JPH04341005A - ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子 - Google Patents
ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子Info
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- JPH04341005A JPH04341005A JP14068491A JP14068491A JPH04341005A JP H04341005 A JPH04341005 A JP H04341005A JP 14068491 A JP14068491 A JP 14068491A JP 14068491 A JP14068491 A JP 14068491A JP H04341005 A JPH04341005 A JP H04341005A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020294 Pb(Zr,Ti)O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波フィルタ等に用
いられる表面弾性波素子に関し、特に圧電体層の形成等
に有利なダイヤモンド状層を用いた表面弾性波素子及び
その製造方法に関する。
いられる表面弾性波素子に関し、特に圧電体層の形成等
に有利なダイヤモンド状層を用いた表面弾性波素子及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面弾
性波素子は固体表面を伝搬する弾性波を応用した素子で
あり、従来、ＬｉＮｂＯ３ のような圧電性が高く且つ
音波吸収損失が少ない結晶基板上に簾状電極を形成する
ことにより製造されていた。このような表面弾性波素子
において伝搬される周波数は表面波の波長及び音速に依
存するため、これらを改善してＧＨｚの高周波数に対応
させることが考えられる。そして、表面波の波長は簾状
電極の電極の配列のピッチにより決まり、これを細かく
する程、表面波の高周波化を図ることができる。しかし
ながら、エッチング技術等の微細加工技術に限界がある
ため、電極の配列のピッチの微細化による高周波化は現
状では困難である。一方、音速は基板材料で決まるため
、音速が１００００ｍ／ｓを超えるサファイヤやダイヤ
モンド状層を圧電体膜と組み合わせて使用することによ
って、高周波化を図る技術が近年開発されている。
性波素子は固体表面を伝搬する弾性波を応用した素子で
あり、従来、ＬｉＮｂＯ３ のような圧電性が高く且つ
音波吸収損失が少ない結晶基板上に簾状電極を形成する
ことにより製造されていた。このような表面弾性波素子
において伝搬される周波数は表面波の波長及び音速に依
存するため、これらを改善してＧＨｚの高周波数に対応
させることが考えられる。そして、表面波の波長は簾状
電極の電極の配列のピッチにより決まり、これを細かく
する程、表面波の高周波化を図ることができる。しかし
ながら、エッチング技術等の微細加工技術に限界がある
ため、電極の配列のピッチの微細化による高周波化は現
状では困難である。一方、音速は基板材料で決まるため
、音速が１００００ｍ／ｓを超えるサファイヤやダイヤ
モンド状層を圧電体膜と組み合わせて使用することによ
って、高周波化を図る技術が近年開発されている。
【０００３】昭和６２年７月１６日に出願された特開昭
６４−２０７１４号は、基板上にダイヤモンド薄膜、イ
ンタデジタルトランスデューサー及び圧電体膜とを組み
合わせて備えた表面波装置を開示している。この出願に
おいて、ダイヤモンド薄膜は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法で形成され
ることが記載されている。
６４−２０７１４号は、基板上にダイヤモンド薄膜、イ
ンタデジタルトランスデューサー及び圧電体膜とを組み
合わせて備えた表面波装置を開示している。この出願に
おいて、ダイヤモンド薄膜は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の方法で形成され
ることが記載されている。
【０００４】昭和６２年９月３日に出願された特開昭６
２−２２０９３７号は、単結晶または多結晶ダイヤモン
