JPH04344454A - ハロゲンイオン検出用電極 - Google Patents
ハロゲンイオン検出用電極Info
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- JPH04344454A JPH04344454A JP3116376A JP11637691A JPH04344454A JP H04344454 A JPH04344454 A JP H04344454A JP 3116376 A JP3116376 A JP 3116376A JP 11637691 A JP11637691 A JP 11637691A JP H04344454 A JPH04344454 A JP H04344454A
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- Insulators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は水性液、血液、血清等の
体液中のハロゲンイオン濃度をポテンシヨメトリカルに
測定するためのハロゲンイオン検出用電極、特に保存性
を改良したハロゲンイオン検出用電極に関するものであ
る。
体液中のハロゲンイオン濃度をポテンシヨメトリカルに
測定するためのハロゲンイオン検出用電極、特に保存性
を改良したハロゲンイオン検出用電極に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、血液等のイオン濃度を測定する
には、試料液量が少なくて済むこと等からフイルム状の
ドライタイプの電極が用いられている。このような電極
は、特開昭52−142584号及び米国特許第 4,
053,381号に開示されているように、絶縁性フイ
ルムの上に金属層、金属層の金属と同種の金属の水不溶
性塩層、水不溶性塩と共通の陰イオンをもつ水溶性塩を
溶解含有する親水性バインダーマトリックスから成る乾
燥させた電解質層とイオン選択膜層をこの順に積層した
ものである。
には、試料液量が少なくて済むこと等からフイルム状の
ドライタイプの電極が用いられている。このような電極
は、特開昭52−142584号及び米国特許第 4,
053,381号に開示されているように、絶縁性フイ
ルムの上に金属層、金属層の金属と同種の金属の水不溶
性塩層、水不溶性塩と共通の陰イオンをもつ水溶性塩を
溶解含有する親水性バインダーマトリックスから成る乾
燥させた電解質層とイオン選択膜層をこの順に積層した
ものである。
【0003】そして、この電極で試料液中のイオン濃度
を測定するには、電極2個を一対にし、ブリッジで連絡
し、電位差計につないだ後、試料液と標準液とをこの一
対の電極フイルム上にそれぞれ点着し、電位差を測定す
る事によって行なう。
を測定するには、電極2個を一対にし、ブリッジで連絡
し、電位差計につないだ後、試料液と標準液とをこの一
対の電極フイルム上にそれぞれ点着し、電位差を測定す
る事によって行なう。
【0004】ドライタイプのイオン選択電極は、最上層
のイオン選択膜の種類を変えることによって夫々特定イ
オンの測定が出来るもので、従って、K+測定用、Na
+測定用、Cl−測定用の如く多くの種類がある。
のイオン選択膜の種類を変えることによって夫々特定イ
オンの測定が出来るもので、従って、K+測定用、Na
+測定用、Cl−測定用の如く多くの種類がある。
【0005】以上のような電極の具体的な構成としては
、例えば、図7及び図8に示すように、中央に「V」字
状の溝1が穿設されたポリエステル支持体2に、2枚の
銀層3、3が溝1を挟んで両側全体に積層され、この各
銀層3に両端を残してそれぞれ塩化銀層4、4が積層さ
れ、そして両塩化銀層4、4の全面、銀層3の一部及び
溝1にハロゲン化トリアルキルアンモニウムを用いた1
枚のイオン選択層5が積層されている。
、例えば、図7及び図8に示すように、中央に「V」字
