JPH08264533A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH08264533A JPH08264533A JP6537995A JP6537995A JPH08264533A JP H08264533 A JPH08264533 A JP H08264533A JP 6537995 A JP6537995 A JP 6537995A JP 6537995 A JP6537995 A JP 6537995A JP H08264533 A JPH08264533 A JP H08264533A
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターンのバリによるショートまたは断線の
発生を防止する。 【構成】 基板１上に、下層レジスト６と、その下層レ
ジスト６と同一の露光源で感光し、現像時の未露光部分
の溶出レートが下層レジスト６よりも小さい上層レジス
ト７とで構成されるレジスト膜８を形成し、レジスト膜
８を露光し現像してレジストパターン９を形成し、レジ
ストパターン９を用いリフトオフ法により金属薄膜等の
パターン形成を行う。 【効果】 工程数を著しく増加させることなく、レジス
トパターン９の側面に付着していた金属が基板１上に残
ることを防止できる。
発生を防止する。 【構成】 基板１上に、下層レジスト６と、その下層レ
ジスト６と同一の露光源で感光し、現像時の未露光部分
の溶出レートが下層レジスト６よりも小さい上層レジス
ト７とで構成されるレジスト膜８を形成し、レジスト膜
８を露光し現像してレジストパターン９を形成し、レジ
ストパターン９を用いリフトオフ法により金属薄膜等の
パターン形成を行う。 【効果】 工程数を著しく増加させることなく、レジス
トパターン９の側面に付着していた金属が基板１上に残
ることを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリフトオフ法を用いて半
導体装置の金属等のパターンを形成する方法に関するも
のである。
導体装置の金属等のパターンを形成する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】リフトオフ法を用いた金属薄膜のパター
ン形成方法の一例を図３に基づいて説明する。図３はパ
ターンを形成する基板の断面図である。まず、基板１上
に形成されたレジスト膜を露光装置により所望のパター
ンが得られるように露光・現像して、（ａ）に示すよう
なレジストパターン２を形成する。次に、（ｂ）に示す
ように、レジストパターン２を含む基板１の全面に、蒸
着またはスパッタにより金属を付着させて金属薄膜３を
形成し、その後、レジストパターン２を有機溶剤等で溶
出除去し、（ｃ）に示すように、レジストパターン２上
に付着した金属を、レジストパターン２と一緒に基板１
から除去して、基板１上の、レジストパターン２が形成
されていなかった部分に金属で構成されたパターン４を
形成する。
ン形成方法の一例を図３に基づいて説明する。図３はパ
ターンを形成する基板の断面図である。まず、基板１上
に形成されたレジスト膜を露光装置により所望のパター
ンが得られるように露光・現像して、（ａ）に示すよう
なレジストパターン２を形成する。次に、（ｂ）に示す
ように、レジストパターン２を含む基板１の全面に、蒸
着またはスパッタにより金属を付着させて金属薄膜３を
形成し、その後、レジストパターン２を有機溶剤等で溶
出除去し、（ｃ）に示すように、レジストパターン２上
に付着した金属を、レジストパターン２と一緒に基板１
から除去して、基板１上の、レジストパターン２が形成
されていなかった部分に金属で構成されたパターン４を
形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示し
たような、単層のレジストパターン２を用いたパターン
形成方法では、そのレジストパターン２の断面形状が、
基板１側の方が幅の広いテーパー形状（台形状）にな
る。そのため、蒸着またはスパッタで付着させる金属
が、レジストパターン２の側面にも堆積する。その結
果、レジストパターン２を溶出除去しても、レジストパ
ターン２の側面に堆積していた金属が残り、（ｃ）に示
すようなバリ４ａ等が発生してショートまたは断線の不
良が発生するという問題点があった。
