JPH0434491A

JPH0434491A - アクティブマトリクス基板試験方法及びその試験対向電極基板

Info

Publication number: JPH0434491A
Application number: JP13988690A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Egawa; 寛江川
Original assignee: MINATO ELECTRON KK
Current assignee: MINATO ELECTRON KK
Priority date: 1990-05-31
Filing date: 1990-05-31
Publication date: 1992-02-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は液晶表示パネルに係わる。さらに詳述すれば、
本発明は前記液晶表示パネルに組み上げる前の各画素対
応に非線形能動素子を配したアクティブマトリクス基板
の構成要素である配線、非線形能動素子などの正常性を
単体で試験する方法に係わる。

〔従来の技術〕

まず、第２図のＬＣＤ構成の１部を示す概要説明図によ
り、アクティブマトリクス基板（以下ＡＭ基板という）
の基本構造について概説する。

第２図（ａｌの平面図はｎｘｍのＡＭ基板１０の第ｎ番
目と第（ｎ＋１）番目の列ラインと第ｍ番目と第（ｍ＋
１）番目の行ラインの部分を抜き出し図示したものであ
り、行ラインが走査配線１１１１１　（１，ｉ１＋に、
列ラインが信号配線２−．２（−４１゜に対応させであ
る。ガラス基板上にｈから１．。

までのｎ本の走査配線１と、２．から２．までのｎ本の
信号配線２が形成され、走査配線１と信号配線２の各交
点にはそれぞれ３Ｉから３．、、までのｒｌＸｍ個の非
線形能動素子３が配置される。この非線形能動素子３に
はＴＰＴ）ランジスタあるいはＭＯＳＦＥＴなどの３端
子構造のトランジスタが用いられる。ここでは簡明のた
め非線形能動素子３をトランジスタの記号で図示してい
る。また、個々の非線形能動素子３に対応して画素電極
４が４１゜から４□までｎｘｍ個配置されている。これ
らの構成要素の接続関係は周知であり、図中にも明示し
てあり詳細な説明は省略するが、非線形能動素子３には
走査配線１、信号配線２および画素電極４が接続される
。第２図山）は、第２図（ａ）のｃ−ｃ切断面でのパネ
ルの断面図であり、第２図（ａ）で説明したＡＭ基板１
０に対向して対向電極基板２０が数ミクロンの間隙６を
持たせて配置される。この間隙６に液晶を封入する事に
よりパネルが構成される。この間隙６を確保するため、
小球状のスペーサをばら蒔き配置している。対向電極基
板２０はガラス基板上に透明の薄膜電極を配したもので
、この薄膜電極を対向電極５として適切な電位に設定し
、ＡＭ基板１０の画素電極４の電位との関係で液晶パネ
ルとして機能させている。かかる構造の液晶表示パネル
において、対向電極基板２０の対向電極５を所定の電位
に設定し、ＡＭ基板１０の走査配ｗＡ１を選択的に付勢
することにより非線形能動素子３を選択的に活性化し、
信号配ｖＡ２を介して画素電極４の電位を変えることに
より、画素電極４と対向電極５で構成される容量の電解
強度を変えて所望の画素を制御する。以上の説明から明
らかなように、対向電極基板２０は蒲Ｍ電極をガラス基
板上に形成した比較的簡単な構造であるのに対して、Ａ
Ｍ基板１０は多数のトランジスタと多数の配線および多
数の画素電極４を作り込む必要があり、欠陥の発生確率
も比較的に高く、パネルに組込む前にその正常性を検査
し、不良品を排除する事が有益となる。しかるにＡＭ基
板１０単独では回路的に閉じた系を構成することが難し
く、ＡＭ基板１０を単体として非線形能動素子３の機能
試験まで含めて試験する良い方法が無いのが実情である
。基板の配線、非線形能動素子３を形成するそれぞれの
膜パターンを図形情報として読取り、パターンチエツク
を行う　（以下第１従来例という）ような試みもある。

また、画素電極４にプローブを当て非線形能動素子３等
の機能試験を実施する方策（以下第２従来例という）も
概念的にはあった。

〔発明が解決しようとする課題〕

併し乍ら、前記第１従来例のパターンチエツクの手法で
は多層膜構造での層間の短絡障害などの欠陥を見落とす
などの欠点を有している。さらに非線形能動素子が正常
に０Ｎ１０ＦＦ動作することなどの機能試験が実施出来
ない基本的な欠点がある。また、第２の従来例ではプロ
ーブを広い範囲で一括して信頼性良く接触させることが
難しいこと、プローブの接触点で損傷が生じるなどの問
題があり、実用には至っていない。

