JPH04331922A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
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- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイ
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配設
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。表示絵素の選択方式として、
個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極のそれ
ぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極を選
択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）素子
、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向電極
間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチング
して、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層あるいは
プラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、該光
学的変調が表示パターンとして視認される。このような
、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの
表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッ
サ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている
。
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配設
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。表示絵素の選択方式として、
個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極のそれ
ぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極を選
択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）素子
、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向電極
間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチング
して、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層あるいは
プラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、該光
学的変調が表示パターンとして視認される。このような
、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの
表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッ
サ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている
。
【０００３】ところで、このようなアクティブマトリク
ス表示装置において、例えばスイッチング素子が不良素
子として形成されると、その不良素子に接続された絵素
電極には本来与えられるべき信号が入力されないため、
表示画面上では点状の絵素欠陥、即ち、点欠陥として認
識される。このような点欠陥は、表示装置の表示品位を
著しく損ない、製品歩留りの観点から大きな問題になる
。
ス表示装置において、例えばスイッチング素子が不良素
子として形成されると、その不良素子に接続された絵素
電極には本来与えられるべき信号が入力されないため、
表示画面上では点状の絵素欠陥、即ち、点欠陥として認
識される。このような点欠陥は、表示装置の表示品位を
著しく損ない、製品歩留りの観点から大きな問題になる
。
【０００４】絵素不良の主たる原因は、以下の２種類の
ものに大別される。１つは、走査信号（ゲートバスライ
ンからの信号）によってスイッチング素子が選択されて
いる時間内に、絵素電極を十分に充電できないために起
こる不良（以下ＯＮ不良という）であり、今１つは、ス
イッチング素子の非選択時に絵素電極に充電した電荷が
漏洩するために起こる不良（以下ＯＦＦ不良という）で
ある。
ものに大別される。１つは、走査信号（ゲートバスライ
ンからの信号）によってスイッチング素子が選択されて
いる時間内に、絵素電極を十分に充電できないために起
こる不良（以下ＯＮ不良という）であり、今１つは、ス
イッチング素子の非選択時に絵素電極に充電した電荷が
漏洩するために起こる不良（以下ＯＦＦ不良という）で
ある。
【０００５】ここで、ＯＮ不良はスイッチング素子の不
良に起因するが、ＯＦＦ不良はスイッチング素子を介し
て電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極とバスラインと
の間に電気的漏洩が起こる場合との２種類がある。ＯＮ
不良、ＯＦＦ不良いずれの場合も、絵素電極と対向電極
との間に印加される電圧が必要な値に達しなくなるため
、ノーマリホワイトモード（液晶に印加される電圧が０
の時に光の透過率等が最大になる表示モード）を採用す
る場合は、絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラック
モード（電圧０で透過率が最低になる表示モード）を採
用する場合は黒点に見えることになる。
