JPH04336549A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真プロセスを利
用した画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高抵抗トナーを用いて反転現像プロセス
により現像が行なわれる、レーザビームプリンタ、ファ
クシミリ等の画像形成装置の従来の画像形成部の概略構
成の一例を図５に示す。

【０００３】感光体ドラム１の周囲には、矢印で示すそ
の回動方向の順に、帯電チャージャ２、露光光学系３、
現像装置４、転写チャージャ５が設けられており、帯電
チャージャ２はスコロトロンとして形成され、グリッド
電極６にはグリッド電極用電源７によりグリッド電位が
印加され、スコロトロンケーシング電極８は接地されて
いる。又、スコロトロンチャージャワイヤ９には帯電用
高圧電源１０により高圧が印加されている。

【０００４】感光体ドラム１の基部導電体１１は、接地
されている。又、現像装置４の現像ローラ中心導電体１
２は現像バイアス用電源１３により現像バイアスを印加
することができる。転写チャージャ５はコロトロンとし
て構成され、そのケーシング電極１８は接地されており
、チャージャワイヤ１４には転写用高圧電源１５により
高圧が印加されている。

【０００５】上記構成の画像形成装置において、画像濃
度を変更する場合には、現像バイアス用電源１３の出力
電圧を変化させるのが通常である。詳しく説明をする。 図６は静電潜像電位と現像バイアスの関係を示す図であ
る。「標準」状態をあらわす同図（ａ）では、静電潜像
の露光部Ｖｏｎは５０Ｖ、非露光部Ｖｏｆｆは６００Ｖ
である。反転現像プロセスの場合にはこれら潜像電位に
対して現像バイアスＶＢは５５０Ｖ程度に設定すること
が通常である。「濃い」状態をあらわす図６（ｂ）では
、先述の様に現像バイアスを例えば２００Ｖ高くして７
５０Ｖとし、一方「薄い」状態をあらわす図６（ｃ）で
は、現像バイアスを例えば２００Ｖ低くして３５０Ｖと
する。この時、

【０００６】

【数１】

【０００７】で表わすものとすれば、

【０００８】

【数２】

【０００９】の時には、△Ｖが正の値をとる。

【００１０】図７は現像電位差△Ｖと画像の光学反射濃
度の関係を示す。画像部になる露光部は、十分な画像濃
度を得るために、△Ｖが正の値になる様に設定する。一
方、背景部になる非露光部は、いわゆる「地肌汚れ」が
発生しない様に、ｏＶ近傍に設定する。画像濃度を変更
する為に、具体的には図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す現
像バイアスを±２００Ｖ変化させた場合の、画像部と背
景部の画像濃度の関係を図７から読みとり、表２に一覧
にして示す。画像部では光学反射濃度０．６０〜１．４
０と画像濃度に十分な変化を与えることが可能である。 一方、背景部では光学反射濃度０．０５〜０．２７であ
る。一般的には、光学反射濃度が０．１０よりも大きく
なると、人間は背景部のトナー付着いわゆる「地肌汚れ
」を認識すると言われている。つまり、この場合だと地
肌汚れという好ましくない現像が発生する。

【００１１】以上述べた様に、従来の画像形成装置にお
いては、画像濃度を十分な変化幅で変更しようとすると
、背景部に地肌汚れを生じる、という問題点を有してい
た。これを回避する為に、現像バイアスの変化幅を小さ
くして背景部の光学反射濃度が常に０．１０位かになる
ような範囲に限定することも考えられるが、この場合に
は、画像濃度の変更範囲も小さくなってしまい、画像濃
度を十分な変化幅で変更させたいという本来の目的を果
たさない。

【００１２】

【表１】

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みてなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、画像濃度を十分な範囲で変更させ得る機能を維持
したまま、背景部に地肌汚れを発生することのない画像
形成装置わ提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような問題を解決す
るために本発明の画像形成装置においては、現像バイア
ス及びグリッド電極電位の両方を同時にシフトさせるこ
とを可能とする電位シフト用電位発生部を、現像バイア
ス用電源及びグリッド電極用電源のそれぞれに対して直
列接続になるように設けたことを特徴とする。

【００１５】

【作用】電位シフト用電圧発生部の出力電圧を変化させ
て画像濃度調整を行なうので、画像部の濃度は十分な範
囲で変化し、かつ背景部の地肌汚れは決して発生しない
。

【００１６】

【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００１７】図１は本発明をさきに図５で説明した画像
形成装置に適用した図である。したがって図５の装置と
同一の部材には同一の符号を付して説明する。

