JPH01102498A - アクティブマトリックス基板の試験方法 - Google Patents
アクティブマトリックス基板の試験方法Info
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- JPH01102498A JPH01102498A JP62260539A JP26053987A JPH01102498A JP H01102498 A JPH01102498 A JP H01102498A JP 62260539 A JP62260539 A JP 62260539A JP 26053987 A JP26053987 A JP 26053987A JP H01102498 A JPH01102498 A JP H01102498A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示パネル装置とくに液晶表示装置のアクティ
ブマトリックス基板の試験方法、すなわち行列状に配列
された画素ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか
一方向に並んだ画素電極に対して共通に設けられた走査
電極との間に表示駆動素子が画素ごとに接続されてなる
アクティブマトリックス基板を試験する方法に関する。
ブマトリックス基板の試験方法、すなわち行列状に配列
された画素ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか
一方向に並んだ画素電極に対して共通に設けられた走査
電極との間に表示駆動素子が画素ごとに接続されてなる
アクティブマトリックス基板を試験する方法に関する。
よく知られているように表示パネル装置を大面積化しか
つ高表示密度化する上で、トランジスタ。
つ高表示密度化する上で、トランジスタ。
ダイオード、非線形素子などの表示駆動素子を基板内に
組み込んだアクティブマトリックス方式の表示パネル装
置が有利であり、比較的小唯積のものからその実用化が
進みつつある。かかる表示パネル装置のアクティブマト
リックス基板に組み込まれる表示駆動素子には2端子素
子と3端子素子があり、その概要を第6図に示す。
組み込んだアクティブマトリックス方式の表示パネル装
置が有利であり、比較的小唯積のものからその実用化が
進みつつある。かかる表示パネル装置のアクティブマト
リックス基板に組み込まれる表示駆動素子には2端子素
子と3端子素子があり、その概要を第6図に示す。
同図(畠)は2端子の表示駆動素子を組み込んだアクテ
ィブマトリックス基板の等価回路であり、行列状に配列
された画素電極lOのそれぞれに付属して2端子表示駆
動素子21が設けられ、図の左右方向であろ行方向に並
んだ画素電極に対して共通に設けられた走査電極30と
各画素電極10との間にこの2端子表示駆動素子21が
それぞれ接続されている。走査電極30はいわば垂直走
査電極であって、これに対する水平走査電極2は図でa
Xで示されたようにアクティブマトリックス基板と対向
されるもう一方の基板上に図示のように列方に延びる画
素電極とほぼ同じ幅をもつ条の形状をもっている。ある
画素に表示をさせるにはそれぞれ特定の垂直走査電極3
0と水平走査電極2との間に表示電圧を掛ければよく、
これによって2端子表示駆動素子が動作して画素電極l
Oと水平走査電極2との間の表示媒体に表示電圧が掛か
ってその画素の表示が行なわれる。
ィブマトリックス基板の等価回路であり、行列状に配列
された画素電極lOのそれぞれに付属して2端子表示駆
動素子21が設けられ、図の左右方向であろ行方向に並
んだ画素電極に対して共通に設けられた走査電極30と
各画素電極10との間にこの2端子表示駆動素子21が
それぞれ接続されている。走査電極30はいわば垂直走
査電極であって、これに対する水平走査電極2は図でa
Xで示されたようにアクティブマトリックス基板と対向
されるもう一方の基板上に図示のように列方に延びる画
素電極とほぼ同じ幅をもつ条の形状をもっている。ある
画素に表示をさせるにはそれぞれ特定の垂直走査電極3
0と水平走査電極2との間に表示電圧を掛ければよく、
これによって2端子表示駆動素子が動作して画素電極l
Oと水平走査電極2との間の表示媒体に表示電圧が掛か
ってその画素の表示が行なわれる。
同図(ロ)°は3端子の表示駆動素子22を組み込んだ
アクティブマトリックス基板の等価刺路であり、この場
合には垂直走査電極と水平走査電極とがともにアクティ
ブマトリックス基板に組み込まれる。
アクティブマトリックス基板の等価刺路であり、この場
合には垂直走査電極と水平走査電極とがともにアクティ
ブマトリックス基板に組み込まれる。
図の走査電極30が水平走査電極であって、これと各画
素電極10とに3端子表示駆動素子22の主端子。
素電極10とに3端子表示駆動素子22の主端子。
例えば駆動素子が電界効果トランジスタである場合はそ
のソースとドレインがそれぞれ接続される。
のソースとドレインがそれぞれ接続される。
垂直走査電極31はいわばwtm線であって、各3端子
表示駆動素子22の制御端子例えば電界効果トランジス
タのゲートがこれに接続される0表示用の駆動電圧は走
査電8i30ともう一方の基板側の図で鎖線で示された
平電橿3との間に与えられ、垂直走査電B131に乗せ
られる表示信号に応じた表示電圧が3端子表示駆動素子
22を介して画素電極10に加わり、これによって駆動
電圧を与えた走査電極30と表示信号を乗せた垂直走査
電極31との交点に対応する画素に表示がなされる。
表示駆動素子22の制御端子例えば電界効果トランジス
タのゲートがこれに接続される0表示用の駆動電圧は走
査電8i30ともう一方の基板側の図で鎖線で示された
平電橿3との間に与えられ、垂直走査電B131に乗せ
られる表示信号に応じた表示電圧が3端子表示駆動素子
22を介して画素電極10に加わり、これによって駆動
電圧を与えた走査電極30と表示信号を乗せた垂直走査
電極31との交点に対応する画素に表示がなされる。
2端子、3端子に拘らず表示駆動素子はいずれもアクテ
ィブマトリックス基板に容易に組み込みうる薄膜の素子
であって、2端子表示駆動素子には非晶質シリコンのf
i膜ダイオードやMIM (金属−絶縁体−金属)の薄
膜素子が用いられ、3端子表示駆動素子には非晶質や多
結晶のシリコンの薄膜トランジスタが用いられ、いずれ
も数μから十数μ程度の大きさとされる。
ィブマトリックス基板に容易に組み込みうる薄膜の素子
であって、2端子表示駆動素子には非晶質シリコンのf
i膜ダイオードやMIM (金属−絶縁体−金属)の薄
膜素子が用いられ、3端子表示駆動素子には非晶質や多
結晶のシリコンの薄膜トランジスタが用いられ、いずれ
も数μから十数μ程度の大きさとされる。
以上のようなアクティブマトリックス基板上の画素電極
、走査電極および表示駆動素子はその被着ないしは成長
のほか、相互接続用の接続膜と金わせて数回のフォトプ
ロセスを経て作り込まれるが、各フォトプロセスの条件
不良や暗度不足によってとくに表示駆動素子周りで欠陥
が発生するこ”とがある、比較的大形の表示パネル装置
では、その画素が例えば400行、640列で配列され
るので、最も簡単な白黒表示の場合でも画素の総数が約
25万個になり、カラー表示の場合はこの3倍となる。
、走査電極および表示駆動素子はその被着ないしは成長
のほか、相互接続用の接続膜と金わせて数回のフォトプ
ロセスを経て作り込まれるが、各フォトプロセスの条件
不良や暗度不足によってとくに表示駆動素子周りで欠陥