ド層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素子を開
示しており、同一出願人により昭和６２年１０月１６日
に出願された特開平１−１０３３１０号は、ダイヤモン
ド状炭素膜層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波
素子を開示している。しかしながら、かかるダイヤモン
ド状炭素膜層の物性及び作成条件は何ら特定されていな
い。
２−２２０９３７号は、単結晶または多結晶ダイヤモン
ド層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波素子を開
示しており、同一出願人により昭和６２年１０月１６日
に出願された特開平１−１０３３１０号は、ダイヤモン
ド状炭素膜層と圧電体層と電極層とを有する表面弾性波
素子を開示している。しかしながら、かかるダイヤモン
ド状炭素膜層の物性及び作成条件は何ら特定されていな
い。
【０００５】昭和６３年３月１５日に出願された特開昭
１−２３３８１９号及び昭和６３年９月１日に出願され
た特開昭２−２０９１０号には、単結晶半導体基板上に
、ダイヤモンド結晶薄膜及び窒化アルミニウム薄膜を順
次形成した三層複合構造弾性表面波素子が開示されてお
り、同一出願人により昭和６３年１１月１８日に出願さ
れた特開昭２−１３７４１３号には、誘電体薄膜及び圧
電体薄膜が形成されたダイヤモンド単結晶を基板に埋め
込んだ弾性表面波デバイスの製造方法が記載されている
。これらの出願はいずれも単結晶等の結晶体ダイヤモン
ドを対象としている。
１−２３３８１９号及び昭和６３年９月１日に出願され
た特開昭２−２０９１０号には、単結晶半導体基板上に
、ダイヤモンド結晶薄膜及び窒化アルミニウム薄膜を順
次形成した三層複合構造弾性表面波素子が開示されてお
り、同一出願人により昭和６３年１１月１８日に出願さ
れた特開昭２−１３７４１３号には、誘電体薄膜及び圧
電体薄膜が形成されたダイヤモンド単結晶を基板に埋め
込んだ弾性表面波デバイスの製造方法が記載されている
。これらの出願はいずれも単結晶等の結晶体ダイヤモン
ドを対象としている。
【０００６】また、平成１年３月１４日に特許出願され
た特開平２−２３９７１５号には、ダイヤモンド基板上
に圧電体薄膜が形成された弾性表面波基板が開示されて
おり、ダイヤモンドとして人工及び天然ダイヤモンドを
対象としているが、製法や物性の詳細は何ら記載されて
いない。
た特開平２−２３９７１５号には、ダイヤモンド基板上
に圧電体薄膜が形成された弾性表面波基板が開示されて
おり、ダイヤモンドとして人工及び天然ダイヤモンドを
対象としているが、製法や物性の詳細は何ら記載されて
いない。
【０００７】上記の従来技術において、単結晶または多
結晶ダイヤモンドを用いる弾性表面波素子は、ダイヤモ
ンド膜の平滑度が低いため、圧電体層の結晶成長が容易
でなく、ダイヤモンド層上に形成された圧電体層の表面
平滑度や結合強度にも問題があった。
結晶ダイヤモンドを用いる弾性表面波素子は、ダイヤモ
ンド膜の平滑度が低いため、圧電体層の結晶成長が容易
でなく、ダイヤモンド層上に形成された圧電体層の表面
平滑度や結合強度にも問題があった。
【０００８】一方、非晶質ダイヤモンドであるダイヤモ
ンド状層は、その製造条件等によって、屈折率、硬度、
密度等の物性が異なる種々のものが得られ、表面弾性波
素子の周波数特性や製造容易性はダイヤモンド状層の物
性に著しく依存する。例えば、特願平２−８３２２１号
には、ダイヤモンド状層は主に４種類のものに分類でき
ることが記載されている。
ンド状層は、その製造条件等によって、屈折率、硬度、
密度等の物性が異なる種々のものが得られ、表面弾性波
素子の周波数特性や製造容易性はダイヤモンド状層の物
性に著しく依存する。例えば、特願平２−８３２２１号
には、ダイヤモンド状層は主に４種類のものに分類でき
ることが記載されている。
【０００９】しかしながら、上記の従来技術のうちダイ
ヤモンド状層を用いた特開平１−１０３３１０号は、そ
の物性及び製造条件は何等記載されておらず、ダイヤモ
ンド状層は特定できない。出願人の調査及び研究によれ
ば単にダイヤモンド状層を用いただけでは良好な特性を
有する表面弾性波素子は得られない。特に、所定のビッ
カース硬度等の物性値を有するダイヤモンド状層でなけ
れば、圧電体膜の結晶成長及び後処理等が困難であり、
良好な素子を得ることができないことがわかった。
