JPH04342172A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH04342172A JPH04342172A JP3142499A JP14249991A JPH04342172A JP H04342172 A JPH04342172 A JP H04342172A JP 3142499 A JP3142499 A JP 3142499A JP 14249991 A JP14249991 A JP 14249991A JP H04342172 A JPH04342172 A JP H04342172A
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- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/144—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs,AlGaAs, or InP photovoltaic cells
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特に半導体装置の表面電極が該電極下の半導体に対して
与えるストレスを軽減できる半導体装置に関するもので
ある。
特に半導体装置の表面電極が該電極下の半導体に対して
与えるストレスを軽減できる半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来のＳｉ（シリコン）基板上
ＧａＡｓ（ガリウム砒素）太陽電池の構造を示す図であ
り、図１２（ａ） は上面図、図１２（ｂ） は図１２
（ａ） 中のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線における断面図、図
１２（ｃ） は図１２（ａ） 中のＸＩＩｃ−ＸＩＩｃ
線における断面図である。これら図において、４はＮ型
Ｓｉ基板であり、Ｎ型ＧａＡｓ層３は基板４上に配置さ
れ、Ｐ型ＧａＡｓ層２はＮ型ＧａＡｓ層３上に配置され
る。裏面電極５は基板１裏面上に設けられ、表面電極１
はＰ型ＧａＡｓ層２上に設けられる。表面電極１は複数
のグリッド部６と共通のバス部７からなる。グリッド電
極６の幅はｗであり、間隔ｄをもって相互に平行に配置
されている。
ＧａＡｓ（ガリウム砒素）太陽電池の構造を示す図であ
り、図１２（ａ） は上面図、図１２（ｂ） は図１２
（ａ） 中のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線における断面図、図
１２（ｃ） は図１２（ａ） 中のＸＩＩｃ−ＸＩＩｃ
線における断面図である。これら図において、４はＮ型
Ｓｉ基板であり、Ｎ型ＧａＡｓ層３は基板４上に配置さ
れ、Ｐ型ＧａＡｓ層２はＮ型ＧａＡｓ層３上に配置され
る。裏面電極５は基板１裏面上に設けられ、表面電極１
はＰ型ＧａＡｓ層２上に設けられる。表面電極１は複数
のグリッド部６と共通のバス部７からなる。グリッド電
極６の幅はｗであり、間隔ｄをもって相互に平行に配置
されている。
【０００３】次に、本従来例の動作について説明する。
表面側より太陽電池に入射した太陽光は、ＧａＡｓ層内
で吸収され、光キャリアを発生する。このキャリアは、
ＧａＡｓ層内に設けられたＰ／Ｎ接合の働きにより、光
起電力を発生すると共に、表面ならびに裏面に設けられ
た金属電極を通して光電流として外部に取り出される。
で吸収され、光キャリアを発生する。このキャリアは、
ＧａＡｓ層内に設けられたＰ／Ｎ接合の働きにより、光
起電力を発生すると共に、表面ならびに裏面に設けられ
た金属電極を通して光電流として外部に取り出される。
【０００４】今、表面に設けられた金属電極に注目する
と、その機能はＰ型ＧａＡｓ層に生じる光キャリアを太
陽電池全面から収集し、さらに外部に取り出すために１
ヶ所に導くことである。図１２のくし型電極構造を持つ
太陽電池においては、グリッド部６がＰ型ＧａＡｓ層２
より電流を収集し、くしの根本まで導く役割をする。バ
ス部７は各グリッド部６から集められた電流を、さらに
１ヶ所に集める働きおよび外部に接続するための導線を
取りつける端子としての働きをする。
と、その機能はＰ型ＧａＡｓ層に生じる光キャリアを太
陽電池全面から収集し、さらに外部に取り出すために１
ヶ所に導くことである。図１２のくし型電極構造を持つ
太陽電池においては、グリッド部６がＰ型ＧａＡｓ層２
より電流を収集し、くしの根本まで導く役割をする。バ
ス部７は各グリッド部６から集められた電流を、さらに
１ヶ所に集める働きおよび外部に接続するための導線を
取りつける端子としての働きをする。
【０００５】一方、金属は光を反射し、透過させないこ
とから表面の金属電極はＧａＡｓ層に入射する光の量を
減少させる結果となる。
とから表面の金属電極はＧａＡｓ層に入射する光の量を
減少させる結果となる。
【０００６】以上より、表面電極のパターン形状及びそ
の厚みの設計にあたっては、以下の制約の中で最適化を
行う必要がある。 （１） 金属電極を流れる電流による電圧降下による損
失を少なくするよう電極抵抗を小さくする。 （２） 半導体−金属間の電気抵抗を小さくする。（半
導体−金属の接触面積を大きくする。） （３） ＧａＡｓ層内を拡散してくるキャリアを効率よ
く収集するために、グリッド電極間隔を最適化する。 （４） 入射光の反射による効率低下を防止するため、
電極面積はできるだけ小さくする。
の厚みの設計にあたっては、以下の制約の中で最適化を
行う必要がある。 （１） 金属電極を流れる電流による電圧降下による損
失を少なくするよう電極抵抗を小さくする。 （２） 半導体−金属間の電気抵抗を小さくする。（半
導体−金属の接触面積を大きくする。） （３） ＧａＡｓ層内を拡散してくるキャリアを効率よ
く収集するために、グリッド電極間隔を最適化する。 （４） 入射光の反射による効率低下を防止するため、
電極面積はできるだけ小さくする。
【０００７】２ｃｍ×２ｃｍの面積を持つＧａＡｓオン
Ｓｉ太陽電池について最適化された電極構造の一例は、
図１２に示す電極パターンにおいて、グリッド電極幅ｗ
を２０μｍ、グリッド電極間隔ｄを１ｍｍ、電極厚みを
