JPH04345741A - Phototube - Google Patents

Phototube

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JPH04345741A
JPH04345741A JP11756791A JP11756791A JPH04345741A JP H04345741 A JPH04345741 A JP H04345741A JP 11756791 A JP11756791 A JP 11756791A JP 11756791 A JP11756791 A JP 11756791A JP H04345741 A JPH04345741 A JP H04345741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photocathode
anode
photoelectron
phototube
photoelectrons
Prior art date
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Pending
Application number
JP11756791A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Watase
渡瀬 泰志
Masuyasu Ito
益保 伊藤
Seiji Suzuki
誠司 鈴木
Koji Nakamura
公嗣 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
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  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a phototube having high possibility of collecting photoelectrons, generated in a photocathode, in an anode despite an outside strong magnetic field, and good photo detecting efficiency. CONSTITUTION:Photoelectrons are generated when a photocathode 13 receives light. The photoelectrons generated in the photocathode 13 are collected with an anode 14. These photocathode 13 and anode 14 are provided in a transmittable glass bulb 12. The photoelectron collecting surface of the anode 14 has an area larger than that of the photoelectron generating surface of the photocathode 13 opposite to the photoelectron collecting surface. Moreover the photoelectron collecting surface of the anode 14 is provided near to the photoelectron generating surface of the photocathode 13.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は強磁界中においても動作
可能な光電管に関し、特に、高エネルギ物理の分野にお
いて利用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phototube that can operate even in strong magnetic fields, and is particularly useful in the field of high-energy physics.

【0002】0002

【従来の技術】従来、この種の光電管は図5に示される
断面構造をしている。ガラス容器1の光入射面1aに対
向する内壁面には光電陰極2が形成されており、入射面
1aから到来した光は光電陰極2において光電子に変換
される。変換された光電子は、電界Eにより、光電陰極
2に対向して設けられている陽極3に引き寄せられ、こ
の陽極3に捕らえられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of phototube has a cross-sectional structure shown in FIG. A photocathode 2 is formed on the inner wall surface of the glass container 1 facing the light entrance surface 1a, and light arriving from the entrance surface 1a is converted into photoelectrons at the photocathode 2. The converted photoelectrons are attracted by the electric field E to an anode 3 provided opposite the photocathode 2 and captured by the anode 3.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光電管4においては、電界Eに直交する紙面に垂直
な方向、言い換えれば光入射面1aの法線方向に直交す
る方向に強磁界Bがかかった場合には、光電陰極2に発
生した光電子が陽極3に捕らえられなくなる現象が生じ
る。つまり、光電陰極2に発生した光電子はこの強磁界
Bによりサイクロイド運動を行い、矢示のように光電陰
極2に戻る円運動をする。
However, in the conventional phototube 4, the strong magnetic field B is applied in a direction perpendicular to the plane of the paper that is perpendicular to the electric field E, in other words, in a direction perpendicular to the normal direction of the light incident surface 1a. In this case, a phenomenon occurs in which photoelectrons generated at the photocathode 2 are no longer captured by the anode 3. In other words, the photoelectrons generated at the photocathode 2 perform a cycloidal motion due to this strong magnetic field B, and perform a circular motion returning to the photocathode 2 as shown by the arrow.

【0004】また、この時、光電陰極2の端部に生じた
光電子の軌道は、図6(a)の縦断面図に矢示されるよ
うに、光電陰極2および陽極3に挟まれた空間外に向か
い、陽極3から遠ざかってしまう。同図(b)はこの光
電管の横断面図であり、矢印は光電陰極2の端部に生じ
た上記の光電子の軌道を示している。同図から、光電陰
極2の端部に生じた光電子が陽極3から離れていく様子
が理解される。なお、図6(a),(b)において、図
5と同一部分については同符号を用いている。
At this time, the trajectory of the photoelectrons generated at the end of the photocathode 2 is outside the space sandwiched between the photocathode 2 and the anode 3, as indicated by the arrow in the longitudinal cross-sectional view of FIG. 6(a). and moves away from the anode 3. FIG. 2B is a cross-sectional view of this phototube, and arrows indicate the trajectory of the photoelectrons generated at the end of the photocathode 2. From the figure, it can be understood that photoelectrons generated at the end of the photocathode 2 move away from the anode 3. Note that in FIGS. 6A and 6B, the same parts as in FIG. 5 are designated by the same reference numerals.