状の溝1が穿設されたポリエステル支持体2に、2枚の
銀層3、3が溝1を挟んで両側全体に積層され、この各
銀層3に両端を残してそれぞれ塩化銀層4、4が積層さ
れ、そして両塩化銀層4、4の全面、銀層3の一部及び
溝1にハロゲン化トリアルキルアンモニウムを用いた1
枚のイオン選択層5が積層されている。
【0006】このような電極を作成するには、まず、ポ
リエステル支持体に銀層を蒸着した後、中央の銀層をポ
リエステル支持体部分を含んで除去する。そして、銀層
の両側部分を保護して残りの表面を塩化銀層にし、さら
に、塩化銀層及び銀層の一部の上にハロゲン化テトラア
ルキルアンモニウムを含有するイオン選択膜を設ける。
リエステル支持体に銀層を蒸着した後、中央の銀層をポ
リエステル支持体部分を含んで除去する。そして、銀層
の両側部分を保護して残りの表面を塩化銀層にし、さら
に、塩化銀層及び銀層の一部の上にハロゲン化テトラア
ルキルアンモニウムを含有するイオン選択膜を設ける。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の電極は、室温で放置した場合に2〜3ヶ月で腐
食が始まり、電位を測定しようとして銀面にプローブを
接触させても十分な電気的接合ができずに測定ができな
かった。
た従来の電極は、室温で放置した場合に2〜3ヶ月で腐
食が始まり、電位を測定しようとして銀面にプローブを
接触させても十分な電気的接合ができずに測定ができな
かった。
【0008】本発明は以上の問題点を解消し、長期間保
存しても銀面の腐食が生ぜず、安定な電位測定のできる
ハロゲンイオン検出用電極を提供することを目的とする
。
存しても銀面の腐食が生ぜず、安定な電位測定のできる
ハロゲンイオン検出用電極を提供することを目的とする
。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために銀層の腐食に付いて鋭意研究し、その原
因が、イオン選択層が銀層と一部分(図中a部)接触し
ていることであることを見出した。
達成するために銀層の腐食に付いて鋭意研究し、その原
因が、イオン選択層が銀層と一部分(図中a部)接触し
ていることであることを見出した。
【0010】本発明は、以上の知見により始めて完成さ
せられたもので、支持体の上に銀層、ハロゲン化銀層及
びイオン選択層を積層した電極において、イオン選択層
を銀層に接触しない状態で設けことを特徴として構成さ
れている。
せられたもので、支持体の上に銀層、ハロゲン化銀層及
びイオン選択層を積層した電極において、イオン選択層
を銀層に接触しない状態で設けことを特徴として構成さ
れている。
【0011】本発明のハロゲンイオン検出電極は、イオ
ン選択層が銀層と接触しない状態で設けられている。塗
布によりイオン選択層を銀層と接触しない状態で設ける
には、ギーサー巾を制御することで塗布液の粘度とイオ
ン選択層をハロゲン化銀層の巾より設けることが出来る
。
ン選択層が銀層と接触しない状態で設けられている。塗
布によりイオン選択層を銀層と接触しない状態で設ける
には、ギーサー巾を制御することで塗布液の粘度とイオ
ン選択層をハロゲン化銀層の巾より設けることが出来る
。
【0012】本発明の電極に用いられる支持体は、電極
の他の部分を支持することができ、電気絶縁性で電気的
に不活性な性質をもつ材料から構成できるものであれば
、その材料には特別の制限はなく、広く公知の材料から
選択して用いることができる。好ましいのは、セルロー
スアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカー
ボネート、ポリスチレン等の膜形成性ポリマーから構成
したものである。支持体は、一般に約0.05ないし0
.5mmの厚さに形成するのが好ましい。
の他の部分を支持することができ、電気絶縁性で電気的
に不活性な性質をもつ材料から構成できるものであれば
、その材料には特別の制限はなく、広く公知の材料から