たような、単層のレジストパターン２を用いたパターン
形成方法では、そのレジストパターン２の断面形状が、
基板１側の方が幅の広いテーパー形状（台形状）にな
る。そのため、蒸着またはスパッタで付着させる金属
が、レジストパターン２の側面にも堆積する。その結
果、レジストパターン２を溶出除去しても、レジストパ
ターン２の側面に堆積していた金属が残り、（ｃ）に示
すようなバリ４ａ等が発生してショートまたは断線の不
良が発生するという問題点があった。
【０００４】そこで、レジストパターンの側面に金属等
の薄膜が堆積するのを防ぐため、レジストパターンの断
面形状を、基板側の方が幅が狭い逆テーパー形状（逆台
形状）にする必要がある。しかし、従来の単層のレジス
トを露光現像しただけでは、このような形状のレジスト
パターンを得ることができなかった。
の薄膜が堆積するのを防ぐため、レジストパターンの断
面形状を、基板側の方が幅が狭い逆テーパー形状（逆台
形状）にする必要がある。しかし、従来の単層のレジス
トを露光現像しただけでは、このような形状のレジスト
パターンを得ることができなかった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、レジストパターンの側面
に金属薄膜等が堆積するのを抑制することができ、バリ
等による、ショートまたは断線の不良の発生を防止する
ことができるパターン形成方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、レジストパターンの側面
に金属薄膜等が堆積するのを抑制することができ、バリ
等による、ショートまたは断線の不良の発生を防止する
ことができるパターン形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載のパターン形成方法は、基板上に、下
層レジストと、その下層レジストと同一の露光源で感光
し、現像時の未露光部分の溶出レートが前記下層レジス
トよりも小さい上層レジストとで構成される２層構造の
レジスト膜を形成し、そのレジスト膜を放射光または電
子ビームによって露光し現像してレジストパターンを形
成し、そのレジストパターンを用いリフトオフ法により
金属薄膜等のパターン形成を行うことを特徴とするもの
である。
め、請求項１記載のパターン形成方法は、基板上に、下
層レジストと、その下層レジストと同一の露光源で感光
し、現像時の未露光部分の溶出レートが前記下層レジス
トよりも小さい上層レジストとで構成される２層構造の
レジスト膜を形成し、そのレジスト膜を放射光または電
子ビームによって露光し現像してレジストパターンを形
成し、そのレジストパターンを用いリフトオフ法により
金属薄膜等のパターン形成を行うことを特徴とするもの
である。
【０００７】請求項２記載のパターン形成方法は、基板
上に、下層レジストと、その下層レジストと同一の露光
源で感光し、加熱された際に前記下層レジストよりも変
形しやすい上層レジストとで構成される２層構造のレジ
スト膜を形成し、そのレジスト膜を放射光または電子ビ
ームによって露光し現像してレジストパターンを形成
し、加熱して前記上層レジストを変形させ、前記レジス
トパターンを用いリフトオフ法により金属薄膜等のパタ
ーン形成を行うことを特徴とするものである。
上に、下層レジストと、その下層レジストと同一の露光
源で感光し、加熱された際に前記下層レジストよりも変
形しやすい上層レジストとで構成される２層構造のレジ
スト膜を形成し、そのレジスト膜を放射光または電子ビ
ームによって露光し現像してレジストパターンを形成
し、加熱して前記上層レジストを変形させ、前記レジス
トパターンを用いリフトオフ法により金属薄膜等のパタ
ーン形成を行うことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】請求項１または請求項２記載のパターン形成方
法は、性質の異なる２種類のレジスト（下層レジスト及
び上層レジスト）を積層したレジスト膜を用いてレジス
トパターンを形成し、その性質の違いにより、レジスト
パターンの断面形状が、基板側のレジスト（下層レジス
ト）の方が上層レジストより幅が狭い略逆テーパー形状
となるように構成したことを特徴とするものである。
法は、性質の異なる２種類のレジスト（下層レジスト及
び上層レジスト）を積層したレジスト膜を用いてレジス
