JPH04338902A - Method and device for guiding semiconductor laser beam by optical fiber - Google Patents

Method and device for guiding semiconductor laser beam by optical fiber

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JPH04338902A
JPH04338902A JP241191A JP241191A JPH04338902A JP H04338902 A JPH04338902 A JP H04338902A JP 241191 A JP241191 A JP 241191A JP 241191 A JP241191 A JP 241191A JP H04338902 A JPH04338902 A JP H04338902A
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JP
Japan
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optical fiber
semiconductor laser
laser beam
light source
bundle
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JP241191A
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Japanese (ja)
Inventor
Norio Kawatani
典夫 川谷
Tomoya Kiga
気賀 智也
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To improve the light energy density of the semiconductor laser beam. CONSTITUTION:This laser beam 3 which is emitted by a semiconductor laser element 1 is made incident on and coupled with the incidence end surface 7 of a bundle type optical fiber 6 in the same shape with the light source 2 of the semiconductor laser element 1 through a condenser lens 4 and the projection end surfaces 8 on the projection side of the bundle optical fiber 6 are formed in the closest array. The light energy density of the semiconductor laser beam can be improved, so a body can finely be machined with the semiconductor laser beam.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザビーム
による物体の微細加工を行う装置の半導体レーザビーム
の光ファイバーへの入射結合及び導出方法及びその装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for coupling and guiding a semiconductor laser beam into an optical fiber and an apparatus for microfabrication of objects using a semiconductor laser beam.

【0002】0002

【従来の技術】物体の微細加工を行う装置の半導体レー
ザビームの光ファイバーへの入射結合方法として、例え
ば、従来技術では、次の方法がある。
2. Description of the Related Art As a method for coupling a semiconductor laser beam into an optical fiber in an apparatus for microfabrication of an object, for example, in the prior art, there is the following method.

【0003】1.単芯ファイバーへの結合図8において
、半導体レーザ素子1の光源2からのレーザビーム3は
ロッドレンズのような集光レンズ4を介して光ファイバ
ー5に入射するように構成されているが、この場合の光
ファイバー5の口径Cは、光源2に対し次の関係になっ
ている。
1. Coupling to a single-core fiber In FIG. 8, a laser beam 3 from a light source 2 of a semiconductor laser device 1 is configured to enter an optical fiber 5 via a condensing lens 4 such as a rod lens. The aperture C of the optical fiber 5 has the following relationship with respect to the light source 2.

【0004】0004

【数1】A×sinΘ1 =  C×sinΘ2 但し
、A  :  光源2の幅 B  :  光源2の厚さ Θ1 :  光源2から集光レンズ4へのレーザビーム
3aの半導体レーザの接合面に垂直な放射角Θ2 : 
 集光レンズ3から光ファイバー5へのレーザビーム3
bの入射角
[Equation 1] A × sin Θ1 = C × sin Θ2 However, A: Width of light source 2 B: Thickness of light source 2 Θ1: Emission of laser beam 3a from light source 2 to condensing lens 4 perpendicular to the cemented surface of the semiconductor laser Angle Θ2:
Laser beam 3 from condenser lens 3 to optical fiber 5
angle of incidence of b

【0005】従って、高出力の半導体レーザ素子になる
と、光源2の幅Aが大きくなり、効率のよい結合を行う
ためには、光ファイバー4の口径寸法Cも大きくする必
要がある。それ故、光学的結合率を高めるためには、口
径の大きな光ファイバー5(又は高開口数の光ファイバ
ー)を用いなければならない。
[0005] Therefore, when a semiconductor laser device with a high output power is used, the width A of the light source 2 becomes large, and in order to achieve efficient coupling, the aperture size C of the optical fiber 4 must also be made large. Therefore, in order to increase the optical coupling rate, it is necessary to use an optical fiber 5 with a large diameter (or an optical fiber with a high numerical aperture).

【0006】2.突き合わせ結合 図9がこの結合方法を示すもので、光ファイバー5をレ
ンズを介さず、微少のクリアランスLを開けただけで、
直接、半導体レーザ素子1の光源2(図示せず)に結合
する方法である。
2. Butt coupling Figure 9 shows this coupling method, in which the optical fiber 5 is connected without a lens and only with a small clearance L.
This is a method in which the light is directly coupled to the light source 2 (not shown) of the semiconductor laser device 1.

【0007】この場合も、基本的には前記1.と同じで
あり、光ファイバー5の口径は光源2の幅Aより大なる
口径を必要とする。
[0007] In this case as well, basically the above 1. The diameter of the optical fiber 5 needs to be larger than the width A of the light source 2.