ヤモンド状層を用いた特開平１−１０３３１０号は、そ
の物性及び製造条件は何等記載されておらず、ダイヤモ
ンド状層は特定できない。出願人の調査及び研究によれ
ば単にダイヤモンド状層を用いただけでは良好な特性を
有する表面弾性波素子は得られない。特に、所定のビッ
カース硬度等の物性値を有するダイヤモンド状層でなけ
れば、圧電体膜の結晶成長及び後処理等が困難であり、
良好な素子を得ることができないことがわかった。
【００１０】そこで本発明の目的は、圧電体膜の形成、
後処理が容易であり且つ素子の平滑度が高く、それによ
って良好な表面弾性波素子機能をもたらす、ダイヤモン
ド状層を用いた表面弾性波素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
後処理が容易であり且つ素子の平滑度が高く、それによ
って良好な表面弾性波素子機能をもたらす、ダイヤモン
ド状層を用いた表面弾性波素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、異なる物性
値を有する種々のダイヤモンド状層を用いて表面弾性波
素子を作製し、その特性及び製造容易性等を鋭意検討し
たところ、所定のビッカース硬度、密度等を有するダイ
ヤモンド状層を用いた場合だけ、表面弾性波素子の製造
に好適であり且つ良好な特性を有する表面弾性波素子を
得ることがきることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
値を有する種々のダイヤモンド状層を用いて表面弾性波
素子を作製し、その特性及び製造容易性等を鋭意検討し
たところ、所定のビッカース硬度、密度等を有するダイ
ヤモンド状層を用いた場合だけ、表面弾性波素子の製造
に好適であり且つ良好な特性を有する表面弾性波素子を
得ることがきることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１２】すなわち本発明は、ダイヤモンド状層と、
圧電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子であって、
ダイヤモンド状層のビッカース硬度が６５００〜９００
０ｋｇ／ｍｍ２であることを特徴とする表面弾性波素子
を提供するものである。
圧電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子であって、
ダイヤモンド状層のビッカース硬度が６５００〜９００
０ｋｇ／ｍｍ２であることを特徴とする表面弾性波素子
を提供するものである。
【００１３】本発明に用いるダイヤモンド状層とは、炭
素主成分とし、微量不純物として水素等を含む非晶質構
造の薄膜である。かかるダイヤモンド状層は単結晶及び
他結晶のダイヤモンド結晶体に比べて、膜の強度が十分
高く取扱いが容易であり、基板への密着性も十分である
。さらに、膜の平滑度が高いため圧電膜のＣ軸配向性が
改善される。また、ダイヤモンド状層は屈折率が高いた
め膜が緻密であり、これも圧電体のＣ軸配向性に有利と
なる。
素主成分とし、微量不純物として水素等を含む非晶質構
造の薄膜である。かかるダイヤモンド状層は単結晶及び
他結晶のダイヤモンド結晶体に比べて、膜の強度が十分
高く取扱いが容易であり、基板への密着性も十分である
。さらに、膜の平滑度が高いため圧電膜のＣ軸配向性が
改善される。また、ダイヤモンド状層は屈折率が高いた
め膜が緻密であり、これも圧電体のＣ軸配向性に有利と
なる。
【００１４】本発明に従えば、ダイヤモンド状層のビッ
カース硬度が６５００〜９０００ｋｇ／ｍｍ２の範囲に
ある必要がある。ここにビッカース硬度を制限したのは
、硬度はダイヤモンド状層の耐熱性に強く依存しており
、この範囲にあるダイヤモンド状層は十分な耐熱性を有
するからである。これによりダイヤモンド状層は圧電体
膜を真空成膜する際に必要な基板温度に十分に耐えるこ
とができ、さらに成膜した圧電体膜の後処理を可能にし
て圧電体膜の結晶性を向上することができる。特にこの
後処理には５００℃ほどの高温が要求される。ビッカー
ス硬度が上記範囲内にないと、ダイヤモンド状層上に形
成した圧電体層、例えば、ＺｎＯ２ 層のＣ軸配向性は
低くなる。
カース硬度が６５００〜９０００ｋｇ／ｍｍ２の範囲に
ある必要がある。ここにビッカース硬度を制限したのは
、硬度はダイヤモンド状層の耐熱性に強く依存しており
