JPH04345930A - 光ディスク記憶装置のレーザ発光量制御方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はデータ記録媒体として光
磁気方式や相変化方式の光ディスクを用いる光ディスク
記憶装置において、データの読み書きに用いるレーザ光
の発光素子の発光量制御方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、光ディスク記憶装置では
データの記録媒体への書き込みやそれからの読み取りの
ために高い光強度の小スポットに集光が容易なレーザ光
を利用しており、その光源用の発光素子には主にレーザ
ダイオードが用いられている。このレーザ光はデータの
書き込みないしそれに先立つイレーズの際には記録媒体
の加熱に用いられるので、記録媒体からの反射光を検出
するデータの読み取り時よりもずっと大きい光量が必要
になる。このため、光ディスク記憶装置のデータの読み
書きの状態に応じて発光素子のレーザ発光量が制御され
る。従来からこの制御は発光量の目標値をデータの読み
書き状態に応じて切り換えることによって行なうのが通
例である。以下、図４と図５を参照しながらかかる従来
技術によるレーザ発光量制御方式の概要を説明する。

【０００３】図４の上部に示された光ディスク１はスピ
ンドルモータ２により定速駆動されており、その表面の
トラックの記録媒体に対してヘッド３から発光素子４か
らのレーザ光Ｌがレンズ３ａにより集光される。ヘッド
３には発光素子４の発光状態をモニタするフォトダイオ
ード等の光検出素子５を図のように組み込むのがふつう
で、発光量検出回路１０はこの光検出素子５の検出信号
をその増幅器１１で増幅して発光量の検出値ｖを出力す
る。 目標値記憶手段２０は発光量に対する目標値を記憶する
もので、光ディスク記憶装置内の組み込みプロセッサ５
０から与えられた読み取り時の第１目標値Ｖ１と，書き
込み時の第２目標値Ｖ２をディジタル値でそれぞれ記憶
するレジスタ２１と２２を備え、読み書き指令ＲＷの状
態に応じ目標値Ｖ１またはＶ２のアナログ値をＤＡ変換
器２３を介して出力する。

【０００４】発光量制御回路３０は、上述の発光量の検
出値ｖをかかる制御目標値と比較してその偏差を補正す
るよう制御信号ＣＳを発光素子４の駆動回路４０に発す
るもので、図では検出値ｖと目標値記憶手段２０から読
み書き指令ＲＷに応じて与えられる上述の目標値Ｖ１ま
たはＶ２の図５に示すアナログ値ｖ１またはｖ２を受け
る偏差増幅器３１により代表された例えばＰＩＤ制御回
路である。これから制御信号ＣＳを受ける素子駆動回路
４０はその出力増幅器４１から発光素子４にそれに応じ
た発光量を指定する駆動電流を出力する。

【０００５】上のように構成された従来のレーザ発光量
制御方式では、光ディスク記憶装置に電源が投入された
起動時ないしは立ち上がり時にプロセッサ５０からその
例えばＲＯＭに記憶されている例えば８ビット構成の目
標値Ｖ１とＶ２を目標値記憶手段２０に対しラッチ指令
ＬＳとともに順次に送ってそのレジスタ２１と２２内に
それぞれ記憶させる。以降は目標値記憶手段２０から読
み書き指令ＲＷの状態に応じてディジタルな目標値Ｖ１
またはＶ２に対応するアナログな目標値ｖ１またはｖ２
が発光量制御回路３０に図５のように順次切り換えて与
えられる。

【０００６】これを受ける発光量制御回路３０は、発光
量検出回路１０から受けている検出値ｖのそれとの偏差
をなくすよう制御信号ＣＳにより発光素子４の発光量を
駆動回路４０を介して制御する。なお、光ディスク１が
例えば光磁気記録方式の場合はデータの書き込みに先立
ってイレーズが必要なので第２目標値Ｖ２ないしは第１
目標値Ｖ１として実際には２種の値を用いるのがふつう
であるが、徒に煩雑になるので上記は各単一の目標値と
して説明したものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図４の従来のレーザ発
光量制御方式でも目標値記憶手段２０内に目標値Ｖ１や
Ｖ２を上述のようにディジタル値で正確に設定するので
レーザ発光量をかなり精度よく制御できるが、発光素子
４の発光特性が温度等の影響により変化すると制御精度
が低下して来る問題がある。