【0008】従って、大口径光ファイバーによる入射結
合は、光ファイバーの導出側の口径も同等に大であるた
め、実用上、結合効率は向上するが、出射側での光源の
光エネルギー密度が向上しないという欠点がある。
Therefore, in the case of input coupling using a large-diameter optical fiber, since the diameter of the output side of the optical fiber is equally large, the coupling efficiency improves in practice, but the optical energy density of the light source on the output side does not improve. There are drawbacks.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】それ故、この発明は、
前述の光エネルギー密度を向上させようとするものであ
る。
[Problem to be solved by the invention] Therefore, this invention
This is intended to improve the optical energy density mentioned above.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】そのためこの発明は、バ
ンドル形光ファイバーを用いることにより前記の課題を
解決した。
[Means for Solving the Problems] Therefore, the present invention has solved the above problems by using bundled optical fibers.

【0011】[0011]

【作用】従って、半導体レーザ素子から放射されるレー
ザビームの光ファイバーへの結合が高効率ででき、使用
する光ファイバーの本数を増加し、光ファイバーの総断
面積を減少させれば、その導出側の光エネルギー密度を
増加することができ、それ故、従来技術では不可能とさ
れていた半導体レーザビームによる物体の微細加工が可
能となった。
[Operation] Therefore, the laser beam emitted from the semiconductor laser element can be coupled to the optical fiber with high efficiency, and by increasing the number of optical fibers used and reducing the total cross-sectional area of the optical fiber, the light on the output side can be The energy density can be increased, and therefore, it has become possible to microfabricate objects with a semiconductor laser beam, which was not possible with conventional techniques.

【0012】0012

【実施例】以下、この発明の実施例を図面と共に詳述す
る。図1はこの発明の半導体レーザビームの光ファイバ
ーへの入射結合及び導出装置の実施例の説明斜視図であ
り、図2は図1の側面図、図3は図1の半導体レーザ素
子の光源の平面拡大図、図4乃至図6は光ファイバーの
入射端面への結像の説明図、そして図7はこの発明に用
いるバンドル形光ファイバーの導出端面の説明図である
。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory perspective view of an embodiment of a device for coupling and extracting a semiconductor laser beam into an optical fiber according to the present invention, FIG. 2 is a side view of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the light source of the semiconductor laser device of FIG. The enlarged views, FIGS. 4 to 6 are explanatory diagrams of image formation on the input end face of the optical fiber, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the lead-out end face of the bundle-shaped optical fiber used in the present invention.

【0013】先ず、図1及び図2を用いて、この発明の
装置の全体の構成を説明する。1は半導体レーザ素子1
で、パッケージされており、光源2を有する。この光源
2は、図2に理想的に示したように、幅A、厚さBから
なる長方形である。4は集光レンズ、6はバンドル形光
ファイバー6を示し、入射端面7及び導出端面8を有す
る。これらの光源2、集光レンズ4及びバンドル形光フ
ァイバー6はレーザビーム軸14に対して直線的に配置
され、それらは取り付け金具(図示せず)でレーザビー
ム軸14に対し平行な方向に機械的精度を保証されて取
り付けられている。そして、集光レンズ4は矢印9のレ
ーザビーム軸14に平行な方向に調整可能であり、バン
ドル形光ファイバー6はレーザビーム軸14に対し、平
行な方向12と、垂直な方向10と、その垂直な方向と
直角な方向11及び回転方向13に調整可能に構成され
ている。これらの調整は全てのレーザビーム3aが集光
レンズ4に入射し、更に集光レンズ4を通過したレーザ
ビーム3bがバンドル形光ファイバー6の入射端面7に
結像するように行われるものである。
First, the overall structure of the apparatus of the present invention will be explained using FIGS. 1 and 2. 1 is a semiconductor laser element 1
It is packaged with a light source 2. The light source 2 is a rectangle with a width A and a thickness B, as ideally shown in FIG. 4 is a condensing lens, and 6 is a bundle-shaped optical fiber 6, which has an input end surface 7 and an output end surface 8. These light sources 2, condensing lenses 4 and bundled optical fibers 6 are arranged linearly with respect to the laser beam axis 14, and they are mechanically connected in a direction parallel to the laser beam axis 14 with mounting hardware (not shown). Fitted with guaranteed accuracy. The condensing lens 4 can be adjusted in a direction parallel to the laser beam axis 14 as indicated by an arrow 9, and the bundle-shaped optical fiber 6 can be adjusted in a direction 12 parallel to the laser beam axis 14, a direction 10 perpendicular to the laser beam axis 14, and a direction 10 perpendicular to the laser beam axis 14. It is configured to be adjustable in a direction 11 perpendicular to the direction 11 and a direction 13 of rotation. These adjustments are made so that all the laser beams 3a are incident on the condenser lens 4, and the laser beam 3b that has passed through the condenser lens 4 is imaged on the incident end face 7 of the bundle-shaped optical fiber 6.