４μｍとしたものである。この場合、電極金属は銀であ
る。
Ｓｉ太陽電池について最適化された電極構造の一例は、
図１２に示す電極パターンにおいて、グリッド電極幅ｗ
を２０μｍ、グリッド電極間隔ｄを１ｍｍ、電極厚みを
４μｍとしたものである。この場合、電極金属は銀であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳｉ基板上Ｇａ
Ａｓ太陽電池は以上のように構成されており、表面電極
とＧａＡｓ層ならびにＳｉ基板の熱膨張係数が異なるこ
とが主因となって、電極下のＧａＡｓ層に対し、電極金
属が熱ストレスを与える。このストレスが原因となって
、ＧａＡｓ層にクラック（割れ）が発生し効率が低下し
たり、結晶品質の低下によって効率が低下する問題があ
った。又、ストレスが原因となって素子の変形が生じる
という問題もあった。
Ａｓ太陽電池は以上のように構成されており、表面電極
とＧａＡｓ層ならびにＳｉ基板の熱膨張係数が異なるこ
とが主因となって、電極下のＧａＡｓ層に対し、電極金
属が熱ストレスを与える。このストレスが原因となって
、ＧａＡｓ層にクラック（割れ）が発生し効率が低下し
たり、結晶品質の低下によって効率が低下する問題があ
った。又、ストレスが原因となって素子の変形が生じる
という問題もあった。
【０００９】Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池は高効率，軽
量である特色を生かし、宇宙用（人工衛星用）太陽電池
として有望であるが、宇宙環境では温度変化が大きく、
一般に＋６０℃〜−１５０℃の範囲で熱サイクルにさら
されると考えられている。このような環境下では、上記
の熱ストレスによる問題は特に重要となる。実際に、＋
１５０°〜−１９０℃の熱サイクル試験を行った結果、
温度変化に起因する熱ストレスにより上記の効率の劣化
や太陽電池の変形等が問題となることが確認されている
。
量である特色を生かし、宇宙用（人工衛星用）太陽電池
として有望であるが、宇宙環境では温度変化が大きく、
一般に＋６０℃〜−１５０℃の範囲で熱サイクルにさら
されると考えられている。このような環境下では、上記
の熱ストレスによる問題は特に重要となる。実際に、＋
１５０°〜−１９０℃の熱サイクル試験を行った結果、
温度変化に起因する熱ストレスにより上記の効率の劣化
や太陽電池の変形等が問題となることが確認されている
。
【００１０】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、電極からの熱ストレスによる
素子の変形を防止すると共に、変形に伴って生じるクラ
ックの発生を防止することを目的とする。
るためになされたもので、電極からの熱ストレスによる
素子の変形を防止すると共に、変形に伴って生じるクラ
ックの発生を防止することを目的とする。
【００１１】また、この発明は、ＧａＡｓ層が電極から
受けるストレス量を減らすことにより、半導体結晶の劣
化を防止すると共に、ストレスにより発生するクラック
を防止することを目的とする。
受けるストレス量を減らすことにより、半導体結晶の劣
化を防止すると共に、ストレスにより発生するクラック
を防止することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、一体の半導体結晶上に形成された金属電極を有す
るものにおいて、上記金属電極が、上記半導体結晶表面
内において、該結晶表面と電気的に接する領域と、上記
結晶表面と分離し電極金属形状が容易に変形できる形状
を有する領域とを周期的に備えたものである。
置は、一体の半導体結晶上に形成された金属電極を有す
るものにおいて、上記金属電極が、上記半導体結晶表面
内において、該結晶表面と電気的に接する領域と、上記
結晶表面と分離し電極金属形状が容易に変形できる形状
を有する領域とを周期的に備えたものである。
【００１３】また、この発明に係る半導体装置は、一体
の半導体結晶上に形成された金属電極を有するものにお
いて、上記金属電極が、半導体結晶表面上に接して敷設
された薄膜状の金属と、断面積の大きな電極金属と、こ
れら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に接続する上記
薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属部とを備
えたものである。
の半導体結晶上に形成された金属電極を有するものにお
いて、上記金属電極が、半導体結晶表面上に接して敷設
された薄膜状の金属と、断面積の大きな電極金属と、こ
れら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に接続する上記
薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属部とを備
えたものである。
【００１４】
【作用】この発明においては、一体の半導体結晶上に形
成された金属電極が、上記半導体結晶表面内において、
該結晶表面と電気的に接する領域と、上記半導体結晶表
面と分離し電極金属形状が容易に変形できる形状を有す
る領域とを周期的に備えた構成としたから、電極金属に
生じる応力は半導体表面より離れた電極金属部の変形に
より吸収され、素子の変形を防止できる。
成された金属電極が、上記半導体結晶表面内において、
該結晶表面と電気的に接する領域と、上記半導体結晶表
面と分離し電極金属形状が容易に変形できる形状を有す
る領域とを周期的に備えた構成としたから、電極金属に
生じる応力は半導体表面より離れた電極金属部の変形に
より吸収され、素子の変形を防止できる。
【００１５】また、この発明においては、一体の半導体
結晶上に形成された金属電極が、上記半導体結晶表面上
に接して敷設された薄膜状の金属と、断面積の大きな電
極金属と、これら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に
接続する薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属
部とを備えた構成としたから、温度変化等により半導体
部と金属電極部の変形量のちがいが生じた場合、薄膜状