良に起因するが、ＯＦＦ不良はスイッチング素子を介し
て電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極とバスラインと
の間に電気的漏洩が起こる場合との２種類がある。ＯＮ
不良、ＯＦＦ不良いずれの場合も、絵素電極と対向電極
との間に印加される電圧が必要な値に達しなくなるため
、ノーマリホワイトモード（液晶に印加される電圧が０
の時に光の透過率等が最大になる表示モード）を採用す
る場合は、絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラック
モード（電圧０で透過率が最低になる表示モード）を採
用する場合は黒点に見えることになる。
【０００６】このような点欠陥はスイッチング素子が配
設される基板の作成段階で発見されれば、レーザートリ
ミング等で修正可能なものもあるが、しかしながら、該
基板の作成途中で膨大な数の絵素の中からかかる点欠陥
を検出するのは極めて困難であり、製造時間や製造コス
トを考慮すると、量産レベルでは不可能といってよい。 特に、絵素数が１０万〜５０万個におよぶ大型表示パネ
ルでは完全に不可能であるといえる。
設される基板の作成段階で発見されれば、レーザートリ
ミング等で修正可能なものもあるが、しかしながら、該
基板の作成途中で膨大な数の絵素の中からかかる点欠陥
を検出するのは極めて困難であり、製造時間や製造コス
トを考慮すると、量産レベルでは不可能といってよい。 特に、絵素数が１０万〜５０万個におよぶ大型表示パネ
ルでは完全に不可能であるといえる。
【０００７】そこで、該基板に対向側基板を貼り合わせ
、液晶を封入した段階でバスラインに検査用の電気信号
を加えて点欠陥を目視で容易に検出でき、検出された点
欠陥部を表示装置の外部からレーザートリミング等によ
り修正を加えることができる表示装置が提案されている
。図４及び図６に示される表示装置がそれである。
、液晶を封入した段階でバスラインに検査用の電気信号
を加えて点欠陥を目視で容易に検出でき、検出された点
欠陥部を表示装置の外部からレーザートリミング等によ
り修正を加えることができる表示装置が提案されている
。図４及び図６に示される表示装置がそれである。
【０００８】図４に示す表示装置では、対向配置される
一対の基板の内の一方の基板上に、ゲートバスライン２
１、２１…を横方向に配線し、これと直交する縦方向に
ソースバスライン２３、２３…を配線してなる。隣接す
るゲートバスライン２１、２１およびソースバスライン
２３、２３で囲まれた矩形の各領域には、絵素電極４１
が配設される。
一対の基板の内の一方の基板上に、ゲートバスライン２
１、２１…を横方向に配線し、これと直交する縦方向に
ソースバスライン２３、２３…を配線してなる。隣接す
るゲートバスライン２１、２１およびソースバスライン
２３、２３で囲まれた矩形の各領域には、絵素電極４１
が配設される。
【０００９】加えて、ゲートバスライン２１から分岐（
突出）したゲートバス支線２２上には、スイッチング素
子として機能するＴＦＴ３１が形成されている。ゲート
バス支線２２はＴＦＴ３１のゲート電極として機能する
部分と、該部分より幅の狭い部分とを有する。ＴＦＴ３
１のドレイン電極３３は絵素電極４１に電気的に接続さ
れ、ソース電極３２はソースバスライン２３に接続され
る。
突出）したゲートバス支線２２上には、スイッチング素
子として機能するＴＦＴ３１が形成されている。ゲート
バス支線２２はＴＦＴ３１のゲート電極として機能する
部分と、該部分より幅の狭い部分とを有する。ＴＦＴ３
１のドレイン電極３３は絵素電極４１に電気的に接続さ
れ、ソース電極３２はソースバスライン２３に接続され
る。
【００１０】この表示装置における欠陥の検出及び修正
は次のような手順により行われる。欠陥の検出は、ＴＦ
Ｔ３１が形成された基板と対向基板とを貼り合わせ、間
に液晶を封入した状態でゲートバスライン２１…、ソー
スバスライン２３…及び対向基板側に設けた対向電極に
、適当な信号を与えることにより目視で検査する。次ぎ
に、欠陥が検出されると、該当する絵素をレーザートリ
ミング等により修正する。
は次のような手順により行われる。欠陥の検出は、ＴＦ
Ｔ３１が形成された基板と対向基板とを貼り合わせ、間
に液晶を封入した状態でゲートバスライン２１…、ソー
スバスライン２３…及び対向基板側に設けた対向電極に
、適当な信号を与えることにより目視で検査する。次ぎ
に、欠陥が検出されると、該当する絵素をレーザートリ
ミング等により修正する。
【００１１】その修正は、まず、図５に示すようにＴＦ
Ｔ３１を設けたゲートバス支線２２の幅の狭い部分をレ
ーザートリミングにより切断し、ＴＦＴ３１をゲートバ
スライン２１から切り離す。図中において２重線で表さ
れる領域５１がレーザートリミング部分である。このト
リミングにより、ＴＦＴ３１のゲート電極はゲートバス
ライン２１と電気的に非接続状態となる。続いて、ゲー
ト電極とソース電極３２とが重なっている領域５２と、
ゲート電極と絵素電極４１とが重なっている領域５３と
に、レーザ光を照射して小さなスポットでこれを撃ち抜
く。撃ち抜いた穴の周辺を介して、上下に重なっている
電極同士が電気的に接続され、これによりゲート電極を
通してソースバスライン２３と絵素電極４１とは電気的
に接続されることになる。こうすることで絵素電極４１
はソースバスライン２３と短絡され、常時ソース信号と
同電位になり、目的を達することが可能となる。
Ｔ３１を設けたゲートバス支線２２の幅の狭い部分をレ
ーザートリミングにより切断し、ＴＦＴ３１をゲートバ
スライン２１から切り離す。図中において２重線で表さ
れる領域５１がレーザートリミング部分である。このト
リミングにより、ＴＦＴ３１のゲート電極はゲートバス
ライン２１と電気的に非接続状態となる。続いて、ゲー
ト電極とソース電極３２とが重なっている領域５２と、
ゲート電極と絵素電極４１とが重なっている領域５３と
に、レーザ光を照射して小さなスポットでこれを撃ち抜
く。撃ち抜いた穴の周辺を介して、上下に重なっている
電極同士が電気的に接続され、これによりゲート電極を