【0005】従って、従来構造の光電管4においては、
電界Eに直交する強磁界Bによって光電陰極2に発生し
た光電子は上記のように陽極3に捕らえられなくなるこ
とがある。このため、光電管4の光検出効率は低下して
いた。この検出効率の低下現象は、強磁界Bの方向が光
入射面1aの法線方向に対して直交する場合に顕著に現
れ、強磁界Bの方向が入射面1aの法線方向に近付くと
減少する。
Therefore, in the phototube 4 of the conventional structure,
Photoelectrons generated in the photocathode 2 due to the strong magnetic field B perpendicular to the electric field E may not be captured by the anode 3 as described above. For this reason, the photodetection efficiency of the phototube 4 was reduced. This phenomenon of decrease in detection efficiency appears prominently when the direction of the strong magnetic field B is perpendicular to the normal direction of the light entrance surface 1a, and decreases as the direction of the strong magnetic field B approaches the normal direction of the light entrance surface 1a. do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、陽極の光電子収集面
はこれに対向する光電陰極の光電子発生面より大きな面
積を有し、かつ、陽極の光電子収集面は光電陰極の光電
子発生面に近接して設けられているものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above problems, and the photoelectron collecting surface of the anode has a larger area than the photoelectron generating surface of the photocathode facing thereto, and , the photoelectron collecting surface of the anode is provided in close proximity to the photoelectron generating surface of the photocathode.

【0007】また、このような光電管における陽極の光
電子収集面の周端部が、光電陰極の光電子発生面の周端
部にさらに近接して形成されているものである。
Furthermore, in such a phototube, the peripheral edge of the photoelectron collecting surface of the anode is formed closer to the peripheral edge of the photoelectron generating surface of the photocathode.

【0008】[0008]

【作用】光電陰極に発生した光電子が光電陰極および陽
極に挟まれる空間外に移動しても、陽極はこの空間外に
も存在するため、光電子はこの陽極に捕らえられ易くな
る。陽極の光電子収集面の周端部が光電陰極の光電子発
生面にさらに近接して形成されている場合には、光電陰
極の端部に生じた光電子の軌道はこの陽極の周端部に極
めて近付くため、光電子は特に捕らえ易くなる。また、
光電子がサイクロイド運動をして光電陰極から一旦遠ざ
かって再び戻る軌道をとっても、陽極は光電陰極に近接
しているため、光電子はこの遠ざかった所で陽極に捕ら
えられ易くなる。
[Operation] Even if photoelectrons generated at the photocathode move outside the space sandwiched between the photocathode and the anode, the anode exists outside this space, so the photoelectrons are likely to be captured by the anode. If the peripheral edge of the photoelectron collecting surface of the anode is formed closer to the photoelectron generating surface of the photocathode, the trajectory of photoelectrons generated at the edge of the photocathode will be extremely close to the peripheral edge of the anode. Therefore, photoelectrons are particularly easy to capture. Also,
Even if a photoelectron moves in a cycloidal motion, moving away from the photocathode and returning again, the anode is close to the photocathode, so the photoelectron is more likely to be captured by the anode at this distance.

【0009】[0009]

【実施例】図1は本発明の一実施例による光電管を示す
断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view showing a phototube according to an embodiment of the present invention.