【０００８】例えば、発光素子４として通常用いられる
レーザダイオードはその駆動電流に対する発光しきい値
が温度の影響をかなり受け、かつ駆動電流としきい値の
差に対する発光量の勾配も温度の関数になる。従って、
上述の目標値Ｖ１やＶ２の設定時の温度と実際の運転時
の温度が違うと、発光量制御回路３０により発光量検出
値ｖのアナログ値ｖ１やｖ２からの偏差を補正しても発
光素子４の実際の発光量は設定値から狂って来る。この
解決には目標値の設定を温度に応じて補正すればよいが
、発光特性上のしきい値や勾配の温度依存性が非常に複
雑で，　かつ発光素子ごとにかなり異なるのでかかる温
度補正の実用性には問題が多い。

【０００９】また、運転温度が目標値の設定時からずれ
ると発光量制御回路３０の制御が発光素子４の発光特性
に則してなされなくなるので、読み書き指令に応じて目
標値を切り換えた後の発光量制御の即応性が落ちて、図
５に示すように切り換え直後に書き込み光量の不足や読
み取り光量の過剰が派生する問題がある。

【００１０】本発明の目的は、かかる問題点を解決して
、光ディスク記憶装置のデータ読み書き用レーザ発光素
子の発光特性が変化しても、その発光量を正確に制御で
きるようにすることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のレーザ発光量制
御方式によればこの目的は、発光素子の発光量を検出す
る手段と、読み書きの状態ごとに発光素子の発光量に対
する制御目標値を記憶する手段と、発光量の検出値を制
御目標値と比較して制御偏差を補正するように制御信号
を発する発光量制御回路と、制御信号を受けそれに応じ
た発光量で発光素子を駆動する回路と、読み書きの状態
変化に同期してタイミングパルスを発生する回路と、タ
イミングパルスに同期して発光量の検出値を記憶する手
段とを光ディスク記憶装置に組み込み、読み書きの状態
変化のつどに検出値記憶手段内の検出値の記憶内容と基
準目標値に基づいて目標値記憶手段内の制御目標値を逐
次更新して行くことによって達成される。

【００１２】なお、上記の構成にいう目標値記憶手段内
の制御目標値の記憶内容の更新は、読み書きの状態変化
後にパルス発生回路から所定個数のタイミングパルスが
発生した後に検出値記憶手段に記憶されている所定個数
の発光量検出値と基準目標値とに基づいて行なうように
するのが最も確実であり、かかる更新は発光量検出値の
その基準目標値からの偏差が許容限度より大なときに限
って行なうのが合理的である。更新が必要な場合は上述
の偏差の正負に応じて目標値記憶手段内の制御目標値の
記憶内容を所定単位値ずつ増減させて行なうのが実際的
で、制御精度の点からもふつうは充分である。

【００１３】本発明方式の上記構成中の発光量検出手段
と発光量制御手段と素子駆動回路とは目標値記憶手段に
よる制御目標値に基づいてアナログ動作をさせるのがレ
ーザ発光量に対する制御速度を高める上で有利で、検出
値記憶手段と目標値記憶手段とはパルス発生回路による
タイミングパルスに基づいてディジタル動作をさせるの
が制御目標値を更新する精度を高める上で有利であり、
かかるアナログ動作とディジタル動作との併用が本発明
方式がもつ高い制御性能を有利に発揮する上でとくに望
ましい。

【００１４】また、読み書き状態の変化後の発光量制御
の即応性を上げるには、目標値記憶手段内に制御目標値
を発光量の過渡的な変化時用と定常時用とに分けて記憶
して置き、発光量制御回路に対して出力すべきこれら両
制御目標値をパルス発生回路からタイミングパルスが順
次発生される過程で切り換えるようにするのがとくに有
利である。なお、かかる切り換えのタイミングはタイミ
ングパルスが所定個数発生した時点とするのが最も簡単
である。

