JPH04346318A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタをス
イッチング素子に用いたアクティブマトリクス方式の液
晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃ
ｒｙｓｔａｌ　　Ｄｉｓｐｌａｙ）の表示方式として単
純マトリクス方式を採用した液晶表示装置が広く利用さ
れている。しかしながら、画面を高精細化するために走
査線数を増加させると、液晶に印加される実効電圧の低
下等によってコントラストが低下したり、視覚範囲がせ
まくなるという問題があった。

【０００３】そこで、近年、表示方式として、画面を数
万から数十万に分割し、画素の１個１個に非線形素子、
例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設け、そのスイ
ッチング特性を利用して各画素の動作を制御するという
アクティブマトリクス方式が、走査線を増加させてもコ
ントラストや視覚範囲，応答速度の低下を生じないとい
うことで注目されている。図１２にはアクティブマトリ
クス方式を用いた従来のＴＦＴ−ＬＣＤの模式的な回路
図が示されている。

【０００４】このＬＣＤは、ＴＦＴ３，電極画素５及び
補助容量７とからなる基本画素１がマトリクス状に配列
された構成をしている。ＴＦＴ３のゲ−ト，ソ−ス，ド
レインはそれぞれ走査線Ｇｎ　，信号線Ｓｍ　，画素電
極５に接続され、補助容量７は画素電極３に接続されて
いる。

【０００５】このように構成された基本画素１を用いた
ＬＣＤでは、走査線Ｇｎ　に与えられた走査信号により
ＴＦＴ３のオン／オフが選択されると共に、この走査信
号に同期した信号線Ｓｍ　に与えられた映像信号によっ
て振幅変調されたパルス信号を、ＴＦＴ３のドレインを
介して画素電極５に与えることで液晶（不図示）の配向
を制御している。

【０００６】しかしながら、構造、製造プロセスが複雑
なため、画面が大型化すると、歩留まりが急激に低下す
るという問題があった。例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤで６４
０×４８０画素のカラ−表示の実現するには、６４０×
３×４８０＝９２万画素が必要になるので、９２万個の
ＴＦＴ，１９２０本の信号線，４８０本の走査線の全て
にわたり断線やショ−ト等の不良を無くさなければなら
ない。

【０００７】このような不良があると画面に表示欠陥が
生じる。表示欠陥には線欠陥と点欠陥があり、一般に、
点欠陥の方が発生しやすい。点欠陥となる原因はいくつ
かあるが、そのひとつしてＴＦＴの不良がある。ＴＦＴ
の不良による点欠陥の対策として、複数ＴＦＴ方式のア
クティブマトリクス方式が提案されている。

【０００８】図１３はこのような方式を用いた従来のＴ
ＦＴ−ＬＣＤの模式的な回路図が示されている。これが
先に説明したものと異なる点は、各基本画素１にそれぞ
れ２つのＴＦＴ３ａ，３ｂを設けたことにある。

【０００９】即ち、ＴＦＴ３ａのゲ−ト，ソ−ス，ドレ
インはそれぞれ走査線Ｇｎ　，信号線Ｓｍ　，画素電極
５に接続され、ＴＦＴ３ｂのゲ−ト，ソ−ス，ドレイン
はそれぞれ走査線Ｇｎ＋１　，信号線Ｓｍ，画素電極５
に接続されている。そして、ＴＦＴ３ａ，３ｂがともに
正常の場合には、ＴＦＴ３ｂの出力信号が画素電極５に
与えられように制御されている。したがって、ＴＦＴ３
ａが不良の場合には、レ−ザ等を用いてＴＦＴ３ａを画
素電極５又は信号線Ｓｍ　から切り離すことでＬＣＤの
修復できる。

【００１０】また、ＴＦＴ３ｂが不良の場合には、ＴＦ
Ｔ３ａと同様にしてＴＦＴ３ｂを画素電極５又は信号線
Ｓｍ　から切り離してＬＣＤの修復を行なう。しかしな
がら、この場合、ＴＦＴ３ａの信号は正規の信号ではな
く、１つ上の画素のＴＦＴの信号と同じ信号であるため
、１ドットごとに正規の信号を用いないと情報を正確に
表現できないＬＣＤ、例えば、ＯＡ用のＬＣＤにおいて
は画像が変化するという問題が生じる。また、テレビ用
のＬＣＤなどでは、１画素がずれても画像は大きく変化
しないが、やはりＴＦＴの不良は点欠陥として現われる
ので画質が低下する。