【0010】光電管11は円筒状のガラスバルブ12内
に構成されており、このガラスバルブ12の上面および
底面は気密的に密閉され、その内部は真空状態に維持さ
れている。また、このガラスバルブ12は透明な材料か
らなり、その上面は光入射面12aになっており、透光
性の密閉容器が形成されている。このガラスバルブ12
の光入射面12aに対向する内壁面には、光を受けると
光電子を発生する光電陰極13が形成されている。さら
に、光電陰極13に発生した光電子を収集する陽極14
の光電子収集面がこの光電陰極13の光電子発生面に近
接して設けられており、収集された光電子はリード部1
4aを介してガラスバルブ12の外部に導出される。こ
のリード部14aは陽極14の保持も兼ねている。また
、陽極14の光電子収集面は、これに対向する光電陰極
13の光電子発生面よりも大きな面積を有している。
The phototube 11 is constructed within a cylindrical glass bulb 12. The top and bottom surfaces of the glass bulb 12 are hermetically sealed, and the interior thereof is maintained in a vacuum state. Further, this glass bulb 12 is made of a transparent material, and its upper surface serves as a light incident surface 12a, forming a translucent airtight container. This glass bulb 12
A photocathode 13 that generates photoelectrons when exposed to light is formed on the inner wall surface facing the light incident surface 12a. Furthermore, an anode 14 that collects photoelectrons generated at the photocathode 13
A photoelectron collecting surface is provided in close proximity to the photoelectron generating surface of the photocathode 13, and the collected photoelectrons are transferred to the lead portion 1.
4a to the outside of the glass bulb 12. This lead portion 14a also serves to hold the anode 14. Further, the photoelectron collecting surface of the anode 14 has a larger area than the photoelectron generating surface of the photocathode 13 facing thereto.

【0011】このような構造において、光入射面12a
から到来した光は光電陰極13に衝突し、この光電陰極
13において光電子に変換される。発生した光電子は光
電陰極13および陽極14間に生じている電界Eにより
陽極14側に引き寄せられ、陽極14に捕らえられる。
In such a structure, the light incident surface 12a
The light arriving from the photocathode 13 collides with the photocathode 13, where it is converted into photoelectrons. The generated photoelectrons are drawn toward the anode 14 by the electric field E generated between the photocathode 13 and the anode 14, and are captured by the anode 14.

【0012】本実施例による光電管11によれば、電界
Eに直交する強磁界Bが印加されても、光電陰極13に
生じた光電子は高い確率で陽極14に収集される。つま
り、陽極14の光電子収集面は光電陰極13の光電子発
生面より大きいため、陽極14は光電陰極13およびこ
の陽極14に挟まれる空間外にも存在している。従って
、上記のような強磁界Bの印加により、光電陰極13の
端部に発生した光電子がサイクロイド運動をして光電陰
極13および陽極14間の空間外へ移動しても、光電子
はこの空間外に存在する陽極14によって捕らえられる
確率が高くなる。また、光電陰極13に発生した光電子
がサイクロイド運動をして光電陰極13から一旦遠ざか
って再び戻る軌道をとっても、陽極14は光電陰極13
に近接して設けられているため、光電子はこの遠ざかっ
た所で陽極14に捕らえられ確率が極めて高くなる。
According to the phototube 11 of this embodiment, even if a strong magnetic field B perpendicular to the electric field E is applied, photoelectrons generated at the photocathode 13 are collected at the anode 14 with a high probability. That is, since the photoelectron collecting surface of the anode 14 is larger than the photoelectron generating surface of the photocathode 13, the anode 14 also exists outside the space sandwiched between the photocathode 13 and the anode 14. Therefore, even if the photoelectrons generated at the end of the photocathode 13 undergo cycloidal motion and move out of the space between the photocathode 13 and the anode 14 due to the application of the strong magnetic field B as described above, the photoelectrons will not move out of this space. The probability of being captured by the anode 14 present in the area increases. Furthermore, even if the photoelectrons generated at the photocathode 13 make a cycloidal motion and take a trajectory that once moves away from the photocathode 13 and then returns again, the anode 14
Since the anode 14 is located close to the anode 14, the probability that photoelectrons will be captured by the anode 14 at this far distance is extremely high.

【0013】従って、本実施例による光電管11によれ
ば、光入射面12aの法線方向に直交する方向に強い磁
界Bがかかり、光電陰極13に発生した光電子がサイク
ロイド運動をしても、陽極14に収集される確率は極め
て高くなる。この結果、光電管11の光検出効率は外部
磁界Bの影響を受けることなく、常に、良好な状態に保
たれる。
Therefore, according to the phototube 11 according to the present embodiment, even if a strong magnetic field B is applied in a direction perpendicular to the normal direction of the light incident surface 12a and the photoelectrons generated in the photocathode 13 undergo cycloidal motion, the anode The probability of being collected on 14 is extremely high. As a result, the photodetection efficiency of the phototube 11 is not affected by the external magnetic field B and is always maintained in a good state.