の金属と電極金属とを電気的に接続する細い金属部が歪
みを吸収し、半導体中に発生する電極金属から受ける応
力を低減できる。
結晶上に形成された金属電極が、上記半導体結晶表面上
に接して敷設された薄膜状の金属と、断面積の大きな電
極金属と、これら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に
接続する薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属
部とを備えた構成としたから、温度変化等により半導体
部と金属電極部の変形量のちがいが生じた場合、薄膜状
の金属と電極金属とを電気的に接続する細い金属部が歪
みを吸収し、半導体中に発生する電極金属から受ける応
力を低減できる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１（ａ） は本発明の第１の実施例による半導体
装置であるＧａＡｓオンＳｉ太陽電池を示す平面図であ
り、図１（ｂ） ，図１（ｃ） ，及び図１（ｄ） は
それぞれ図１（ａ） のＩｂ−Ｉｂ断面，Ｉｃ−Ｉｃ断
面，及びＩｄ−Ｉｄ断面を示す図である。これら図にお
いて、４はＮ型Ｓｉ基板であり、Ｎ型ＧａＡｓ層３は基
板４上に配置され、Ｐ型ＧａＡｓ層２はＮ型ＧａＡｓ層
３上に配置される。裏面電極５は基板１裏面上に設けら
れ、表面電極１はＰ型ＧａＡｓ層２上に設けられる。表
面電極１は複数のグリッド部６と共通のバス部７からな
る。グリッド電極６の幅はｗであり、間隔ｄをもって相
互に平行に配置されている。また、１１は表面電極１が
半導体層２に物理的，電気的に接続された部分、１２は
表面電極１が半導体層２から物理的，電気的に分離され
た部分である。
る。図１（ａ） は本発明の第１の実施例による半導体
装置であるＧａＡｓオンＳｉ太陽電池を示す平面図であ
り、図１（ｂ） ，図１（ｃ） ，及び図１（ｄ） は
それぞれ図１（ａ） のＩｂ−Ｉｂ断面，Ｉｃ−Ｉｃ断
面，及びＩｄ−Ｉｄ断面を示す図である。これら図にお
いて、４はＮ型Ｓｉ基板であり、Ｎ型ＧａＡｓ層３は基
板４上に配置され、Ｐ型ＧａＡｓ層２はＮ型ＧａＡｓ層
３上に配置される。裏面電極５は基板１裏面上に設けら
れ、表面電極１はＰ型ＧａＡｓ層２上に設けられる。表
面電極１は複数のグリッド部６と共通のバス部７からな
る。グリッド電極６の幅はｗであり、間隔ｄをもって相
互に平行に配置されている。また、１１は表面電極１が
半導体層２に物理的，電気的に接続された部分、１２は
表面電極１が半導体層２から物理的，電気的に分離され
た部分である。
【００１７】本第１の実施例の作用について従来例と比
較して説明する。図５は太陽電池の断面形状を室温及び
液体窒素温度に冷却した場合について、特に表面電極の
効果に着目して表した模式図である。図５（ａ） は本
実施例を、図５（ｂ） は従来例を示す。また図６は図
５において素子を冷却した際に半導体層２及び上部電極
１にかかる応力を模式的に示す図であり、図６（ａ）
は従来例を、図６（ｂ） は本実施例を示す。
較して説明する。図５は太陽電池の断面形状を室温及び
液体窒素温度に冷却した場合について、特に表面電極の
効果に着目して表した模式図である。図５（ａ） は本
実施例を、図５（ｂ） は従来例を示す。また図６は図
５において素子を冷却した際に半導体層２及び上部電極
１にかかる応力を模式的に示す図であり、図６（ａ）
は従来例を、図６（ｂ） は本実施例を示す。
【００１８】表面電極が銀電極の場合、その熱膨張係数
は室温付近で、２０×１０−６／ｋであるのに対して、
電極下のＧａＡｓ層では５．７×１０−６／ｋと１／３
以下である。従って、室温で平坦である従来の構造の素
子を冷却すると、図５（ｂ） に示すように、電極の縮
みの方が大きいために素子に反りを生じる。これを応力
の点から説明する。ＧａＡｓ基板２上にＡｇ電極１が形
成されている場合を考える。図６（ａ） に示すように
Ａｇ電極が基板面全面に付着している場合は、素子を室
温から冷却した場合には、ＡｇはＧａＡｓに比べてより
縮もうとするために、変形量の少ないＧａＡｓに引っ張
られる形でＡｇ中には引っ張り応力が生じる。一方、電
極下のＧａＡｓはＡｇの変形によって縮められるため、
圧縮力がかかる。この応力の大きさは、基板の厚み方向
に電極から離れるに従って小さくなり、基板裏面では引
っ張り応力になる。この基板厚さ方向の応力分布の結果
、素子は電極側からみて、凹面状に変形する。
は室温付近で、２０×１０−６／ｋであるのに対して、
電極下のＧａＡｓ層では５．７×１０−６／ｋと１／３
以下である。従って、室温で平坦である従来の構造の素
子を冷却すると、図５（ｂ） に示すように、電極の縮
みの方が大きいために素子に反りを生じる。これを応力
の点から説明する。ＧａＡｓ基板２上にＡｇ電極１が形
成されている場合を考える。図６（ａ） に示すように
Ａｇ電極が基板面全面に付着している場合は、素子を室
温から冷却した場合には、ＡｇはＧａＡｓに比べてより
縮もうとするために、変形量の少ないＧａＡｓに引っ張
られる形でＡｇ中には引っ張り応力が生じる。一方、電
極下のＧａＡｓはＡｇの変形によって縮められるため、
圧縮力がかかる。この応力の大きさは、基板の厚み方向
に電極から離れるに従って小さくなり、基板裏面では引
っ張り応力になる。この基板厚さ方向の応力分布の結果
、素子は電極側からみて、凹面状に変形する。
【００１９】一方、本実施例による電極構造を持つ素子
においては、図６（ｂ） に示すように、素子の温度変
化により金属電極中に発生する応力の一部は、半導体か
ら離れた部分１２の電極の長さ方向に変形できる部分１
６が変形することによって穏和される。このため、電極
から離れた部分１２の下の半導体層には応力がかからな
い。 このように、応力のかからない領域を周期的に配するこ
とによって、半導体層にかかる応力を低減できるととも
に、素子の変形を穏和することができる。従って、室温
で平坦である本実施例の素子を冷却した場合、図５（ａ
） に示すように、変形量は少ない。素子の変形を穏和
する効果は、電極の全体の長さに対する半導体表面から
離れた部分１２の割合を増した方がより効果的である。 従来例で示した太陽電池の場合には、半導体と金属の接