選択して用いることができる。好ましいのは、セルロー
スアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカー
ボネート、ポリスチレン等の膜形成性ポリマーから構成
したものである。支持体は、一般に約0.05ないし0
.5mmの厚さに形成するのが好ましい。
【0013】銀層は、真空蒸着等により設けることがで
きる。銀層の上に設けられるハロゲン化銀層は、従来公
知の方法で設ける事が出来る。例えば、ハロゲン化銀を
真空蒸着する方法、銀層をK2Cr2O7−HX溶液或
いはK3 Fe(CN)4〕−NaOH−KX溶液(X
:ハロゲン、例、塩素、臭素、沃素)で処理して銀をハ
ロゲン化物に変える方法、ハロゲン化銀−水性保護コロ
イド乳化物を塗布する方法等がある。これらの内、銀を
K2Cr2O7−HX溶液で処理したものが安定性の点
で最もすぐれている。
きる。銀層の上に設けられるハロゲン化銀層は、従来公
知の方法で設ける事が出来る。例えば、ハロゲン化銀を
真空蒸着する方法、銀層をK2Cr2O7−HX溶液或
いはK3 Fe(CN)4〕−NaOH−KX溶液(X
:ハロゲン、例、塩素、臭素、沃素)で処理して銀をハ
ロゲン化物に変える方法、ハロゲン化銀−水性保護コロ
イド乳化物を塗布する方法等がある。これらの内、銀を
K2Cr2O7−HX溶液で処理したものが安定性の点
で最もすぐれている。
【0014】ハロゲン化銀層の厚さは一般に50nm〜
10μm、好ましくは50nm〜1μmである。
10μm、好ましくは50nm〜1μmである。
【0015】銀層の一部を電気接続端子として機能させ
るために、側端近傍をハロゲン化金属に変換させない方
法として、公知のレジストを塗布してマスクする方法、
「Research Disclosure」誌、#1
9445(1980年6月号)に開示されているアルカ
リで除去できるレジストを塗布してマスクする方法、特
開昭56−33537に開示されているニッケルまたは
クロムの厚さ5nmないし20nmの蒸着薄膜を設けて
マスクする方法、パラジウムの厚さ1.5nmないし1
5nmの蒸着薄膜またはインジウムの3nmないし20
nmの蒸着薄膜を設けてマスクする方法、被膜剥離性を
有する、例えばフロンマスク(古藤産業製)等を用いて
マスクする方法等を適用することができる。
るために、側端近傍をハロゲン化金属に変換させない方
法として、公知のレジストを塗布してマスクする方法、
「Research Disclosure」誌、#1
9445(1980年6月号)に開示されているアルカ
リで除去できるレジストを塗布してマスクする方法、特
開昭56−33537に開示されているニッケルまたは
クロムの厚さ5nmないし20nmの蒸着薄膜を設けて
マスクする方法、パラジウムの厚さ1.5nmないし1
5nmの蒸着薄膜またはインジウムの3nmないし20
nmの蒸着薄膜を設けてマスクする方法、被膜剥離性を
有する、例えばフロンマスク(古藤産業製)等を用いて
マスクする方法等を適用することができる。
【0016】イオン選択層は、特定のイオンを選択する
ことができ、好ましくは参照液又は被検液と接触する以
前の乾燥状態において電気絶縁性であればよい。上記「
特定のイオンを選択することができる」とは、特定のイ
オンのみを選択的に透過または感応する場合のみならず
、特定のイオンが測定に充分な時間差をもって他の測定
対象外の物質から選択され得る場合も含む。又、イオン
選択層に用いる物質によっては、イオン交換を通じて液
中のイオン活性変化に対応するポテンシオメトリカルな
レスポンスを測定し、結果的に特定イオンを選択したと
同等の機能を発現する場合も、本発明では「特定のイオ
ンを選択することができる」という。
ことができ、好ましくは参照液又は被検液と接触する以
前の乾燥状態において電気絶縁性であればよい。上記「
特定のイオンを選択することができる」とは、特定のイ
オンのみを選択的に透過または感応する場合のみならず
、特定のイオンが測定に充分な時間差をもって他の測定
対象外の物質から選択され得る場合も含む。又、イオン
選択層に用いる物質によっては、イオン交換を通じて液
中のイオン活性変化に対応するポテンシオメトリカルな
レスポンスを測定し、結果的に特定イオンを選択したと
同等の機能を発現する場合も、本発明では「特定のイオ
ンを選択することができる」という。
【0017】本発明のイオン選択電極は検体液および必
要に応じて用いられる参照液体がともに水性液体である
ので、イオン選択層は水不溶性でなければならない。イ
オン選択層は水不溶性であれば親水性でも疎水性でもよ
いが、好ましくは疎水性である。
要に応じて用いられる参照液体がともに水性液体である
ので、イオン選択層は水不溶性でなければならない。イ
オン選択層は水不溶性であれば親水性でも疎水性でもよ
いが、好ましくは疎水性である。
【0018】イオン選択層として最も典型的なものは、
イオンキヤリヤー、イオンキヤリヤー溶媒および疎水性
有機バインダー(または、疎水性有機バインダーからな
るマトリックス)からなるものである。イオンキヤリヤ
ーとしてはバリノマイシン、環式ポリエーテル、テトラ
ラクトン、マクロリドアクチン、エンニナチン群、モネ
ンシン類、グラミシジン類、ノナクチン群、テトラフェ
ニルエーテル、3−メトキシフェニルフェニルエーテル
、4−メトキシフェニルフェニルエーテル、ジメチルフ
タレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート
、ジオクチルフェニルホスフェート、ビス(2−エチル
ヘキシル)フタレート、オクチルジフェニルホスフェー
ト、トリトリルホスフェート、ジブチルセパケート等が
ある。
イオンキヤリヤー、イオンキヤリヤー溶媒および疎水性
有機バインダー(または、疎水性有機バインダーからな
るマトリックス)からなるものである。イオンキヤリヤ
ーとしてはバリノマイシン、環式ポリエーテル、テトラ
ラクトン、マクロリドアクチン、エンニナチン群、モネ
ンシン類、グラミシジン類、ノナクチン群、テトラフェ
ニルエーテル、3−メトキシフェニルフェニルエーテル
、4−メトキシフェニルフェニルエーテル、ジメチルフ
タレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート
、ジオクチルフェニルホスフェート、ビス(2−エチル
ヘキシル)フタレート、オクチルジフェニルホスフェー
ト、トリトリルホスフェート、ジブチルセパケート等が
ある。
【0019】疎水性有機バインダーとしては、薄膜を形
成し得る疎水性の天然又は合成高分子、例えばセルロー
スエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニルデン、ポ
リアクリロニトリル、ポリウレタン、ポリカルボネート
、塩化ビニル、酢酸ビニルコポリマー等がある。
成し得る疎水性の天然又は合成高分子、例えばセルロー
スエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニルデン、ポ
リアクリロニトリル、ポリウレタン、ポリカルボネート
、塩化ビニル、酢酸ビニルコポリマー等がある。
【0020】イオンキヤリヤー、イオンキヤリヤー溶媒
、疎水性有機バインダーおよびそれらからなるイオン選
択層は、特開昭52−142584号公報、米国特許第
4,053,381号、同第 4,171,246号
及び同第 4,214,968号各明細書並びに「Re
search Disclosure」誌、報文No.
16113(1977年9月号)に記載の物質および技
術を用いることができる。
、疎水性有機バインダーおよびそれらからなるイオン選
択層は、特開昭52−142584号公報、米国特許第
4,053,381号、同第 4,171,246号
及び同第 4,214,968号各明細書並びに「Re
search Disclosure」誌、報文No.
16113(1977年9月号)に記載の物質および技
術を用いることができる。
【0021】イオン選択層は、従来公知の方法で設ける
ことができる。例えば、イオンキヤリヤーを溶媒に溶解
させたものをバインダー溶液中に塗布、乾燥させる。イ
オンキヤリヤー濃度は、一般に0.05g〜10g/m
2、イオン選択層の厚さは、約3μm〜約125μm、
好ましくは5μm〜50μmである。
ことができる。例えば、イオンキヤリヤーを溶媒に溶解
させたものをバインダー溶液中に塗布、乾燥させる。イ
オンキヤリヤー濃度は、一般に0.05g〜10g/m
2、イオン選択層の厚さは、約3μm〜約125μm、
好ましくは5μm〜50μmである。
【0022】本発明のイオン選択電極を用いるイオン活
量の測定は、電位差測定に要求される液−液間のイオン
移動を生じさせ、かつ促進させるためのブリッジを溝に
よってへだてられた二個の電極間に橋渡して設け、各電
極(具体的には、イオン選択層あるいは保護層)上に被
膜液及び参照液を同時に滴下してイオン活量に応じた電
位変化を電位差計で読みとることにより行われる。
量の測定は、電位差測定に要求される液−液間のイオン
移動を生じさせ、かつ促進させるためのブリッジを溝に
よってへだてられた二個の電極間に橋渡して設け、各電
極(具体的には、イオン選択層あるいは保護層)上に被
膜液及び参照液を同時に滴下してイオン活量に応じた電
位変化を電位差計で読みとることにより行われる。
【0023】上記、ブリッジの素材としても公知の材料
を適用することができ、例えばボーラスペーパー(濾紙
・吸取紙)、バインダー、メンブラン、フィルター、コ
ットン材料(綿布)、増粘材とポリカーボネート又はポ
リアミドとの混合物の如き多孔性物質で形成される。ブ
リッジの好ましい例及びその設け方は、特開昭52−1
42584号(米国特許第 4,053,381、 4
,214,968及び 4,171,246に対応)、
同55−59326号、同55−71942号、同55
−20499号(米国特許第 4,148,936に対
応)、実開昭55−64759号などに記載されている
。
を適用することができ、例えばボーラスペーパー(濾紙
・吸取紙)、バインダー、メンブラン、フィルター、コ
ットン材料(綿布)、増粘材とポリカーボネート又はポ
リアミドとの混合物の如き多孔性物質で形成される。ブ
リッジの好ましい例及びその設け方は、特開昭52−1
42584号(米国特許第 4,053,381、 4
,214,968及び 4,171,246に対応)、
同55−59326号、同55−71942号、同55
−20499号(米国特許第 4,148,936に対
応)、実開昭55−64759号などに記載されている
。
【0024】本発明の電極が組み込まれる化学分析スラ
イドとしては、従来公知のスライドは総て可能であり、
例えば、特開昭58−211648号、特開昭62−9
264号公報に記載されている化学分析スライドがある
。
イドとしては、従来公知のスライドは総て可能であり、
例えば、特開昭58−211648号、特開昭62−9
264号公報に記載されている化学分析スライドがある
。
【0025】
【作用】本発明のハロゲンイオン検出用電極では、イオ
ン選択層が銀層に接触しないことにより、銀層の腐食を
防止している。
ン選択層が銀層に接触しないことにより、銀層の腐食を
防止している。
【0026】
【実施例】本発明によるハロゲンイオン検出用電極の一
実施例を図1から図3に基づいて説明する。
実施例を図1から図3に基づいて説明する。
【0027】図1は本発明によるハロゲンイオン検出用
電極の斜視図、図2は同上正面図、図3は同上平面図で
ある。
電極の斜視図、図2は同上正面図、図3は同上平面図で
ある。
【0028】これらの図において、符号11は支持体で
、この支持体11の長手方向中央には「V」字状の絶縁
溝12が形成されている。支持体11の上面には、絶縁
溝12及びその近傍を残して銀層13、13が積層され
、この銀層13、13には、外側端部bを残して上面全
面にハロゲン化銀層14、14が積層されている。そし
て、このハロゲン化銀層14、14には、イオン選択層
15が各ハロゲン化銀層14、14のそれぞれの外側端
部cを残して全面に積層されている。
、この支持体11の長手方向中央には「V」字状の絶縁
溝12が形成されている。支持体11の上面には、絶縁
溝12及びその近傍を残して銀層13、13が積層され
、この銀層13、13には、外側端部bを残して上面全
面にハロゲン化銀層14、14が積層されている。そし
て、このハロゲン化銀層14、14には、イオン選択層
15が各ハロゲン化銀層14、14のそれぞれの外側端
部cを残して全面に積層されている。
【0029】以上のようなハロゲンイオン検出用電極を
製造するには、図4に示すように、まず、銀層13を蒸
着により積層した支持体11を用意し(図4(a))、
次に、両側端に保護膜16を塗布するとともに、絶縁溝
12を穿設する(図4(b))。そして、所定の溶液で