【0014】図2は本発明の他の実施例による光電管の
構造を示す断面図である。本実施例による光電管21に
おいては、ガラスバルブ22の光入射面22a側の内壁
面断面が凸状に形成され、この凸面に光電陰極23が形
成されている。陽極24はこの光電陰極23に近接して
設けられ、光電陰極23の光電子発生面よりも大きな面
積の光電子収集面24aを有している。また、この光電
子収集面24aの周端部には、光電陰極23の光電子発
生面の周端部にさらに近接する側壁24bが形成されて
いる。すなわち、この側壁24bは光電陰極23の周端
部を取り囲むように形成されている。
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a phototube according to another embodiment of the present invention. In the phototube 21 according to this embodiment, the inner wall cross section of the glass bulb 22 on the light incident surface 22a side is formed in a convex shape, and the photocathode 23 is formed on this convex surface. The anode 24 is provided close to the photocathode 23 and has a photoelectron collecting surface 24a having a larger area than the photoelectron generating surface of the photocathode 23. Furthermore, a side wall 24b that is closer to the peripheral end of the photoelectron generating surface of the photocathode 23 is formed at the peripheral end of the photoelectron collecting surface 24a. That is, this side wall 24b is formed so as to surround the peripheral end of the photocathode 23.

【0015】本実施例によれば、上記実施例と同様な効
果を奏する他、さらに次のような効果をも奏する。つま
り、光電陰極23および陽極24間に生じている電界E
に直交する方向に強い磁界Bがかかり、光電陰極23の
端部に生じた光電子がサイクロイド運動をして陽極24
から遠ざかろうとしても、光電子の軌道は陽極24の周
端部にある側壁24bに衝突する。このため、光電陰極
23の端部に生じたほとんどの光電子はこの側壁24b
に捕らえられるようになる。従って、本実施例による光
電管21は上記実施例による光電管11よりも高い光検
出効率を有するようになる。
According to this embodiment, in addition to the same effects as the above embodiment, the following effects are also achieved. In other words, the electric field E generated between the photocathode 23 and the anode 24
A strong magnetic field B is applied in the direction perpendicular to the photocathode 23, and the photoelectrons generated at the end of the photocathode 23 move in a cycloid and move toward the anode 24.
Even if the photoelectrons try to move away from the anode 24, the trajectory of the photoelectrons collides with the side wall 24b at the peripheral end of the anode 24. Therefore, most of the photoelectrons generated at the end of the photocathode 23 are transferred to the side wall 24b.
Becomes captured by. Therefore, the phototube 21 according to this embodiment has a higher light detection efficiency than the phototube 11 according to the above embodiment.

【0016】図3(a)は,本実施例による光電管21
において、外部磁界Bの方向変化に対する光検出感度変
化を示すグラフである。同グラフの横軸はこの外部磁界
Bの入射角度θ[ °¥ を示している。この入射角度
θは、同図(b)において、光電管21の光入射面22
aの法線方向に対し、磁界Bがなす角度である。また、
同グラフの縦軸は、入射角度θ°で外部磁界Bがかかっ
ている場合に光入射面22aに入力された光信号の検出
感度Sを、入射角度0°で外部磁界Bがかかっている場
合に入力された光信号の検出感度S(0°)で正規化し
た値S/S(0°)を表している。この検出感度S(0
°)は、光電陰極23に生じた光電子が外部磁界Bから
受ける影響が最も少ない場合における検出感度である。
FIG. 3(a) shows a photocell 21 according to this embodiment.
3 is a graph showing a change in photodetection sensitivity with respect to a change in the direction of an external magnetic field B. FIG. The horizontal axis of the graph indicates the incident angle θ[°\] of this external magnetic field B. In the same figure (b), this incident angle θ is
This is the angle that the magnetic field B makes with respect to the normal direction of a. Also,
The vertical axis of the graph shows the detection sensitivity S of the optical signal input to the light incidence surface 22a when the external magnetic field B is applied at an incident angle of θ°, and the detection sensitivity S when the external magnetic field B is applied at the incident angle of 0°. It represents the value S/S (0°) normalized by the detection sensitivity S (0°) of the optical signal input to . This detection sensitivity S(0
°) is the detection sensitivity when the photoelectrons generated at the photocathode 23 are least influenced by the external magnetic field B.