が発生するこ”とがある、比較的大形の表示パネル装置
では、その画素が例えば400行、640列で配列され
るので、最も簡単な白黒表示の場合でも画素の総数が約
25万個になり、カラー表示の場合はこの3倍となる。
一方、現在の進んだフォトプロセス技術を用いても欠陥
発生率を10−s以下にすることはまだかなり困難なの
で、1枚の表示パネル装置内に数個ないし数十個の欠陥
が発生することは避けられず、実用的にはこの欠陥数が
許容値以下のものは良品とされる。欠陥の種類としては
表示駆動素子の短絡欠陥が主で、断線欠陥がこれに次ぐ
。
発生率を10−s以下にすることはまだかなり困難なの
で、1枚の表示パネル装置内に数個ないし数十個の欠陥
が発生することは避けられず、実用的にはこの欠陥数が
許容値以下のものは良品とされる。欠陥の種類としては
表示駆動素子の短絡欠陥が主で、断線欠陥がこれに次ぐ
。
このようにアクティブマトリックス基板内に若干の欠陥
が発生することは今の所不可避なので、その製作に当た
っては基板の完成時に必ず試験をする要がある。最も簡
単な試験法は表示パネル装置に組み立ててしまりでから
表示試験をすることであるが、このためにはアクティブ
マトリックス基板と相手方基板とを相互接着して、それ
らの間に表示媒体を封入する要があるので、組み立てに
手間が掛かる上に不良が出たときには全部を廃棄するし
かない、従って表示パネル装置に組み立ててしまう前に
アクティブマトリックス基板単独の形で試験をしてその
良否を判定することが望ましく、アクティブマトリック
ス基板をかかる単独の状態で試験する従来方法の例を第
7図に示す。
が発生することは今の所不可避なので、その製作に当た
っては基板の完成時に必ず試験をする要がある。最も簡
単な試験法は表示パネル装置に組み立ててしまりでから
表示試験をすることであるが、このためにはアクティブ
マトリックス基板と相手方基板とを相互接着して、それ
らの間に表示媒体を封入する要があるので、組み立てに
手間が掛かる上に不良が出たときには全部を廃棄するし
かない、従って表示パネル装置に組み立ててしまう前に
アクティブマトリックス基板単独の形で試験をしてその
良否を判定することが望ましく、アクティブマトリック
ス基板をかかる単独の状態で試験する従来方法の例を第
7図に示す。
第7図はアクティブマトリックス基板1の表示駆動素子
20が2端子素子である場合を示し、試験用に探針4a
を多数個備えた可動治具4を用いる。
20が2端子素子である場合を示し、試験用に探針4a
を多数個備えた可動治具4を用いる。
探針4aの先端は列方向に並ぶ画素電極10にそれぞれ
接触され、各探針4aは図の下側に示した切換スイッチ
5の被切換接点にそれぞれ接続されている。
接触され、各探針4aは図の下側に示した切換スイッチ
5の被切換接点にそれぞれ接続されている。
走査電極30は図のように共通接続され、この共通接続
点と切換スイッチ5の切換接点との間に電流検出器6と
試験電圧[7とが接続される。容易にわかるように、切
換スイッチ5を順次切り換えながら各表示駆動素子20
に流れる電流を電流検出器6によって測定し、電流が過
大なときは短絡欠陥とし、過小なときは断線欠陥と判定
する。1列に並ぶ画素の試験を終えたのち、可動治具4
は図で矢印Mで示すように左右方向に移動させて、アク
ティブマトリックス基板1上の全画素について試験が終
わるまでこれを繰り返犬す。
点と切換スイッチ5の切換接点との間に電流検出器6と
試験電圧[7とが接続される。容易にわかるように、切
換スイッチ5を順次切り換えながら各表示駆動素子20
に流れる電流を電流検出器6によって測定し、電流が過
大なときは短絡欠陥とし、過小なときは断線欠陥と判定
する。1列に並ぶ画素の試験を終えたのち、可動治具4
は図で矢印Mで示すように左右方向に移動させて、アク
ティブマトリックス基板1上の全画素について試験が終
わるまでこれを繰り返犬す。
ところが上述のような従来の試験方法では、アクティブ
マトリックス基板が小形のものである内はよいが、大形
にな、って来ると試験すべき画素が多くなって、試験に
非常に長時間を要する問題がある。この原因の一半は前
述のように各表示駆動素子が小形でその正規の電流値が
10−9〜1〇−目^と微小な点にあって、かかる微小
電流を画素ごとに測定してその良否を判定しなければな
らないので、画素1点あたりの試験時間が比較的長くな
ることにある。この1点あたりの試験時間を電流測定法
を工夫しかつ切換スイッチを電子化して切換速度を早め
ても、正確な欠陥の有無の判定には画素あたり0.1〜
0.2秒を要する。いま、この時間を仮に0.1秒/点
とし、画素数を前述の約25万個とすると、可動治具の
移動に必要な時間を除外しても試験に必要な時間は7時
間にもなる。
マトリックス基板が小形のものである内はよいが、大形
にな、って来ると試験すべき画素が多くなって、試験に
非常に長時間を要する問題がある。この原因の一半は前
述のように各表示駆動素子が小形でその正規の電流値が
10−9〜1〇−目^と微小な点にあって、かかる微小
電流を画素ごとに測定してその良否を判定しなければな
らないので、画素1点あたりの試験時間が比較的長くな
ることにある。この1点あたりの試験時間を電流測定法
を工夫しかつ切換スイッチを電子化して切換速度を早め
ても、正確な欠陥の有無の判定には画素あたり0.1〜
0.2秒を要する。いま、この時間を仮に0.1秒/点
とし、画素数を前述の約25万個とすると、可動治具の
移動に必要な時間を除外しても試験に必要な時間は7時
間にもなる。
本発明はこの問題を解決して、アクティブマトリックス
基板を短時間内に試験することができる実用的な方、法
を提供することを目的とする。
基板を短時間内に試験することができる実用的な方、法
を提供することを目的とする。
この目的は本発明によれば、前述のように行列状に配列
された画素ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか
一方向に並んだ画素電極に対して共通に設けられた走査
電極との間に表示駆動素子が画素ごとに接続されたアク
ティブマトリックス基板を試験する手段として、木板内
の他方向に並ぶ画素1!極にそれぞれ対応して試験用表
示素子を設けてなる試験用表示手段と該他方向に並ぶ画
素1電極のそれぞれと同時に回路的に結合可能な画素電
極結合手段とを設け、基板上の画素電極1衷示駆動素子
および走査電極の各直列回路に対して画素電極結合手段
および試験用表示手段の各試験用表示素子を直列に接続
して画素電極結合手段を他方向に並ぶ各画素電極と同時
に結合した状態で所定の試験電圧を加えるようにし、こ
の時に試験用表示手段内の各試験用表示素子が示す表示
状態から他方向に並ぶ各画素を同時に試験するとともに
画素電極結合手段の他方向に並ぶ画素電極との結合状態
を前記一方向にずらせながら基板内の全画素を試験する
ことによって達しられる。
された画素ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか
一方向に並んだ画素電極に対して共通に設けられた走査
電極との間に表示駆動素子が画素ごとに接続されたアク
ティブマトリックス基板を試験する手段として、木板内
の他方向に並ぶ画素1!極にそれぞれ対応して試験用表
示素子を設けてなる試験用表示手段と該他方向に並ぶ画
素1電極のそれぞれと同時に回路的に結合可能な画素電
極結合手段とを設け、基板上の画素電極1衷示駆動素子
および走査電極の各直列回路に対して画素電極結合手段
および試験用表示手段の各試験用表示素子を直列に接続