処理して露出している銀層13の表面にハロゲン化銀層
14を形成し(図4(c))した後、保護膜16を除去
する(図4(d))。最後に、イオン選択層15をハロ
ゲン化層14の側端近傍を残した状態で塗布する(図4
(e))。そして、この積層体を所定の幅で切断し、電
極が完成する(図4(d))。
製造するには、図4に示すように、まず、銀層13を蒸
着により積層した支持体11を用意し(図4(a))、
次に、両側端に保護膜16を塗布するとともに、絶縁溝
12を穿設する(図4(b))。そして、所定の溶液で
処理して露出している銀層13の表面にハロゲン化銀層
14を形成し(図4(c))した後、保護膜16を除去
する(図4(d))。最後に、イオン選択層15をハロ
ゲン化層14の側端近傍を残した状態で塗布する(図4
(e))。そして、この積層体を所定の幅で切断し、電
極が完成する(図4(d))。
【0030】次に、以上のようなハロゲンイオン検出用
電極が組込まれる化学分析スライドの例を、図5及び図
6に基づいて説明する。図5は化学分析スライドの断面
図、図6は同上分解斜視図である。
電極が組込まれる化学分析スライドの例を、図5及び図
6に基づいて説明する。図5は化学分析スライドの断面
図、図6は同上分解斜視図である。
【0031】これらの図において、符号21は支持枠板
で、この支持枠板21にハロゲンイオン検出用電極22
が固定されている。そして、この電極22の上面には、
水不浸透性部材23、多孔性液分配部材24及び液溜用
部材25が配設され、最上部にはブリッジ26が設けら
れた上蓋27が設けられている。
で、この支持枠板21にハロゲンイオン検出用電極22
が固定されている。そして、この電極22の上面には、
水不浸透性部材23、多孔性液分配部材24及び液溜用
部材25が配設され、最上部にはブリッジ26が設けら
れた上蓋27が設けられている。
【0032】実施例1
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET
)フイルムに厚さ約800nmの銀を蒸着し、幅32m
m、長さ10cmに切り長さ方向に中心線に沿ってカッ
ター(NTカッターA−300型 日本転写紙K.K)
でフイルムを切り離すことなく、フイルムの表面のほぼ
中央に1本の切り傷(スクラッチ)状の絶縁溝を入れた
。テスターによる電気絶縁試験は完全な絶縁を示した。 次いで、この銀蒸着PETフイルムの長さ方向の両端に
幅5mmで液状マスク剤を塗布乾燥し、塩酸(36%)
5g、重クロム酸カリウム7g及び水1lからなる水溶
液で35℃にて60秒間処理(ハロゲン化処理)して銀
層の表面およびその近傍を塩化銀に変化させたのち、水
洗乾燥して液状マスク剤を除去した。
)フイルムに厚さ約800nmの銀を蒸着し、幅32m
m、長さ10cmに切り長さ方向に中心線に沿ってカッ
ター(NTカッターA−300型 日本転写紙K.K)
でフイルムを切り離すことなく、フイルムの表面のほぼ
中央に1本の切り傷(スクラッチ)状の絶縁溝を入れた
。テスターによる電気絶縁試験は完全な絶縁を示した。 次いで、この銀蒸着PETフイルムの長さ方向の両端に
幅5mmで液状マスク剤を塗布乾燥し、塩酸(36%)
5g、重クロム酸カリウム7g及び水1lからなる水溶
液で35℃にて60秒間処理(ハロゲン化処理)して銀
層の表面およびその近傍を塩化銀に変化させたのち、水
洗乾燥して液状マスク剤を除去した。
【0033】そして、
VYNS
0.9gト
リオクチルメチルアンモニウムクロライド
1.35gジドデシルフタレート
0.03g
MEK
5gか
らなる溶液を、ハロゲン化銀層の端部を残して塗布し、
乾燥膜厚で28μmのクロルイオン選択層を形成した。
0.9gト
リオクチルメチルアンモニウムクロライド
1.35gジドデシルフタレート
0.03g
MEK
5gか
らなる溶液を、ハロゲン化銀層の端部を残して塗布し、
乾燥膜厚で28μmのクロルイオン選択層を形成した。
【0034】実施例2
実施例1と同様な銀蒸着PETフイルム(幅32mm×
長さ2m)を6m/分の速さで銀蒸着フイルムの長手方
向に送りながら、カッターナイフをあてて銀蒸着PET
フイルムの長手方向に電気的絶縁が得られるまでの深さ
の絶縁溝を設けた。絶縁溝の深さは約1〜50μmの範
囲であった。
長さ2m)を6m/分の速さで銀蒸着フイルムの長手方
向に送りながら、カッターナイフをあてて銀蒸着PET
フイルムの長手方向に電気的絶縁が得られるまでの深さ
の絶縁溝を設けた。絶縁溝の深さは約1〜50μmの範
囲であった。
【0035】塩化銀層及びクロルイオン選択層は実施例
1と同一である。
1と同一である。
【0036】比較例1
クロルイオン選択層と銀層とが接触する層構成である他
は、実施例1と同一である。
は、実施例1と同一である。
【0037】比較例2
クロルイオン選択層と銀層とが接触する層構成である他
は、実施例2と同一である。
は、実施例2と同一である。
【0038】試験I