触抵抗の制約により、半導体表面から離れた部分１２の
電極のグリッド部に占める割合の上限が決まるが、その
値は素子特性を損なうことなく７０％程度にまでするこ
とができ、素子の変形防止に効果的である。また、この
効果によりＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池においては応力
と素子の変形によって生じるクラックを防止できる。
においては、図６（ｂ） に示すように、素子の温度変
化により金属電極中に発生する応力の一部は、半導体か
ら離れた部分１２の電極の長さ方向に変形できる部分１
６が変形することによって穏和される。このため、電極
から離れた部分１２の下の半導体層には応力がかからな
い。 このように、応力のかからない領域を周期的に配するこ
とによって、半導体層にかかる応力を低減できるととも
に、素子の変形を穏和することができる。従って、室温
で平坦である本実施例の素子を冷却した場合、図５（ａ
） に示すように、変形量は少ない。素子の変形を穏和
する効果は、電極の全体の長さに対する半導体表面から
離れた部分１２の割合を増した方がより効果的である。 従来例で示した太陽電池の場合には、半導体と金属の接
触抵抗の制約により、半導体表面から離れた部分１２の
電極のグリッド部に占める割合の上限が決まるが、その
値は素子特性を損なうことなく７０％程度にまでするこ
とができ、素子の変形防止に効果的である。また、この
効果によりＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池においては応力
と素子の変形によって生じるクラックを防止できる。
【００２０】次に本実施例の製造工程について説明する
。図２は図１に示す太陽電池の表面電極の形成方法の一
例を示す断面斜視工程図であり、図において、図１と同
一符号は同一又は相当部分である。また４２，４３はレ
ジスト、４４は表面電極となるＡｇ膜である。
。図２は図１に示す太陽電池の表面電極の形成方法の一
例を示す断面斜視工程図であり、図において、図１と同
一符号は同一又は相当部分である。また４２，４３はレ
ジスト、４４は表面電極となるＡｇ膜である。
【００２１】まず、Ｎ型Ｓｉ基板４上にＮ型ＧａＡｓ層
３，及びＰ型ＧａＡｓ層２を順次形成した後、Ｐ型Ｇａ
Ａｓ層２上の図１中の表面電極１が半導体層２から物理
的，電気的に分離された部分１２に相当する領域に、図
２（ａ） に示すようにレジスト４２のパターンを形成
する。ここでレジスト４２の厚みは１ミクロン程度とす
る。次に、図２（ｂ） に示すように、表面電極を形成
しようとする部分以外の領域にレジスト４３のパターン
を形成する。ここでレジスト４３の厚みは５ミクロン程
度と比較的厚くする。このようにレジストパターンを形
成したウエハ上にＡｇを約４ミクロンの厚みに蒸着する
。このように蒸着を行った場合、Ａｇ電極は約１ミクロ
ン厚のレジスト４２を完全にカバーする一方、約５ミク
ロン厚のレジスト４３の段差部分に対してはそのエッジ
部で切れをおこしている。この状態でレジスト剥離を行
うと、約５ミクロン厚のレジスト４３上のＡｇ膜はレジ
ストとともにリフトオフされ、図２（ｃ） に示すよう
な表面電極パターンを得ることができる。ここで、図２
（ｃ） に示すようにグリッド電極下にはレジスト４２
が残留しているが、レジストは応力により容易に変形す
るので、本実施例の効果を損なうものではない。また、
さらに強力なレジスト除去をおこなうことでレジスト４
２を除去することも可能である。
３，及びＰ型ＧａＡｓ層２を順次形成した後、Ｐ型Ｇａ
Ａｓ層２上の図１中の表面電極１が半導体層２から物理
的，電気的に分離された部分１２に相当する領域に、図
２（ａ） に示すようにレジスト４２のパターンを形成
する。ここでレジスト４２の厚みは１ミクロン程度とす
る。次に、図２（ｂ） に示すように、表面電極を形成
しようとする部分以外の領域にレジスト４３のパターン
を形成する。ここでレジスト４３の厚みは５ミクロン程
度と比較的厚くする。このようにレジストパターンを形
成したウエハ上にＡｇを約４ミクロンの厚みに蒸着する
。このように蒸着を行った場合、Ａｇ電極は約１ミクロ
ン厚のレジスト４２を完全にカバーする一方、約５ミク
ロン厚のレジスト４３の段差部分に対してはそのエッジ
部で切れをおこしている。この状態でレジスト剥離を行
うと、約５ミクロン厚のレジスト４３上のＡｇ膜はレジ
ストとともにリフトオフされ、図２（ｃ） に示すよう
な表面電極パターンを得ることができる。ここで、図２
（ｃ） に示すようにグリッド電極下にはレジスト４２
が残留しているが、レジストは応力により容易に変形す
るので、本実施例の効果を損なうものではない。また、
さらに強力なレジスト除去をおこなうことでレジスト４
２を除去することも可能である。
【００２２】なお、上記製造工程において、約１ミクロ
ン厚のレジスト４２のパターンは、図２（ａ） に示す
ように離散的に配置したパターンの他、図３に示すよう
な、表面電極１が半導体層２に物理的，電気的に接続さ
れる部分のみに開口を設けたパターンとしてもよい。
ン厚のレジスト４２のパターンは、図２（ａ） に示す
ように離散的に配置したパターンの他、図３に示すよう
な、表面電極１が半導体層２に物理的，電気的に接続さ
れる部分のみに開口を設けたパターンとしてもよい。
【００２３】図４は図１に示す太陽電池の上部電極の形
成方法の他の例を示す断面斜視工程図であり、図におい
て、図２と同一符号は同一または相当部分である。また
４５は給電層となるＡｇ膜、５１はレジスト、４６はメ
ッキ層である。
成方法の他の例を示す断面斜視工程図であり、図におい
て、図２と同一符号は同一または相当部分である。また
４５は給電層となるＡｇ膜、５１はレジスト、４６はメ
ッキ層である。
【００２４】まず、Ｎ型Ｓｉ基板４上にＮ型ＧａＡｓ層
３，及びＰ型ＧａＡｓ層２を順次形成した後、図４（ａ
） に示すように、表面電極１が半導体層２に物理的，
電気的に接続される部分のみに開口を設けたレジスト４
２のパターンを形成する。ここでレジスト４２の厚みは
２〜３ミクロンとする。このようなパターンを形成した
ウエハ上に、図４（ｂ） に示すように、０．５ミクロ
ン程度の厚みのＡｇ給電層４５をスパッタ法により形成