本発明は上記欠点を解決し、液晶表示パネルに組み上げ
る前のＡＭ基板を単体で、非線形能動素子のＯＮ１０　
Ｆ　Ｆ動作などの機能試験を実現するための試験方法を
提供する事にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明はＡＭ基板の画素電極に対面し′て試験対向電極
を配置し、この試験対向電極と画素電極とで静電容量（
以下画素容量という）を形成し、走査配線に外部信号を
印加することにより非線形能動素子を０Ｎ１０ＦＦ制御
し、上記の画素容量を介して信号配線が電気信号を正し
く授受できるか否かを検出するように構成し、次のよう
にしたものである。

すなわち、液晶表示パネルの構成要素であるＡＭ基板を
単体で試験する試験方法において、（１）試験対向電極
と画素電極が整合して対向するように試験対向電極基板
をＡＭ基板に間隙を持たせて対面配置し、試験対向電極
と画素電極とで形成した画素容量を介在させることによ
り試験するＡＭ基板試験方法の請求項１の発明と、（２
）試験対向電極基板とＡＭ基板との間隙に、固形スペー
サと液状誘電体の混合物を挿入して試験する請求項１よ
りなる請求項２の発明と、（３）液状誘電体に純水を用
いて試験する請求項２よりなる請求項３の発明と、（４
）試験対向電極を一定の電位に固定し、走査配線を用い
て非線形能動素子を開閉制御し、試験対向電極と画素電
極とで形成した画素容量に信号配線を介し、て電荷を蓄
積し、蓄積状態を読取ることで試験する請求項１の発明
と、（５）試験対向電極を列方向に電気的に接続して列
電極を形成し、列電極の端部で列電極間相互を電気的に
接続する構成の試験対向電極基板よりなる請求項５と、
（６）行方向に並ぶ試験対向電極を電気的に接続して行
電極を構成し、選択駆動される走査配線に対応する行の
行電極を選択的に駆動し、駆動による試験対向電極の電
位変動を非線形能動素子を介して信号配線に伝えること
により試験する請求項１よりなる請求項６の発明と、（
７）同一の行に配列された試験対向電極を一つおきに奇
数番目は第１群に、偶数番目は第２群に分け、それぞれ
の群で独立した行電極を構成する試験対向電極基板より
なる請求項７の発明と、（８）奇数番目の行の第１群の
行電極と偶数番目の行の第２群の行電極を電気的に接続
し、かつ奇数番目の行の第２群の行電極と偶数番目の行
の第１群の行電極を電気的に接続し、新たな２群の独立
した対を成す行電極とするように構成した試験対向電極
基板よりなる請求項８の発明と、（９）連続する２個の
行電極を互いに別の２グループに分け、それぞれのグル
ープからそれぞれ１個づつ連続する行電極を選び、同時
に２個の行電極を互いに逆の極性で電位変化するように
同時駆動するように構成した試験対向電極よりなる請求
項９の発明と、Ｑ（１２群に分け対を成した行電極を同
時に選択し、互いに逆の極性で電位変化するように同時
駆動して試験するように構成した試験対向基板よりなる
請求項１０の発明と、００列方向に並ぶ試験対向電極を
電気的に接続した列電極に読取回路を接続し、信号配線
を駆動すると共に走査配線を選択的に駆動することによ
り、信号配線の電位変動を選択的にＯＮ状態とした非線
形能動素子と画素容量を介して列電極に伝え、列電極の
電位変動を読取回路で検出する請求項１よりなる請求項
１１の発明を構成したものである。

〔作　用〕

本発明を前記の通り構成しＡＭ基板の画素電極に対面し
て試験対向電極を配置し、画素容量を形成し、走査配線
に外部信号を印加することにより非線形能動素子を０Ｎ
１０ＦＦＩｌ］ｉＬ、該画素容量を介して信号配線が電
気信号を正しく授受できるか否か機能動作を、ＡＭ基板
を液晶表示パネルに組み上げる前に、ＡＭ基板を単体で
試験することができ、表示パネルへの組み込み前に不良
品を排除できる等の期待が得□られるのである。

〔実施例〕

本発明の一実施例を図面と共に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例の試験対向電極基板を
ＡＭ基板に対面配置した試験状態での対応を示す第１の
実施例の説明図であって、第１図（ａ）は上面からみた
透視図、第１図（ｂ）は（ａ）図のａａ′断面図である
。第３図は、本発明に係わる試験対向電極基板構成につ
いての第１実施例の平面図である。

図において、１は走査配線でここでは見易いようにハン
チングしである、２は信号配線、３は非線形能動素子、
４は画像電極、６は間隙、１０はＡＭ基板、２０は対向
電極基板、１０１は試験対向電極、２００は固形スペー
サである。