して画素電極結合手段を他方向に並ぶ各画素電極と同時
に結合した状態で所定の試験電圧を加えるようにし、こ
の時に試験用表示手段内の各試験用表示素子が示す表示
状態から他方向に並ぶ各画素を同時に試験するとともに
画素電極結合手段の他方向に並ぶ画素電極との結合状態
を前記一方向にずらせながら基板内の全画素を試験する
ことによって達しられる。
以下、第1図を参照しながら上記構成のもつ作用を説明
する。第1図+8)、(blに示されたアクティブマト
リックス基板1には画素電極10がm列、n行に行列配
置されており、その一方向1図では行方向に並ぶ画素電
極に共通に走査電極3oが設けられ、各画素電極lOと
走査電極3oとの間には図の場合には2端子素子である
表示駆動素子2oがそれぞれ接続されている。
する。第1図+8)、(blに示されたアクティブマト
リックス基板1には画素電極10がm列、n行に行列配
置されており、その一方向1図では行方向に並ぶ画素電
極に共通に走査電極3oが設けられ、各画素電極lOと
走査電極3oとの間には図の場合には2端子素子である
表示駆動素子2oがそれぞれ接続されている。
第1図(alにおいてアクティブマトリックス基板1の
右側に示された試験用表示手1段4αは、行列の他方向
である列方向に並ぶ画素電極1oに対応してn個の試験
用表示素子41〜4nを備え、各試験用表示素子は列方
向に並ぶ画素電極1oに対応する走査電極30とそれぞ
れ接続されている0画素電極結合手段50は前の第8図
における可動治具4と対応するもので、例えばn個の探
針51を備え、これらの探計51の先端をそれぞれ対応
する画素電極と接触させることにより、画素電極のそれ
ぞれと同時に回路結合される。しかし、第1図(a)の
場合は前の可動治具と興なりすべての探針51は画素電
極結合手段50に共通接続されていて、画素電極結合手
段50は可撓性のリード61を介して試験用電源70の
一端と接続されている。この試験用電源70の他端は試
験用表示手段40の各試験用表示素子41〜4nの共通
に接続され、これによって、試験用電源70の試験電圧
Vtが試験用表示素子41〜41t’l走査電極30゜
表示駆動素子201画素電極10および画素電極結合手
段50からなる直列回路に加えられる。
右側に示された試験用表示手1段4αは、行列の他方向
である列方向に並ぶ画素電極1oに対応してn個の試験
用表示素子41〜4nを備え、各試験用表示素子は列方
向に並ぶ画素電極1oに対応する走査電極30とそれぞ
れ接続されている0画素電極結合手段50は前の第8図
における可動治具4と対応するもので、例えばn個の探
針51を備え、これらの探計51の先端をそれぞれ対応
する画素電極と接触させることにより、画素電極のそれ
ぞれと同時に回路結合される。しかし、第1図(a)の
場合は前の可動治具と興なりすべての探針51は画素電
極結合手段50に共通接続されていて、画素電極結合手
段50は可撓性のリード61を介して試験用電源70の
一端と接続されている。この試験用電源70の他端は試
験用表示手段40の各試験用表示素子41〜4nの共通
に接続され、これによって、試験用電源70の試験電圧
Vtが試験用表示素子41〜41t’l走査電極30゜
表示駆動素子201画素電極10および画素電極結合手
段50からなる直列回路に加えられる。
前述のように画素電極結合手段50は探計51を介して
列方向に並ぶ各画素電極10と同時にないしは一斉に接
触結合しているので、試験電圧vtの印加により試験用
表示手段50内の試験用表示素子41〜4nには一斉に
表示がなされる。これかられかるように、本発明におけ
る試験用表示手段50の試験用表示素子41〜4nはい
わば列方向に並ぶ画素のかわ′りに表示を行なうもので
、これら試験用表示素子の表示の状態によって対応する
画素電極に付属する表示駆動素子の良否を判定すること
ができる。
列方向に並ぶ各画素電極10と同時にないしは一斉に接
触結合しているので、試験電圧vtの印加により試験用
表示手段50内の試験用表示素子41〜4nには一斉に
表示がなされる。これかられかるように、本発明におけ
る試験用表示手段50の試験用表示素子41〜4nはい
わば列方向に並ぶ画素のかわ′りに表示を行なうもので
、これら試験用表示素子の表示の状態によって対応する
画素電極に付属する表示駆動素子の良否を判定すること
ができる。
従って、各試験用表示素子は各画素とほぼ同構造に構成
するのが望ましく、これによって実際の画素の表示と同
じ表示を試験用表示素子にさせることにより、最も実際
の表示に近い条件で表示駆動素子ないしは画素の良否を
判定することができる。
するのが望ましく、これによって実際の画素の表示と同
じ表示を試験用表示素子にさせることにより、最も実際
の表示に近い条件で表示駆動素子ないしは画素の良否を
判定することができる。
この良否の判定は実用的には目視であってよく、画素は
列方向に例えば400個程並んでいるが、画素中に1個
でも欠陥があった場合には、試験用表示手段40上に並
ぶ試験用表示素子の表示から簡単に欠陥ありの旨を検出
できる。もちろんこの欠陥検出を自動化することも可能
である。
列方向に例えば400個程並んでいるが、画素中に1個
でも欠陥があった場合には、試験用表示手段40上に並
ぶ試験用表示素子の表示から簡単に欠陥ありの旨を検出
できる。もちろんこの欠陥検出を自動化することも可能
である。
以上で1列に並ぶ画素の試験が終わるので、次に第1図
ta+の矢印Mで示すように画素電極結合手段50を図
で縦のa線で示す位置に順次移動させて、同様の試験を
繰り返えせばよい、あるいは、画素電極結合手段50を
図の縦の実線および鎖線の位置に設けておき、同図+1
1.1に示す切換スイッチ60の被切換接点にそれらの
画素電極結合手段50をそれぞれ接続し、かつ切換接点
を試験用電源70の一端と接続しておいて、切換指令S
Sにより試験用電源と接続される画素電極結合手段50
を選択させるようにすることができる。
ta+の矢印Mで示すように画素電極結合手段50を図
で縦のa線で示す位置に順次移動させて、同様の試験を
繰り返えせばよい、あるいは、画素電極結合手段50を
図の縦の実線および鎖線の位置に設けておき、同図+1
1.1に示す切換スイッチ60の被切換接点にそれらの
画素電極結合手段50をそれぞれ接続し、かつ切換接点
を試験用電源70の一端と接続しておいて、切換指令S
Sにより試験用電源と接続される画素電極結合手段50
を選択させるようにすることができる。
第1図世)の場合、画素電極結合手段50がその結合子
として複数個の探針51を備えるのは同じであるが、こ
れら探針51は絶縁体52により担持されて互いに絶縁
されていて、それぞれ可撓性のリード61を介して試験
用表示手段40の各試験用表示素子41〜4nと接続さ
れている。これら試験用表示素子41〜4nの共通電極
は試験用電源70の一端と接続され、試験用を源70の
他端はすべての走査電極30に共通接続される。これに
より試験用電源70の試験電圧Vtは走査電極30.表
示駆動素子209画素電極io、 @素電極結合手段5
0および試験用表示手段40の各試験用表示素子41〜
4nの直列回路に加えられ、同図(alのときと同様に
試験用表示素子41〜4nに表示が一斉になされ、これ
から列方向に並ぶ画素の良否が判定される0画素電極結
合手段50を矢印Mの方向に順次移動させるのは同図(
Jl)の場合と同じである。
として複数個の探針51を備えるのは同じであるが、こ
れら探針51は絶縁体52により担持されて互いに絶縁
されていて、それぞれ可撓性のリード61を介して試験