する。ここでスパッタ法は蒸着に比して段差のカバレッ
ジ特性に優れているため、レジストの段差で切れを生じ
ることなく給電層４５を形成することができる。次に、
図４（ｃ） に示すように、表面電極が形成される部分
を除く領域にメッキ工程時のマスクとして用いるレジス
トパターン５１を形成する。この後、電解メッキを行っ
て、レジストパターン５１の開口部に露出した給電層４
５上にＡｇメッキ層４６を約４ミクロンの厚みに形成す
る（図４（ｄ） ）。次いでレジスト５１を除去し、イ
オンミリング法によりＡｇ給電層４５を除去する。ここ
で、イオンミリングにより、電極となるＡｇメッキ層４
６もその膜厚が減少するが、減少後のＡｇ電極の膜厚は
約４ミクロンであるので、太陽電池の動作上なんら問題
とはならない。 また、イオンミリングに際し、電極パターン上にミリン
グ防止用のレジストパターンを形成しておけば、上記の
膜厚減少を防止することも可能である。この後、最初に
設けたレジスト４２を除去することにより図４（ｅ）
に示すような表面電極パターンを得ることができる。こ
こで、図４（ｅ） に示すようにグリッド電極下にはレ
ジスト４２が残留しているが、レジストは応力により容
易に変形するので、本実施例の効果を損なうものではな
い。また、さらに強力なレジスト除去をおこなうことで
レジスト４２を除去することも可能である。
３，及びＰ型ＧａＡｓ層２を順次形成した後、図４（ａ
） に示すように、表面電極１が半導体層２に物理的，
電気的に接続される部分のみに開口を設けたレジスト４
２のパターンを形成する。ここでレジスト４２の厚みは
２〜３ミクロンとする。このようなパターンを形成した
ウエハ上に、図４（ｂ） に示すように、０．５ミクロ
ン程度の厚みのＡｇ給電層４５をスパッタ法により形成
する。ここでスパッタ法は蒸着に比して段差のカバレッ
ジ特性に優れているため、レジストの段差で切れを生じ
ることなく給電層４５を形成することができる。次に、
図４（ｃ） に示すように、表面電極が形成される部分
を除く領域にメッキ工程時のマスクとして用いるレジス
トパターン５１を形成する。この後、電解メッキを行っ
て、レジストパターン５１の開口部に露出した給電層４
５上にＡｇメッキ層４６を約４ミクロンの厚みに形成す
る（図４（ｄ） ）。次いでレジスト５１を除去し、イ
オンミリング法によりＡｇ給電層４５を除去する。ここ
で、イオンミリングにより、電極となるＡｇメッキ層４
６もその膜厚が減少するが、減少後のＡｇ電極の膜厚は
約４ミクロンであるので、太陽電池の動作上なんら問題
とはならない。 また、イオンミリングに際し、電極パターン上にミリン
グ防止用のレジストパターンを形成しておけば、上記の
膜厚減少を防止することも可能である。この後、最初に
設けたレジスト４２を除去することにより図４（ｅ）
に示すような表面電極パターンを得ることができる。こ
こで、図４（ｅ） に示すようにグリッド電極下にはレ
ジスト４２が残留しているが、レジストは応力により容
易に変形するので、本実施例の効果を損なうものではな
い。また、さらに強力なレジスト除去をおこなうことで
レジスト４２を除去することも可能である。
【００２５】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。図７（ａ） は本発明の第１の実施例による半導体
装置であるＧａＡｓオンＳｉ太陽電池を示す平面図であ
り、図７（ｂ） は図７（ａ） のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ
断面を示す図である。 これら図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
である。本実施例では表面電極１は、半導体上に物理的
，電気的に接続された薄膜部分１５，電流を流す部分１
３，及び薄膜部分１５と電流を流す部分１３を接続する
部分１４により構成されている。図７（ｃ） は表面電
極１の一部を示す斜視図である。
る。図７（ａ） は本発明の第１の実施例による半導体
装置であるＧａＡｓオンＳｉ太陽電池を示す平面図であ
り、図７（ｂ） は図７（ａ） のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ
断面を示す図である。 これら図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
である。本実施例では表面電極１は、半導体上に物理的
，電気的に接続された薄膜部分１５，電流を流す部分１
３，及び薄膜部分１５と電流を流す部分１３を接続する
部分１４により構成されている。図７（ｃ） は表面電
極１の一部を示す斜視図である。
【００２６】次に、本実施例の効果について説明する。
半導体上に帯状の形状をした金属が形成された場合、半
導体層が金属から受ける応力は、電極のエッジ部で非常
に大きくなることが知られている。ジャーナル オブ
アプライド フィジクス，５０巻７号（Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．５０（７）；ｐ４５６７ 〜ｐ４５７
９（１９７９））に示されているように、この応力の大
きさは電極金属中の応力の大きさσと金属の厚さｄの積
，σ×ｄに比例している。文献の例では膜を帯状に除去
した場合を示しているが、これは帯状の膜が付いている
場合と等価である。応力の大きさσは電極金属の種類や
形成方法に依存すると共に、素子の温度が変化する場合
には接合している金属と半導体の熱膨張率や硬さのちが
いに依存する量である。電極から受けるストレスが電極
のエッジ部に集中し、この応力が半導体層の結晶性を劣
化させる例を図１１に示す。図１１は図１２に示した従
来例と同一の電極構造を持つＧａＡｓ基板上ＧａＡｓ太
陽電池について、応力による結晶欠陥の発生を示したも
のである。図１１（ａ） は太陽電池の電極を含む一部
分を示した平面図、図１１（ｂ） は図１１（ａ）と同
一位置について電極金属をエッチング除去した後、ＫＯ
Ｈエッチングを行ったもので、転位に対応したエッチピ
ットの分布を示した平面図である。図において、２はＧ
ａＡｓ結晶、１は結晶表面に形成された電極、３０は転