第１図に示す実施例は、ＡＭ基板１０を試験するための
第１の試験方法に係わるＡＭ基板１０と試験対向電極基
板２０の配置状態を示す第１の配置実施例（以下第１配
置例という）である。第１配置例で用いる試験対向電極
基板２０の第１の実施例（以下第１試験基板例という）
は、第３図に示す如く、液晶表示パネルを構成する対向
電極基板と同じ様にＡＭ基板１０に試験時に対面配置し
て使用するもので、絶縁基板１００上に試験対向電極１
０１を配列して構成する。この試験対向電極１０１は行
、列（図上、横列を行、縦列を列で示す。）ともＡＭ基
板ＩＯの画素電極４と同一のピッチで配列され、列方向
に並ぶ試験対向電極１０１を接続配！１０２で電気的に
相互に接続する。接続配線１０２で列方向に連結して接
続された系をここでは列電極と呼称し、列電極の端部で
列間接続配線１０６を用いて列電極間を接続し、さらに
試験対向電極端子１０５に接続して試験対向電極接続系
を形成している。なお、本明細書では試験対向電極基板
２０に対面して配置されるＡＭ基板１０の走査配線１の
長さ方向をすなわち、前記の通り横列を行の方向とする
。第１図の第１試験基板例は４行×４列の構成の例であ
り、４列数に合わせて列電極は４系統　ある。

第１図に示す第１配置例は試験対向電極１０１と画素電
極４が整合して対向するように第１試験基板例の試験対
向電極基板２０をＡＭ基板１ｏに対向して間隙６をもっ
て対面して配置した状態での位置関係を示しており、第
１図（ａ）は上面から見た透視図を、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）に示すａ−ａ点での断面状況を示している。

第１図（ａ）においで実線はＡＭ基板１０の、点線は試
験対向電極基板２０の構成を図示しでいる。第１図及び
第３図に示すようにそれぞれの試験対向電極１０１はそ
れぞれの画素電極４に整合して対向して規則的に配置さ
れたこの様な状態で試験される。なお、この実施例では
試験対向電極基板２０とＡＭ基板１０との間に固形スペ
ーサ２００と純水２０】の混合物をスペーサを挿入して
必要な間隙を固形スペーサ２００で確保し、誘電率の高
い純水２０１を用いることで画素電極４と試験対向電極
１０１で形成される画素容量Ｃｏの値を高めている。

次ぎに試験方法について説明する。試験対向電極１０１
と画素電極４で構成される画素容量Ｃｏを活用して試験
するが、第１配置例では試験対向電極１０１を一定の電
位に固定する。試験対向電極１０１を電位的に固定する
と、周知の１トランジスタ形式のダイナミック形半導体
メモリのセルアレイの構造と類似である。したがって詳
細な説明は省略するが、走査配線１を用いて非線形能動
素子３を開閉制御することにより、試験対向電極１０１
と画素電極４とで構成される容量Ｃｏに信号配線を介し
て電荷を蓄積し、また蓄積情報を読取ることによりＡＭ
基板１０の試験ができる。以上の試験方法から明らかな
ように、ＡＭ基板１０の全画素電極に対して１つの大面
積の試験対向電極で対応することができ、また、適宜の
広さに分割することもできる。第１試験基板例では、試
験対向電極接続系が一つの場合を示したが、幾つかに分
割しそれぞれに試験対向電極端子１０５を設ける構造で
も良い。また、試験対向電極接続系が信号配線２とまっ
たく重ならなく信号配線２の浮遊容量を最も少な（でき
る例を示しているが、列間接続配線１０６の一部と信号
配線２が重なっても良い。また、第１配置例では純水を
用いたが一般に絶縁性の高い液状誘電体を用いても良い
。

以上第１配置例、第１試験基板例をもちいてＡＭ基板１
０と試験対向電極基板２０との試験時における基本的な
配置関係と試験方法について説明した。試験は個々の画
素電極４と試験対向電極１０１で形成される画素容量Ｃ
ｏを介在させることを基本としている。本発明に係わる
試験方法は３種に大別でき、以上に説明した試験対向電
極１０１の電位を固定して試験する第１の試験方法の他
に、行方向に並ぶ試験対向電極１０１を接続した行電極
の電位を変動させて試験する第２の試験方法、列方向に
並ぶ試験対向電極１０１を接続して列電極を構成し、信
号配線２の電位を変化させて、その電気的な信号を列電
極に接続した読取回路５０で検出試験する第３試験方法
がある。以下にこれらの方法を詳細に説明する。