【００１１】更に、顕微鏡等を用いても形状からは不良
なＴＦＴを発見するのが困難であるため、どのＴＦＴを
修復すればよいのか分からないという問題があった。何
故なら、不良なＴＦＴでもその形状は正常であることが
多いからである。

【００１２】そこで、ＴＦＴに不良が生じた画素に正規
の信号を送るために、１画素当たりの走査線や信号線の
数を複数にすることが提案された。しかしながら、この
場合、配線領域が増えるので開口率が低下したり、隣接
する配線同志のショ−トが発生し易くなるという問題が
生じる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く従来のアク
ティブマトリクス方式を採用した液晶表示装置では、大
画面化すると、ＴＦＴの数が非常に多くなるため、ＴＦ
Ｔの不良による点欠陥が発生し易くなり、画質が低下す
るという問題があった。このような問題を解決する対策
はいくつか提案されていたが、その欠点も顕著になり、
本命視されるものはまだなかった。

【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、不良なＴＦＴを容易に
見つけだせ、点欠陥の少ない液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、各画素
に複数の電界効果トランジスタを設けると共にこれら電
界効果トランジスタのいずれかを介して信号線と画素電
極との間に可変抵抗体を挿設したことにある。

【００１６】即ち、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置は、液晶の配向を入力信号により制御
する画素電極と、一方のソ−ス・ドレインが前記画素電
極に接続され、他方のソ−ス・ドレインに信号線に接続
され、ゲ−トが走査線に接続された複数の電界効果トラ
ンジスタとを有する画素がマトリクス配列されてなる液
晶表示装置において、前記複数の電界効果トランジスタ
のいずれかを介して信号線と画素電極との間に可変抵抗
体を挿設したことを特徴とする。

【００１７】

【作用】可変抵抗体が低抵抗の状態で液晶表示装置を駆
動すると、即ち、画素内の全電界トランジスタと画素電
極とを電気的に接続にすると、不良な電界効果トランジ
スタは正常な動作をしないため、表示や電気的応答等の
良否から不良な電界効果トランジスタを有する画素を発
見することができる。

【００１８】次に可変抵抗体が高抵抗の状態で液晶表示
装置を駆動すると、即ち、可変抵抗体に接続された電界
トランジスタと画素電極とを電気的に切断すると、可変
抵抗体に接続された電界効果トランジスタが不良な場合
と、可変抵抗体に接続されていない電界効果トランジス
タが不良な場合とでは、表示や電気的応答等などが異な
るため、どちらの電界効果トランジスタが不良なのか特
定できる。

【００１９】このようにして不良な電界効果トランジス
タを特定できるので、その電界効果トランジスタを画素
電極又は信号線から分離することで点欠陥の発生を防止
できる。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明する
。図１には本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の
単位画素の模式的な回路図が示されている。

【００２１】単位画素１は、ゲ−トが走査線Ｇｎ　に接
続され、ソ−ス、ドレインがそれぞれ信号線Ｓｍ　，画
素電極５に接続された２つのＴＦＴ３ａ，３ｂと、画素
電極５とグランド線ＧＮＤｎ　との間に挿設された補助
容量７と、ＴＦＴ３ａのドレインと画素電極５との間に
挿設された可変抵抗体９とで構成されている。図２は上
記のように構成された単位画素１を用いて作成したＬＣ
Ｄの平面図を示し、図３は図２のＡ−Ａ´断面図である
。図３に示すようにＴＦＴ３ａは、ゲ−ト電極１３がゲ
−ト絶縁膜１５を介して活性層１７の下部に形成された
逆スタガ−型ＴＦＴである。