【００１５】さらに、本発明方式を構成する検出値記憶
手段と目標値記憶手段は光ディスク記憶装置の組み込み
プロセッサ内に装荷したソフトウエアによって構成する
のが最も簡単でかつ有利である。以上のほかの本発明方
式の実施に際して有利な態様は実施例の項で述べるとお
りである。

【００１６】

【作用】本発明方式は、レーザ発光素子の発光量に対す
る制御の基礎となる制御目標値を光ディスク記憶装置の
読み書きの状態変化のつどに発光量検出値に応じて逐次
更新して行くことにより、光ディスク記憶装置の運転中
の発光素子の発光特性の変化の影響が自動的に補償され
るようにしたものである。このため、本発明方式でも発
光量検出手段と発光量制御手段と素子駆動回路とにより
目標値記憶手段内の制御目標値に基づいて発光素子の発
光量を制御するのは従来と同じであるが、本発明方式で
は前項の構成にいう検出値記憶手段を設けて発光量検出
手段による検出値を記憶させて置き、読み書きの状態変
化のつどにこれに記憶された発光量検出値と発光量に対
する基準目標値とに基づいて目標値記憶手段内の制御目
標値を逐次更新して行くことにより、発光素子の発光特
性が変化しても制御目標値がそれに則した更新値に置き
換えられるようにする。

【００１７】しかし、これだけでは読み書き状態が切り
換わった後に発光量が変化する過渡状態を正確に検出し
かつ記憶した上で制御目標値を適切に更新するには必ず
しも充分でないので、本発明方式ではさらにパルス発生
回路を設けて光ディスク記憶装置の読み書きの状態変化
に同期したタイミングパルスを発生させ、このパルスに
同期して検出値記憶手段に発光量の検出値を記憶させる
。これにより、検出値記憶手段に読み書きの状態変化後
の常に一定のタイミングでサンプリングされた発光量が
記憶されるので、本発明方式ではその内容に基づいて制
御目標値を更新することにより発光素子の発光特性の変
化が発光量制御の即応性に与える影響を最低限に抑える
ことができる。

【００１８】

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明のレーザ発光量制御方式の実施例を示
す光ディスク記憶装置の構成図、図２は関連する主な信
号の波形図、図３は関連する動作の流れ図であり、前に
説明した図４との対応部分には同じ符号が付されている
。

【００１９】図１において、光ディスク１がスピンドル
モータ２によりされ、ヘッド３からその表面に発光素子
４のレーザ光Ｌがレンズ３ａにより集光され、ヘッド３
に発光素子４の発光量をモニタする光検出素子５が組み
込まれ、その検出信号が発光量検出回路１０の増幅器１
１で増幅されて検出値ｖとして出力されるのは図４の場
合と同じであるが、本発明方式では発光量検出回路１０
内にＡＤ変換器１２を組み込んで発光量検出値ｖのアナ
ログ値をタイミングパルスＴＰに同期して例えば８ビッ
トのディジタル値に変換させる。

【００２０】目標値記憶手段２０にプロセッサ５０から
与えられるディジタルな第１目標値Ｖ１と第２目標値Ｖ
２をそれぞれ記憶するレジスタ２１と２２を設けるのは
図４の場合と同じであるが、この実施例ではこれらのレ
ジスタにそれぞれ対応してＤＡ変換器２３と２４を設け
て、第１目標値Ｖ１のアナログ値を常に出力させて置き
、第２目標値Ｖ２のアナログ値を読み書き指令ＲＷが書
き込み指定状態の時にのみ出力させて両者の和でデータ
書き込み時の発光量を指定するようになっている。