通してソースバスライン２３と絵素電極４１とは電気的
に接続されることになる。こうすることで絵素電極４１
はソースバスライン２３と短絡され、常時ソース信号と
同電位になり、目的を達することが可能となる。
【００１２】一方、図６に示す表示装置は、ゲートバス
ライン２１から分岐（突出）したゲートバス支線２２上
に同様にＴＦＴ３１が形成されると共に、絵素電極４１
とソースバスライン２３とを短絡させるための冗長構造
部が特別に付設されている。上記冗長構造部とは、ソー
スバスライン２３から突出させて突出部４６が形成され
、この突出部４６と一部を重畳させて導電体部４７が形
成され、更にこの導電体部４７と重畳させて、絵素電極
４１と電気的に接続した導電体片４８が形成された構造
を指す。なお、突出部４６と導電体部４７との間、及び
導電体部４７と導電体片４８との間は、それぞれ絶縁膜
を介装することにより絶縁される。
ライン２１から分岐（突出）したゲートバス支線２２上
に同様にＴＦＴ３１が形成されると共に、絵素電極４１
とソースバスライン２３とを短絡させるための冗長構造
部が特別に付設されている。上記冗長構造部とは、ソー
スバスライン２３から突出させて突出部４６が形成され
、この突出部４６と一部を重畳させて導電体部４７が形
成され、更にこの導電体部４７と重畳させて、絵素電極
４１と電気的に接続した導電体片４８が形成された構造
を指す。なお、突出部４６と導電体部４７との間、及び
導電体部４７と導電体片４８との間は、それぞれ絶縁膜
を介装することにより絶縁される。
【００１３】この表示装置の場合の修正は次のように行
う。液晶を封入した状態で点灯して欠陥が検出されると
ガラス越しにレーザ光を照射し、図７に示すように、導
電体部とソースバスライン２３の突出部との重畳部の領
域５４を接続し、導電体部と導電体片との重畳部の領域
５５を接続する。このとき、導電体片は予め絵素電極と
電気的に接続されているため、以上の２回のレーザ照射
でソースバスライン２３と絵素電極４１とを短絡でき、
目的を達成することが可能となる。
う。液晶を封入した状態で点灯して欠陥が検出されると
ガラス越しにレーザ光を照射し、図７に示すように、導
電体部とソースバスライン２３の突出部との重畳部の領
域５４を接続し、導電体部と導電体片との重畳部の領域
５５を接続する。このとき、導電体片は予め絵素電極と
電気的に接続されているため、以上の２回のレーザ照射
でソースバスライン２３と絵素電極４１とを短絡でき、
目的を達成することが可能となる。
【００１４】以上のことから理解されるように、従来の
表示装置は、絵素電極４１と、その絵素電極４１に信号
を供給しているソースバスライン２３とを短絡すること
により、点欠陥を目立たなくして修正することが可能な
構造となしてある。
表示装置は、絵素電極４１と、その絵素電極４１に信号
を供給しているソースバスライン２３とを短絡すること
により、点欠陥を目立たなくして修正することが可能な
構造となしてある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した構
造の表示装置において、図８に示すような箇所でソース
バスラインと絵素電極との間にリークが発生すると、そ
の発生箇所によっては対処できないでいた。例えば、絵
素電極４１に信号を与えるソースバスライン２３と絵素
電極４１との間が斜線部８１でリークしている場合には
、ＴＦＴ３１の非選択期間において、リークしているソ
ースバスライン２３に電流が流れていってしまうため、
その絵素電極４１は欠陥として認識される。そこで、該
当するＴＦＴ３１の部分を上述したようにしてレーザ加
工を施すことにより、ソースバスライン２３と絵素電極
４１とを短絡させることができ、不良絵素を修正するこ
とが可能となる。ところが、斜線部８２で絵素電極４１
が右隣のソースバスライン２３とリークしている場合に
は、ＴＦＴ３１の部分をレーザ加工すると、ＴＦＴ３１
を介して絵素電極４１と左隣のソースバスライン２３が
リークして、絵素電極４１を挟む両側のソースバスライ
ン２３、２３間がリークすることとなる。このようにな
ると、２本のソースバスライン２３、２３を通る信号が
、修正を行った絵素電極４１を介して混信することにな
る。この場合には線欠陥となり、単なる点欠陥よりさら
に深刻である。
造の表示装置において、図８に示すような箇所でソース
バスラインと絵素電極との間にリークが発生すると、そ
の発生箇所によっては対処できないでいた。例えば、絵
素電極４１に信号を与えるソースバスライン２３と絵素
電極４１との間が斜線部８１でリークしている場合には
、ＴＦＴ３１の非選択期間において、リークしているソ
ースバスライン２３に電流が流れていってしまうため、
その絵素電極４１は欠陥として認識される。そこで、該
当するＴＦＴ３１の部分を上述したようにしてレーザ加
工を施すことにより、ソースバスライン２３と絵素電極
４１とを短絡させることができ、不良絵素を修正するこ
とが可能となる。ところが、斜線部８２で絵素電極４１
が右隣のソースバスライン２３とリークしている場合に
は、ＴＦＴ３１の部分をレーザ加工すると、ＴＦＴ３１
を介して絵素電極４１と左隣のソースバスライン２３が
リークして、絵素電極４１を挟む両側のソースバスライ
ン２３、２３間がリークすることとなる。このようにな
ると、２本のソースバスライン２３、２３を通る信号が
、修正を行った絵素電極４１を介して混信することにな
る。この場合には線欠陥となり、単なる点欠陥よりさら
に深刻である。
【００１６】本発明は、このような従来技術の欠点を解
決するものであり、点欠陥が生じてもこれを容易に修正
でき、しかも線欠陥が起こりにくく、製品の歩留りを格
段に向上させることができるアクティブマトリクス表示
装置を提供することを目的とする。
決するものであり、点欠陥が生じてもこれを容易に修正
でき、しかも線欠陥が起こりにくく、製品の歩留りを格
段に向上させることができるアクティブマトリクス表示
装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、走査線、信号線、絵素電極及びこれ