第４図は本発明の第２の試験方法に係わる試験対向電極
基板構成の第２の実施例の平面図（以下第２試験基板例
という）である。絶縁基板１００上に配列した試験対向
電極１０１は行、列ともＡＭ基板１０の画素電極４と同
一のピッチで配列され、行方向に並ぶ試験対向電極１０
１を接続配線１０２で電気的に相互に接続し、端部で接
続端子１０３に接続される。上記接続配線１０２で連結
して接続された系をここでは行電極と呼称し、接続端子
１０３を行電極接続端子と呼称する。第２実施例は４行
×４列の構成の例であり、行数４に合わせて行電極は４
系統ある。

第５図は、第２の実施例の試験対向電極基板をＡＭ基板
に対面配置した試験状態での対応を示す説明図である。

この第５図は試験対向電極１０１と画素電極４が整合し
て対向するように第２試験基板例の試験対向電極基板２
ＯＡをＡＭ基板１０に対向して間隙をもって対面して配
置した状態での位置関係を示す第２の配置実施例（以下
第２配置例という）であり、図（ａ）は上面から見た透
視図、図（ｂｌは図（δ）に示すａ−ａ’点での断面図
である。

図（ａｌにおいて実線はＡＭ基板１０、点線は試験対向
電極基板１０１の構成要素を図示している。図（ｂ）に
示すようにそれぞれの試験対向電極１０１はそれぞれの
画素電極４に整合して対向して規則的に配置されたこの
様な状態で試験される。なお、この実施例では試験対向
電極基板１０１とＡＭ基板１０との間にシート状のスペ
ーサ７を挿入して必要な間隙を確保している。

次ぎに第２の試験方法について説明する。第２の試験方
法は、試験対向電極１０１を電位的に変動させ、その電
位変動を非線形能動素子３を介して信号配線２に伝え、
この信号配線１の電位変動を検出することにより、画素
電極４、非線形能動素子３、走査配線１、信号配線２の
正常性を試験する。試験では第４図で説明した第２試験
基板例の行電極の一つを選んで電位を変動させる。すな
わち、ｎ個の行電極の中から選択駆動される走査配線１
に対応する行の行電極を選び付勢し、この行電極に属す
全ての試験対向電極１０１の電位を変動させる。選択さ
れた走査配線１に接続される非線形能動素子３を一括し
て０Ｎ１０ＦＦｆ＃ｌ？１１する事により同時にｍ個の
画素電極４およびこれに関わる非線形能動素子３、さら
にこれに接続される信号配線２の正常性が試験される。

すなわち、行電極の電位変動を選ばれてＯＮ状態となっ
た非線形能動素子３を介して信号配線ｌに伝える。これ
により正常性を試験する。以上の動作説明で明らかなよ
うに、試験対向電極基板１０１の行電極とＡＭ基板１０
の走査配線１にはｎ個の中から１個を選び駆動する選択
駆動回路が接続される。またＡＭ基板１０の信号配線１
のそれぞれには読取回路が接続される。説明を簡単にす
るため、一つの信号配線１に着目し、これに接続され、
選択された一つの非線形能動素子３がＯＮ１０　Ｆ　Ｆ
する状態での近領的な等価回路を示す第６図で説明する
。この等価回路では、非選択状態にある非線形能動素子
３と読取回路５０のインピーダンスは共に十分大いもの
として無視し、非線形能動素子３の寄生容量も無視して
いる。Ｃｏは試験対向電極ｌＯ１と画素電極４とで構成
される画素容量、Ｃｒは信号配線の寄生容量、Ｒは非線
形能動素子３の内部インピーダンスである。また、Ｃｓ
は行電極と信号配線間の寄生容量である。このＣｓＯ主
成分け接続配線と信号配線間の寄生容量であり、一般に
は十分小さ（特に断らない場合は無視して説明する。ま
た、Ｖは選択された行電極の駆動源を表す。

３点は非線形能動素子３と信号配線１の接続点、Ｔ点は
非線形能動素子３と画素電極４の接続点である。

第７図は試験時に於ける等価回路での動作波形を示す。

以下この動作波形を用いて試験動作を説明する。なお、
図中の電位レベルについて、■の電位レベルと３点の電
位レベルはスケールを変えて表している。電位レベルは
Ｓ　（ＯＮ時）と５（ＯＦＦ時）との間で対比している
。あらかじめ非線形能動素子３がＯＮまたはＯＦＦの状
態になるように所定の走査配線１の電位を確定した後、
所定の行電極に矩形パルスＶを印加する。３点は、非線
形能動素子３がＯＮ時には実線で、ＯＦＦ時には点線で
示す電位変動を示す。これは非線形能動素子３の内部イ
ンピーダンス差による時定数の違いによる。この電位差
を識別してＯＮ１０　Ｆ　Ｆ機能を試験する。適切な時
間位置で電位値をみれば非線形能動素子３のＯＮ時、Ｏ
ＦＦ時の内部抵抗の良否を判断できる。またこの試験で
走査配線１、信号配線２の断線の不良を検出できる。