【００２２】即ち、ＴＦＴ３ａは、ガラス基板等の透光
性絶縁基板１１上に設けられ、走査線Ｇｎ　に接続した
ゲ−ト電極１３と、このゲ−ト電極１３上に設けられた
ゲ−ト絶縁膜１５と、このゲ−ト絶縁膜１５上に設けら
れたアモルファスシリコンからなる活性層１７と、この
活性層１７上に設けられた保護膜１９と、信号線Ｓｎ　
に接続し、不純物が添加されたコンタクト層２１を介し
て活性層１７に接合したソ−ス電極２３と、可変抵抗体
９に接続したドレイン電極２５とからなる。なお、ＴＦ
Ｔ３ｂの構成はＴＦＴ３ａのそれと同じである。

【００２３】可変抵抗体９は、ＴＦＴ３ａからゲ−ト電
極を除いたものと基本的に同じ構成であり、接続電極２
７を介して画素電極５に接続されている。可変抵抗体９
の活性層１７の材料及び形成工程はＴＦＴ３ａのそれと
同じである。また、可変抵抗体９の抵抗は、通常強度の
バックライト光の照射で十分に小さくなるようになって
いる。

【００２４】ＴＦＴ３ａ，可変抵抗体９上には保護膜２
９が堆積されている。そしてこのような基本画素１がマ
トリクス配列された透光性絶縁基板１１（マトリクスア
レイ基板）上には、配向膜３１，液晶３３，配向膜３５
，対向電極３７，カラ−フィルタ３９，ブラックマトリ
クス４１が設けられ、マトリクスアレイ基板と透光性絶
縁基板４３とにより挾持されている。また、液晶３３と
反対側の透光性絶縁基板１１，４１の表面にはそれぞれ
偏向板４３，４５が設けられている。

【００２５】なお、図２に示すように走査線Ｇｎ　と信
号線Ｓｍ　，Ｓｍ＋１　との交差部４９ａ，ｂ、グラン
ド線ＧＮＤｎ　と信号線Ｓｍ　，Ｓｍ＋１　との交差部
４９ｃ，ｄには活性層１７，コンタクト層２１の材料膜
が残されており、オ−バエッチングによる層間ショ−ト
の低減が図られている。このように構成された液晶表示
装置では、以下のようにして不良なＴＦＴが特定される
。

【００２６】最初、ＴＦＴを駆動して画面全体の表示を
黒にすると共に、液晶表示装置のバックライトを調整し
て通常強度のバックライト光５１をＬＣＤに照射する。 そして、目視或いは画像認識を利用した装置により、表
示状態を調べて不良な画素、つまり、不良なＴＦＴを有
する画素を見つけだす。

【００２７】次にバックライト光の強度を弱め、上記不
良な基本画素の表示状態を調べる。このとき、不良な基
本画素の表示が良好になれば可変抵抗９に接続されたＴ
ＦＴ３ａが不良だと特定でき、不良な基本画素の表示が
変わらなれば、可変抵抗体９に接続されていないＴＦＴ
３ｂが不良だと特定できる。このように不良なＴＦＴを
特定できるのは次のように説明される。

【００２８】バックライト光５１の強度が弱いと、可変
抵抗体９の抵抗が高くなるため、可変抵抗体９に接続さ
れたＴＦＴ３ａの良好，不良にかかわらずＴＦＴ３ａの
出力レベルは低下する。即ち、可変抵抗体９に接続され
ていないＴＦＴ３ｂのみで画素電極５を制御しているの
と同じ状態になる。

【００２９】その結果、ＴＦＴ３ａが不良であっても、
画素電極５はその影響を受けないため、ＴＦＴ３ｂが良
好であれば、表示は良好になり、ＴＦＴ３ｂが不良であ
れば、表示は不良なまま変わらない。したがって、バッ
クライト光５１の強度を弱くすることで基本画素１のＴ
ＦＴ３ａ，３ｂのどちらが不良なのか特定できる。

【００３０】次にＬＣＤの修復を行なう。即ち、透光性
基板１１の裏面からＹＡＧレ−ザ等のレ−ザ光を照射し
、不良なＴＦＴと画素電極との接続を断つ。例えば、可
変抵抗体９に接続しているＴＦＴ３ａが不良ならば、ド
レイン電極２５又は接続電極２７にレ−ザ光を照射して
切断すれば良い。このとき、ＴＦＴ３ａ，３ｂのゲ−ト
は共通の走査線Ｇｎ　に接続されているので１つ上の基
本画素の信号が画素電極５に与えられるという問題は生
じない。