方法;電極作成直後、ブリッジとしてカタン系を用いて
VERSATOL(103meq/l)を標準液とし、
Cl−イオン濃度が77meq/l、120meq/l
の溶液を測定した。 結果;実施例1、2及び比較例1、2とも測定データに
差は無かった。
VERSATOL(103meq/l)を標準液とし、
Cl−イオン濃度が77meq/l、120meq/l
の溶液を測定した。 結果;実施例1、2及び比較例1、2とも測定データに
差は無かった。
【0039】試験II
方法;電極作成後6ヶ月経過時において、試験1と同様
の方法で測定した。 結果;比較例1、2は測定不能であったが、実施例1、
2は正常に測定できた。
の方法で測定した。 結果;比較例1、2は測定不能であったが、実施例1、
2は正常に測定できた。
【0040】
【発明の効果】本発明は、1年以上の長期間保存しても
銀面の腐食が生ぜず、常に安定してハロゲンイオン濃度
を測定することができる。
銀面の腐食が生ぜず、常に安定してハロゲンイオン濃度
を測定することができる。
【図1】本発明によるハロゲンイオン検出用電極の斜視
図。
図。
【図2】本発明によるハロゲンイオン検出用電極の正面
図。
図。
【図3】本発明によるハロゲンイオン検出用電極の平面
図。
図。
【図4】本発明によるハロゲンイオン検出用電極の製造
工程を示す図。
工程を示す図。
【図5】本発明によるハロゲンイオン検出用電極が組み
込まれる化学分析スライドの断面図。
込まれる化学分析スライドの断面図。
【図6】本発明によるハロゲンイオン検出用電極が組み
込まれる化学分析スライドの分解斜視図。
込まれる化学分析スライドの分解斜視図。
【図7】従来のハロゲンイオン検出用電極の斜視図。
【図8】従来のハロゲンイオン検出用電極の正面図。
11…支持体
13…銀層
14…ハロゲン化銀層
15…イオン選択層
Claims (1)
- 【請求項1】 支持体の上に銀層、ハロゲン化銀層及
びイオン選択層を積層した電極において、イオン選択層
を銀層に接触しない状態で設けことを特徴とするハロゲ
ンイオン検出用電極
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116376A JPH04344454A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | ハロゲンイオン検出用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116376A JPH04344454A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | ハロゲンイオン検出用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04344454A true JPH04344454A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=14685461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116376A Pending JPH04344454A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | ハロゲンイオン検出用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04344454A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810645A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | フイルム状イオン選択電極及びこれを用いるイオン濃度測定法 |
| JPS6426142A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Kyoto Daiichi Kagaku Kk | Ion electrode element |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP3116376A patent/JPH04344454A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810645A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | フイルム状イオン選択電極及びこれを用いるイオン濃度測定法 |
| JPS6426142A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Kyoto Daiichi Kagaku Kk | Ion electrode element |
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