用表示手段40の各試験用表示素子41〜4nと接続さ
れている。これら試験用表示素子41〜4nの共通電極
は試験用電源70の一端と接続され、試験用を源70の
他端はすべての走査電極30に共通接続される。これに
より試験用電源70の試験電圧Vtは走査電極30.表
示駆動素子209画素電極io、 @素電極結合手段5
0および試験用表示手段40の各試験用表示素子41〜
4nの直列回路に加えられ、同図(alのときと同様に
試験用表示素子41〜4nに表示が一斉になされ、これ
から列方向に並ぶ画素の良否が判定される0画素電極結
合手段50を矢印Mの方向に順次移動させるのは同図(
Jl)の場合と同じである。
以上の記載かられかるように、本発明によれば前述の構
成にいうように、基板内の他方向に並ぶ画素電極にそれ
ぞれ対応して試験用表示素子を設けてなる試験用表示手
段と該他方向に並ぶ画素電極のそれぞれと同時に回路的
に結合可能な画素電極結合手段とを設けて、基板上の画
素電極1表示駆動素子および走査電極の各直列回路に対
して画素電極結合手段および試験用表示手段の各試験用
表示素子を直列に接続して画素電極結合手段を他方向に
並ぶ各画素電極と同時に結合した状態で所定の試験電圧
を加えることにより、表示パネル装置の各試験用表示素
子には列方向に並ぶ画素に対応する表示が一斉になされ
るので、それら試験用表示素子の表示状態から列方向に
並ぶ画素の良否を一度に従ってごく短時間内に試験する
ことができ、これによって本発明の課題が解決される。
成にいうように、基板内の他方向に並ぶ画素電極にそれ
ぞれ対応して試験用表示素子を設けてなる試験用表示手
段と該他方向に並ぶ画素電極のそれぞれと同時に回路的
に結合可能な画素電極結合手段とを設けて、基板上の画
素電極1表示駆動素子および走査電極の各直列回路に対
して画素電極結合手段および試験用表示手段の各試験用
表示素子を直列に接続して画素電極結合手段を他方向に
並ぶ各画素電極と同時に結合した状態で所定の試験電圧
を加えることにより、表示パネル装置の各試験用表示素
子には列方向に並ぶ画素に対応する表示が一斉になされ
るので、それら試験用表示素子の表示状態から列方向に
並ぶ画素の良否を一度に従ってごく短時間内に試験する
ことができ、これによって本発明の課題が解決される。
以下、第2図から第5図までを参照しながら本発明のよ
り具体的な実施例を説明する。
り具体的な実施例を説明する。
第2図および第3図は画素電極結合手段50の画素量8
i10との回路的な結合を静電的な容量結合により行な
う実施例を示すものである。第2図はこの容量結合の要
領を断面図で示すもので、図の下側にはアクティブマト
リックス基板のガラス基板1aとその表面上に設けられ
た画素電極109表示駆動素子20および走査電極30
が示されている0図の左右方向がアクティブマトリック
ス基板の列方向であり、走査電極30は図の前後方向で
ある行方向に延びているものとする0画素電極結合手段
5oは例えばガラスの板52上に列方向に延びる金属等
の結合電8i53を設けた電極体であり、この結合電極
53は第3図に示したようにその幅が画素電極1oの幅
とほぼ等しくされ、かつ行方向に並べてm個設けられて
いる。この画素電極結合手段5oは第2図に示すように
適当なスペーサ52&を介して結合電極53と画素電極
10との間が数十−程度になるように対置される。アク
ティブマトリックス基板1と画素電極結合手段50とは
、図で一点鎖線で簡略に示された皿状の容器内に入れら
れ、この容器には液状の誘電体54として誘電率の大な
アルコール類や純水が満たされる。結合電極53と各画
素電極10はこの誘電体54を介してそれぞれキャパシ
タを形成し、これによって各結合電極53は列方向に並
ぶ各画素電極10と同時に容量結合される。なお、かか
る液状の誘電体を用いるかわりに、結合電極の表面に誘
電体膜をつけ、この誘電体膜を画素電極10に直接に接
触させるようにしてもよい。
i10との回路的な結合を静電的な容量結合により行な
う実施例を示すものである。第2図はこの容量結合の要
領を断面図で示すもので、図の下側にはアクティブマト
リックス基板のガラス基板1aとその表面上に設けられ
た画素電極109表示駆動素子20および走査電極30
が示されている0図の左右方向がアクティブマトリック
ス基板の列方向であり、走査電極30は図の前後方向で
ある行方向に延びているものとする0画素電極結合手段
5oは例えばガラスの板52上に列方向に延びる金属等
の結合電8i53を設けた電極体であり、この結合電極
53は第3図に示したようにその幅が画素電極1oの幅
とほぼ等しくされ、かつ行方向に並べてm個設けられて
いる。この画素電極結合手段5oは第2図に示すように
適当なスペーサ52&を介して結合電極53と画素電極
10との間が数十−程度になるように対置される。アク
ティブマトリックス基板1と画素電極結合手段50とは
、図で一点鎖線で簡略に示された皿状の容器内に入れら
れ、この容器には液状の誘電体54として誘電率の大な
アルコール類や純水が満たされる。結合電極53と各画
素電極10はこの誘電体54を介してそれぞれキャパシ
タを形成し、これによって各結合電極53は列方向に並
ぶ各画素電極10と同時に容量結合される。なお、かか
る液状の誘電体を用いるかわりに、結合電極の表面に誘
電体膜をつけ、この誘電体膜を画素電極10に直接に接
触させるようにしてもよい。
第3図に示すアクティブマトリックス基板1は前の第1
図と同じ構成のもので、その上にm列。
図と同じ構成のもので、その上にm列。
n行に配列された画素電極10中の列方向に並ぶn個の
画素電極10はそれぞれ画素電極結合手段の結合電極5
3と並列的に容量結合されており、そのn個の走査電極
30は図の右側に示された試験用表示手段40の試験用
表示素子41゛〜4nとそれぞれ接続されている。この
実施例では試験用表示手段4o内にはその各試験用表示
素子41〜4nに対応してフォトダイオード81〜8n
が設けられており、これらのフォトダイオードはすべて
直列接続され、直流電源72の電圧により逆バイアスを
掛けられている。この逆バイアス状態の各フォトダイオ
ード81〜8nは試験用表示素子41〜4nに表示が出
たとき、それからの光を受けて導通される。かかるフォ
トダイオードは例えば非晶質シリコン薄膜を用いて小形
化することができる。一方、画素電極結合手段50の各
結合1m8i!53はその下側に示された切換スイッチ
60の被切換接点にそれぞれ接続され、その内の1個が
計算8119Gから切換スイッチ60に与えられる切換
指令SSに応じて試験電圧Vtを受ける切換接点と接続
される。切換スイッチ60は図の簡略化のため接点式−
としたが実際には高速動作が可能なように電子回路化さ
れる。試験用電源71はその枠内に示されたような正負
の方形波が繰り返えされる試験電圧Vtを発生するもの
で、この波形の周期を指定するクロックパルスCPを計
算a90から受けている。
画素電極10はそれぞれ画素電極結合手段の結合電極5
3と並列的に容量結合されており、そのn個の走査電極
30は図の右側に示された試験用表示手段40の試験用
表示素子41゛〜4nとそれぞれ接続されている。この
実施例では試験用表示手段4o内にはその各試験用表示
素子41〜4nに対応してフォトダイオード81〜8n
が設けられており、これらのフォトダイオードはすべて
直列接続され、直流電源72の電圧により逆バイアスを
掛けられている。この逆バイアス状態の各フォトダイオ
ード81〜8nは試験用表示素子41〜4nに表示が出
たとき、それからの光を受けて導通される。かかるフォ