【００２１】発光量制御回路３０はこれに対応して構成
され、発光量検出値ｖとＤＡ変換器２４の出力を差動的
に受ける演算増幅器３１と，　その出力とＤＡ変換器２
３の出力を和動的に受ける演算増幅器３２とを含む例え
ばＰＩＤ動作のアナログ回路であり、後者の出力を制御
信号ＣＳとして発光素子４の駆動回路４０に与える。従
ってこの実施例における発光量制御回路３０は、データ
の読み取り時には第１目標値Ｖ１に対応する図２（ｃ）
　のアナログの目標値ｖ１，　書き込み時には第１目標
値Ｖ１と第２目標値Ｖ２の和に対応するアナログの目標
値ｖ２に対する発光量検出値ｖの偏差をそれぞれ補正す
るように制御信号ＣＳを絶えず出力する。なお、光ディ
スク１が光磁気記録方式の場合は前述のように実際には
イレーズ用を含めて第２目標値Ｖ２には２種の値が用い
られるが、煩雑を避けるためここでは単一の目標値とす
る。

【００２２】素子駆動回路４０は制御信号ＣＳを受けて
その出力増幅器４１から従来と同様にそれに応じた発光
量を指定する駆動電流を発光素子４に与える。

【００２３】以上により、目標値記憶手段２０内の制御
目標値Ｖ１とＶ２に基づいて発光素子４の発光量を制御
するためのアナログな自動制御系が構成されるが、本発
明方式では光ディスク記憶装置の運転中にその読み書き
の状態変化ごとに制御目標値Ｖ１とＶ２を更新して行く
ためにパルス発生回路６０と検出値記憶手段７０とを設
ける。

【００２４】パルス発生回路６０は目標値記憶手段２０
やプロセッサ５０とともに図２（ａ）　に示すようにこ
の例ではローで読み取り状態，　ハイで書き込み状態を
それぞれ指定する読み書き指令ＲＷを受け、その状態変
化に応じかつそれに同期して図２（ｂ）　に示すタイミ
ングパルスＴＰを発生して、発光量検出手段１０内の前
述のＡＤ変換器１２と，プロセッサ５０と，　検出値記
憶手段７０とに与える。なお、このタイミングパルスＴ
Ｐは連続的に発生させてもよいが、この実施例では図２
（ｃ）　に示すように読み書きの状態変化後に発光量の
検出値ｖの変化がほぼ収まり切るまでの期間Ｔ内に８個
のタイミングパルスＴＰを発生させる。

【００２５】検出値記憶手段７０はこのタイミングパル
スＴＰに応動して発光量検出手段１０からその検出値ｖ
をＡＤ変換器１２により変換したディジタル値をそのつ
ど読み取って記憶する。これにより、読み書きの状態変
化のつどその直後に図２（ｂ）　の期間Ｔ内に発光量検
出値ｖが図２（ｃ）　のように経時変化する様子がこの
実施例では８個のディジタル値でこの検出値記憶手段７
０内に記憶される。 プロセッサ５０は同様にタイミングパルスＴＰを受けて
おり、これを８個受けた直後に検出値記憶手段７０の記
憶内容を読み取り、それに基づいて後述のように目標値
記憶手段２０内の目標値を更新する。図２のように読み
取り状態から書き込み状態に変化した場合はこれに対応
する第２目標値Ｖ２の方の更新が主体になる。

【００２６】なお、本発明方式では以上の説明からわか
るように目標値記憶手段２０と検出値記憶手段７０をプ
ロセッサ５０内に装荷したソフトウエアの形で光ディス
ク記憶装置に組み込む有利であり、目標値記憶手段２０
のＤＡ変換器２３と２４にもプロセッサ５０に付随する
ものを適宜利用することができる。

【００２７】以上で本発明方式の構成の説明を終えたの
で、ついで図３の流れ図を参照してその動作を説明する
。同図は光ディスク記憶装置に組み込まれたプロセッサ
５０内のソフトウエアの動作ステップを示すものである
。電源投入後の光ディスク記憶装置の起動時，　つまり
プロセッサ５０のソフトウエアのシステム立ち上げに際
して図示の流れが起動される。