移に対応して形成されたエッチピットである。図１１（
ｂ） のエッチピット３０の分布から、電極エッジ位置
において転位が多く発生していることがわかる。結晶中
に転位が発生し結晶品質が低下すると、リーク電流が増
大し変換効率の低下を招く。
導体層が金属から受ける応力は、電極のエッジ部で非常
に大きくなることが知られている。ジャーナル オブ
アプライド フィジクス，５０巻７号（Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．５０（７）；ｐ４５６７ 〜ｐ４５７
９（１９７９））に示されているように、この応力の大
きさは電極金属中の応力の大きさσと金属の厚さｄの積
，σ×ｄに比例している。文献の例では膜を帯状に除去
した場合を示しているが、これは帯状の膜が付いている
場合と等価である。応力の大きさσは電極金属の種類や
形成方法に依存すると共に、素子の温度が変化する場合
には接合している金属と半導体の熱膨張率や硬さのちが
いに依存する量である。電極から受けるストレスが電極
のエッジ部に集中し、この応力が半導体層の結晶性を劣
化させる例を図１１に示す。図１１は図１２に示した従
来例と同一の電極構造を持つＧａＡｓ基板上ＧａＡｓ太
陽電池について、応力による結晶欠陥の発生を示したも
のである。図１１（ａ） は太陽電池の電極を含む一部
分を示した平面図、図１１（ｂ） は図１１（ａ）と同
一位置について電極金属をエッチング除去した後、ＫＯ
Ｈエッチングを行ったもので、転位に対応したエッチピ
ットの分布を示した平面図である。図において、２はＧ
ａＡｓ結晶、１は結晶表面に形成された電極、３０は転
移に対応して形成されたエッチピットである。図１１（
ｂ） のエッチピット３０の分布から、電極エッジ位置
において転位が多く発生していることがわかる。結晶中
に転位が発生し結晶品質が低下すると、リーク電流が増
大し変換効率の低下を招く。
【００２７】図１１に示す例では電極は蒸着法により形
成された後、ＧａＡｓとオーミックコンタクトをとるた
めに４００℃，１５分間の熱処理を行っており、この時
電極がＧａＡｓ層に与える熱応力によって、電極エッジ
部のＧａＡｓ層に転位を生じたものである。これより、
電極エッジ部の応力を穏和することが結晶品質の劣化を
防止する上で重要であることがわかる。
成された後、ＧａＡｓとオーミックコンタクトをとるた
めに４００℃，１５分間の熱処理を行っており、この時
電極がＧａＡｓ層に与える熱応力によって、電極エッジ
部のＧａＡｓ層に転位を生じたものである。これより、
電極エッジ部の応力を穏和することが結晶品質の劣化を
防止する上で重要であることがわかる。
【００２８】ここで、電極から受ける熱応力（特にエッ
ジ部）を低減させるには、応力の大きさが電極の厚みｄ
に比例することから、この電極の厚みｄを極めて小さく
すれば良いことが理解される。
ジ部）を低減させるには、応力の大きさが電極の厚みｄ
に比例することから、この電極の厚みｄを極めて小さく
すれば良いことが理解される。
【００２９】本第２の実施例では電極の断面構造が図７
（ｂ） に示すように、半導体と電気的接続を行う部分
１５が薄膜状であるために、素子に温度変化が生じた場
合にも、電極厚みを極めて薄くした効果により、エッジ
部に生じる熱応力を極めて小さくすることができる。こ
の部分は、金属と半導体間での接触抵抗による効率の低
下を招かないような面積を有する。従って、ＧａＡｓ層
に発生した光電流を収集することができる。この電流は
、細くくびれた部分１４を通じて断面積の大きな電流を
流す部分１３に導かれ、グリッド部６を流れて、バス部
７に集められる。また、素子に温度変化が生じた場合、
電流を流す部分１３とＧａＡｓ層２の間には熱膨張率の
差によって変形量に差を生じるが、この差は細くくびれ
た部分１４が機械的変形に対して自由度が高い、即ち、
力が加わると、グリッドの長辺方向に容易に変形するた
めに、この部分で吸収される。従って、図７に示すよう
な電極構造においては、電極が半導体層に及ぼす応力を
最小限におさえ、かつ半導体−金属間接触抵抗が小さく
、かつグリッドの長さ方向の電気抵抗の小さい電極が実
現できる。このため、電極下の半導体層に転位を発生さ
せ結晶を劣化させることもなく、又素子の温度変化に対
する素子の反り（変形）を小さくできる。
（ｂ） に示すように、半導体と電気的接続を行う部分
１５が薄膜状であるために、素子に温度変化が生じた場
合にも、電極厚みを極めて薄くした効果により、エッジ
部に生じる熱応力を極めて小さくすることができる。こ
の部分は、金属と半導体間での接触抵抗による効率の低
下を招かないような面積を有する。従って、ＧａＡｓ層
に発生した光電流を収集することができる。この電流は
、細くくびれた部分１４を通じて断面積の大きな電流を
流す部分１３に導かれ、グリッド部６を流れて、バス部
７に集められる。また、素子に温度変化が生じた場合、
電流を流す部分１３とＧａＡｓ層２の間には熱膨張率の
差によって変形量に差を生じるが、この差は細くくびれ
た部分１４が機械的変形に対して自由度が高い、即ち、
力が加わると、グリッドの長辺方向に容易に変形するた
めに、この部分で吸収される。従って、図７に示すよう
な電極構造においては、電極が半導体層に及ぼす応力を
最小限におさえ、かつ半導体−金属間接触抵抗が小さく
、かつグリッドの長さ方向の電気抵抗の小さい電極が実
現できる。このため、電極下の半導体層に転位を発生さ
せ結晶を劣化させることもなく、又素子の温度変化に対
する素子の反り（変形）を小さくできる。
【００３０】次に本第２の実施例の製造工程について説
明する。図８は図７に示す太陽電池の電極形成工程を示
す図であり、図において、２１は光電変換層が形成され
た太陽電池基板である。また２２ａ，２２ｂ，２２ｃは
レジストパターン、２３ａ，２３ｂは金属膜、２４は金
属メッキ層である。
明する。図８は図７に示す太陽電池の電極形成工程を示
す図であり、図において、２１は光電変換層が形成され
た太陽電池基板である。また２２ａ，２２ｂ，２２ｃは
レジストパターン、２３ａ，２３ｂは金属膜、２４は金
属メッキ層である。
【００３１】まず、図８（ａ） に示すように、基板２
１上にレジストパターン２２ａを形成する。次に、図８