らに接続されたスイッチング素子を備えたアクティブマ
トリクス表示装置において、隣接する信号線間に２つず
つ絵素電極が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極に
それぞれ接続したスイッチング素子が同一の走査線と同
一の信号線とに接続し、かつ該走査線より分岐させた走
査支線の上又は下に配して設けられ、各スイッチング素
子の信号電極と該走査支線とが間に絶縁膜を挟んで交差
する状態に形成され、また該走査支線と該絵素電極とが
間に絶縁膜を挟んで交差する状態に形成され、更に各走
査支線の走査線からの分岐点とスイッチング素子との間
が他の部分よりも狭幅となしてあり、そのことによって
上記目的が達成される。
リクス表示装置は、走査線、信号線、絵素電極及びこれ
らに接続されたスイッチング素子を備えたアクティブマ
トリクス表示装置において、隣接する信号線間に２つず
つ絵素電極が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極に
それぞれ接続したスイッチング素子が同一の走査線と同
一の信号線とに接続し、かつ該走査線より分岐させた走
査支線の上又は下に配して設けられ、各スイッチング素
子の信号電極と該走査支線とが間に絶縁膜を挟んで交差
する状態に形成され、また該走査支線と該絵素電極とが
間に絶縁膜を挟んで交差する状態に形成され、更に各走
査支線の走査線からの分岐点とスイッチング素子との間
が他の部分よりも狭幅となしてあり、そのことによって
上記目的が達成される。
【００１８】また、本発明のアクティブマトリクス表示
装置は、走査線、信号線、絵素電極及びこれらに接続さ
れたスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス表
示装置において、隣接する信号線間に２つずつ絵素電極
が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞれ接
続したスイッチング素子が同一の走査線と同一の信号線
とに接続して設けられ、該絵素電極と電気的に接続させ
て設けた導電体片と該信号線とに両端部を重畳させて導
電体部が形成され、該導電体部と該導電体片との間及び
導電体部と該信号線との間がそれぞれ絶縁膜を介装して
電気的に絶縁されており、そのことにより上記目的が達
成される。
装置は、走査線、信号線、絵素電極及びこれらに接続さ
れたスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス表
示装置において、隣接する信号線間に２つずつ絵素電極
が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞれ接
続したスイッチング素子が同一の走査線と同一の信号線
とに接続して設けられ、該絵素電極と電気的に接続させ
て設けた導電体片と該信号線とに両端部を重畳させて導
電体部が形成され、該導電体部と該導電体片との間及び
導電体部と該信号線との間がそれぞれ絶縁膜を介装して
電気的に絶縁されており、そのことにより上記目的が達
成される。
【００１９】
【作用】上記構成のアクティブマトリクス表示装置にあ
っては、隣接する信号線間に２つずつ絵素電極が設けら
れ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞれ接続したス
イッチング素子が同一の走査線と同一の信号線とに接続
して設けられている。このため、１つの絵素電極につい
ては、１つの信号線にだけ隣接することとなる。よって
、従来においては絵素電極を挟んで両側に存在していた
２本の信号線のうち、絵素電極に信号を与える側の信号
線とは異なる側の信号線と絵素電極との間でリークが発
生することがあったが、その発生自体を防止することが
できる。
っては、隣接する信号線間に２つずつ絵素電極が設けら
れ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞれ接続したス
イッチング素子が同一の走査線と同一の信号線とに接続
して設けられている。このため、１つの絵素電極につい
ては、１つの信号線にだけ隣接することとなる。よって
、従来においては絵素電極を挟んで両側に存在していた
２本の信号線のうち、絵素電極に信号を与える側の信号
線とは異なる側の信号線と絵素電極との間でリークが発
生することがあったが、その発生自体を防止することが
できる。
【００２０】また、点欠陥が発生した場合、走査支線の
狭幅となっている箇所をカットし、信号線から突出形成
した信号電極と信号支線とが間に絶縁膜を挟んで交差し
ている箇所と、走査支線と絵素電極とが間に絶縁膜を挟
んで交差している箇所とを短絡させる。これにより、信
号線と絵素電極とが電気的に接続され、修正することが
可能となる。この時、修正を施したことによるソース間
リークが発生することはない。
狭幅となっている箇所をカットし、信号線から突出形成
した信号電極と信号支線とが間に絶縁膜を挟んで交差し
ている箇所と、走査支線と絵素電極とが間に絶縁膜を挟
んで交差している箇所とを短絡させる。これにより、信
号線と絵素電極とが電気的に接続され、修正することが
可能となる。この時、修正を施したことによるソース間
リークが発生することはない。
【００２１】一方、冗長構造部を持つ場合には、導電体
部の一端部と信号線との重畳部および、導電体部の他端
部と導電体片との重畳部を短絡させる。これにより、絵
素電極とこの絵素電極に信号を与える信号線とが電気的
に接続され、点欠陥を修正することが可能となる。
部の一端部と信号線との重畳部および、導電体部の他端
部と導電体片との重畳部を短絡させる。これにより、絵
素電極とこの絵素電極に信号を与える信号線とが電気的
に接続され、点欠陥を修正することが可能となる。
【００２２】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００２３】図１及び図２は本実施例のアクティブマト
リクス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一