、この範囲にあるダイヤモンド状層は十分な耐熱性を有
するからである。これによりダイヤモンド状層は圧電体
膜を真空成膜する際に必要な基板温度に十分に耐えるこ
とができ、さらに成膜した圧電体膜の後処理を可能にし
て圧電体膜の結晶性を向上することができる。特にこの
後処理には５００℃ほどの高温が要求される。ビッカー
ス硬度が上記範囲内にないと、ダイヤモンド状層上に形
成した圧電体層、例えば、ＺｎＯ２ 層のＣ軸配向性は
低くなる。
【００１５】また、ダイヤモンド状層の密度が、２．３
５〜２．４１の範囲にあることが好ましく、屈折率が３
．４５〜３．５０にあることが好ましい。密度及び屈折
率が上記範囲内にあることにより、一層平滑な膜であり
密度が高く、屈折率が高いことは膜が緻密であることで
あり、その上に形成される圧電体膜の平滑度及びダイヤ
モンド状層との結合性も向上し、圧電体膜のＣ軸配向し
易くなる。さらに、この範囲の物性値を有することでダ
イヤモンド状層が緻密になり、圧電体膜の結晶成長が容
易になるというということが非常に重要である。
５〜２．４１の範囲にあることが好ましく、屈折率が３
．４５〜３．５０にあることが好ましい。密度及び屈折
率が上記範囲内にあることにより、一層平滑な膜であり
密度が高く、屈折率が高いことは膜が緻密であることで
あり、その上に形成される圧電体膜の平滑度及びダイヤ
モンド状層との結合性も向上し、圧電体膜のＣ軸配向し
易くなる。さらに、この範囲の物性値を有することでダ
イヤモンド状層が緻密になり、圧電体膜の結晶成長が容
易になるというということが非常に重要である。
【００１６】本発明に用いるダイヤモンド状層は、種々
の方法で形成できるが、特に、平滑度の高いダイヤモン
ド状層が得られるという理由でイオン化蒸着法が好まし
い。膜厚は特に制限されないが１〜２０μｍ程度が良好
である。また、上記ビッカース硬度、密度、屈折率との
間には、相関関係があることが中山らにより見出されて
おり（特願平２−１４４４８０）、かかる関係を用いる
ことにより容易に上記物性値の範囲内のダイヤモンド状
層を製造することができる。
の方法で形成できるが、特に、平滑度の高いダイヤモン
ド状層が得られるという理由でイオン化蒸着法が好まし
い。膜厚は特に制限されないが１〜２０μｍ程度が良好
である。また、上記ビッカース硬度、密度、屈折率との
間には、相関関係があることが中山らにより見出されて
おり（特願平２−１４４４８０）、かかる関係を用いる
ことにより容易に上記物性値の範囲内のダイヤモンド状
層を製造することができる。
【００１７】上記のようなダイヤモンド状層は、一般に
、基板上に形成する。基板材料は特に制限されず、ガラ
ス、アルミナ等を用いることができる。
、基板上に形成する。基板材料は特に制限されず、ガラ
ス、アルミナ等を用いることができる。
【００１８】本発明に用いる圧電体膜は、ＺｎＯ、Ａｌ
Ｎ，ＺｎＳ，ＬｉＮｂＯ３ 、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３
、ＬｉＴａＯ３ 、ＳｉＯ２ 、Ｔａ２ Ｏ５ 等を
用いることが出来るが特にそれらに制限されない。Ａｌ
ＮはＺｎＯよりも音速を向上出来るため有利である。こ
れらの圧電材料は、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ
等の種々の方法により形成できる。これらの圧電体膜は
一般にはダイヤモンド状層上に形成されるが、成膜時の
基板温度を高くし、さらに成膜後に圧電体の配向性を向
上するために追加の熱処理を施すのが好ましい。特に本
発明の所定のビッカース硬度を有するダイヤモンド状層
は良好な耐熱性を有するのでかかる後処理に好適である
。
Ｎ，ＺｎＳ，ＬｉＮｂＯ３ 、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３
、ＬｉＴａＯ３ 、ＳｉＯ２ 、Ｔａ２ Ｏ５ 等を
用いることが出来るが特にそれらに制限されない。Ａｌ
ＮはＺｎＯよりも音速を向上出来るため有利である。こ
れらの圧電材料は、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ
等の種々の方法により形成できる。これらの圧電体膜は
一般にはダイヤモンド状層上に形成されるが、成膜時の
基板温度を高くし、さらに成膜後に圧電体の配向性を向
上するために追加の熱処理を施すのが好ましい。特に本