次ぎに隣接する走査配線１同志の短絡障害の検出法につ
いて説明する。連続して配列されている行電極を配列の
順序に次々と一つづつ第１群と第２群に分ける。第１群
は奇数番目第２群は偶数番目の行電極が所属するものと
する。互いに連続して配置される２個の行電極を選んで
、第１群に属す行電極と第２群に属す行電極の電位変化
が互いに逆になるように駆動し、この２個の行電極のい
ずれか一方に対応する行の走査配線１を付勢しつつ試験
を実施する。この動作を行電極の端から端まで実行する
。これにより隣接する走査配線１同志の短絡障害があれ
ば、正と負に電位変化する２系統の非線形能動素子３が
選択され、所定の電位変化が得られず、異常として検出
できる。

次ぎに隣接する信号配線２同志の短絡障害の検出法につ
いて説明する。この検出法に関わる試験対向電極基板構
成の第３の実施例（以下第３試験基板例という）を第８
図に示す。第８図は本発明に係わる試験対向電極基板構
成についての第３の実施例の平面図である。第８図に示
す如く、同一の行に連続して配列される試験対向電極１
０１を交互に奇数番目を第１群に偶数番目を第２群に分
け、一つの行に２個の独立した行電極を形成する。

第９図は本発明に係わる試験対向電極基板構成について
の第４の実施例の平面図（以下第４試Ｍ基板例という）
であり、第８図に示す第３試験基板例において、各行で
第１群と第２群に分けられた行電極を、隣接する行の他
の群同志、すなわち第１群なら第２群、第２群なら第１
群の行電極と相互に接続した構成を採っている第２の実
施例で２倍とした行電極の数を元の行電極の数に戻った
構成で、２行で端子数は２個と等価的に１行当たり１個
となっている。

以下に動作について説明する。第８図に示す第３試験基
板例の行電極構成の試験対向電極基板１０１を適用した
場合の動作では、一つの行を検査するには、第１群の行
電極と第２群の行電極とに分けて実施する。同一走査配
線１を２回駆動することになる。この検査では１回目と
２回目とで信号配線２の一本おきに信号が誘起する。こ
のため、隣接する信号配線２の短絡障害を検出できる。

すなわち短絡障害時には信号配線２の容量が等価的に約
２倍になり信号レベルが低下することで障害を検出でき
る。次ぎに第９図に示す第４試験基板例の行電極構成の
試験対抗電極基板２０Ａを適用した場合の動作について
、第に番目の行の第１群の行電極と第（ｋ＋１）番目の
行の第２群の行電極が接続された形を改めてａ行電極と
し、残った群同志を接続した系を改めてｂ行電極として
説明する。第に行目の走査配線１を選択して第に行目の
画素電極４に関わる非線形能動素子３の機能検査を実施
するには、行電極はａ行電極とｂ行電極の２回駆動する
事になる。この各駆動で、信号配線１の一本おきに信号
が誘起するため、隣接の信号配線同志の短絡障害を検出
できる。なお、第（ｋ　＋　１　）行目の画素電極４に
関わる非線形能動素子３の機能検査を実施するには、当
然のことながら、行電極はａ行電極とｂ行電極の２回駆
動する必要がある。この第４試験基板例の適用では行電
極の端子数の増加が無く、第３試験基板例適用の場合に
対比して行電極の端子数を少なくできるが、−行の検査
に行電極を２回駆動する点では同等となる。なお、前記
の信号配線２相互の短絡障害を検出するには、全てのｎ
行について第１群、第２群の２群に分ける必要はなく特
定の１行だけ第１群、第２群の２群に分け、全体での行
電極群の数を（ｎ＋１）とすることで目的を達成するこ
とができる。

次ぎに、上記行電極を２群に分ける構成での別の駆動方
法について説明する。第３試験基板例での行電極構成で
第１群の行電極と第２群の行電極を、また第４試験基板
例ではａ行電極とｂ行電極を同時に選択し、互いに逆極
性になるように同時駆動する。これにより両社電極の電
位変動が逆極性となり、信号配線２の一本おきに逆極性
の信号が誘起するため隣接の信号配線２同志の短絡障害
を検出できる。またこの方法では信号配線にクロスオー
バする接続配線を介して信号配線２に生起する雑音を著
しく低減できる。またこの同時駆動により１行１回の駆
動で試験ができ試験時間の短縮もできる。

また、上記の信号配線２にクロスオーバする接続配線を
介して信号配線に生起する雑音を低減する方策として、
接続配線の幅を試験対向電極の幅に対して十分小さくす
ることでＳ／Ｎ比を小さくすることができる。