【0014】半導体レーザ素子1の光源2は、前述の図
3の如くなっていて、例えば、幅Aが約200μm、厚
さBが約1μmとなっている。今、この発明の原理を説
明する前に、従来の一本の光ファイバー5に対する結像
について、図4を用いて考察してみる。集光レンズ4に
対して1:1の結像(倍率が1)をすると、光源2は光
ファイバー5の入射端面に図4の形状で結像し、その結
像15の形状はやはりA×Bの寸法になる。光ファイバ
ーの開口数が、レーザビームの入射角Θ2 を満足する
値であれば、集光部の結像15が光ファイバー5のコア
16に入り、原理的に最良の結合率となる。結像倍率は
光ファイバー5の入射条件を満足すれば任意で構わない
。 17はクラッドである。
The light source 2 of the semiconductor laser device 1 is as shown in FIG. 3 described above, and has a width A of about 200 μm and a thickness B of about 1 μm, for example. Before explaining the principle of the present invention, let us consider the conventional image formation for a single optical fiber 5 using FIG. 4. When a 1:1 image is formed on the condenser lens 4 (magnification is 1), the light source 2 forms an image on the incident end face of the optical fiber 5 in the shape shown in FIG. 4, and the shape of the image 15 is also A×B. The dimensions will be . If the numerical aperture of the optical fiber is a value that satisfies the incident angle Θ2 of the laser beam, the image 15 of the condensing section enters the core 16 of the optical fiber 5, resulting in the best coupling ratio in principle. The imaging magnification may be arbitrary as long as the incident conditions of the optical fiber 5 are satisfied. 17 is a cladding.

【0015】次に、この発明の複数本の光ファイバーへ
の結像について考察する。図5のように、集光部の結像
15が、バンドル形光ファイバー6を構成する2本の光
ファイバー6a、6bにわたって集光している場合、結
像15は二つのコア18と、二つのクラッド19の接触
部分20に集光し、接触部分20に集光した光エネルギ
ーは結合ロスとなるが、光ファイバー6a、6bの断面
積は、図4の光ファイバー5の2分の1の直径の光ファ
イバーを用いた場合の約2分の1となる。更に、図6の
ように、1本入射の時の光ファイバー5の5分の1の直
径の光ファイバー6a、6b・・・を5本用いると、総
断面積は5分の1となり、クラッド19の接触部分20
への結像15の入射によるロス分を考慮に入れても、約
4倍の光エネルギー密度が得られる。同様にして、複数
本の細径光ファイバーを直線的に配列して集光すること
により、高光エネルギー密度での光ファイバー結合が可
能となる。
Next, the formation of images onto a plurality of optical fibers according to the present invention will be considered. As shown in FIG. 5, when the image 15 of the condenser is focused across the two optical fibers 6a and 6b that constitute the bundle-type optical fiber 6, the image 15 is focused on the two cores 18 and the two claddings. The optical energy focused on the contact portion 20 of the optical fiber 19 causes a coupling loss, but the cross-sectional area of the optical fibers 6a and 6b is equal to that of the optical fiber with a diameter half that of the optical fiber 5 in FIG. This is about half of what it would be if it were used. Furthermore, as shown in FIG. 6, if five optical fibers 6a, 6b, etc., each having a diameter one-fifth of the optical fiber 5 when one is used, the total cross-sectional area becomes one-fifth, and the cladding 19 is Contact part 20
Even taking into account the loss due to the incidence of the image 15 on the light source, a light energy density of approximately four times is obtained. Similarly, by arranging a plurality of small-diameter optical fibers in a linear manner and focusing the light, optical fiber coupling with high optical energy density becomes possible.