トダイオードは例えば非晶質シリコン薄膜を用いて小形
化することができる。一方、画素電極結合手段50の各
結合1m8i!53はその下側に示された切換スイッチ
60の被切換接点にそれぞれ接続され、その内の1個が
計算8119Gから切換スイッチ60に与えられる切換
指令SSに応じて試験電圧Vtを受ける切換接点と接続
される。切換スイッチ60は図の簡略化のため接点式−
としたが実際には高速動作が可能なように電子回路化さ
れる。試験用電源71はその枠内に示されたような正負
の方形波が繰り返えされる試験電圧Vtを発生するもの
で、この波形の周期を指定するクロックパルスCPを計
算a90から受けている。
この試験用電源71は試験用表示手段4oの試験用表示
素子41〜4nの共通電極と切換スイッチ60により選
択された画素電極結合手段の結合電極53との間に上述
の試験電圧Vtを印加する。
素子41〜4nの共通電極と切換スイッチ60により選
択された画素電極結合手段の結合電極53との間に上述
の試験電圧Vtを印加する。
ある結合電極53が切換スイッチ60により選択されて
試験電圧Vtを受けたとき、その下に列方向に並ぶ画素
電極10との容量結合を介して画素電極10に試験電圧
Vtが掛かり、試験用表示手段40の試験用表示素子4
1〜4nに表示がなされる。この実施例ではこの試験用
表示素子の41〜4nの表示は対応する画素に欠陥がな
いとき明であって、対応するフォトダイオード81〜8
nが導通するので、選択された結合電極53の下のすべ
ての画素が良であるときにのみ直列接続されたフォトダ
イオード81〜8nに電流が流れ、この電流が検出抵抗
73により検出されて計算機90に読み込まれる。従っ
て、計算機9゜はこの電流の有無により列方向に並ぶ全
画素の良否を判定することができ、切換スイッチ6oに
逐次切換指令SSを発して結合電極53を選択しながら
それに対応する列の画素の良否を判定して記憶する。
試験電圧Vtを受けたとき、その下に列方向に並ぶ画素
電極10との容量結合を介して画素電極10に試験電圧
Vtが掛かり、試験用表示手段40の試験用表示素子4
1〜4nに表示がなされる。この実施例ではこの試験用
表示素子の41〜4nの表示は対応する画素に欠陥がな
いとき明であって、対応するフォトダイオード81〜8
nが導通するので、選択された結合電極53の下のすべ
ての画素が良であるときにのみ直列接続されたフォトダ
イオード81〜8nに電流が流れ、この電流が検出抵抗
73により検出されて計算機90に読み込まれる。従っ
て、計算機9゜はこの電流の有無により列方向に並ぶ全
画素の良否を判定することができ、切換スイッチ6oに
逐次切換指令SSを発して結合電極53を選択しながら
それに対応する列の画素の良否を判定して記憶する。
この実施例の場合、列方向に並ぶ画素中に欠陥がある場
合、その欠陥が1個の画素だけにあるのか複数の画素に
あるのかを区別できないが、実際には1個の列中の複数
個の画素に同時に欠陥が発生する確率は非常に小さいの
で、実用上はふつうこれで充分である。
合、その欠陥が1個の画素だけにあるのか複数の画素に
あるのかを区別できないが、実際には1個の列中の複数
個の画素に同時に欠陥が発生する確率は非常に小さいの
で、実用上はふつうこれで充分である。
この実施例の場合、列方向に並ぶ画素の良否判定が高速
ででき、かつ切換スイッチも電子回路化して切換動作速
度を上げることができるので、アクティブマトリックス
基板内の全画素の試験を長くても数分以内に完了させる
ことができる。また、画素電極結合手段の画素電極、と
の容量結合は前の例における探針の接触結合よりも信頼
性が高いので、良否の判定結果に信鯨が置ける利点があ
る。
ででき、かつ切換スイッチも電子回路化して切換動作速
度を上げることができるので、アクティブマトリックス
基板内の全画素の試験を長くても数分以内に完了させる
ことができる。また、画素電極結合手段の画素電極、と
の容量結合は前の例における探針の接触結合よりも信頼
性が高いので、良否の判定結果に信鯨が置ける利点があ
る。
なお、試験用表示手段40の試験用表示素子の表示を対
応画素が良のとき明とする要は必ずしもなく、画素が良
のときに暗で不良のときに−とすることができる。この
場合はフォトダイオード81〜8nはすべて並列接続し
て、その並列回路に電流が検出されたとき列内の画素に
欠陥ありと判定するようにすればよい。
応画素が良のとき明とする要は必ずしもなく、画素が良
のときに暗で不良のときに−とすることができる。この
場合はフォトダイオード81〜8nはすべて並列接続し
て、その並列回路に電流が検出されたとき列内の画素に
欠陥ありと判定するようにすればよい。
第4図と第5図は画素電極結合手段と画素電極とを放電
結合した実施例を示す、第4図の断面図に見られるよう
に画素電極結合手段50はアクティブマトリックス基板
から数百−程度隔てて基板と平行に張られた金属の線な
いしは条55を備え、この金属条55はその両端が絶縁
体56によって支えられ、基板側の画素電極lOに対応
した位置に小突起55aを備える。金属条55の小突起
55aと画素電極lOとの間に低電圧下で放電りが起こ
りうるように、空気またはガス57の圧力が適宜に調整
される。第5図かられかるようにこの実施例におけるア
クティブマトリックス基板1側の表示駆動素子はトラン
ジスタなどの3端子素子22であって、走査電極30は
列方向に並ぶn個の画素電極10に対して共通に設けら
れ、行方向に並ぶm個の画素電極に対しては制御線電極
31が設けられる。従って、画素電極結合手段の金属条
55は行方向にn個設けられ、6それぞれ切換スイッチ
60の被切換接点に接続される。試験用表示手段40に
はm個の試験用表示素子41〜4−が設けられて、それ
ぞれ走査電極3oと接続される。試験用電源70はこの
試験用表示手段40の試験用表示素子41〜4mの共通
電極と切換スイッチ60の切換接点との間に接続される
。n本の制御線電極30は共通接続されて、試験用電源
70の電圧の調整抵抗74を介する部分電圧が与えられ
る。この部分電圧は試験につごうのよい値に調整される
。
結合した実施例を示す、第4図の断面図に見られるよう
に画素電極結合手段50はアクティブマトリックス基板
から数百−程度隔てて基板と平行に張られた金属の線な
いしは条55を備え、この金属条55はその両端が絶縁
体56によって支えられ、基板側の画素電極lOに対応
した位置に小突起55aを備える。金属条55の小突起
55aと画素電極lOとの間に低電圧下で放電りが起こ
りうるように、空気またはガス57の圧力が適宜に調整
される。第5図かられかるようにこの実施例におけるア
クティブマトリックス基板1側の表示駆動素子はトラン
ジスタなどの3端子素子22であって、走査電極30は
列方向に並ぶn個の画素電極10に対して共通に設けら
れ、行方向に並ぶm個の画素電極に対しては制御線電極
31が設けられる。従って、画素電極結合手段の金属条
55は行方向にn個設けられ、6それぞれ切換スイッチ
60の被切換接点に接続される。試験用表示手段40に
はm個の試験用表示素子41〜4−が設けられて、それ
ぞれ走査電極3oと接続される。試験用電源70はこの
試験用表示手段40の試験用表示素子41〜4mの共通
電極と切換スイッチ60の切換接点との間に接続される
。n本の制御線電極30は共通接続されて、試験用電源
70の電圧の調整抵抗74を介する部分電圧が与えられ
る。この部分電圧は試験につごうのよい値に調整される
。
計算機90から切換指令SSを切換スイッチ60に送っ
て任意の金属条55に試験用電源70からの試験電圧V