【００２８】最初のステップＳ５１はこの起動時だけの
ステップであって、プロセッサ５０から目標値記憶手段
２０にラッチ指令ＬＳとともに第１目標値Ｖ１と第２目
標値Ｖ２とを順次送って記憶させる。この際の目標値Ｖ
１とＶ２としてはプロセッサ５０のＲＯＭに記憶されて
いるそれらの基準値をそのまま用いることでよいが、発
光素子４の発光量の検出結果から１回目の更新を済ませ
た上で光ディスク記憶装置を運転に入れるのが望ましい
。このためには、図１で破線で示したようにプロセッサ
５０から読み書き指令ＲＷを目標値記憶手段２０とパル
ス発生回路６０に送り、タイミングパルスＴＰに同期し
て発光量検出回路１０から発光量検出値ｖのディジタル
値をプロセッサ５０に読み込むようにすることでよい。

【００２９】ステップＳ５２以降の動作は光ディスク記
憶装置の運転中絶えず繰り返される。ステップＳ５２は
読み書き指令ＲＷの状態変化に伴いパルス発生回路６０
から発生するタイミングパルスＴＰの待ちステップであ
り、その到来に応じて次のステップＳ５３に動作が移っ
てパルス計数用の変数ｎに１を加えた後に、ステップＳ
５４で変数ｎの値を所定値ｍ，　この実施例では８と比
較してそれより小である限り動作を最初のステップＳ５
１に戻して同じ動作を繰り返す。

【００３０】変数ｎの値がｍに達した時、前述のように
図２（ｃ）　の８個の検出値ｖが検出値記憶手段７０内
に記憶されており、同時に動作はステップＳ５４からル
ープを抜けてステップＳ５５に移る。このステップＳ５
５では、まず上述の８個の発光量検出値ｖのディジタル
値を検出値記憶手段７０から読み込み、ついで変数ｎを
０にリセットした上で動作を次のステップＳ５６に移す
。

【００３１】このステップＳ５６では、前ステップＳ５
５で読み込んだ検出値ｖを基準目標値と比較して例えば
両値の差が許容限度以上か否かにより目標値Ｖ１やＶ２
の更新が必要か否かを判定し、否の場合は流れを最初の
ステップＳ５２に戻し、要の場合に限り動作を次のステ
ップＳ５７に移す。このステップＳ５７が目標値記憶手
段２０内に記憶されている制御目標値Ｖ１ないしＶ２の
更新ステップであり、以下この更新の若干の要領例を説
明する。

【００３２】レーザダイオードの場合の発光素子４の発
光特性は前述のようにその駆動電流に対する発光しきい
値および駆動電流と発光しきい値の差に対する発光量の
勾配によってほぼ決まり、この実施例での読み取り状態
用の第１目標値Ｖ１は小さく、書き込み状態用の第２目
標値Ｖ２はこれよりずっと大きいから、第１目標値Ｖ１
の方は主に発光しきい値に，第２目標値Ｖ２の方は主に
上述の勾配にそれぞれ対応すると見做せる。従って、読
み取り状態または書き込み状態で発光量検出値ｖがその
基準目標値からずれた場合は発光特性の発光しきい値ま
たは勾配が変化したことを示すから、最も単純には第１
目標値Ｖ１または第２目標値Ｖ２をそれぞれ読み取りま
たは書き込状態における基準目標値からの偏差をそれぞ
れ独立に補償するよう更新することでよい。しかし実際
には、これら目標値Ｖ１とＶ２はそれぞれ純粋には発光
しきい値と勾配に対応せずいずれにも若干は依存するか
ら、ステップＳ５７の目標値Ｖ１やＶ２の更新ソフトウ
エアにはこの相互依存性が組み込まれる。

【００３３】図２（ｃ）　からわかるように、発光量検
出値ｖの時間的な変化は期間Ｔ内の前半と後半とでかな
り異なり、制御速度の向上には前半の変化を促進するの
がとくに望ましい。このため、期間Ｔを例えばタイミン
グパルスＴＰにして各４個分ずつの前半Ｔ１と後半Ｔ２
とに分けて発光量検出値ｖが変化する例えば勾配を計算
し、この計算結果に基づき発光量の変化を促進するよう
この図２の例では第２目標値Ｖ２の方を若干高めた過渡
目標値を読み取り状態から書き込み状態への切り換わり
直後の短時間内，　例えば３個のタイミングパルスＴＰ
に相当する期間内だけ目標値記憶手段２０から出力させ
るのが有利である。