次ぎに第３の試験方法について説明する。第２の試験方
法が行電極ひいては対向電極を電位的に変動させ、その
電位変動を非線形能動素子を介して信号配線に伝え、こ
の信号配線の電位変動を検出することを基本にしたのに
対して、第３の試験方法はこれとは逆に信号配線を電位
的に変動させ、その電位変動を非線形能動素子を介して
試験対抗電極ひいては行電極に伝え、この行電極の電位
変動を検出することを基本とする。

第１Ｏ図は本発明に係わる試験対向電極・基板構成につ
いての第５の実施例の平面図であり、第３の試験方法に
係わる試験対向電極基板２０Ａの第５の実施例（以下第
５試験基板例という）であって、第２から第４の実施例
では試験対向電極２０Ａ４を行方向に電気的に接続して
行電極を構成していたのに対して、列方向に並ぶ試験対
向電極２０Ａを接続配線１０２で電気的に相互に接続し
、端部で接続端子１０４に接続して列電極を構成する。

第３の試験方法ではこの列電極からなる試験対抗電極基
板２０ＡをＡＭ基板１０に対面して配置し、以下の方法
で試験を行う。

所望の行を試験するには、当該行に当たる走査配線１を
選択して（この走査配線１に接続される非線形能動素子
３を０Ｎ１０ＦＦ制御する。これと合わせて信号配線２
を駆動し電位を変動差せる。

非線形能動素子３がＯＮ状態で、この電位変動は非線形
能動素子３と画素容量４を介して列電極に伝わり、この
列電極の電位変動を読取回路で検出することにより、非
線形能動素子３のＯＮ１０　Ｆ　Ｆ機能試験をはじめ、
配線の正常性を検査できる。

以上の動作説明から明らかなように、ＡＭ基板１０の走
査配線１と列配線にはｎ個の中から１個を選択して駆動
する選択駆動回路が接続される。

また試験対向電極基板２０Ａの行電極のそれぞれには読
取回路が接続される。

第１１図は試験対向電極基板に第４実施例を通用した場
合の近似的等価回路図であり、一つの列に着目した近似
的な等価回路を示す。この等価回路では、動作の説明を
簡明化するため、非選択状態にある非線形能動素子３と
読取回路のインピーダンスは共に十分大いものとして無
視し、信号配線２の寄生容量も無視し、さらに非選択状
態の非線形能動素子３と走査配線１の寄生容量は十分大
きく等価インピーダンスを零と見なしている。ＣＯは画
素容量、Ｒは選択状態にある非線形能動素子の内部イン
ピーダンスである。また、ｎは行の数を表し、■は選択
された信号電極の駆動源を表す。

またＰ点は列電極で読取回路の入力点でもある。

信号配線をＲＣｏの時定数より充分短い立ち上がり時間
のパルス電圧Ｖで駆動するとＰ点の電位は近似的にＲＣ
ｏの時定数で立ち上がる。このＰ点の電位をセンスする
ことで非線形能動素子３の内部インピーダンスＲを検知
でき、非線形能動素子３の機能試験を実施できる。また
走査配線１、信号配線２の断線を検査することも出来る
。また、信号配線２の駆動を一つおきに駆動レベルを変
え、例えば互いに逆の極性になるように駆動すれば信号
配線間の短絡障害の検出も可能となる。

（４）発明の効果（１１本発明を請求項１の通りに構成配置し、試験対向
電極と画素電極とで形成した画素容量を介在させること
により試験する方法は、走査配線、信号配線の断線の検
査をはじめ非線形能動素子の０Ｎ１０ＦＦ機能の試験が
実施でき、表示パネルへの組み込み前に不良品を排除で
き、経済性に大きな期待ができる。

（２）本発明を請求項２の通りに構成し、試験対向電極
基板とアクティブマトリクス基板との間隙に、固形スペ
ーサと液状誘電体の混合物を挿入するアクティブマトリ
クス基板試験方法では、固形スペーサと液状誘電体の混
合物を散布することで固形スペーサを試験対向電極基板
とアクティブマトリクス基板の板面の各部で一様に分布
させることができ、所望の狭い間隙を実現でき、さらに
この狭い間隙に空気に比較して誘電率の高い誘電体を隙
間無く挿入できるため画素容量を大きくでき、読取回路
の入力信号を大きくできる効果がある。

さらに、固形スペーサは試験対向電極基板とアクティブ
マトリクス基板との位置を合わせる際、固形スペーサは
移動することができ、固定形のスペーサに対比してアク
ティブマトリクス基板への損傷を低減できる効果がある
。