【0016】次に、このような入射結合を行ったバンド
ル形光ファイバー6の導出端面8の形状について説明す
る。複数本の細径光ファイバー6a、6b・・・は、出
射側で任意の形状の導出端面8に形成できるが、光エネ
ルギー密度を高めることを目的として、図7に示したよ
うに、最密配列を形成するのが最も良い。例えば、図4
のクラッド17の外径Dの7分の1の7本の光ファイバ
ー6a、6b・・・を用いて直線配列すると、入射端面
7の総面積も7分の1になるが、図7のように出射側で
各光ファイバー6a、6b・・・を最密に配置すると隙
間が生じるものの、見掛けの直径は、光ファイバー5の
直径Dより小さい寸法Cとなる。この場合の寸法Cは寸
法Dの7分の3となり、導出端面8のそれぞれの面積Φ
D とΦC との比は5.4:1となる。
Next, the shape of the lead-out end face 8 of the bundle-type optical fiber 6 subjected to such input coupling will be explained. The plurality of small diameter optical fibers 6a, 6b... can be formed into an arbitrary shape of the leading end face 8 on the output side, but for the purpose of increasing the optical energy density, as shown in FIG. 7, a close-packed arrangement is used. It is best to form For example, Figure 4
If seven optical fibers 6a, 6b, etc., each having one-seventh of the outer diameter D of the cladding 17 of When the optical fibers 6a, 6b, . In this case, the dimension C is three-sevenths of the dimension D, and the area of each lead-out end surface 8 is Φ
The ratio of D and ΦC is 5.4:1.

【0017】そして、次に透過パワー比について考察し
てみる。光ファイバー5の導出端面8を通過するレーザ
ビームに対し、細径光ファイバー6a、6b・・・を透
過するレーザビームはクラッド19を照射する分だけ減
少するが、一般市販の光ファイバーのコアとクラッド比
は、大きな物で10:1程度であり、従って細径バンド
ル形光ファイバーを用いると、単芯光ファイバーに比べ
約10%のパワーロスの増加が見込まれるだけである。
Next, let us consider the transmitted power ratio. Compared to the laser beam that passes through the lead-out end face 8 of the optical fiber 5, the laser beam that passes through the small diameter optical fibers 6a, 6b, etc. is reduced by the amount that irradiates the cladding 19, but the core and cladding ratio of commercially available optical fibers is , is about 10:1 for large ones, and therefore, if a small-diameter bundle-type optical fiber is used, it is expected that the power loss will increase by only about 10% compared to a single-core optical fiber.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザ素子から放射されるレーザビームの光ファイバ
ーへの結合ができ、結合後のレーザビームの光エネルギ
ー密度が、使用する光ファイバーの本数の増加で実現で
きる。また、市販の光ファイバーを用い、構造が簡単に
構成できるため、コストが掛からない。しかも、半導体
レーザ素子の光源の長さに関係なく応用が可能となり、
パワーロスも従来比10%減で実現できる。そして、こ
の発明により従来不可能とされていた半導体レーザによ
る微細加工が可能となる等数々の効果がある。
As described above, according to the present invention, a laser beam emitted from a semiconductor laser element can be coupled to an optical fiber, and the optical energy density of the laser beam after coupling is equal to the number of optical fibers used. This can be achieved by increasing Furthermore, since the structure can be easily constructed using commercially available optical fibers, the cost is low. Moreover, it can be applied regardless of the length of the light source of the semiconductor laser element.
Power loss can also be reduced by 10% compared to conventional models. Furthermore, the present invention has many effects, such as enabling microfabrication using a semiconductor laser, which was previously considered impossible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】この発明の半導体レーザビームの光ファイバー
平面図の入射結合及び導出装置の実施例の説明斜視図。
FIG. 1 is an explanatory perspective view of an embodiment of a device for coupling in and out of an optical fiber a semiconductor laser beam according to the present invention;

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG. 1;

【図3】この発明に用いる半導体レーザ素子の光源の平
面拡大図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a light source of a semiconductor laser device used in the present invention.

【図4】この発明を説明するための1本の光ファイバー
の入射端面への結像の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of image formation on the incident end face of one optical fiber for explaining the present invention.

【図5】この発明を説明するための2本の光ファイバー
の入射端面への結像の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of image formation on the incident end faces of two optical fibers for explaining the present invention.

【図6】この発明を説明するための5本の光ファイバー
の入射端面への結像の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of image formation on the incident end faces of five optical fibers for explaining the present invention.

【図7】この発明に用いるバンドル形光ファイバーの導
出端面の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a leading end face of a bundle-type optical fiber used in the present invention.