【００３４】なお、この場合の第２目標値Ｖ２の更新は
後半Ｔ２における４個の発光量検出値ｖに基づいて行な
われる。また、過渡目標値の更新はもちろん前半Ｔ１内
の検出値ｖが検出値記憶手段７０内に記憶された後に行
なわれ、更新された過渡目標値は次に読み書きの状態変
化が同じ方向に発生した際に利用される。

【００３５】ステップＳ５７におけるかかる制御目標値
の更新は読み書きの状態変化のつどになされるから、実
際には一度の更新で発光素子４の発光特性の変化を完全
に補償してしまう必要はなく、毎回の更新を制御目標値
Ｖ１やＶ２を所定の単位値ずつ増減させて行なうように
しても制御精度の点でも充分なことが多く、このいわば
逐次更新法は図３のソフトウエアを簡易化する上で有利
である。しかし、この更新法では書き込み状態用の第２
目標値Ｖ２が高くなり過ぎると発光量に過渡的なオーバ
シュートが出る問題があるので、期間Ｔ内の複数個の検
出値ｖのいずれもがその基準目標値を越えていない時に
限って第２目標値Ｖ２を増加させるようにするのが過剰
なオーバシュートを防止する上で望ましい。

【００３６】以上のようにこのステップＳ５７で第１目
標値Ｖ１や第２目標値Ｖ２を更新した後は動作の流れは
最初のステップＳ５２に戻され、以後は同様な動作が光
ディスク記憶装置の運転時間を通じて繰り返される。な
お、図２（ｃ）　にはこのステップＳ５７において第２
目標値Ｖ２を更新した場合の更新時刻ｔｕ　以降の発光
量検出値ｖの経過が示されている。

【００３７】以上の説明からもわかるように、本発明は
上述の実施例に限らず種々の態様で実施をすることがで
きる。上述では制御目標値の更新要領として発光素子の
発光特性の変化を１回の更新で正確に補償する方法と読
み書きの状態変化のつど少しずつ更新して行く方法を示
したが、場合により両者の中間的な方法を適宜に採用す
ることができる。過渡目標値を用いる場合にも種々の態
様で発光量を制御することが可能である。また、本発明
方式はふつうの光磁気形に限らず相変化形等の光ディス
ク記憶装置一般に広く適用できる。

【００３８】

【発明の効果】以上のとおり本発明のレーザ発光量制御
方式では、レーザ発光素子の発光量を検出する手段と、
読み書きの状態ごとに発光素子の発光量に対する制御目
標値を記憶する手段と、発光量検出値をこの制御目標値
と比較して制御偏差を補正するように制御信号を発する
発光量制御回路と、制御信号を受けそれに応じた発光量
で発光素子を駆動する回路と、読み書きの状態変化に同
期してタイミングパルスを発生する回路と、タイミング
パルスに同期して発光量の検出値を記憶する手段とを光
ディスク記憶装置内に組み込み、検出値記憶手段内の検
出値の記憶内容と基準目標値とに基づいて目標値記憶手
段内の制御目標値を読み書きの状態変化のつど更新して
行くことにより、次の効果を得ることができる。

【００３９】（ａ）　光ディスク記憶装置の運転中に発
光素子の発光特性が温度の影響等により変化しても、そ
の発光量の制御の基礎となる制御目標値が光ディスク記
憶装置の読み書きの状態変化のつどに発光量検出値に応
じて更新され、発光特性の変化の影響が自動的に補償さ
れるので、データ読み書き用レーザ光の発光量を常にそ
の基準目標値に正確に維持して光ディスク記憶装置を最
良の状態で運転することができる。