対の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる
。下側の基板１上には、走査線として機能する複数本の
ゲートバスライン２１、２１…および信号線として機能
する複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線さ
れ、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形状の領域そ
れぞれに２つの絵素電極４１ａ、４１ｂがマトリクス上
に配設される。これら２つの絵素電極４１ａ、４１ｂは
、後述する理由によりソースバスライン２３を挟んで両
側に存在するもの同士を一対としてある。
リクス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一
対の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる
。下側の基板１上には、走査線として機能する複数本の
ゲートバスライン２１、２１…および信号線として機能
する複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線さ
れ、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形状の領域そ
れぞれに２つの絵素電極４１ａ、４１ｂがマトリクス上
に配設される。これら２つの絵素電極４１ａ、４１ｂは
、後述する理由によりソースバスライン２３を挟んで両
側に存在するもの同士を一対としてある。
【００２４】上記ゲートバスライン２１から分岐してゲ
ートバス支線２２ａ、２２ｂが形成され、このゲートバ
ス支線２２ａ、２２ｂの先端部の上にスイッチング素子
として機能するＴＦＴ３１ａ、３１ｂが形成されている
。ゲートバス支線２２ａ、２２ｂは、ゲートバスライン
２１からの分岐点とＴＦＴ３１ａ、３１ｂとの間を、他
の部分に比べて狭くなして、レーザ等による修正を行い
易くしてある。上記ＴＦＴ３１ａ、３１ｂはそれぞれ絵
素電極４１ａ、４１ｂに接続されている。
ートバス支線２２ａ、２２ｂが形成され、このゲートバ
ス支線２２ａ、２２ｂの先端部の上にスイッチング素子
として機能するＴＦＴ３１ａ、３１ｂが形成されている
。ゲートバス支線２２ａ、２２ｂは、ゲートバスライン
２１からの分岐点とＴＦＴ３１ａ、３１ｂとの間を、他
の部分に比べて狭くなして、レーザ等による修正を行い
易くしてある。上記ＴＦＴ３１ａ、３１ｂはそれぞれ絵
素電極４１ａ、４１ｂに接続されている。
【００２５】したがって、同一のソースバスライン２３
を通る信号は、ＴＦＴ３１ａ、３１ｂを介してソースバ
スライン２３の両側に形成した２つの絵素電極４１ａ、
４１ｂへ与えられる。つまり、ソースバスライン２３の
両側の２つの絵素電極４１ａ、４１ｂは、全く同じ表示
を行う一対の絵素電極を構成する。
を通る信号は、ＴＦＴ３１ａ、３１ｂを介してソースバ
スライン２３の両側に形成した２つの絵素電極４１ａ、
４１ｂへ与えられる。つまり、ソースバスライン２３の
両側の２つの絵素電極４１ａ、４１ｂは、全く同じ表示
を行う一対の絵素電極を構成する。
【００２６】以下各部の詳細を制作手順に従って説明す
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作成する。この作成は、一般にＴａ
、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッタ
リング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後に
パターニングして作成される。この時、同時にゲートバ
ス支線２２ａ、２２ｂが作成される。本実施例では透明
絶縁性基板１としてガラス基板１を用いた。なお、ゲー
トバスライン２１の下にベースコート膜としてＴａ２Ｏ
５等の絶縁膜を形成することにしてもよい。
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作成する。この作成は、一般にＴａ
、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッタ
リング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後に
パターニングして作成される。この時、同時にゲートバ
ス支線２２ａ、２２ｂが作成される。本実施例では透明
絶縁性基板１としてガラス基板１を用いた。なお、ゲー
トバスライン２１の下にベースコート膜としてＴａ２Ｏ
５等の絶縁膜を形成することにしてもよい。
【００２７】次いで、ゲートバスライン２１（ゲートバ
ス支線２２ａ、２２ｂを含む）上にゲート絶縁膜１３を
積層する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｎｘ膜を３００ｎｍ堆積してゲート絶縁膜１３とした。 なお、ゲート絶縁膜１３を形成する前に、ゲートバスラ
イン２１を陽極酸化して、Ｔａ２Ｏ５からなる酸化膜１
２を形成してもよい。
ス支線２２ａ、２２ｂを含む）上にゲート絶縁膜１３を
積層する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｎｘ膜を３００ｎｍ堆積してゲート絶縁膜１３とした。 なお、ゲート絶縁膜１３を形成する前に、ゲートバスラ
イン２１を陽極酸化して、Ｔａ２Ｏ５からなる酸化膜１
２を形成してもよい。
【００２８】次いで、プラズマＣＶＤ法により半導体層
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮｘ層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をプラズマＣＶＤ法で８０ｎｍ
の厚みで積層する。このｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６は半導体
層１４と、その後に積層されるソース電極３２又はドレ
