JPH04337629A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH04337629A JPH04337629A JP11006891A JP11006891A JPH04337629A JP H04337629 A JPH04337629 A JP H04337629A JP 11006891 A JP11006891 A JP 11006891A JP 11006891 A JP11006891 A JP 11006891A JP H04337629 A JPH04337629 A JP H04337629A
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- JP
- Japan
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- steam
- wafer
- combustion chamber
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- LPVJWXJBZPCDLM-HUWNQDJBSA-N 7-boat Chemical compound O([C@H]1\C(C)=C/[C@]23O[C@@]2(C([C@H](C)[C@@H](OC(C)=O)[C@H]2[C@H](C2(C)C)[C@@H]1OC(C)=O)=O)C[C@H]([C@H]3OC(C)=O)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 LPVJWXJBZPCDLM-HUWNQDJBSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に拡散炉装置に関する。
関し、特に拡散炉装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の拡散炉装置は、図２に示すように
、一端が閉じられ他端が開放された炉芯管１の、閉じら
れた一端部にガス導入管２Ａ、２Ｂが設けられた構造と
なっていた。そしてこのガス導入管２Ａ、２Ｂから水素
と酸素を導入して燃焼させ、発生させたスチームを使っ
て炉芯管内にボート７により搬入された半導体ウエーハ
（以下単にウエーハという）８上に酸化膜を形成する等
の処理が行なわれていた。
、一端が閉じられ他端が開放された炉芯管１の、閉じら
れた一端部にガス導入管２Ａ、２Ｂが設けられた構造と
なっていた。そしてこのガス導入管２Ａ、２Ｂから水素
と酸素を導入して燃焼させ、発生させたスチームを使っ
て炉芯管内にボート７により搬入された半導体ウエーハ
（以下単にウエーハという）８上に酸化膜を形成する等
の処理が行なわれていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の製造装置は、ガス燃焼によって発生させたスチー
ムによって、ウエーハを処理している為、ガス燃焼部付
近と開放端４の付近とで形成する酸化膜等の膜厚にばら
つきが発生するため、半導体装置の特性がばらつくとい
う問題点があった。
装置の製造装置は、ガス燃焼によって発生させたスチー
ムによって、ウエーハを処理している為、ガス燃焼部付
近と開放端４の付近とで形成する酸化膜等の膜厚にばら
つきが発生するため、半導体装置の特性がばらつくとい
う問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、一端が閉じられ他端が開放された円筒型の炉
芯管と、この炉芯管の閉じられた一端に接続された複数
のガス導入管と、前記炉芯管内に設けられ前記ガス導入
管から導入されたガスを燃焼させてスチームを発生させ
るガス燃焼室と、このガス燃焼室に隣接して設けられ半
導体ウエーハを処理する処理室と、この処理室内に設け
られ前記スチームを処理室内に導入するためのスチーム
導入管とを含むものである。
造装置は、一端が閉じられ他端が開放された円筒型の炉
芯管と、この炉芯管の閉じられた一端に接続された複数
のガス導入管と、前記炉芯管内に設けられ前記ガス導入
管から導入されたガスを燃焼させてスチームを発生させ
るガス燃焼室と、このガス燃焼室に隣接して設けられ半
導体ウエーハを処理する処理室と、この処理室内に設け
られ前記スチームを処理室内に導入するためのスチーム
導入管とを含むものである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例の模式断面図である。
。図１は本発明の一実施例の模式断面図である。
【０００６】図１において炉芯管１は、一端が閉られ他
端が開放端４となっている。そして炉芯管１の閉じられ
た端部にはガス導入管２Ａ、２Ｂが接続され、内部の燃
焼室３に引き込まれている。燃焼室３に隣接して処理室
６が設けられており、その上部には複数の穴のあいたス
チーム導入管５が設けられている。
端が開放端４となっている。そして炉芯管１の閉じられ
た端部にはガス導入管２Ａ、２Ｂが接続され、内部の燃
焼室３に引き込まれている。燃焼室３に隣接して処理室
６が設けられており、その上部には複数の穴のあいたス
チーム導入管５が設けられている。
【０００７】このように構成された本実施例によれば、
炉芯管１の内部は燃焼室３とボート７により搬入された
ウエーハ８を処理する処理室６とが分離されているため
、ガス導入管２Ａ、２Ｂにより導入された水素と酸素の
燃焼によって発生させたスチームを、穴のあいた石英製
のスチーム導入管５によって処理室６へ均一に送り込み
ウエーハの処理を行なうことができる。このようにスチ
ームが処理室６にほぼ均等に送られる為、ウエーハに形
成される酸化膜のばらつきを抑制することができる。
炉芯管１の内部は燃焼室３とボート７により搬入された
ウエーハ８を処理する処理室６とが分離されているため
、ガス導入管２Ａ、２Ｂにより導入された水素と酸素の
燃焼によって発生させたスチームを、穴のあいた石英製
のスチーム導入管５によって処理室６へ均一に送り込み
ウエーハの処理を行なうことができる。このようにスチ
ームが処理室６にほぼ均等に送られる為、ウエーハに形
成される酸化膜のばらつきを抑制することができる。
【０００８】スチーム導入管５の穴は、燃焼室から遠ざ
かるほど大きくしたり、穴の数を増すことによって、ス
チームのふき出し量を一定にすることが出来る。
かるほど大きくしたり、穴の数を増すことによって、ス
チームのふき出し量を一定にすることが出来る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガスの燃
焼室とウエーハの処理室とを分離し、ガスの燃焼によっ
て発生したスチームを燃焼室から連なる穴のあいたチー
ム導入管によって送りこむことができるため、ウエーハ
上に形成される酸化膜の炉内位置による膜厚ばらつきを
改善することができるという効果がある。
焼室とウエーハの処理室とを分離し、ガスの燃焼によっ
て発生したスチームを燃焼室から連なる穴のあいたチー
ム導入管によって送りこむことができるため、ウエーハ
上に形成される酸化膜の炉内位置による膜厚ばらつきを
改善することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の模式断面である。
【図２】従来の拡散炉の模式断面図である。
１ 炉芯管
２Ａ，２Ｂ ガス導入管
３ 燃焼室
４ 開放端
５ スチーム導入管
６ 処理室
７ ボート
８ ウエーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 一端が閉じられ他端が開放された円筒
型の炉芯管と、この炉芯管の閉じられた一端に接続され
た複数のガス導入管と、前記炉芯管内に設けられ前記ガ
ス導入管から導入されたガスを燃焼させてスチームを発
生させるガス燃焼室と、このガス燃焼室に隣接して設け
られ半導体ウエーハを処理する処理室と、この処理室内
に設けられ前記スチームを処理室内に導入するためのス
チーム導入管とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006891A JPH04337629A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006891A JPH04337629A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337629A true JPH04337629A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14526246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006891A Pending JPH04337629A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337629A (ja) |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11006891A patent/JPH04337629A/ja active Pending
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