（ｂ） に示すように、レジストパターン２２ａをマス
クとして金属膜２３ａを約０．１ミクロンの厚さに蒸着
法により形成する。この後、レジストを除去することに
より図８（ｃ） に示すように、図７中の半導体と電気
的接続を行う部分１５に相当する電極金属が形成される
。次に、図８（ｄ） に示すように、電極金属２３ａが
露出するストライプ状の開口を有するレジストパターン
２２ｂを形成する。そして、図８（ｅ）に示すように、
電極金属２３ａに電気的に接続した金属膜２３ｂをウエ
ハ全面に蒸着法により形成する。次にレジストパターン
２２ａと同じ開口パターンを有するレジストパターン２
２ｃを金属膜２３ｂ上に形成し、金属膜２３ｂを給電層
として電解メッキを行い、図８（ｆ） に示すように、
厚さ約４ミクロンの金属メッキ層２４を形成する。この
後、レジストパターン２２ｃを除去し、露出した金属膜
２３ｂをイオンミリング等により除去し、さらにレジス
トパターン２２ｂを除去して図８（ｇ） に示す上部電
極の形状を得る。
１上にレジストパターン２２ａを形成する。次に、図８
（ｂ） に示すように、レジストパターン２２ａをマス
クとして金属膜２３ａを約０．１ミクロンの厚さに蒸着
法により形成する。この後、レジストを除去することに
より図８（ｃ） に示すように、図７中の半導体と電気
的接続を行う部分１５に相当する電極金属が形成される
。次に、図８（ｄ） に示すように、電極金属２３ａが
露出するストライプ状の開口を有するレジストパターン
２２ｂを形成する。そして、図８（ｅ）に示すように、
電極金属２３ａに電気的に接続した金属膜２３ｂをウエ
ハ全面に蒸着法により形成する。次にレジストパターン
２２ａと同じ開口パターンを有するレジストパターン２
２ｃを金属膜２３ｂ上に形成し、金属膜２３ｂを給電層
として電解メッキを行い、図８（ｆ） に示すように、
厚さ約４ミクロンの金属メッキ層２４を形成する。この
後、レジストパターン２２ｃを除去し、露出した金属膜
２３ｂをイオンミリング等により除去し、さらにレジス
トパターン２２ｂを除去して図８（ｇ） に示す上部電
極の形状を得る。
【００３２】このようにして得られた電極においては、
半導体と電気的接続を行う部分１５に相当する電極金属
の厚みを０．１μｍと従来の約４０分の１にしたことに
より、電極エッジ部における応力は、４０分の１程度ま
で小さくできる。
半導体と電気的接続を行う部分１５に相当する電極金属
の厚みを０．１μｍと従来の約４０分の１にしたことに
より、電極エッジ部における応力は、４０分の１程度ま
で小さくできる。
【００３３】なお、図７に示す実施例では、電流を流す
部分と半導体と電気接続を行う部分の両者を接続する部
分１４を連続的に設けたが、これは、図９に示すように
周期的に設けた構造でもよい。さらに、図１０に示すよ
うに本発明の第１の実施例と第２の実施例を組み合わせ
たような構造とすれば両実施例の相乗効果が期待される
。
部分と半導体と電気接続を行う部分の両者を接続する部
分１４を連続的に設けたが、これは、図９に示すように
周期的に設けた構造でもよい。さらに、図１０に示すよ
うに本発明の第１の実施例と第２の実施例を組み合わせ
たような構造とすれば両実施例の相乗効果が期待される
。
【００３４】また上記実施例ではＳｉ基板上ＧａＡｓ太
陽電池の例について説明したが、素子の種類は他の素材
の太陽電池でもよく、又フォトダイオード，レーザ等の
他の光デバイス、さらにＩＣ，ＬＳＩ等の電子デバイス
においても同様の効果が得られる。
陽電池の例について説明したが、素子の種類は他の素材
の太陽電池でもよく、又フォトダイオード，レーザ等の
他の光デバイス、さらにＩＣ，ＬＳＩ等の電子デバイス
においても同様の効果が得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、一体
の半導体結晶上に形成された金属電極が、上記半導体結
晶表面内において、該結晶表面と電気的に接する領域と
、上記半導体結晶表面と分離し電極金属形状が容易に変
形できる形状を有する領域とを周期的に備えたので、該
電極が電極下の半導体に対して与えるストレスを軽減で
き、半導体素子の熱応力による変形を防止し、素子の特
性劣化を防止できる効果がある。
の半導体結晶上に形成された金属電極が、上記半導体結
晶表面内において、該結晶表面と電気的に接する領域と
、上記半導体結晶表面と分離し電極金属形状が容易に変
形できる形状を有する領域とを周期的に備えたので、該
電極が電極下の半導体に対して与えるストレスを軽減で
き、半導体素子の熱応力による変形を防止し、素子の特
性劣化を防止できる効果がある。
【００３６】また、この発明によれば、一体の半導体結
晶上に形成された金属電極が、上記半導体結晶表面上に
接して敷設された薄膜状の金属と、断面積の大きな電極
金属と、これら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に接
続する薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属部
とを備えた構成とし、電極の半導体に接する部分の厚み
を極めて薄くしたので、電極エッジ部が半導体に与える
応力を低減し、結晶の劣化を防止し、素子の特性劣化を
防止できる効果がある。
晶上に形成された金属電極が、上記半導体結晶表面上に
接して敷設された薄膜状の金属と、断面積の大きな電極
金属と、これら薄膜状の金属と電極金属とを電気的に接
続する薄膜状金属の幅に比べ細い幅を持つ形状の金属部
とを備えた構成とし、電極の半導体に接する部分の厚み
を極めて薄くしたので、電極エッジ部が半導体に与える
応力を低減し、結晶の劣化を防止し、素子の特性劣化を
防止できる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体装置である
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池を示す図である。
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池を示す図である。
【図２】図１の実施例によるＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電
池の上部電極の形成方法の一例を示す断面斜視工程図で
ある。
池の上部電極の形成方法の一例を示す断面斜視工程図で
ある。
【図３】図２（ａ） の工程で用いるレジストパターン
の他の例を示す図である。
の他の例を示す図である。
【図４】図１の実施例によるＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電
池の上部電極の形成方法の他の例を示す断面斜視工程図
である。
池の上部電極の形成方法の他の例を示す断面斜視工程図
である。
【図５】素子を冷却した場合の変形の様子を図１の実施
例及び従来例とで比較した素子の断面図である。
例及び従来例とで比較した素子の断面図である。
【図６】電極金属及び半導体層に働く応力の分布を図１
の実施例及び従来例で比較した断面図である。
の実施例及び従来例で比較した断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例による半導体装置である
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池を示す図である。
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池を示す図である。
【図８】図２の実施例によるＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電
池の上部電極の形成方法の一例を示す断面斜視工程図で
ある。
池の上部電極の形成方法の一例を示す断面斜視工程図で
ある。
【図９】本発明の第２の実施例による半導体装置である
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池の変形例を示す図である。
Ｓｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施例による半導体装置であ
るＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池の変形例を示す図である
。
るＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池の変形例を示す図である
。
【図１１】太陽電池素子の表面電極形状と転位分布を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１２】従来のＳｉ基板上ＧａＡｓ太陽電池の構造を
示す図である。
示す図である。
１ 表面電極
２ Ｐ型ＧａＡｓ層
３ Ｎ型ＧａＡｓ層
４ Ｎ型Ｓｉ基板
５ 裏面電極
６ 表面電極のグリッド部
７ 表面電極のバス部分
１１ 表面電極が半導体層に接する部分１２ 表面
電極が半導体層から物理的，電気的に分離された部分 １３ 電流を流す部分 １４ １３及び１５を電気的に接続する部分１５
半導体と電気接続を行う部分
電極が半導体層から物理的，電気的に分離された部分 １３ 電流を流す部分 １４ １３及び１５を電気的に接続する部分１５
半導体と電気接続を行う部分
Claims (2)
- 【請求項１】 一体の半導体結晶上に形成された金属
電極を有する半導体装置において、上記金属電極は、上
記半導体結晶表面内において、該結晶表面と電気的に接
する領域と、上記結晶表面と分離し電極金属形状が容易
に変形できる形状を有する領域とを周期的に備えたもの
であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 一体の半導体結晶上に形成された金属
電極を有する半導体装置において、上記金属電極は、半
導体結晶表面上に接して敷設された薄膜状の金属と、断
面積の大きな電極金属と、これら薄膜状の金属と電極金
属とを電気的に接続する上記薄膜状金属の幅に比べ細い
幅を持つ形状の金属部とを備えたものであることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142499A JP2703673B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
| US07/831,921 US5248347A (en) | 1991-05-17 | 1992-02-06 | Solar cell |
| DE4205733A DE4205733C2 (de) | 1991-05-17 | 1992-02-25 | Halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142499A JP2703673B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342172A true JPH04342172A (ja) | 1992-11-27 |
| JP2703673B2 JP2703673B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=15316761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142499A Expired - Lifetime JP2703673B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5248347A (ja) |
| JP (1) | JP2703673B2 (ja) |
| DE (1) | DE4205733C2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165179A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
| JP2006523025A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法 |
| WO2007043428A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
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