イン電極３３（図２参照）とのオーミックコンタクトを
良好にするために形成される。
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮｘ層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をプラズマＣＶＤ法で８０ｎｍ
の厚みで積層する。このｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６は半導体
層１４と、その後に積層されるソース電極３２又はドレ
イン電極３３（図２参照）とのオーミックコンタクトを
良好にするために形成される。
【００２９】次いで、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をパターニ
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。これにより、図
２にその構造を示すＴＦＴ３１が作成される。
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。これにより、図
２にその構造を示すＴＦＴ３１が作成される。
【００３０】次いで、絵素電極４１ａ、４１ｂとなる透
明導電性物質を積層する。本実施例では透明導電性物質
として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）
をスパッタリング法により積層し、これをパターニング
して絵素電極４１ａ、４１ｂを得る。該絵素電極４１ａ
、４１ｂは上記のようにゲートバスライン２１とソース
バスライン２３で囲まれた矩形の領域に２個１組として
形成される。これら絵素電極４１ａ、４１ｂは、ソース
バスライン２３を挟んで両側にあるもの同士を一対とし
て用いられる。また、上述したパターニングのとき、図
２に示すように絵素電極４１ａ、４１ｂの端部はＴＦＴ
３１ａ、３１ｂのドレイン電極３３の端部に重畳される
。これにより、絵素電極４１ａ、４１ｂとＴＦＴ３１ａ
、３１ｂのドレイン電極３３が導通状態になる。
明導電性物質を積層する。本実施例では透明導電性物質
として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）
をスパッタリング法により積層し、これをパターニング
して絵素電極４１ａ、４１ｂを得る。該絵素電極４１ａ
、４１ｂは上記のようにゲートバスライン２１とソース
バスライン２３で囲まれた矩形の領域に２個１組として
形成される。これら絵素電極４１ａ、４１ｂは、ソース
バスライン２３を挟んで両側にあるもの同士を一対とし
て用いられる。また、上述したパターニングのとき、図
２に示すように絵素電極４１ａ、４１ｂの端部はＴＦＴ
３１ａ、３１ｂのドレイン電極３３の端部に重畳される
。これにより、絵素電極４１ａ、４１ｂとＴＦＴ３１ａ
、３１ｂのドレイン電極３３が導通状態になる。
【００３１】絵素電極４１ａ、４１ｂを形成したガラス
基板１上の全面には、ＳｉＮｘからなる保護膜１７が堆
積される。該保護膜１７は、絵素電極４１ａ、４１ｂの
中央部で除去した窓あき形状にしてもよい。保護膜１７
上には配向膜１９が形成される。該保護膜１７について
も、その中央部を除去した窓あき形状にしてもよい。図
２に示すように、ガラス基板１に対向するガラス基板２
上には、対向電極３及び配向膜９が形成される。そして
、これらのガラス基板１、２の間に液晶１８を封入し、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置が作成される
。
基板１上の全面には、ＳｉＮｘからなる保護膜１７が堆
積される。該保護膜１７は、絵素電極４１ａ、４１ｂの
中央部で除去した窓あき形状にしてもよい。保護膜１７
上には配向膜１９が形成される。該保護膜１７について
も、その中央部を除去した窓あき形状にしてもよい。図
２に示すように、ガラス基板１に対向するガラス基板２
上には、対向電極３及び配向膜９が形成される。そして
、これらのガラス基板１、２の間に液晶１８を封入し、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置が作成される
。
【００３２】したがって、本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置は、このように構成してあるので、修正を
施したことによる線欠陥が発生するのを防止でき、また
点欠陥が生じてもそれを修正することができる。即ち、
各絵素電極４１ａ又は４１ｂには、ソースバスライン２
３が１本だけ隣接して設けられ、その一本のソースバス
ライン２３が絵素電極４１に信号を与える構成となして
ある。このため、絵素電極４１の両側それぞれにソース
バスライン２３が隣接して設けられていないので、ＴＦ
Ｔ３１ａ、３１ｂの部分を修正しても線欠陥となること
がない。
クス表示装置は、このように構成してあるので、修正を
施したことによる線欠陥が発生するのを防止でき、また
点欠陥が生じてもそれを修正することができる。即ち、
各絵素電極４１ａ又は４１ｂには、ソースバスライン２
３が１本だけ隣接して設けられ、その一本のソースバス
ライン２３が絵素電極４１に信号を与える構成となして
ある。このため、絵素電極４１の両側それぞれにソース
バスライン２３が隣接して設けられていないので、ＴＦ
Ｔ３１ａ、３１ｂの部分を修正しても線欠陥となること
がない。
【００３３】また、点欠陥が生じた場合には、従来と同
様に図５に示すように、破線で囲まれた領域５１に、光
エネルギの一例としてＹＡＧレーザー光を照射し、該領
域５１の金属を四散させ、これによりゲートバスライン
２１とゲートバス支線２２ａ又は２２ｂとの電気的な接
続状態を解除する。次いで、同じく破線で囲まれた領域
５２にレーザー光を照射し、ソース電極３２、ゲート電
極となるゲートバス支線２２ａ又は２２ｂ及び両者間の
ゲート絶縁膜１３を破壊し、ソース電極３２とゲート電
極とを短絡させる。この短絡によって、上記した理由に
より、不良絵素が全絵素の平均的な明るさに点灯され、