【００３１】また、可変抵抗体９の抵抗は、通常動作に
おけるバックライト光で十分小さくなるため、ＴＦＴ３
ｂが不良の場合でも、ＴＦＴ３ａだけでも所定レベルの
信号を画素電極５に与えることができる。

【００３２】更に、ＴＦＴ３ａの出力レベルが低下した
場合でも、ＴＦＴ３ａを含む基本画素１の表示は、周囲
の画素の表示が黒であっても白くなるということがなく
、実用上の問題はなっかた。なお、本実施例ではバック
ライト光の強度を変えて不良なＴＦＴを特定したが、バ
ックライト光の強度を一定にしたままでも、不良なＴＦ
Ｔを特定できる。

【００３３】即ち、可変抵抗体９の抵抗が十分小さくな
る程度の強度のバックライト光を透光性基板１１の裏面
から照射して表示が異常な基本画素１を見つけた後、Ｌ
ＣＤを裏返し、透光性基板４１側からバックライト光を
照射して不良なＴＦＴを特定する。

【００３４】不良なＴＦＴが特定できるのは、透光性基
板４１側からバックライト光を照射すると、ブラックマ
トリクス３９により可変抵抗体９への光が遮断されるた
めである。

【００３５】かくして本実施例の液晶表示装置では不良
なＴＦＴの検出が容易になるため、点欠陥を完全に修復
することができるようになり、その結果、画質の低下を
未然に防止することができ、歩留まりが改善される。

【００３６】図４には本発明の第２の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。 なお、図１の基本画素１と対応する部分には図１と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の液晶
表示装置の第１の実施例のそれと異なる点は、可変抵抗
体９をＴＦＴ３ｂのソ−スと信号線Ｓｍ　との間に挿設
したことにある。

【００３７】このように構成された基本画素１を用いた
ＬＣＤでも、バックライト光を照射することで可変抵抗
体９の抵抗を変えることでＴＦＴ３ｂの動作を制御でき
るので第１の実施例と同様な効果が得られるのは勿論の
こと、可変抵抗体９が基本画素の形成領域ではなく、配
線部分に形成されているので透光性基板１１に占める基
本画素の割合を小さくでき、開口率等の性能指標が改善
されるという効果がある。

【００３８】図５には本発明の第３の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。 なお、図１の基本画素１と対応する部分には図１と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。

【００３９】この実施例の液晶表示装置の第１の実施例
のそれと異なる点は、ＴＦＴ３ａ，３ｂのゲ−トを走査
線Ｇｎ　上に形成するのではなく、走査線Ｇｎ　から分
岐した配線上に形成したことにある。

【００４０】このように構成されたＬＣＤでも第１の実
施例と同様な効果が得られるは勿論のこと、走査線Ｇｎ
　の幅をＴＦＴ３ａ，３ｂに左右されずに決めることが
できるため、走査線Ｇｎ　の抵抗を容易に制御できると
いう効果がある。

【００４１】図６には本発明の第４の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。 なお、図１の基本画素１と対応する部分には図１と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の液晶
表示装置が第１の実施例のそれと異なる点は、電極構造
体５３を可変抵抗体９に並列接続したことにある。図７
は図６のように構成された基本画素１を用いて作成した
ＬＣＤの平面図を示し、図８，図９はそれぞれ図７のＢ
−Ｂ´断面図，Ｃ−Ｃ´断面図である。

【００４２】電極構造体５３の構成は、基本的にはＴＦ
Ｔ３ａ，３ｂと同じある。下部電極５５は、接続電極２
３と同一の材料からなり、上部電極５７と平面的に重な
り合っている。電極構造体５３のポイントは直流的には
絶縁されているが後の処理で電極館をショ−トできる構
造を有していることである。したがって、電極構造体５
３は本実施例の構成に限るものではない。

【００４３】このように構成された基本画素を用いたＬ
ＣＤでもバックライト光を照射することで可変抵抗体９
の抵抗を変えることでＴＦＴ３ｂの動作を制御できるの
で第１の実施例と同様な効果が得られる。

【００４４】更に、ＴＦＴ３ａが不良の場合、透光性基
板１１の裏面からＹＡＧレ−ザ光等を用いて下部電極５
５を部分的に溶融して下部電極５５と上部電極５７とを
短絡することでＴＦＴ３ｂの駆動能力の低下を防止でき
るという利点がある。