【００１８】本実施例の前記従来例との差異は、現像バ
イアスとグリッド電極電位の両方を同時にシフトさせる
ことを可能とする電位シフト用電圧発生部２０を設けた
こと以外は従来の装置と異なるところはない。

【００１９】上記の電位シフト用電圧発生部２０は、グ
リッド電極用電源７及び現像バイアス用電源、１３に直
列に接続し、該電圧発生部２０の発生電位分だけ現像バ
イアス及びグリッド電極電位がシフトするものである。 本実施例の装置では、現像条件を図５のものと同一とす
るためには、現像バイアス用電源１３の出力値を電位シ
フト用電圧発生部２０の出力分だけ低めにシフトさせ、
同様にグリッド電極用電源７も低めにシフトさせるだけ
でよい。

【００２０】図２を用いて、グリッド電極電位と感光体
の帯電電位の関係を説明する。発明者の実験によれば、
スコロトロン方式の帯電器を用いた場合、実使用領域で
ある帯電帯位数１００Ｖの領域では、該帯電電位は前記
グリッド電極電位に対して、極めて良好な直線性を有す
る比例関係にある。具体的にはグリッド電極電位が６５
０Ｖから８５０Ｖに変化すると、帯電電位は６００Ｖか
ら８００Ｖに変化する。

【００２１】以上の説明をもとに、図３に本発明の静電
潜像電位と現像バイアスの関係を示す。標準状態をあら
わす図３（ａ）では、図６（ａ）に示した従来例と全く
同じ条件であり、画像部濃度及び背景部濃度は従来例と
同じである。次に「濃い」状態をあらわす図６（ｂ）で
は、先述の様に電位シフト用電圧発生部を、この場合２
００Ｖ高くしたものである。先述の様に現像バイアス及
びグリッド電極電位が同時に２００Ｖシフトし、グリッ
ド電極電位の変化に伴って帯電電位も２００Ｖシフトす
る。以上の結果、画像部の現像電位差は２００Ｖ広がり
、該２００Ｖに対応した濃い画像濃度が得られる。一方
背景部は、「標準」状態と同様に現像電位差は５０Ｖな
ので地肌汚れは発生しない。次に、図６（ｃ）では「薄
い」状態をあらわしている。この場合は電位シフト用電
圧発生部を２００Ｖ低くしたものである。図６（ｂ）の
説明と考え方は同様であり、画像部では該２００Ｖに対
応した薄い画像濃度が得られる。一方背景部は先述と同
様に現像電位差は５０Ｖなので、地肌汚れは発生しない
。これら現像電位差と画像の光学反射濃度の関係を図４
に示す。また、表１に本発明における画像部と背景部の
画像濃度の関係を一覧にして示す。画像部では光学反射
濃度０．６０〜１．４０と画像濃度に十分な変化を与え
ることが可能である。一方背景部では光学反射濃度は常
に０．０５で安定していて、決して地肌汚れは発生しな
い。

【００２２】

【表２】

【００２３】

【発明の効果】以上、説明したように本発明においては
、背景部に地肌汚れを発生させることなく、画像部に十
分な濃度変化を与えることができる。また、背景部への
トナー付着を防止できるので、トナー消費量の低減や、
クリーニングユニット及び廃トナー容器の寿命延長が可
能になり、これらの結果としてランニングコストの低減
に効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す図式図。

【図２】グリッド電極電位と感光体の帯電電位の関係わ
示す図。

【図３】本発明の静電潜像電位と現像バイアスの関係を
示す図。

【図４】本発明の現像電位差と画像の光学反射濃度の関
係を示す図。

【図５】従来の画像形成装置の一例を示す図式図。

【図６】従来の静電潜像電位と現像バイアスの関係を示
す図。

【図７】従来の現像電位差と画像の光学反射濃度の関係
を示す図。

【符号の説明】

２０　　電位シフト用電圧発生部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　感光体上に形成された静電潜像を反転
   現像プロセスにより現像してトナー像を得る画像形成装
   置において、現像バイアス及びグリッド電極電位の両方
   を同時にシフトさせることを可能とする電位シフト用電
   圧発生部を、現像バイアス用電源及びグリッド電極用電
   源のそれぞれに対して直列接続になるように設けたこと
   を特徴とする画像形成装置。