【図8】従来の半導体レーザビームの光ファイバーへの
入射結合及び導出方法の第1の例の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a first example of a conventional method for coupling a semiconductor laser beam into an optical fiber and leading it out.

【図9】従来の半導体レーザビームの光ファイバーへの
入射結合及び導出方法の第2の例の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a second example of a conventional method for coupling and deriving a semiconductor laser beam into an optical fiber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    半導体レーザ素子 2    光源 3a,3b    レーザビーム 4    集光レンズ 5    光ファイバー 6    バンドル形光ファイバー 7    入射端面 8    導出端面 14    レーザビーム軸 15    結像 16、18    コア 17、19    クラッド 20    クラッド19の接触部分 A    光源の幅 B    光源の厚さ C    光ファイバーの口径 L    クリアランス 1 Semiconductor laser element 2 Light source 3a, 3b Laser beam 4 Condensing lens 5 Optical fiber 6 Bundled optical fiber 7 Incidence end face 8 Lead-out end face 14 Laser beam axis 15 Imaging 16, 18 core 17, 19 Clad 20 Contact part of cladding 19 A Light source width B Thickness of light source C Optical fiber diameter L Clearance

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体レーザ素子の光源からのレーザ
ビームを、該半導体レーザ素子の光源と同一形状のバン
ドル形光ファイバーで受光し、該バンドル形光ファイバ
ーの出射側に高光エネルギー密度にレーザビームを導出
することを特徴とする半導体レーザビームの光ファイバ
ーによる導入出方法。
Claim 1: A laser beam from a light source of a semiconductor laser element is received by a bundle-shaped optical fiber having the same shape as the light source of the semiconductor laser element, and the laser beam is guided to the output side of the bundle-shaped optical fiber with high optical energy density. A method for introducing and extracting a semiconductor laser beam using an optical fiber, characterized by the following.
【請求項2】  少なくとも半導体レーザ素子の光源、
集光レンズ及びバンドル形光ファイバーが、該半導体レ
ーザ素子の光源からのレーザビーム軸上に配置し、前記
半導体レーザ素子の光源に対し、前記集光レンズ及び前
記バンドル形光ファイバーを相対的に位置調整ができる
ように構成したことを特徴とする半導体レーザビームの
光ファイバーによる導入出装置。
2. At least a light source of a semiconductor laser element;
A condensing lens and a bundle-shaped optical fiber are arranged on a laser beam axis from a light source of the semiconductor laser device, and the positions of the condensing lens and the bundle-shaped optical fiber are adjusted relative to the light source of the semiconductor laser device. 1. A device for introducing and extracting a semiconductor laser beam using an optical fiber, characterized in that the device is configured to allow the semiconductor laser beam to be introduced and extracted using an optical fiber.
【請求項3】  前記バンドル形光ファイバーは、半導
体レーザ素子の光源からのレーザビームが入射する個々
の光ファイバーが隙間なく直線的に配列されていること
を特徴とする請求項2に記載の半導体レーザビームの光
ファイバーによる導入出装置。
3. The semiconductor laser beam according to claim 2, wherein the bundle-shaped optical fiber is such that individual optical fibers into which a laser beam from a light source of a semiconductor laser element enters are linearly arranged without gaps. Introducing/extracting device using optical fiber.
【請求項4】  前記バンドル形光ファイバーの出射側
が最密配列に形成されことを特徴とする請求項2に記載
の半導体レーザビームの光ファイバーによる導入出装置
。
4. The device for introducing and extracting a semiconductor laser beam using an optical fiber according to claim 2, wherein the output side of the bundle-shaped optical fiber is formed in a close-packed arrangement.
【請求項5】  前記バンドル形光ファイバーの個々の
光ファイバーのコア対クラッド比が可能な限り大なる光
ファイバーを用いることを特徴とする請求項2に記載の
半導体レーザビームの光ファイバーによる導入出装置。
5. The device for introducing and extracting a semiconductor laser beam using an optical fiber according to claim 2, wherein an optical fiber having a core-to-cladding ratio of each of the individual optical fibers of the bundle-shaped optical fiber is used as large as possible.
JP241191A 1991-01-14 1991-01-14 Method and device for guiding semiconductor laser beam by optical fiber Pending JPH04338902A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020088299A (en) * 2001-05-21 2002-11-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Optical device package
JP2007163650A (en) * 2005-12-12 2007-06-28 Fujikura Ltd Optical fiber type pump combiner, optical fiber amplifier and optical fiber laser
JP2007163940A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Mitsubishi Electric Corp Optical coupling apparatus

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