JPH04346348A - レジストパターン形成用マスクおよびレジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成用マスクおよびレジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH04346348A JPH04346348A JP3119781A JP11978191A JPH04346348A JP H04346348 A JPH04346348 A JP H04346348A JP 3119781 A JP3119781 A JP 3119781A JP 11978191 A JP11978191 A JP 11978191A JP H04346348 A JPH04346348 A JP H04346348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- pattern
- forming
- mask
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、下地層上にレジスト
パターンを形成するためのレジストパターン形成用マス
クおよびレジストパターン形成方法に関する。
パターンを形成するためのレジストパターン形成用マス
クおよびレジストパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のレジストパターン形成方法
を示す断面工程図である。半導体基板１上の一面にレジ
ストを塗布し、該レジストに露光，現像等の写真製版処
理を施すと図２（ａ）のようなレジストパターン２が形
成される。
を示す断面工程図である。半導体基板１上の一面にレジ
ストを塗布し、該レジストに露光，現像等の写真製版処
理を施すと図２（ａ）のようなレジストパターン２が形
成される。
【０００３】その後、レジストパターン２にベーク，キ
ュアリング等を施し、レジストパターン２を硬化させる
。
ュアリング等を施し、レジストパターン２を硬化させる
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジストパター
ンは以上のような工程で形成されているので、ホール形
成工程など、レジスト残しパターンが大きなレジストパ
ターンを形成する場合、レジストパターン２の硬化時に
おいて２（ｂ）に矢印に示すようなストレスがレジスト
膜内にたまり、このストレスによりレジストパターン２
と半導体基板１との密着性が低下するという問題点があ
った。
ンは以上のような工程で形成されているので、ホール形
成工程など、レジスト残しパターンが大きなレジストパ
ターンを形成する場合、レジストパターン２の硬化時に
おいて２（ｂ）に矢印に示すようなストレスがレジスト
膜内にたまり、このストレスによりレジストパターン２
と半導体基板１との密着性が低下するという問題点があ
った。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、レジストパターンと下地層の密
着性の低下を防止することができるレジストパターン形
成用マスクおよびレジストパターン形成方法を得ること
を目的とする。
ためになされたもので、レジストパターンと下地層の密
着性の低下を防止することができるレジストパターン形
成用マスクおよびレジストパターン形成方法を得ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
パターン形成用マスクは、形成されるべきレジストパタ
ーンに対応して設けられメインパターンの周縁部を、狭
幅ストライプ状のサブパターンとしてあることを特徴と
する。
パターン形成用マスクは、形成されるべきレジストパタ
ーンに対応して設けられメインパターンの周縁部を、狭
幅ストライプ状のサブパターンとしてあることを特徴と
する。
【０００７】この発明に係るレジストパターン形成方法
は、パターン周縁部の表面に微小溝を有するレジストパ
ターンを形成する工程と、前記レジストパターンを硬化
する工程とを備えている。
は、パターン周縁部の表面に微小溝を有するレジストパ
ターンを形成する工程と、前記レジストパターンを硬化
する工程とを備えている。
【０００８】
【作用】この発明に係るレジストパターン形成用マスク
においては、メインパターンの周縁部に狭幅ストライプ
状のサブパターンを設けたので、該マスクを用いてレジ
ストパターンを形成すると、メインパターンに対応して
形成されたレジストパターンのパターン周縁部の表面に
微小溝が形成され、この微小溝の存在によりレジストパ
ターン硬化時に発生するストレスが分散する。
においては、メインパターンの周縁部に狭幅ストライプ
状のサブパターンを設けたので、該マスクを用いてレジ
ストパターンを形成すると、メインパターンに対応して
形成されたレジストパターンのパターン周縁部の表面に
微小溝が形成され、この微小溝の存在によりレジストパ
ターン硬化時に発生するストレスが分散する。
【０００９】この発明に係るレジストパターン形成方法
においては、パターン周縁部の表面の微小溝を有するレ
ジストパターンを形成する工程を設けたので、該微小溝
の存在によりレジストパターン硬化時に発生するストレ
スが分散する。
においては、パターン周縁部の表面の微小溝を有するレ
ジストパターンを形成する工程を設けたので、該微小溝
の存在によりレジストパターン硬化時に発生するストレ
スが分散する。
【００１０】なお、この発明における「微小溝」とは、
レジストパターン現像時においては基板まで達しない程
度のサイズを有する溝のことをいう。また、「狭幅スト
ライプ」とは、レジストパターン形成時に上記のような
「微小溝」が得られるようなストライプのこうとをいう
。
レジストパターン現像時においては基板まで達しない程
度のサイズを有する溝のことをいう。また、「狭幅スト
ライプ」とは、レジストパターン形成時に上記のような
「微小溝」が得られるようなストライプのこうとをいう
。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明に係るレジストパターン形成
用マスクを用いてレジストパターンを形成する方法を示
す断面工程図である。以下、レジストパターンがポジ型
の場合について述べる。まず、レジストパターン形成用
マスクの構造について述べる。クロム面１０には形成す
べきレジストパターン２に対応したメインパターン（遮
光部）１２が形成されている。メインパターン１２の周
縁部は、狭幅ストライプ状の透光部を有するサブパター
ン１４とされている。この狭幅ストライプはメインパタ
ーン１２の外周が伸びる方向（図１では紙面を貫く方向
）に平行に伸びている。サブパターン１４における狭幅
ストライプの数は適宜に決定可能であるが、一般に複数
の狭幅ストライプを設ける方が好ましい。
用マスクを用いてレジストパターンを形成する方法を示
す断面工程図である。以下、レジストパターンがポジ型
の場合について述べる。まず、レジストパターン形成用
マスクの構造について述べる。クロム面１０には形成す
べきレジストパターン２に対応したメインパターン（遮
光部）１２が形成されている。メインパターン１２の周
縁部は、狭幅ストライプ状の透光部を有するサブパター
ン１４とされている。この狭幅ストライプはメインパタ
ーン１２の外周が伸びる方向（図１では紙面を貫く方向
）に平行に伸びている。サブパターン１４における狭幅
ストライプの数は適宜に決定可能であるが、一般に複数
の狭幅ストライプを設ける方が好ましい。
【００１２】このようなパターンを有するレジストパタ
ーン形成用マスク２０を用いて半導体基板１上の一面に
塗布されたレジストにパターンを露光し、その後現像す