【0017】実線で示される特性曲線aは本実施例によ
る光電管21で得られる特性を示しており、点線で示さ
れる特性曲線bは図5に示される従来構造の光電管4で
得られる特性を表している。同グラフから理解されるよ
うに、従来構造の光電管4においては磁界Bの入射角度
θが50°付近から光検出感度が劣化し始めているが、
本実施例による光電管21においては磁界Bの入射角度
θが75°付近から光検出感度が劣化し始めている。つ
まり、本実施例による光電管21においては、外部磁界
Bの入射角度θが急角度になっても、光検出感度の劣化
は少なくなっている。すなわち、光電陰極23および陽
極24が近接し、陽極24の光電子収集面が大きく、し
かも、陽極24の周端部に側壁24bが形成されている
ため、外部磁界Bの印加方向が光入射面22aに平行す
る方向に近付いても、光電陰極23に発生した光電子は
陽極24に収集される確率が極めて高くなっている。
A characteristic curve a shown by a solid line shows the characteristics obtained with the phototube 21 according to this embodiment, and a characteristic curve b shown by a dotted line shows the characteristics obtained by the phototube 4 of the conventional structure shown in FIG. ing. As can be understood from the graph, in the phototube 4 of the conventional structure, the photodetection sensitivity begins to deteriorate when the incident angle θ of the magnetic field B is around 50°.
In the phototube 21 according to this embodiment, the light detection sensitivity begins to deteriorate when the incident angle θ of the magnetic field B is around 75°. That is, in the phototube 21 according to this embodiment, even if the incident angle θ of the external magnetic field B becomes a steep angle, the photodetection sensitivity is less degraded. That is, since the photocathode 23 and the anode 24 are close to each other, the photoelectron collection surface of the anode 24 is large, and the side wall 24b is formed at the peripheral end of the anode 24, the direction of application of the external magnetic field B is directed to the light entrance surface 22a. Even when approaching the direction parallel to the photocathode 23, the probability that the photoelectrons generated at the photocathode 23 will be collected at the anode 24 is extremely high.

【0018】図4は本発明の他の実施例による光電管の
構造を示す断面図である。本実施例による光電管31に
おいては、ガラスバルブ32の光入射面32a側の内壁
面断面が上記実施例と同様に凸状に形成され、この凸面
に光電陰極33が形成されている。陽極34は、この光
電陰極33が形成された光電面に近接して対向している
ガラスバルブ32の内壁面に形成されている。この陽極
34は光電陰極33の光電子発生面よりも大きな面積の
光電子収集面34aを有しており、また、この陽極34
の周端部34bは光電陰極33にさらに近接して位置し
ている。
FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a phototube according to another embodiment of the present invention. In the phototube 31 according to this embodiment, the cross section of the inner wall surface on the light incident surface 32a side of the glass bulb 32 is formed in a convex shape as in the above embodiment, and the photocathode 33 is formed on this convex surface. The anode 34 is formed on the inner wall surface of the glass bulb 32, which faces closely to the photocathode on which the photocathode 33 is formed. This anode 34 has a photoelectron collecting surface 34a having a larger area than the photoelectron generating surface of the photocathode 33, and
The peripheral end portion 34b of is located closer to the photocathode 33.

