A (ja) | マトリクスアレイ基板の製造方法 | |
| JP2001216843A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JP2798963B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2003132738A (ja) | 透明導電膜付き基板 | |
| JPH09174749A (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JPH0869981A (ja) | 透明導電膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |