JPH0434409A - Lcdパネルの構造及び製造方法 - Google Patents
Lcdパネルの構造及び製造方法Info
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- JPH0434409A JPH0434409A JP14006390A JP14006390A JPH0434409A JP H0434409 A JPH0434409 A JP H0434409A JP 14006390 A JP14006390 A JP 14006390A JP 14006390 A JP14006390 A JP 14006390A JP H0434409 A JPH0434409 A JP H0434409A
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- JP
- Japan
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- cell
- lcd panel
- liquid crystal
- chiral
- panel structure
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
OA機器等の表示装置に用いられる液晶表示パネルの構
造及び製造方法に関し、 液晶注入時のカイラル濃度とセル状態のミスマツチを減
少させ、歩留りを向上することを目的とし、 それぞれ透明電極及び配向膜を有する2枚の透明絶縁基
板を所定の間隔を隔てて対向させるとともに、その対向
間隙内に液晶を封入してなるSTN−LCDパネルにお
いて、上記パネルは少なくとも1つの表示領域よりなる
表示用セルと、少なくとも2個以上の小領域よりなる評
価用セルとを基板上に一体的に形成し、且つこれら各セ
ルを同−駆動が行なえるように構成する。
造及び製造方法に関し、 液晶注入時のカイラル濃度とセル状態のミスマツチを減
少させ、歩留りを向上することを目的とし、 それぞれ透明電極及び配向膜を有する2枚の透明絶縁基
板を所定の間隔を隔てて対向させるとともに、その対向
間隙内に液晶を封入してなるSTN−LCDパネルにお
いて、上記パネルは少なくとも1つの表示領域よりなる
表示用セルと、少なくとも2個以上の小領域よりなる評
価用セルとを基板上に一体的に形成し、且つこれら各セ
ルを同−駆動が行なえるように構成する。
本発明はOA機器等の表示装置に用いられる液晶表示パ
ネルの構造及び製造方法に関する。
ネルの構造及び製造方法に関する。
従来のSTN−LCDパネル(スーパーツイストネマテ
ィック液晶表示パネル)は第4図に示すように、それぞ
れ透明電極1.1′及び配向膜2・2′が形成された1
対のガラス基板3,3′を微小間隔で対向させ、周囲を
シール材4でシールしてセルを形成し、該セル内に液晶
5を注入したもので、液晶のツイスト角は通常のLCD
パネルより太きく240〜270℃程度である。
ィック液晶表示パネル)は第4図に示すように、それぞ
れ透明電極1.1′及び配向膜2・2′が形成された1
対のガラス基板3,3′を微小間隔で対向させ、周囲を
シール材4でシールしてセルを形成し、該セル内に液晶
5を注入したもので、液晶のツイスト角は通常のLCD
パネルより太きく240〜270℃程度である。
このようなSTN−LCDパネルは液晶中にカイラル剤
を混入しているが、そのカイラル濃度は基板面の状態や
、基板間の距離によって微妙に調整する必要がある。こ
のたtlこのSTN−LCD /々ネルの製造において
は、製造された空セル中に注入する液晶の最適カイラル
濃度を決定する際に、別のセル(評価用セル)を数枚用
いてその中に異なるカイラル濃度の液晶を充填し、欠陥
の発生しない濃度のものを最適濃度としていた。
を混入しているが、そのカイラル濃度は基板面の状態や
、基板間の距離によって微妙に調整する必要がある。こ
のたtlこのSTN−LCD /々ネルの製造において
は、製造された空セル中に注入する液晶の最適カイラル
濃度を決定する際に、別のセル(評価用セル)を数枚用
いてその中に異なるカイラル濃度の液晶を充填し、欠陥
の発生しない濃度のものを最適濃度としていた。
実際にパネル化するセル〔A〕と評価用のセル〔B〕と
では、カラーフィルタの有無や基板面積、基板表面状態
、工程、駆動等が異なる為、〔A〕と〔B〕において配
向膜厚や液晶配向状態、セル厚等のパネル条件や駆動条
件を一致させることが出来ない。また、セル〔A〕のパ
ネル化条件もロフト間で変化する。このため、評価用セ
ルで求tた最適カイラル濃度が実際のパネルの最適条件
から大きくずれるという問題が生じる。その場合は、パ
ネル〔A〕においてストライプドメインまたはマイクロ
ドメイン等の欠陥が生じ、歩留まりが大きく低下する。
では、カラーフィルタの有無や基板面積、基板表面状態
、工程、駆動等が異なる為、〔A〕と〔B〕において配
向膜厚や液晶配向状態、セル厚等のパネル条件や駆動条
件を一致させることが出来ない。また、セル〔A〕のパ
ネル化条件もロフト間で変化する。このため、評価用セ
ルで求tた最適カイラル濃度が実際のパネルの最適条件
から大きくずれるという問題が生じる。その場合は、パ
ネル〔A〕においてストライプドメインまたはマイクロ
ドメイン等の欠陥が生じ、歩留まりが大きく低下する。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、液晶注入時のカイ
ラル濃度とセル状態のミスマツチを減少させ、歩留りを
同上させたLCDパネルの構造及び製造方法を提供する
ことを目的とする。
ラル濃度とセル状態のミスマツチを減少させ、歩留りを
同上させたLCDパネルの構造及び製造方法を提供する
ことを目的とする。
第1図に本発明の原理説明図を示す。
本発明のLCDパネル構造は同図に示すように、同一基
板10上に表示用セルを構成する表示領域11と、該表
示領域11と同−空セル状態であり、且つ同一駆動が行
なえる様にX電極12及びY電極13が形成された評価
用セルを構成する複数の小領域14−1〜14−、、を
設けたことを特徴とする。
板10上に表示用セルを構成する表示領域11と、該表
示領域11と同−空セル状態であり、且つ同一駆動が行
なえる様にX電極12及びY電極13が形成された評価
用セルを構成する複数の小領域14−1〜14−、、を
設けたことを特徴とする。
また本発明のLCDパネルの製造方法は、上記しCDパ
ネル構造の小領域14−1〜14−0にカイラル濃度の
異なる液晶15−1〜15−9を注入し、最適カイラル
濃度を調べてから、表示領域11への本注入を行なうこ
とを特徴とする。
ネル構造の小領域14−1〜14−0にカイラル濃度の
異なる液晶15−1〜15−9を注入し、最適カイラル
濃度を調べてから、表示領域11への本注入を行なうこ
とを特徴とする。
小領域14−1〜14 、にカイラル濃度の異なる液晶
15−1〜15−、、を注入し、X電極12及びY電極
13ニヨり駆動し、欠陥の有無を評価して最適カイラル
濃度を決定し、その最適カイラル濃度の液晶を表示領域
11に注入することによりカイラル濃度とセル状態のミ
スマツチを防止することができる。
15−1〜15−、、を注入し、X電極12及びY電極
13ニヨり駆動し、欠陥の有無を評価して最適カイラル
濃度を決定し、その最適カイラル濃度の液晶を表示領域
11に注入することによりカイラル濃度とセル状態のミ
スマツチを防止することができる。
第2図は本発明のLCDパネル構造の1実施例を示す図
である。
である。
同図において、10aは上側基板、10b(点線で示す
)は上側基板10aに微小間隔で対向した下側基板であ
り、それぞれ複数の突起16−1〜16.−、、と配向
膜が形成されている。また一方の基板(図では下側基板
10b)にはX電極12.12’が設けられ、他方の基
板く図では上側基板10a)にはY電極13.13’が
設けられている。また上下の基板10a。
)は上側基板10aに微小間隔で対向した下側基板であ
り、それぞれ複数の突起16−1〜16.−、、と配向
膜が形成されている。また一方の基板(図では下側基板
10b)にはX電極12.12’が設けられ、他方の基
板く図では上側基板10a)にはY電極13.13’が
設けられている。また上下の基板10a。
10b間には表示領域11を囲むシールパターン17と
、パネル評価に用いる複数の小領域14−1〜14−9
を囲むシールパターン18が設けられている。なお表示
領域11を囲むシールパターン17には液晶注入口19
が設けられている。また上下の基板10a・10bの突
起16−1〜16〜。と評価用の小領域14−1〜14
−、、とは対応しており、各突起16−1〜16−7に
は液晶注入用開口部20が設けられ、さらに該突起の一
方の基板(図では下側基板10b)には評価用の小領域
14−1〜IL、のY電極13′の一端が引き出されて
いる。
、パネル評価に用いる複数の小領域14−1〜14−9
を囲むシールパターン18が設けられている。なお表示
領域11を囲むシールパターン17には液晶注入口19
が設けられている。また上下の基板10a・10bの突
起16−1〜16〜。と評価用の小領域14−1〜14
−、、とは対応しており、各突起16−1〜16−7に
は液晶注入用開口部20が設けられ、さらに該突起の一
方の基板(図では下側基板10b)には評価用の小領域
14−1〜IL、のY電極13′の一端が引き出されて
いる。
なお、上記実施例は単純マトリクス型LCDパネルにつ
いて説明したが、アクティブマトリクス型LCDパネル
にも適用可能である。
いて説明したが、アクティブマトリクス型LCDパネル
にも適用可能である。
次に本発明のLCDパネルの製造方法について説明する
が、この場合も単純マトリクス型LCDパネルを例にし
て説明する。
が、この場合も単純マトリクス型LCDパネルを例にし
て説明する。
本発明方法は先ず表示領域11に液晶を注入する前に、
評価用の小領域14−1〜14−hにそれぞれカイラル
濃度の異なった液晶を注入する。次いでX電極12′と
Y電極13′を用いて小領域14−1〜14−hの各セ
ルを駆動させ、欠陥の有無を調べ、最適カイラル濃度を
決定する。次いでこの最適カイラル濃度の液晶を注入用
開口部19より表示領域11に注入し、封止した後、基
板10a、10bをA−A線に沿って切断し、実際に使
用する部分である表示領域11から実際には使用しない
部分である小領域14−1〜ILr、を分離する。
評価用の小領域14−1〜14−hにそれぞれカイラル
濃度の異なった液晶を注入する。次いでX電極12′と
Y電極13′を用いて小領域14−1〜14−hの各セ
ルを駆動させ、欠陥の有無を調べ、最適カイラル濃度を
決定する。次いでこの最適カイラル濃度の液晶を注入用
開口部19より表示領域11に注入し、封止した後、基
板10a、10bをA−A線に沿って切断し、実際に使
用する部分である表示領域11から実際には使用しない
部分である小領域14−1〜ILr、を分離する。
このようにして作成されたLCDパネルは、表示領域1
1と評価用小領域14−1〜IL、とが配向膜やセル厚
等の条件が同一であるため評価用小領域14−1〜14
−イで決定した最適カイラル濃度の液晶が表示領域11
でも最適となるため、ストライプドメインとかマイクロ
ドメイン等の欠陥を生じないLCDパネルを得ることが
できる。
1と評価用小領域14−1〜IL、とが配向膜やセル厚
等の条件が同一であるため評価用小領域14−1〜14
−イで決定した最適カイラル濃度の液晶が表示領域11
でも最適となるため、ストライプドメインとかマイクロ
ドメイン等の欠陥を生じないLCDパネルを得ることが
できる。
第3図は本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例は、Y電極13及び配向膜を有する一方の基板
10aに表示領域11を囲むシールパターン17と複数
の評価用小領域14−1〜14−1.を囲むシールパタ
ーン18を形成し、他方の基板10bにはX電極12及
び配向膜を形成しておき、表示領域11への液晶注入時
には、その注入に先だって、各小領域14−1〜14−
1〜14−nにそれぞれスポイト21等によりカイラル
濃度の異なる液晶15−1〜15−9を滴下した後、他
方の基板10bと貼り合わせ、その後、X電極12、Y
電極13を使って小領域14−1〜14−hの各セルを
駆動し、最適カイラル濃度を調べ、次いで表示領域11
へこの最適カイラル濃度の液晶を注入し、注入口19を
封止後A−A線より切断する。
10aに表示領域11を囲むシールパターン17と複数
の評価用小領域14−1〜14−1.を囲むシールパタ
ーン18を形成し、他方の基板10bにはX電極12及
び配向膜を形成しておき、表示領域11への液晶注入時
には、その注入に先だって、各小領域14−1〜14−
1〜14−nにそれぞれスポイト21等によりカイラル
濃度の異なる液晶15−1〜15−9を滴下した後、他
方の基板10bと貼り合わせ、その後、X電極12、Y
電極13を使って小領域14−1〜14−hの各セルを
駆動し、最適カイラル濃度を調べ、次いで表示領域11
へこの最適カイラル濃度の液晶を注入し、注入口19を
封止後A−A線より切断する。
本実施例によれば、前実施例と同様の効果を有し、さら
に評価用小領域14−1〜14−hへの液晶注入のため
の注入用開口部及びそのたtの突起を必要としないため
基板構造が簡単になる。
に評価用小領域14−1〜14−hへの液晶注入のため
の注入用開口部及びそのたtの突起を必要としないため
基板構造が簡単になる。
以上説明した様に、本発明よれば、表示領域と同一基板
上にカイラル濃度評価用の小領域を設け、表示領域への
液晶注入に先だって、小領域を用いて最適カイラル濃度
を決定することにより、液晶注入時のカイラル濃度とセ
ル状態のミスマツチを防止することができ、歩留まりの
向上に寄与するところ大である。
上にカイラル濃度評価用の小領域を設け、表示領域への
液晶注入に先だって、小領域を用いて最適カイラル濃度
を決定することにより、液晶注入時のカイラル濃度とセ
ル状態のミスマツチを防止することができ、歩留まりの
向上に寄与するところ大である。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の実施例を示す図、
第3図は本発明の他の実施例を示す図、第4図は従来の
STN−LCDパネルを示す断面図である。 図において、 10.10a 、10bは基板、 11は表示領域、 12.12’はX電極、 13.13’はY電極、 14−1〜14−、、は小領域、 15−1〜15−1.は液晶、 16−1〜16−は突起、 17.18はシールパターン、 19は注入口、 20は注入用開口部 を示す。 第 図 第 図 12、12’・・・×電極 + 3.13′・・・Y電極 1日・・°圧入口 20・・・注入閉開口部 従来のSTN−LCDパネルを示す断面図第4図
STN−LCDパネルを示す断面図である。 図において、 10.10a 、10bは基板、 11は表示領域、 12.12’はX電極、 13.13’はY電極、 14−1〜14−、、は小領域、 15−1〜15−1.は液晶、 16−1〜16−は突起、 17.18はシールパターン、 19は注入口、 20は注入用開口部 を示す。 第 図 第 図 12、12’・・・×電極 + 3.13′・・・Y電極 1日・・°圧入口 20・・・注入閉開口部 従来のSTN−LCDパネルを示す断面図第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、それぞれ透明電極及び配向膜を有する2枚の透明絶
縁基板を所定間隔を隔てて対向させるとともに、その対
向間隙内に液晶を封入してなるSTN−LCDパネルに
おいて、 上記パネルは少なくとも1つの表示領域(11)よりな
る表示用セルと、少なくとも2個以上の小領域(14_
−_1〜14_−_n)よりなる評価用セルとを基板(
10)上に一体的に形成し、且つこれら各セルを同一駆
動が行なえるように構成したことを特徴とするLCDパ
ネル構造。 2、請求項1記載のLCDパネル構造において、評価用
セルにおける各小領域(14_−_1〜14_−_n)
の液晶注入口部(16_−_1〜16_−_n)が突起
状である透明絶縁基板構造を持ち、該各突起(16_−
_1〜16_−_n)に一致した注入用開口部(20)
を各小領域(14_−_1〜14_−_n)を囲むパタ
ーン(18)で構成されるシール構造を持つことを特徴
とするLCDパネル構造。 3、請求項1記載のLCDパネル構造に液晶を注入する
際に、前記小領域(14_−_1〜14_−_n)にカ
イラル濃度の異なる液晶を注入して最適カイラル濃度を
調べてから、表示領域(11)への本注入を行うことを
特徴とするLCDパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14006390A JPH0434409A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Lcdパネルの構造及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14006390A JPH0434409A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Lcdパネルの構造及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434409A true JPH0434409A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15260122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14006390A Pending JPH0434409A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Lcdパネルの構造及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434409A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6980275B1 (en) * | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP14006390A patent/JPH0434409A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6980275B1 (en) * | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7525629B2 (en) | 1993-09-20 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising drive circuits that include thin film transistors formed on both substrates |
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