発明の所定のビッカース硬度を有するダイヤモンド状層
は良好な耐熱性を有するのでかかる後処理に好適である
。
【００１９】本発明に用いる電極層は、アルミニウム、
金等の金属が用いられる。電極層の形成は、フォトリソ
グラフィーが好適である。電極層の形成位置は、特に限
定されず、圧電体層上、ダイヤモンド状層上のいずれで
もかまわない。また、対抗電極の位置も上記のように特
に制限されない。
金等の金属が用いられる。電極層の形成は、フォトリソ
グラフィーが好適である。電極層の形成位置は、特に限
定されず、圧電体層上、ダイヤモンド状層上のいずれで
もかまわない。また、対抗電極の位置も上記のように特
に制限されない。
【００２０】さらに本発明は、ダイヤモンド状層と、圧
電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子を製造する方
法であって、ビッカース硬度が６５００〜９０００ｋｇ
／ｍｍ２のダイヤモンド膜をイオン化蒸着法により形成
することを特徴とする表面弾性波素子の製造方法をも提
供するものである。圧電体層、電極層は、それぞれ上記
のような方法で製造することができ、各層の形成順序は
特に制限されない。
電体層と、電極層とを含む表面弾性波素子を製造する方
法であって、ビッカース硬度が６５００〜９０００ｋｇ
／ｍｍ２のダイヤモンド膜をイオン化蒸着法により形成
することを特徴とする表面弾性波素子の製造方法をも提
供するものである。圧電体層、電極層は、それぞれ上記
のような方法で製造することができ、各層の形成順序は
特に制限されない。
【００２１】以下に本発明の実施例を示すが、本発明は
それらに制限されるものではない。
それらに制限されるものではない。
【００２２】
ダイヤモンド状層の形成
イオン化蒸着法により、特開平第１−２３４３９６号、
同第１−２３４３９７号、同２−１９６０９５号等に記
載されたイオン化蒸着装置を用いて、シリコンウェハー
基板上にダイヤモンド状層を形成させた。形成条件は以
下の通りである。
同第１−２３４３９７号、同２−１９６０９５号等に記
載されたイオン化蒸着装置を用いて、シリコンウェハー
基板上にダイヤモンド状層を形成させた。形成条件は以
下の通りである。
【００２３】メタンガスを導入しガス圧を０．１Ｔｏｒ
ｒとして熱陰極フィラメントに放電を起こさせた。磁束
密度４００ガウス、基体電圧Ｖａ＝−３００Ｖ、基体温
度２００℃とした。またフィラメントには電流Ｉｆ＝２
５Ａを流した。フィラメントはコイル状としその幅３ｍ
ｍ、その回りを取り囲む電極３６との隙間を８ｍｍとし
た。 グリッドは５ｍｍ／分の速度で振動させた。なお、ビッ
カース硬度は電流値を変えることで調整できる。
ｒとして熱陰極フィラメントに放電を起こさせた。磁束
密度４００ガウス、基体電圧Ｖａ＝−３００Ｖ、基体温
度２００℃とした。またフィラメントには電流Ｉｆ＝２
５Ａを流した。フィラメントはコイル状としその幅３ｍ
ｍ、その回りを取り囲む電極３６との隙間を８ｍｍとし
た。 グリッドは５ｍｍ／分の速度で振動させた。なお、ビッ
カース硬度は電流値を変えることで調整できる。
【００２４】また、同様の基板上にＲＦプラズマＣＶＤ
法及びマイクロ波プズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状
層を同一基板上に形成した。結果を第１表に示す。
法及びマイクロ波プズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状
層を同一基板上に形成した。結果を第１表に示す。
【００２５】
【表１】
同表より、本発明の６５００から９０００ｋｇ／ｍｍ２
のビッカース硬度を有するダイヤモンド膜は５００℃
以上の耐熱温度を有しており、その上に形成する成膜基
板温度を温度を上昇させることができること並びに成膜
した圧電体層の加熱処理に絶え得ることがわかる。また
、形成されたダイヤモンド状層の平滑度を同表に示した
。平滑度はＤＥＫＴＡＫ ＩＩＡ（ＵＬＶＡＣ社）に
より測定した。イオン化蒸着法により形成したダイヤモ
ンド状層は良好な平滑度を有することがわかる。
のビッカース硬度を有するダイヤモンド膜は５００℃
以上の耐熱温度を有しており、その上に形成する成膜基
板温度を温度を上昇させることができること並びに成膜
した圧電体層の加熱処理に絶え得ることがわかる。また
、形成されたダイヤモンド状層の平滑度を同表に示した