表示上欠陥が解消されることになる。
様に図５に示すように、破線で囲まれた領域５１に、光
エネルギの一例としてＹＡＧレーザー光を照射し、該領
域５１の金属を四散させ、これによりゲートバスライン
２１とゲートバス支線２２ａ又は２２ｂとの電気的な接
続状態を解除する。次いで、同じく破線で囲まれた領域
５２にレーザー光を照射し、ソース電極３２、ゲート電
極となるゲートバス支線２２ａ又は２２ｂ及び両者間の
ゲート絶縁膜１３を破壊し、ソース電極３２とゲート電
極とを短絡させる。この短絡によって、上記した理由に
より、不良絵素が全絵素の平均的な明るさに点灯され、
表示上欠陥が解消されることになる。
【００３４】なお、領域５１、５２、５３に対するレー
ザー光の照射順序は、上記順序に限定されるものではな
い。また、照射スポットも図示の領域に限定されるもの
ではなく、例えば、領域５２、５３については上下に導
電金属同士が重畳されている部分であればどこでもよい
。
ザー光の照射順序は、上記順序に限定されるものではな
い。また、照射スポットも図示の領域に限定されるもの
ではなく、例えば、領域５２、５３については上下に導
電金属同士が重畳されている部分であればどこでもよい
。
【００３５】また、レーザー光の照射はＴＦＴ３１が配
設される基板１側から行ってもよいし、或は対向電極側
の基板２側から行うことにしてもよいが、本実施例のア
クティブマトリクス表示装置では、基板２の表面側が遮
光用の金属で覆われ、直接レーザー光を照射できないの
で、基板１側から行うものとする。
設される基板１側から行ってもよいし、或は対向電極側
の基板２側から行うことにしてもよいが、本実施例のア
クティブマトリクス表示装置では、基板２の表面側が遮
光用の金属で覆われ、直接レーザー光を照射できないの
で、基板１側から行うものとする。
【００３６】図３は本発明の他の実施例を示している。
【００３７】この例では、前同様に隣接する信号線２３
、２３間に２つずつ絵素電極４１ａ、４１ｂが設けられ
、信号線２３を挟む両側の絵素電極４１ａ、４１ｂにそ
れぞれ接続したＴＦＴ３１ａ、３１ｂが同一の走査線２
１と同一の信号線２３とに接続されている。上記ＴＦＴ
３１ａ、３１ｂは、ゲートバスライン２１から分岐した
ゲートバス支線２２ａ、２２ｂの先端部に形成され、前
記絵素電極４１ａ、４１ｂに接続されている。加えて、
絵素電極４１ａ、４１ｂの隅部には、絵素電極４１ａ、
４１ｂとソースバスライン２３とを短絡するための冗長
構造部が特別に設けられている。
、２３間に２つずつ絵素電極４１ａ、４１ｂが設けられ
、信号線２３を挟む両側の絵素電極４１ａ、４１ｂにそ
れぞれ接続したＴＦＴ３１ａ、３１ｂが同一の走査線２
１と同一の信号線２３とに接続されている。上記ＴＦＴ
３１ａ、３１ｂは、ゲートバスライン２１から分岐した
ゲートバス支線２２ａ、２２ｂの先端部に形成され、前
記絵素電極４１ａ、４１ｂに接続されている。加えて、
絵素電極４１ａ、４１ｂの隅部には、絵素電極４１ａ、
４１ｂとソースバスライン２３とを短絡するための冗長
構造部が特別に設けられている。
【００３８】上記ゲートバス支線２２ａ、２２ｂは、前
述した実施例とは異なり、全長にわたって幅を一定とし
てある。即ち、この実施例では冗長構造部が備わってい
るので、ゲートバス支線２２ａ、２２ｂの箇所を切断す
る必要がないからである。また、上記冗長構造部は次の
ように構成される。ソースバスライン２３から両側に突
出させて突出部４６、４６を形成し、この突出部４６、
４６と一部を重畳させて導電体部４７、４７を形成し、
更にこの導電体部４７、４７と重畳させて、絵素電極４
１ａ、４１ｂと電気的に接続して導電体片４８、４８を
形成する。
述した実施例とは異なり、全長にわたって幅を一定とし
てある。即ち、この実施例では冗長構造部が備わってい
るので、ゲートバス支線２２ａ、２２ｂの箇所を切断す
る必要がないからである。また、上記冗長構造部は次の
ように構成される。ソースバスライン２３から両側に突
出させて突出部４６、４６を形成し、この突出部４６、
４６と一部を重畳させて導電体部４７、４７を形成し、
更にこの導電体部４７、４７と重畳させて、絵素電極４
１ａ、４１ｂと電気的に接続して導電体片４８、４８を
形成する。
【００３９】したがって、この実施例においても、１つ
の絵素電極４１ａ又は４１ｂに関して１つのソースバス
ライン２３だけが近接する構成をとるため、修正を施し
たことによる線欠陥となることがない。また、点欠陥が
生じた場合には、冗長構造部の箇所をレーザ等により加
工する。具体的には、ガラス越しにレーザ光を照射し、
図７に示すように、導電体部とソースバスライン２３の
突出部４６との重畳部の領域５４を短絡し、導電体部と
導電体片との重畳部の領域５５を短絡させる。このとき
、導電体片は予め絵素電極と電気的に接続されているた
め、以上の２回のレーザ照射でソースバスライン２３と
絵素電極４１とを短絡できる。この短絡によって、上記
した理由により、不良絵素が全絵素の平均的な明るさに
点灯され、表示上欠陥が解消されることになる。
の絵素電極４１ａ又は４１ｂに関して１つのソースバス
ライン２３だけが近接する構成をとるため、修正を施し
たことによる線欠陥となることがない。また、点欠陥が
生じた場合には、冗長構造部の箇所をレーザ等により加
工する。具体的には、ガラス越しにレーザ光を照射し、
図７に示すように、導電体部とソースバスライン２３の
突出部４６との重畳部の領域５４を短絡し、導電体部と
導電体片との重畳部の領域５５を短絡させる。このとき
、導電体片は予め絵素電極と電気的に接続されているた
め、以上の２回のレーザ照射でソースバスライン２３と
絵素電極４１とを短絡できる。この短絡によって、上記
した理由により、不良絵素が全絵素の平均的な明るさに
点灯され、表示上欠陥が解消されることになる。
【００４０】なお、領域５４、５５に対するレーザー光
の照射順序は、上記順序に限定されるものではない。ま
た、照射スポットも図示の領域に限定されるものではな
く、上下に導電金属同士が重畳されている部分であれば
どこでもよい。