【0019】本実施例による光電管31も上記実施例に
よる光電管21とほぼ同様な構造になっており、上記実
施例と同様な効果を奏する。
The phototube 31 according to this embodiment has almost the same structure as the phototube 21 according to the above embodiment, and has the same effects as the above embodiment.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
電陰極に発生した光電子が光電陰極および陽極に挟まれ
る空間外に移動しても、陽極はこの空間外にも存在する
ため、光電子はこの陽極に捕らえられ易くなる。陽極の
光電子収集面の周端部が光電陰極の光電子発生面にさら
に近接して形成されている場合には、光電陰極の端部に
生じた光電子の軌道はこの陽極の周端部に極めて近付く
ため、光電子は特に捕らえ易くなる。また、光電子がサ
イクロイド運動をして光電陰極から一旦遠ざかって再び
戻る軌道をとっても、陽極は光電陰極に近接しているた
め、光電子はこの遠ざかった所で陽極に捕らえられ易く
なる。
As explained above, according to the present invention, even if photoelectrons generated at the photocathode move outside the space sandwiched between the photocathode and the anode, the anode also exists outside this space, so the photoelectrons are becomes easily captured by this anode. If the peripheral edge of the photoelectron collecting surface of the anode is formed closer to the photoelectron generating surface of the photocathode, the trajectory of photoelectrons generated at the edge of the photocathode will be extremely close to the peripheral edge of the anode. Therefore, photoelectrons are particularly easy to capture. Furthermore, even if a photoelectron makes a cycloidal motion and takes a trajectory that once moves away from the photocathode and returns again, the anode is close to the photocathode, so the photoelectron is more likely to be captured by the anode at this distance.

【0021】このため、光電陰極に発生した光電子は外
部の強磁界にかかわらず陽極に収集される確率が高くな
り、良好な光検出効率を有する光電管が提供されるよう
になる。
Therefore, the probability that photoelectrons generated at the photocathode will be collected at the anode regardless of an external strong magnetic field is increased, and a phototube with good photodetection efficiency can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の一実施例による光電管の構造を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing the structure of a phototube according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例による第1の光電管の構造
を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a first phototube according to another embodiment of the present invention.

【図3】図2に示された光電管の外部磁界Bの方向変化
に対する光検出感度変化を示す図である
FIG. 3 is a diagram showing a change in photodetection sensitivity with respect to a change in the direction of the external magnetic field B of the phototube shown in FIG. 2.

【図4】本発明
の他の実施例による第2の光電管の構造を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a second phototube according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来の光電管の構造を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the structure of a conventional phototube.

【図6】従来の光電管において光電陰極の端部に生じた
光電子がとる軌道を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining the trajectory taken by photoelectrons generated at the end of a photocathode in a conventional phototube.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…光電管 12…ガラスバルブ 12a…光入射面 13…光電陰極(光電子発生面) 14…陽極(光電子収集面) 14a…リード部 11...Phototube 12...Glass bulb 12a...Light incidence surface 13...Photocathode (photoelectron generation surface) 14...Anode (photoelectron collection surface) 14a...Lead part

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  光を受けると光電子を発生する光電陰
極と、この光電陰極に発生した光電子を収集する陽極と
を備えて構成された光電管において、前記陽極の光電子
収集面はこの光電子収集面に対向する前記光電陰極の光
電子発生面より大きな面積を有し、かつ、前記陽極の光
電子収集面は前記光電陰極の光電子発生面に近接して設
けられていることを特徴とする光電管。
1. A phototube comprising a photocathode that generates photoelectrons when exposed to light, and an anode that collects photoelectrons generated at the photocathode, wherein a photoelectron collecting surface of the anode is arranged on the photoelectron collecting surface. A phototube having a larger area than the photoelectron generating surface of the opposing photocathode, and wherein the photoelectron collecting surface of the anode is provided close to the photoelectron generating surface of the photocathode.
【請求項2】  陽極の光電子収集面の周端部は、光電
陰極の光電子発生面の周端部にさらに近接して形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の光電管。
2. The phototube according to claim 1, wherein the peripheral edge of the photoelectron collecting surface of the anode is formed closer to the peripheral edge of the photoelectron generating surface of the photocathode.
【請求項3】  陽極は、光電陰極およびこの陽極を収
納する透光性の密閉容器と一体になって形成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の光電管
。
3. The phototube according to claim 1, wherein the anode is formed integrally with a photocathode and a translucent sealed container housing the anode.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10104059A (en) * 1996-09-26 1998-04-24 Hamamatsu Photonics Kk Ultraviolet-ray detecting pipe
US6538376B1 (en) 1999-01-19 2003-03-25 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube
JP2008514964A (en) * 2004-10-01 2008-05-08 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド Small gap optical sensor

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