【００４５】即ち、ＴＦＴ３ｂには可変抵抗体９が直列
接合しているのでＴＦＴ３ｂの駆動能力が低下する恐れ
があるが、下部電極５５と上部電極５７とを短絡するこ
とでＴＦＴ３ｂの出力信号を可変抵抗体９を介さずに低
抵抗の電極構造体５３を介して画素電極５に与えること
ができる。このため、可変抵抗体９の形成領域が狭く、
断面積が小さい場合でもＴＦＴ３ｂの駆動能力の低下を
確実に防止できる。

【００４６】図１０には本発明の第５の実施例に係る液
晶表示装置の基本画素１の模式的な回路図が示されてい
る。なお、図１，図６の基本画素と対応する部分には図
１，図６と同一符号を付し、詳細な説明は省略する。

【００４７】この実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、予備用のＴＦＴ３ｃを設け、この
ＴＦＴ３ｃと画素電極５との間に電極構造体５３を挿設
したことにある。

【００４８】このように構成された基本画素からなるＬ
ＣＤでは、不良なＴＦＴを画素電極５とから切り離した
後、電極構造体５３の下部電極と上部電極とを短絡する
こと修復できる。

【００４９】その結果、ＴＦＴ３ｃが不良なＴＦＴの代
わりとして使用できるため、２つのＴＦＴで画素電極の
電位を制御でるようになり、素子特性、例えば、オン電
流やトランジスタの電極間容量を正常な基本画素と同じ
にすることができる。したがって、修復にともなう基本
画素の特性のばらつきを抑制でき、より画質の優れた液
晶表示装置を得ることができる。なお、本実施例の液晶
表示装置でも第１の実施例のそれと同様な効果が得られ
るのはいうまでもない。

【００５０】図１１には本発明の第６の実施例に係る液
晶表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている
。なお、図１の基本画素と対応する部分には図１と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。

【００５１】この実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、可変抵抗体９ａにＦＥＴを用いた
ことにある。ＦＥＴのゲ−ト，ソ−ス，ドレインはそれ
ぞれは補助容量７，ＴＦＴ３ａのドレイン，ゲ−トに接
続されている。このように構成された基本画素１からな
るＬＣＤでは、以下のような手順で不良なＴＦＴを特定
できる。

【００５２】最初、ＴＦＴを駆動すると共に、グランド
線ＧＮＤｎ　の電位を高電位にしてＦＥＴのソ−ス・ド
レイン間の抵抗を十分小さくする。この状態でＬＣＤの
表示状態を調べて不良なＴＦＴを有する基本画素を見つ
ける。

【００５３】次にグランド線ＧＮＤＧｎ　の電位を低電
位にしてＴＦＴ３ｂのみで基本画素５の電位を制御する
。 このとき、第１の実施例と同じ理由で、不良なＴＦＴを
有する基本画素の表示が良くなれば、ＦＥＴに接続され
たＴＦＴが不良だと特定でき、表示状態が変わらなけれ
ばＦＥＴに接続されていない方のＴＦＴが不良だと特定
できる。不良なＴＦＴが特定されたら、第１の実施例と
同様にして不良なＴＦＴを画素電極又は信号線から切り
離してＬＣＤを修復する。

【００５４】このように構成された基本画素を用いたＬ
ＣＤでは、バックライト光を用いなくても可変抵抗体９
の抵抗を変えることができるので反射型の液晶表示装置
にも適用できるという利点がある。

【００５５】なお、上記実施例では、不良なＴＦＴを見
つけるために正規の信号を用いたが、例えば、可変抵抗
体９の抵抗を小さくできないとき、つまり、可変抵抗体
９が低抵抗の状態でもＴＦＴ３ａの出力レベルが所定の
値まで上がらないときには、正規のパルス信号よりパル
ス幅が広いパルス信号を走査線Ｇに与えてＴＦＴ３ａの
駆動力を高めても良い。

【００５６】また、第１〜第５の実施例のように２つの
ＴＦＴ３ａ，３ｂを用いた基本画素１では、これらＴＦ
Ｔ３ａ，３ｂがともに正常なときは、ＴＦＴ３ａの能力
を完全には利用できないが，ＴＦＴ３ｂが１つのみより
オン電流が大きくなるのでＴＦＴが１つしかない基本画
素に比べて小さいＴＦＴを用いることができる。