tを与えたとき、金属条55の小突起55aとその下の
画素電極10との間が放電りにより結合されて試験用表
示手段40の試験用表示素子41〜4園に一斉に表示が
なされる。この試験用表示手段40内にはCOD方式な
どの電荷蓄積形の光センサアレイ80が組み込まれてお
り、試験用表示素子41〜4■の各表示内容を一種の読
み取り指令であるクロックパルスCPに同期してこの光
センサアレイ80から計算機90に読み込めるようにな
っている。従って、この実施例では計算機90は試験用
表示素子41〜4−の表示内容ないしはそれに基づく判
定結果を試験用表示素子ごとつまり画素ごとに記憶する
ことができ、またそれを同時にCRT装置等の付属の表
示装置91に表示させることができる。計算[90は切
換指令SSにより画素の行を切り換えながら試験を進め
、試験終了時にはアクティブマトリックス基板内のすべ
ての画素に対する試験結果が計算機90内に記憶され、
かつ表示装置91上の表示として残っているので、それ
に基づいて試験されたアクティブマトリックス基板の良
否を綜合判定することができる。
て任意の金属条55に試験用電源70からの試験電圧V
tを与えたとき、金属条55の小突起55aとその下の
画素電極10との間が放電りにより結合されて試験用表
示手段40の試験用表示素子41〜4園に一斉に表示が
なされる。この試験用表示手段40内にはCOD方式な
どの電荷蓄積形の光センサアレイ80が組み込まれてお
り、試験用表示素子41〜4■の各表示内容を一種の読
み取り指令であるクロックパルスCPに同期してこの光
センサアレイ80から計算機90に読み込めるようにな
っている。従って、この実施例では計算機90は試験用
表示素子41〜4−の表示内容ないしはそれに基づく判
定結果を試験用表示素子ごとつまり画素ごとに記憶する
ことができ、またそれを同時にCRT装置等の付属の表
示装置91に表示させることができる。計算[90は切
換指令SSにより画素の行を切り換えながら試験を進め
、試験終了時にはアクティブマトリックス基板内のすべ
ての画素に対する試験結果が計算機90内に記憶され、
かつ表示装置91上の表示として残っているので、それ
に基づいて試験されたアクティブマトリックス基板の良
否を綜合判定することができる。
この実施例では光センサアレイに電荷蓄積形のものを用
い、それからの読み出しを経時的に行なうので、前の第
3図の実施例よりは若干試験速度が落ちるが、基板内の
全画素の試験結果を記憶ないしは表示に残しうる利点を
有する。
い、それからの読み出しを経時的に行なうので、前の第
3図の実施例よりは若干試験速度が落ちるが、基板内の
全画素の試験結果を記憶ないしは表示に残しうる利点を
有する。
以上の実施例の説明からもわかるように、本発明はこれ
らの実施例に限らず種々のLj様で実施をすることがで
きる0例えば、試験用表示手段の試験用表示素子に行な
いしは列方向に並ぶ画素に対応する表示を一斉にさせた
後は、フォトセンサや光センサアレイを用いて自動的に
その表示内容を検出する必要がと(にあるわけではなく
、最も簡単には目視で各画素の良否を判定でき、あるい
は写真フィルムを用いて基板内の全画素に対する試験結
果を記録しておくことも可能である0画素電極結合手段
と画素電極との結合方法も実施例における探針による接
触結合、容量結合、放電結合のほか、公知の結合手段を
適宜利用することができ、この結合を行ないしは列方向
へずらせる手段も実施例における機械的方法や電気的方
法のほか両方法を併用することも可能である。また、試
験電圧の掛は方についても、表示パネル装置や表示駆動
素子の種類によって当然具なって来ることになり、とく
に表示駆動素子が逆並列接続ダイオードにより構成され
ている場合は、印加する試験電圧の極性によって試験用
表示手段の表示内容が異なって来ることがあるので、試
験電圧の極性ごとに試験ないしは良否の判定をするよう
にすれば、断線欠陥の方向性も区別して試験を進めるこ
とができる。
らの実施例に限らず種々のLj様で実施をすることがで
きる0例えば、試験用表示手段の試験用表示素子に行な
いしは列方向に並ぶ画素に対応する表示を一斉にさせた
後は、フォトセンサや光センサアレイを用いて自動的に
その表示内容を検出する必要がと(にあるわけではなく
、最も簡単には目視で各画素の良否を判定でき、あるい
は写真フィルムを用いて基板内の全画素に対する試験結
果を記録しておくことも可能である0画素電極結合手段
と画素電極との結合方法も実施例における探針による接
触結合、容量結合、放電結合のほか、公知の結合手段を
適宜利用することができ、この結合を行ないしは列方向
へずらせる手段も実施例における機械的方法や電気的方
法のほか両方法を併用することも可能である。また、試
験電圧の掛は方についても、表示パネル装置や表示駆動
素子の種類によって当然具なって来ることになり、とく
に表示駆動素子が逆並列接続ダイオードにより構成され
ている場合は、印加する試験電圧の極性によって試験用
表示手段の表示内容が異なって来ることがあるので、試
験電圧の極性ごとに試験ないしは良否の判定をするよう
にすれば、断線欠陥の方向性も区別して試験を進めるこ
とができる。
本発明では以上述べたように、行列状に配列された画素
ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか一方向に並
んだ画素電極に対して共通に設けられた走査電極との間
に表示駆動素子が画素ごとに接続されたアクティブマト
リックス基板を試験するに際して、基板内の他方向に並
ぶ画素電極にそれぞれ対応して試験用表示素子を設けて
なる試験用表示手段と該他方向に並ぶ画素電極のそれぞ
れと同時に回路的に結合可能な画素電極結合手段とを設
け、基板上の画素電極1表示駆動素子および走査電極の
各直列回路に対して画素電極結合手段および試験用表示
手段の各試験用表示素子を直列に接続して画素電極結合
手段を他方向に並ぶ各画素電極と同時に結合した状態で
所定の試験電圧を加えるようにしたので、上記他方向で
ある列ないしは行方向に並ぶ画素に対応する表示を試験
用表示手段内の試験用表示素子に一斉に行なわせて、そ
れらの表示状態から該所定方向に並ぶ画素に対する試験
を同時にすませることができ、これによってアクティブ
マトリックス基板の試験に要する総時間を従来の1/1
00程度に短縮することができる。試験用表示手段はい
わば所定方向に並ぶ画素にかわって表示を行なうもので
あって、従来のように画素の表示駆動素子に流れる微小
電流をわざわざ測定するよりは、試験用表示手段に表示
をさせる方が動作がすうと早(むしろ正確であり、しか
も前述のように所定方向に並ぶ多数個の画素に対する試
験を同時並行的にすませることができる。
ごとに設けられた画素電極と行1列いずれか一方向に並
んだ画素電極に対して共通に設けられた走査電極との間
に表示駆動素子が画素ごとに接続されたアクティブマト
リックス基板を試験するに際して、基板内の他方向に並
ぶ画素電極にそれぞれ対応して試験用表示素子を設けて
なる試験用表示手段と該他方向に並ぶ画素電極のそれぞ
れと同時に回路的に結合可能な画素電極結合手段とを設
け、基板上の画素電極1表示駆動素子および走査電極の
各直列回路に対して画素電極結合手段および試験用表示
手段の各試験用表示素子を直列に接続して画素電極結合
手段を他方向に並ぶ各画素電極と同時に結合した状態で
所定の試験電圧を加えるようにしたので、上記他方向で
ある列ないしは行方向に並ぶ画素に対応する表示を試験
用表示手段内の試験用表示素子に一斉に行なわせて、そ