の照射順序は、上記順序に限定されるものではない。ま
た、照射スポットも図示の領域に限定されるものではな
く、上下に導電金属同士が重畳されている部分であれば
どこでもよい。
【００４１】図示する実施例の全容は以上の通りである
が、本発明は以下に示す各種の変更が可能である。すな
わち、付加容量電極を備えた構成の表示装置にも同様に
適用が可能である。また、絵素電極を駆動するスイッチ
ング素子はＴＦＴに限定されず、ＭＩＭ素子、ＭＯＳト
ランジスタ素子、ダイオード或はバリスタを用いること
もできる。また、ＴＦＴの構造についても上記実施例の
ものに限定されず、ソースバスラインを下面に配置し、
ゲートバスラインを上面に配置した構造であってもよい
。
が、本発明は以下に示す各種の変更が可能である。すな
わち、付加容量電極を備えた構成の表示装置にも同様に
適用が可能である。また、絵素電極を駆動するスイッチ
ング素子はＴＦＴに限定されず、ＭＩＭ素子、ＭＯＳト
ランジスタ素子、ダイオード或はバリスタを用いること
もできる。また、ＴＦＴの構造についても上記実施例の
ものに限定されず、ソースバスラインを下面に配置し、
ゲートバスラインを上面に配置した構造であってもよい
。
【００４２】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
は、その構造により、線欠陥となることが極めて少なく
、また点欠陥が生じてもその修正が可能である。したが
って、本発明によれば、高い歩留りで表示装置を生産す
ることができ、表示装置のコストダウンに寄与すること
ができる。
は、その構造により、線欠陥となることが極めて少なく
、また点欠陥が生じてもその修正が可能である。したが
って、本発明によれば、高い歩留りで表示装置を生産す
ることができ、表示装置のコストダウンに寄与すること
ができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の平面
図。
図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】本発明の他のアクティブマトリクス表示装置を
示す平面図。
示す平面図。
【図４】従来のアクティブマトリクス表示装置を示す平
面図。
面図。
【図５】図４のアクティブマトリクス表示装置の修正箇
所を示す平面図。
所を示す平面図。
【図６】従来の他のアクティブマトリクス表示装置を示
す平面図。
す平面図。
【図７】図６のアクティブマトリクス表示装置の修正箇
所を示す平面図。
所を示す平面図。
【図８】従来技術の問題点を説明するための平面図。
１３ ゲート絶縁膜
２１ ゲートバスライン
２２ａ ゲートバス支線
２２ｂ ゲートバス支線
２３ ソースバスライン
３１ａ ＴＦＴ
３１ｂ ＴＦＴ
３２ ソース電極
３３ ドレイン電極
４１ａ 絵素電極
４１ｂ 絵素電極
４６ ソースバスラインの突出部４７ 導
電体部 ４８ 導電体片
電体部 ４８ 導電体片
Claims (2)
- 【請求項１】走査線、信号線、絵素電極及びこれらに接
続されたスイッチング素子を備えたアクティブマトリク
ス表示装置において、隣接する信号線間に２つずつ絵素
電極が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞ
れ接続したスイッチング素子が同一の走査線と同一の信
号線とに接続し、かつ該走査線より分岐させた走査支線
の上又は下に配して設けられ、各スイッチング素子の信
号電極と該走査支線とが間に絶縁膜を挟んで交差する状
態に形成され、また該走査支線と該絵素電極とが間に絶
縁膜を挟んで交差する状態に形成され、更に各走査支線
の走査線からの分岐点とスイッチング素子との間が他の
部分よりも狭幅となしたアクティブマトリクス表示装置
。 - 【請求項２】走査線、信号線、絵素電極及びこれらに接
続されたスイッチング素子を備えたアクティブマトリク
ス表示装置において、隣接する信号線間に２つずつ絵素
電極が設けられ、信号線を挟む両側の絵素電極にそれぞ
れ接続したスイッチング素子が同一の走査線と同一の信
号線とに接続して設けられ、該絵素電極と電気的に接続
させて設けた導電体片と該信号線とに両端部を重畳させ
て導電体部が形成され、該導電体部と該導電体片との間
及び導電体部と該信号線との間がそれぞれ絶縁膜を介装
して電気的に絶縁されたアクティブマトリクス表示装置
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236591A JP2669954B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
| TW081103574A TW235375B (ja) | 1991-05-08 | 1992-05-07 | |
| KR1019920007819A KR920022028A (ko) | 1991-05-08 | 1992-05-08 | 액티브 매트릭스 표시 장치 |
| DE69221201T DE69221201T2 (de) | 1991-05-08 | 1992-05-08 | Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
| EP92304133A EP0512840B1 (en) | 1991-05-08 | 1992-05-08 | An active matrix display device |
| US08/123,847 US5434686A (en) | 1991-05-08 | 1993-09-09 | Active matrix display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236591A JP2669954B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04331922A true JPH04331922A (ja) | 1992-11-19 |
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