【００５７】即ち、ＴＦＴが１つの基本画素のＴＦＴの
駆動力，大きさをともに１とすると、ＴＦＴ３ａ，３ｂ
の駆動力，大きさをそれぞれ０．７，０．４とすること
でＴＦＴ全体の駆動力，大きさをそれぞれ１．４，０．
８とすることができる。なお、本発明は上述した実施例
に限定されるものではない。

【００５８】例えば、上記実施例では透光性基板１１の
裏面から光を照射したが、透光性基板４１の表面から光
を照射してもＴＦＴの検査を行なうことができる。また
、可変抵抗体９に光を照射する代わりに温度を変えるこ
とで抵抗を制御しても良い。更に、光と電圧とを利用し
て可変抵抗体の抵抗を制御するなど、複数の制御方法を
組合わせて抵抗を制御してもよい。更にまた、可変抵抗
体９としてアモルファスシリコンを用いる代わりに多結
晶シリコンを用いても良い。

【００５９】また、上記実施例では１つのＴＦＴにしか
可変抵抗体９を設けなかったが、複数のＴＦＴに設けて
も良い。この場合、抵抗値の変化が各ＴＦＴで異なるよ
うにし、どのＴＦＴが不良なのか特定し易いようにする
ことが望ましい。これは可変抵抗体９の幅や長さを調整
することで実現できる。

【００６０】更に、上記実施例では、ＬＣＤを作成した
後に、ＴＦＴの検査を行なったが、マトリクスアレイ基
板の状態で行なっても良い。例えば、信号線から電荷を
書き込み、一定時間後にその電荷をＴＦＴを介して読み
だし、正規の電荷が保持されているか否かを調べれば不
良なＴＦＴを見つけることができる。更にまた、上記実
施では、ＴＦＴの検査について説明したが、同じ方法を
用いて補助容量７の検査もできる。そしてまた、本発明
は、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を用いた液晶表示装
置にも適用できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施できる。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、不
良なＴＦＴを容易に見つけることができるので点欠陥が
少ない液晶表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の単
位画素の模式的な回路図。

【図２】図１の単位画素を用いたＬＣＤの平面図。

【図３】図２のＬＣＤのＡ−Ａ´断面図。

【図４】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。

【図５】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。

【図６】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。

【図７】図６の単位画素を用いたＬＣＤの平面図。

【図８】図７のＬＣＤのＢ−Ｂ´断面図。

【図９】図７のＬＣＤのＣ−Ｃ´断面図。

【図１０】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の
基本画素の模式的な回路図。

【図１１】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の
基本画素の模式的な回路図。

【図１２】従来のＴＦＴ−ＬＣＤの模式的な回路図

【図
１３】従来の複数ＴＦＴ方式のＴＦＴ−ＬＣＤの模式的
な回路図

【符号の説明】

１…単位画素、３ａ，３ｂ，３ｃ…ＴＦＴ、５…画素電
極、７…補助容量、９，９ａ…可変抵抗体、１１…透光
性絶縁基板、１３…接続電極、１５…ゲ−ト絶縁膜、１
７…活性層、１９…保護膜、２１…コンタクト層、２３
，２５，２７…接続電極、２９，３１…保護膜、３３…
液晶、３５…対向電極、３７…カラ−フィルタ、３９…
ブラックマトリクス、４１…透光性絶縁基板、４３，４
５…偏向板、４９ａ〜４９ｂ…交差部、５１…バックラ
イト、５３…電極構造体、５５…下部電極、５７…上部
電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】液晶の配向を入力信号により制御する画素
   電極と、一方のソ−ス・ドレインが前記画素電極に接続
   され、他方のソ−ス・ドレインが信号線に接続され、ゲ
   −トが走査線に接続された複数の電界効果トランジスタ
   とを有する画素がマトリクス配列されてなる液晶表示装
   置において、前記複数のトランジスタのいずれかを介し
   て前記信号線と前記画素電極との間に可変抵抗体が挿設
   されていることを特徴とする液晶表示装置。