。平滑度はＤＥＫＴＡＫ ＩＩＡ（ＵＬＶＡＣ社）に
より測定した。イオン化蒸着法により形成したダイヤモ
ンド状層は良好な平滑度を有することがわかる。
【００２６】屈折率及び密度の測定
屈折率はエリプソメーターにより測定した。密度はＭｇ
Ｏ上に作成した膜を塩酸で剥離し測定した。
Ｏ上に作成した膜を塩酸で剥離し測定した。
【００２７】圧電体層の成膜
スパッタ法によりＡｌＮ膜を上記のダイヤモンド状層上
に形成した。成膜温度を第１表中に示す。成膜条件はガ
ス圧２．２×１０−３Ｔｏｒｒ、スパッタ用ＲＦ電源２
００Ｗ、Ａｒ／Ｎ２ のガス比１／１、成膜の膜厚２．
４μｍとした。 （１） 付着力等の測定 ＳＥＢＡＳＴＩＡＮ装置を用いて測定した。 （２） ＡｌＮの熱処理 熱処理炉へ入れ熱処理する。 （３） 熱処理前後のＡｌＮ層の配向性ＡｌＮのＸ線回
折を測定する。（００２）面の角度に固定しそのロッキ
ングカーブを測定する。その標準偏差σよりＣ軸配向性
が評価できる。
に形成した。成膜温度を第１表中に示す。成膜条件はガ
ス圧２．２×１０−３Ｔｏｒｒ、スパッタ用ＲＦ電源２
００Ｗ、Ａｒ／Ｎ２ のガス比１／１、成膜の膜厚２．
４μｍとした。 （１） 付着力等の測定 ＳＥＢＡＳＴＩＡＮ装置を用いて測定した。 （２） ＡｌＮの熱処理 熱処理炉へ入れ熱処理する。 （３） 熱処理前後のＡｌＮ層の配向性ＡｌＮのＸ線回
折を測定する。（００２）面の角度に固定しそのロッキ
ングカーブを測定する。その標準偏差σよりＣ軸配向性
が評価できる。
【００２８】電極の形成
Ａｌを蒸着して電極を作成する。こうして得られた本発
明の表面弾性波素子の断面図を第２図に示す。図中、１
は基板、２はダイヤモンド状層、３は圧電体層、４は電
極を示す。本発明の表面弾性波素子の構造は図の構造に
限定されず、本発明の範囲内で、当業者ならば、電極の
位置、や対抗電極の有無等の任意に選択でき、それらは
本発明の範囲に包含される。
明の表面弾性波素子の断面図を第２図に示す。図中、１
は基板、２はダイヤモンド状層、３は圧電体層、４は電
極を示す。本発明の表面弾性波素子の構造は図の構造に
限定されず、本発明の範囲内で、当業者ならば、電極の
位置、や対抗電極の有無等の任意に選択でき、それらは
本発明の範囲に包含される。
【００２９】
【発明の効果】本発明の方法によれば、圧電体層の結晶
配向性を十分に向上することができ、ダイヤモンド層と
圧電体層の結合性も良好であり、さらに平滑な圧電体層
を形成することができる。この方法により得られた本発
明の表面弾性波素子は、機械的強度、音速等において高
性能、高品位の表面弾性波素子であるため、高周波フィ
ルタ等の用途に好適である。
配向性を十分に向上することができ、ダイヤモンド層と
圧電体層の結合性も良好であり、さらに平滑な圧電体層
を形成することができる。この方法により得られた本発
明の表面弾性波素子は、機械的強度、音速等において高
性能、高品位の表面弾性波素子であるため、高周波フィ
ルタ等の用途に好適である。
【図１】 基板上に形成したダイヤモンド状膜のビッ
カース硬度と耐熱温度の関係を示す図である。
カース硬度と耐熱温度の関係を示す図である。
【図２】 本発明の一具体例である表面弾性波素子構
造を示す図である。
造を示す図である。
１ 基板、
２ ダイヤモンド状層、
３ 圧電体層、
４ 電極、
Claims (4)
- 【請求項１】 ダイヤモンド状層と、圧電体層と、電
極層とを含む表面弾性波素子であって、ダイヤモンド状
層のビッカース硬度が６５００〜９０００ｋｇ／ｍｍ２
であることを特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項２】 ダイヤモンド状層と、圧電体層と、電
極層とを含む表面弾性波素子であって、ダイヤモンド状
層の屈折率が２．３５〜２．４１であり且つ密度が３．
４５〜３．５０であることを特徴とする表面弾性波素子
。 - 【請求項３】 ダイヤモンド状層と、圧電体層と、電
極層とを含む表面弾性波素子を製造する方法であって、
ダイヤモンド膜をビッカース硬度が６５００〜９０００
ｋｇ／ｍｍ２になるように形成することを特徴とする表
面弾性波素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記ダイヤモンド状層がイオン化蒸着
法により形成される請求項１〜３のいずれか一項の表面
弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03140684A JP3110491B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03140684A JP3110491B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341005A true JPH04341005A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3110491B2 JP3110491B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15274353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03140684A Expired - Fee Related JP3110491B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3110491B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838090A (en) * | 1995-02-09 | 1998-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| KR20020007212A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-26 | 무라타 야스타카 | 박막, 박막 제조 방법 및 전자 소자 |
| KR100858600B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2008-09-17 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 표면 탄성파 소자용 다이아몬드 기판 및 표면 탄성파 소자 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038616B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-10-18 | Surf Technology As | Acoustic imaging by nonlinear low frequency manipulation of high frequency scattering and propagation properties |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP03140684A patent/JP3110491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838090A (en) * | 1995-02-09 | 1998-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| KR20020007212A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-26 | 무라타 야스타카 | 박막, 박막 제조 방법 및 전자 소자 |
| US6931701B2 (en) | 2000-07-19 | 2005-08-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film |
| KR100858600B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2008-09-17 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 표면 탄성파 소자용 다이아몬드 기판 및 표면 탄성파 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3110491B2 (ja) | 2000-11-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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