（３）本発明を請求項３の通り、液状誘電体に純水を用
いるアクティブマトリクス基板試験方法では、アクティ
ブマトリクス基板の製造工程の洗浄等で多用され、さら
に比誘電率が概略８０と他に類例の無い程の極めて高い
誘電率を呈することから、アクティブマトリクス基板の
汚染を排除でき、かつ画素容量値を大きく採れて読取回
路の入力信号を大きくできる効果がある。

（４）本発明を請求項４の通り、試験対向電極を一定の
電位に固定し、走査配線を用いて非線形能動素子を開閉
制御し、試験対向電極と画素電極とで形成した画素容量
に信号配線を介して電荷を蓄積し、蓄積状態を読取る請
求項１よりなる請求項４の発明は、全ての試験対向電極
を同一電位に固定でき、試験対向電極基板の端子数を著
しく少なくでき、また、試験対向電極を試験対向電極基
板全面に連続した膜、あるいは大きな頓域で区切った膜
で構成でき、試験対向電極のパターンニングが容易とな
り、高密度の画素を持つアクティブマトリクス基板の試
験に対しても経済的に試験できる。

（５）本発明を請求項４の通り、試験対向電極を列方向
に電気的に接続して列電極を形成し、列電極の端部で列
電極間相互を電気的に接続する構成の請求項４よりなる
請求項５の発明は、試験対向電極基板に列電極構成を採
り、その端部で列電極相互を接続する構成を採るため、
試験対向電極接続系と信号配線が重なる事がまったく無
いか、重なる部分を限定することができ、信号配線と試
験対向電極接続系とで形成される静電容量を著しく低減
でき、信号配線の等価容量の削減ができる結果、読取信
号のレヘルを大きくでき、検出能力を高めることができ
る。

（６）本発明を請求項６、請求項７、請求項８の通り、
行方向に並ぶ試験対向電極を電気的に接続して行電極を
構成し、選択駆動される走査配線に対応する行の行電極
を選択的に駆動する試験方法で実施する請求項６、請求
項７、請求項８の発明は、唯一の行電極を選択して駆動
できるため、同一列で複数の試験対向電極を駆動するこ
とが無く、非線形能動素子の障害に基ずく多重選択の異
常を検出できる効果がある。また請求項８の発明と対比
して、読取回路と駆動回路とが信号配線上で競合して接
続されることがなく、微小信号を扱う読取回路の構成が
容易となる。

（７）本発明を請求項７、請求項８の通り、行に配列さ
れた試験対向電極を一つおきに第１群と第２群に分けて
行電極を構成した請求項７と請求項８の発明は、一つの
行に属す試験対向電極が一つおきに駆動されることから
信号配線相互の短絡障害があれば読取信号レヘルが低下
し異常を検出できる効果がある。

（８）本発明を請求項９、請求項ＩＯの通り、同時に２
個の行電極を選び、互いに逆の極性で電位変化するよう
に同時駆動する請求項９、請求項１０の発明は、同時に
駆動される２個の行電極が正負逆に電位変化するため、
行電極と信号配線との寄生容量を介して生起する信号配
線上の雑音を互いに相殺する効果がある。また、隣接の
信号配線上で信号の極性が逆となり、信号配線相互の短
絡障害を検出できる。