る。このときサブパターン１４における狭幅ストライプ
の幅が十分狭いため、サブパターン１４に対応する部分
のレジストは十分には露光されない。そのため、レジス
トパターン２を現像した際には、そのレジストパターン
２の周縁部の表面に図１（ａ）に示すよう複数の微小溝
２ａが形成される。
ーン形成用マスク２０を用いて半導体基板１上の一面に
塗布されたレジストにパターンを露光し、その後現像す
る。このときサブパターン１４における狭幅ストライプ
の幅が十分狭いため、サブパターン１４に対応する部分
のレジストは十分には露光されない。そのため、レジス
トパターン２を現像した際には、そのレジストパターン
２の周縁部の表面に図１（ａ）に示すよう複数の微小溝
２ａが形成される。
【００１３】次にレジストパターン２にベーク，キュア
リングを施し、レジストパターン２を硬化させる。レジ
ストパターン２の表面に微小溝２ａが形成されているの
で、硬化時に発生するストレスは図１（ｂ）に示す矢印
方向に分散する。そのため、レジストパターン２と半導
体基板１との密着性が低下することがない。
リングを施し、レジストパターン２を硬化させる。レジ
ストパターン２の表面に微小溝２ａが形成されているの
で、硬化時に発生するストレスは図１（ｂ）に示す矢印
方向に分散する。そのため、レジストパターン２と半導
体基板１との密着性が低下することがない。
【００１４】なお、上記実施例ではレジストパターン２
がポジ型の場合について説明したが、ネガ型の場合にも
この発明は適用できる。この場合マスク２０のメインパ
ターン１２とサブパターン１４と光透過に対する特性を
反転させる必要がある。メインパターンの遮光部の周縁
部に狭幅透光ストライプを設けるのではなく、メインパ
ターンの透光部の周縁部に狭幅遮光ストライプを設ける
。
がポジ型の場合について説明したが、ネガ型の場合にも
この発明は適用できる。この場合マスク２０のメインパ
ターン１２とサブパターン１４と光透過に対する特性を
反転させる必要がある。メインパターンの遮光部の周縁
部に狭幅透光ストライプを設けるのではなく、メインパ
ターンの透光部の周縁部に狭幅遮光ストライプを設ける
。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係るレジストパ
ターン形成用マスクによれば、メインパターンの周縁部
に狭幅ストライプ状のサブパターンを設けたので、該マ
スクを用いてレジストパターンを形成すると、メインパ
ターンに対応して形成されたレジストパターンのパター
ン周縁部の表面に微小溝が形成され、この微小溝の存在
によりレジストパターン硬化時に発生するストレスが分
散する。
ターン形成用マスクによれば、メインパターンの周縁部
に狭幅ストライプ状のサブパターンを設けたので、該マ
スクを用いてレジストパターンを形成すると、メインパ
ターンに対応して形成されたレジストパターンのパター
ン周縁部の表面に微小溝が形成され、この微小溝の存在
によりレジストパターン硬化時に発生するストレスが分
散する。
【００１６】この発明に係るレジストパターン形成方法
によれば、パターン周縁部の表面に微小溝を有するレジ
ストパターンを形成する工程を設けたので、レジストパ
ターン硬化時に発生するストレス微小溝の存在により分
散する。
によれば、パターン周縁部の表面に微小溝を有するレジ
ストパターンを形成する工程を設けたので、レジストパ
ターン硬化時に発生するストレス微小溝の存在により分
散する。
【００１７】したがって、レジストパターンの硬化時に
発生するストレスが分散するので、下地層とレジストパ
ターンとの密着性の低下を防止することができるという
効果がある。
発生するストレスが分散するので、下地層とレジストパ
ターンとの密着性の低下を防止することができるという
効果がある。
【図１】この発明に係るレジストパターン形成方法を示
す断面工程図である。
す断面工程図である。
【図２】従来のレジストパターン形成方法を示す断面工
程図である。
程図である。
１ 半導体基板
２ レジストパターン
２ａ 微小溝
１２ メインパターン
１４ サブパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 下地層上にレジストパターンを形成す
るためのレジストパターン形成用マスクであって、前記
レジストパターンに対応して設けられたメインパターン
の周縁部を、狭幅ストライプ状のサブパターンとしてあ
ることを特徴とするレジストパターン形成用マスク。 - 【請求項２】 下地層上にレジストパターンを形成す
るためのレジストパターン形成方法であって、パターン
周縁部の表面に微小溝を有するレジストパターンを前記
下地層上に形成する工程と、前記レジストパターンを硬
化する工程とを備えたレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119781A JPH04346348A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジストパターン形成用マスクおよびレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119781A JPH04346348A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジストパターン形成用マスクおよびレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346348A true JPH04346348A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14770068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119781A Pending JPH04346348A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジストパターン形成用マスクおよびレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346348A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027060A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009027062A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8137898B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-03-20 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119781A patent/JPH04346348A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027060A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009027062A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8137898B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-03-20 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
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