【００４０】（ｂ）　読み書きの状態変化に同期したタ
イミングパルスに応じて発光量の検出値を検出値記憶手
段に記憶させるようにしたので、読み書きの状態変化後
の発光量の過渡的変化を常に一定したタイミングで検出
してそれに基づいて制御目標値を発光素子の発光特性の
変化を補償するよう正確に更新でき、かつ発光特性の変
化による発光量制御の即応性の低下を最低限に抑えるこ
とができる。

【００４１】（ｃ）　制御目標値に基づく発光量制御系
と制御目標値の更新系とを併用してそれぞれの特長を発
揮させるようにしたので、発光素子の発光特性の変化を
補償するよう正確に更新された制御目標値に基づいて発
光素子の発光量を非常に速い制御速度で制御することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるレーザ発光量制御方式の実施例を
示す光ディスク記憶装置の要部の構成図である。

【図２】図１の実施例に関連する主な信号を同図（ａ）
　〜（ｃ）　に示す波形図である。

【図３】図１の実施例に関連する動作の流れ図である。

【図４】従来のレーザ発光量制御方式を示す光ディスク
記憶装置の構成図である。

【図５】図４の発光量制御方式の動作を示す関連信号の
波形図である。

【符号の説明】

１　　　　　　光ディスク ４　　　　　　発光素子 １０　　　　　　発光量検出手段 ２０　　　　　　目標値記憶手段 ３０　　　　　　発光量制御回路 ４０　　　　　　素子駆動回路 ５０　　　　　　プロセッサ ６０　　　　　　パルス発生回路 ７０　　　　　　検出値記憶手段 ＣＳ　　　　　　制御信号 Ｌ　　　　　　レーザ光 ＲＷ　　　　　　読み書き指令 ＴＰ　　　　　　タイミングパルス Ｖ１　　　　　　制御目標値としての読み取り時用の第
１目標値Ｖ２　　　　　　制御目標値としての書き込み
時用の第２目標値ｖ　　　　　　発光量検出値

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ディスク記憶装置のデータ読み書き用レ
   ーザ光の発光素子の発光量を制御する方式であって、発
   光素子の発光量を検出する手段と、読み書きの状態ごと
   に発光素子の発光量に対する制御目標値を記憶する手段
   と、発光量の検出値を制御目標値と比較して制御偏差を
   補正するよう制御信号を発する発光量制御回路と、制御
   信号を受けそれに応じた発光量で発光素子を駆動する回
   路と、読み書きの状態変化に同期してタイミングパルス
   を発生する回路と、タイミングパルスに同期して発光量
   の検出値を記憶する手段とを備え、検出値記憶手段内の
   検出値の記憶内容と基準目標値に基づいて目標値記憶手
   段内の制御目標値を読み書きの状態変化のつど更新する
   ようにしたことを特徴とする光ディスク記憶装置のレー
   ザ発光量制御方式。
2. 【請求項２】請求項１に記載の方式において、読み書き
   の状態変化後に所定個数のタイミングパルスが発生した
   時に検出値記憶手段に記憶された所定個数の検出値に基
   づき目標値記憶手段内の制御目標値を更新するようにし
   たことを特徴とする光ディスク記憶装置のレーザ発光量
   制御方式。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の方式において、
   発光量検出値のその基準目標値からの偏差が許容値より
   も大きいときにその正負に応じて目標値記憶手段内の制
   御目標値を所定の単位値ずつ加減して更新するようにし
   たことを特徴とする光ディスク記憶装置のレーザ発光量
   制御方式。
4. 【請求項４】請求項１に記載の方式において、目標値記
   憶手段内に読み書きの状態変化後の発光量の過渡的な変
   化時用と定常時用の制御目標値が記憶され、タイミング
   パルスに応じてこれら制御目標値を切り換えるようにし
   たことを特徴とする光ディスク記憶装置のレーザ発光量
   制御方式。
5. 【請求項５】請求項１に記載の方式において、検出値記
   憶手段および目標値記憶手段が光ディスク記憶装置内に
   組み込まれたプロセッサに装荷されたソフトウエアによ
   って構成されることを特徴とする光ディスク記憶装置の
   レーザ発光量制御方式。