れらの表示状態から該所定方向に並ぶ画素に対する試験
を同時にすませることができ、これによってアクティブ
マトリックス基板の試験に要する総時間を従来の1/1
00程度に短縮することができる。試験用表示手段はい
わば所定方向に並ぶ画素にかわって表示を行なうもので
あって、従来のように画素の表示駆動素子に流れる微小
電流をわざわざ測定するよりは、試験用表示手段に表示
をさせる方が動作がすうと早(むしろ正確であり、しか
も前述のように所定方向に並ぶ多数個の画素に対する試
験を同時並行的にすませることができる。
とくに、各試験用表示素子の構成を各画素と同構造にす
れば、試験用表示手段の表示が画素の実際の表示と実質
上同じになるので、本発明による試験はアクティブマト
リックス基板を表示パネル装置に組み立てた状態でする
試験と等価であり、この意味で本発明はアクティブマト
リックス基板単独の状態で行なわれる試験方法としては
、理想的でかつ恐ら(は最も実用的な方法を提供しうる
ということができる。
れば、試験用表示手段の表示が画素の実際の表示と実質
上同じになるので、本発明による試験はアクティブマト
リックス基板を表示パネル装置に組み立てた状態でする
試験と等価であり、この意味で本発明はアクティブマト
リックス基板単独の状態で行なわれる試験方法としては
、理想的でかつ恐ら(は最も実用的な方法を提供しうる
ということができる。
このような利点をもつ本発明によるアクティブマトリッ
クス基板の試験方法は、表示パネル装置が大形化してそ
の画素が増加するとともに上のコスト上および性能上の
効果を発揮することができ、アクティブマトリックス方
式の表示パネル装置の今後の一層の発展に貢献すること
が期待される。
クス基板の試験方法は、表示パネル装置が大形化してそ
の画素が増加するとともに上のコスト上および性能上の
効果を発揮することができ、アクティブマトリックス方
式の表示パネル装置の今後の一層の発展に貢献すること
が期待される。
第1図から第5図までが本発明に関し、第1図は本発明
によるアクティブマトリックス基板の試験方法を画素電
極結合手段として探針を用いた場合について原理的に示
すアクティブマトリックス基板を含む試験回路図、第2
図は画素電極結合手段に容量結合を利用した実施例にお
けるアクティブマトリックス基板と画素電極結合手段と
の結合状態を示す断面図、第3図は当該実施例における
アクティブマトリックス基板を含む試験回路図、第4図
は画素電極結合手段に放電結合を利用した実施例におけ
るアクティブマトリックス基板と画素電極結合手段との
結合状態を示す断面図、第5図は当該実施例におけるア
クティブマトリックス基板を含む試験回路図である。第
6図は本発明の対象であるアクティブマトリックス基板
の表示駆動素子に2端子素子および3端子素子を用いた
場合の等価回路図である。第7図は従来のアクティブマ
トリックス基板の試験方法を例示するアクティブマトリ
ックス基板を含む試験回路図である。 図において、 lニアクチイブマトリックス基板、laミニガラス板、
2:水平走査電極、3:平電極、4:可動治具、4a:
探計、5X切換スイツチ、6:電流検出器、7:試験電
圧源、10+il素電極、2G+表示駆動素子、21:
2端子表示駆動素子、22:3端子表示駆動素子、30
:走査電極、31:lll制御型電極40:試験用表示
手段、41〜4@It 41〜41n:試験用表示素子
、50+画素電極結合手段、51:探計、52ニガラス
板、52aニスペーサ、53:結合電極、54:誘電体
、55:金属条、55a;小突起、56:絶縁体、57
:放電用ガス、60:切換スイッチ、〕0,71:試験
用電源、72:直流電源、73:検出抵抗、74:調整
抵抗、80:光センサアレイ、81〜8fi:フォトダ
イオード、90:計算機、91:表示装置、CP:クロ
ックパルス、D:放電、SS:切換指令、Vt+試験電
圧、である。 代Jf人rI理(山 口 級
によるアクティブマトリックス基板の試験方法を画素電
極結合手段として探針を用いた場合について原理的に示
すアクティブマトリックス基板を含む試験回路図、第2
図は画素電極結合手段に容量結合を利用した実施例にお
けるアクティブマトリックス基板と画素電極結合手段と
の結合状態を示す断面図、第3図は当該実施例における
アクティブマトリックス基板を含む試験回路図、第4図
は画素電極結合手段に放電結合を利用した実施例におけ
るアクティブマトリックス基板と画素電極結合手段との
結合状態を示す断面図、第5図は当該実施例におけるア
クティブマトリックス基板を含む試験回路図である。第
6図は本発明の対象であるアクティブマトリックス基板
の表示駆動素子に2端子素子および3端子素子を用いた
場合の等価回路図である。第7図は従来のアクティブマ
トリックス基板の試験方法を例示するアクティブマトリ
ックス基板を含む試験回路図である。 図において、 lニアクチイブマトリックス基板、laミニガラス板、
2:水平走査電極、3:平電極、4:可動治具、4a:
探計、5X切換スイツチ、6:電流検出器、7:試験電
圧源、10+il素電極、2G+表示駆動素子、21:
2端子表示駆動素子、22:3端子表示駆動素子、30
:走査電極、31:lll制御型電極40:試験用表示
手段、41〜4@It 41〜41n:試験用表示素子
、50+画素電極結合手段、51:探計、52ニガラス
板、52aニスペーサ、53:結合電極、54:誘電体
、55:金属条、55a;小突起、56:絶縁体、57
:放電用ガス、60:切換スイッチ、〕0,71:試験
用電源、72:直流電源、73:検出抵抗、74:調整
抵抗、80:光センサアレイ、81〜8fi:フォトダ
イオード、90:計算機、91:表示装置、CP:クロ
ックパルス、D:放電、SS:切換指令、Vt+試験電
圧、である。 代Jf人rI理(山 口 級
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)行列状に配列された画素ごとに設けられた画素電極
と行、列いずれか一方向に並んだ画素電極に対して共通
に設けられた走査電極との間に表示駆動素子が画素ごと
に接続されたアクティブマトリックス基板を試験する方
法であって、基板内の他方向に並ぶ画素電極にそれぞれ
対応して試験用表示素子を設けてなる試験用表示手段と
該他方向に並ぶ画素電極のそれぞれと同時に回路的に結
合可能な画素電極結合手段とを用い、基板上の画素電極
、表示駆動素子および走査電極の各直列回路に対して画
素電極結合手段および試験用表示手段の各試験用表示素
子を直列に接続して画素電極結合手段を他方向に並ぶ各
画素電極と同時に結合した状態で所定の試験電圧を加え
、試験用表示手段内の各試験用表示素子が示す表示状態
から他方向に並ぶ各画素を同時に試験するとともに画素
電極結合手段の他方向に並ぶ画素電極との結合状態を前
記一方向にずらせながら基板内の全画素を試験しうるよ
うにしたことを特徴とするアクティブマトリックス基板
の試験方法。 2)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、試
験用表示手段の各試験用表示素子を基板側の各走査電極
とそれぞれ接続するようにしたことを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板の試験方法。 3)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、画
素電極結合手段が他方向に並ぶ各画素電極とそれぞれ個
別に結合する互いに絶縁された結合子からなり、試験用