（９）本発明を請求項１１の通り、列方向に並ぶ試験対
向電極を電気的に接続した列電極に読取回路を接続し、
信号配線を駆動すると共に走査配線を選択的に駆動する
ことにより、信号配線の電位変動を選択的にＯＮ状態と
した非線形能動素子と画素容量を介して列電極に伝え、
列電極の電位変動を読取回路で検出する試験方法の請求
項１１の発明は、試験対象となるＡＭ基板に、走査配線
、信号配線を選択的に駆動する選択駆動回路がすでに組
み込まれている場合でも、読取回路を試験対向基板の列
電極に接続し、ＡＭ基板のすでに組み込み済みの選択駆
動回路をそのまま使用してＡＭ基板を試験することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　（ｂ）は第１の実施例の試験対向電極基
板をＡＭ基板に対面配置した試験状態での対応を示す第
１の実施例の説明図、ｌａ）は上面からみた透視図、（
ｂ）は＜８１図のａ−ａ’断面図、第２図はＬＣＤ構成
の１部を示す概要説明図で（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図、第３図は本発明に係わる試験対向電極基板構成に
ついての第１の実施例の平面図、第４図は本発明に係わ
る試験対向電極基板構成の第２の実施例の平面図、第５
図（ａ）　（ｂｌは、第２の実施例の試験対向電極基板
をＡＭ基板に対面配置した試験状態での対応を示す第２
の実施例の説明図、（ａ）は上面からみた透視図、φ）
は（８１図のａ−ａ’断面図、第６図は第５図に示す第
２の実施例について、つの信号配線に着目した近似的な
等価回路図、第７図は第６図の等価回路上での概念的な
動作波形の説明図、第８図は本発明に係わる試験対向電
極基板構成についての第３の実施例の平面図、第９図は
本発明に係わる試験対向電極基板構成についての第４の
実施例の平面図、第１０図は本発明に係わる試験対向電
極基板構成についての第５の実施例の平面図、第１１図
は試験対向電極基板についての第４の実施例を適用した
場合の近似的な等価回路である。１・・・走査配線、２・・−信号配線、３・・・非線形
能動素子、４−・・画素電極、１０−・・ＡＭ基板、２
０・−・対向電極基板、６・・・間隙、５・・・対向電
極、７・・・スペーサ、５０・・・読取回路、１００・
・・絶縁基板、１０１・・・試験対向電極、１０２・・
・接続配線、１０３・・・行電極端子、１０４・・・列
電極端子、１０５・・・試験対向電極端子、Ｃｏ・・・
試験対向電極と画素電極とで構成される静電容量（画素
容量）　、Ｃｒ・・・信号配線の寄生容量、Ｒ・・・選
択状態にある非線形能動素子の内部インピーダンス、Ｃ
ｓ・・・行電極と信号配線間の寄生容量、■・・・行電
極または信号電極の選択駆動源、Ａ・・・非線形能動素
子と信号配線の接続点、Ｂ・・・非線形能動素子と画素
電極の接続点、Ｐ・・・列電極の点。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）複数の画素対応に非線形能動素子を走査配線と信
号配線と共に配設した液晶表示パネルを構成するアクテ
ィブマトリクス基板の試験方法において、前記液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板に対向
して、該アクティブマトリクス基板の画素電極に整合す
る試験対向電極基板を所定の間隙をもって対面配置し、
前記走査配線を用いて前記非線形能動素子を開閉制御し
、該試験対向電極と前記画素電極とで形成した画素容量と
前記信号配線と前記非線形能動素子とで電気回路系を形
成させ電気信号の伝達状態を読取ることにより、該アクティブマトリクス基板の機能動作を単体で試験す
ることを特徴とするアクティブマトリクス基板試験方法
。
（２）試験対向電極基板とアクティブマトリクス基板と
の間隙に、固形スペーサと液状誘電体の混合物を挿入す
ることを特徴とする請求項１のアクティブマトリクス基
板試験方法。
（３）液状誘電体に純水を用いることを特徴とする請求
項２のアクティブマトリクス基板試験方法。
（４）試験対向電極を一定の電位に固定し、走査配線を
用いて非線形能動素子を開閉制御し、試験対向電極と画
素電極とで形成した画素容量に信号配線を介して電荷を
蓄積し、蓄積状態を読取ることを特徴とする請求項１の
アクティブマトリクス基板試験方法。
（５）試験対向電極を列方向に電気的に接続して列電極
を形成し、列電極の端部で列電極間相互を電気的に接続
するように構成した試験対向電極基板。
（６）行方向に並ぶ試験対向電極を電気的に接続して行
電極を構成し、選択駆動される走査配線に対応する行の
行電極を選択的に駆動し、駆動による試験対向電極の電
位変動を非線形能動素子を介して信号配線に伝えること
により試験することを特徴とした請求項１のアクティブ
マトリクス基板試験方法。
（７）同一の行に配列された試験対向電極を一つおきに
奇数番目は第１群に、偶数番目は第２群に分け、それぞ
れの群で独立した行電極からなるように構成した試験対
向電極基板。
（８）奇数番目の行の第１群の行電極と偶数番目の行の
第２群の行電極を電気的に接続し、かつ奇数番目の行の
第２群の行電極と偶数番目の行の第１群の行電極を電気
的に接続し、新たな２群の独立した対を成す行電極とす
るように構成した試験対向電極基板。
（９）連続する２個の行電極を互いに別の２グループに
分け、それぞれのグループからそれぞれ１個づつ連続す
る行電極を選び、同時に２個の行電極を互いに逆の極性
で電位変化するように同時駆動するように構成した試験
対向電極基板。
（１０）２群に分け対を成した行電極を同時に選択し、
互いに逆の極性で電位変化するように同時駆動するよう
に構成した試験対向電極基板。
（１１）列方向に並ぶ試験対向電極を電気的に接続した
列電極に読取回路を接続し、信号配線を駆動すると共に
走査配線を選択的に駆動することにより、信号配線の電
位変動を選択的にＯＮ状態とした非線形能動素子と画素
容量を介して列電極に伝え、列電極の電位変動を読取回
路で検出する事を特徴とする請求項１のアクティブマト
リクス基板試験方法。