表示手段の各試験用表示素子を画素電極結合手段の該各
結合子とそれぞれ接続するようにしたことを特徴とする
アクティブマトリックス基板の試験方法。 4)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、試
験用表示手段の試験用表示素子が基板側の各画素とほぼ
同構造に構成されることを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板の試験方法。 5)特許請求の範囲I項記載の試験方法において、画素
電極結合手段が各画素電極と探針の接触により結合され
ることを特徴とするアクティブマトリックス基板の試験
方法。 6)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、画
素電極結合手段が電極体として形成され、該電極体を誘
電体を挟んで各画素電極と対峙させることにより画素電
極結合手段が各画素電極と静電的に容量結合されること
を特徴とするアクティブマトリックス基板の試験方法。 7)特許請求の範囲第6項記載の試験方法において、誘
電体として液体が用いられることを特徴とするアクティ
ブマトリックス基板の試験方法。 8)特許請求の範囲第7項記載の試験方法において、誘
電体としてアルコール類が用いられることを特徴とする
アクティブマトリックス基板の試験方法。 9)特許請求の範囲第7項記載の試験方法において、誘
電体として純水が用いられることを特徴とするアクティ
ブマトリックス基板の試験方法。 10)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、
画素電極結合手段が画素電極との間の放電により各画素
電極と結合されることを特徴とするアクティブマトリッ
クス基板の試験方法。 11)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、
画素電極結合手段を機械的に移動させることにより、画
素電極結合手段の他方向に並ぶ画素電極との結合状態が
一方向にずらされることを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板の試験方法。 12)特許請求の範囲第1項記載の試験方法において、
画素電極結合手段が他方向に並ぶ画素電極の複数個の群
に対して並設され、該複数個の画素電極結合手段を回路
的に切り換えることにより、画素電極結合手段の他方向
に並ぶ画素電極との結合状態が一方向にずらされること
を特徴とするアクティブマトリックス基板の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260539A JPH01102498A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | アクティブマトリックス基板の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260539A JPH01102498A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | アクティブマトリックス基板の試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102498A true JPH01102498A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17349368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260539A Pending JPH01102498A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | アクティブマトリックス基板の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102498A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434491A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Minato Electron Kk | アクティブマトリクス基板試験方法及びその試験対向電極基板 |
| KR19990038116A (ko) * | 1997-11-03 | 1999-06-05 | 윤종용 | Lcd 디스플레이 제어 회로 |
| JP2004511705A (ja) * | 2000-09-30 | 2004-04-15 | ライボルト ヴァークウム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 側路型ポンプとしてのポンプ |
| WO2004070403A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Agilent Technologies,Inc. | 薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の検査装置及び方法 |
| KR100870400B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-11-25 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 액정표시소자의 소오스 드라이버회로 및 그의 테스트방법 |
| US9714661B2 (en) | 2012-08-24 | 2017-07-25 | Shimadzu Corporation | Vacuum pump |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260539A patent/JPH01102498A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434491A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Minato Electron Kk | アクティブマトリクス基板試験方法及びその試験対向電極基板 |
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| JP4898076B2 (ja) * | 2000-09-30 | 2012-03-14 | ライボルト ヴァークウム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 側路型ポンプとしてのポンプ |
| KR100870400B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-11-25 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 액정표시소자의 소오스 드라이버회로 및 그의 테스트방법 |
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| US9714661B2 (en) | 2012-08-24 | 2017-07-25 | Shimadzu Corporation | Vacuum pump |
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