トパターンを形成し、その性質の違いにより、レジスト
パターンの断面形状が、基板側のレジスト（下層レジス
ト）の方が上層レジストより幅が狭い略逆テーパー形状
となるように構成したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項１記載のパターン形成方法では、下
層レジストと上層レジストが同一の露光源で感光し、下
層レジストよりも上層レジストの方が、現像時の未露光
部分の溶出レートが小さくなるように、下層レジスト及
び上層レジストの材料を選択しておく。以上に説明した
ように上層レジスト及び下層レジストを構成しておき、
レジストパターンを形成するために、このレジスト膜
（上層レジスト及び下層レジスト）を露光し、下層レジ
ストが現像されるジャスト現像時間よりも長く現像する
と、下層レジストが上層レジストに比べて大きくサイド
エッチされるため、形成される２層構造のレジストパタ
ーンの断面形状は、基板側の下層レジストの方が上層レ
ジストに比べて幅が狭い略逆テーパー形状となる。従っ
て、基板全面に蒸着またはスパッタにより金属等を付着
させた場合に、下層レジストの側面に金属等が付着する
のを防止することができる。その後、レジストパターン
を有機溶剤等で溶出除去すると、レジストパターンの、
上層レジストの上面及び側面に付着していた金属等は、
上層レジストと一緒に基板から除去され、結果的に、レ
ジストパターンが形成されていなかった基板表面のみに
金属等で構成されたパターンが残るのでバリ等のないパ
ターンが得られる。
層レジストと上層レジストが同一の露光源で感光し、下
層レジストよりも上層レジストの方が、現像時の未露光
部分の溶出レートが小さくなるように、下層レジスト及
び上層レジストの材料を選択しておく。以上に説明した
ように上層レジスト及び下層レジストを構成しておき、
レジストパターンを形成するために、このレジスト膜
（上層レジスト及び下層レジスト）を露光し、下層レジ
ストが現像されるジャスト現像時間よりも長く現像する
と、下層レジストが上層レジストに比べて大きくサイド
エッチされるため、形成される２層構造のレジストパタ
ーンの断面形状は、基板側の下層レジストの方が上層レ
ジストに比べて幅が狭い略逆テーパー形状となる。従っ
て、基板全面に蒸着またはスパッタにより金属等を付着
させた場合に、下層レジストの側面に金属等が付着する
のを防止することができる。その後、レジストパターン
を有機溶剤等で溶出除去すると、レジストパターンの、
上層レジストの上面及び側面に付着していた金属等は、
上層レジストと一緒に基板から除去され、結果的に、レ
ジストパターンが形成されていなかった基板表面のみに
金属等で構成されたパターンが残るのでバリ等のないパ
ターンが得られる。
【００１０】請求項２記載のパターン形成方法では、加
熱された際に、上層レジストの方が、下層レジストより
変形しやすいように、上層レジスト及び下層レジストの
材料を選択しておく。このように上層レジスト及び下層
レジストを構成しておき、レジストパターンを形成する
ために、このレジスト膜（上層レジスト及び下層レジス
ト）を露光し現像した後、上層レジストが変形しやすい
温度域でポストベークすることにより、上層レジストが
熱変形してだれを生じ、２層構造のレジストパターンの
断面形状は、基板側の下層レジストの方が上層レジスト
より幅が狭い略逆テーパー形状となる。従って、基板全
面に蒸着またはスパッタにより金属等を付着させた場合
に、下層レジストの側面に金属等が付着するのを防止す
ることができる。その後、レジストパターンを有機溶剤
等で溶出除去すると、上層レジストに付着していた金属
等は、上層レジストと一緒に基板から除去され、結果的
にレジストパターンが形成されていなかった基板表面の
みに金属等で構成されたパターンが残るのでバリ等のな
いパターンが得られる。
熱された際に、上層レジストの方が、下層レジストより
変形しやすいように、上層レジスト及び下層レジストの
材料を選択しておく。このように上層レジスト及び下層
レジストを構成しておき、レジストパターンを形成する
ために、このレジスト膜（上層レジスト及び下層レジス
ト）を露光し現像した後、上層レジストが変形しやすい
温度域でポストベークすることにより、上層レジストが
熱変形してだれを生じ、２層構造のレジストパターンの
断面形状は、基板側の下層レジストの方が上層レジスト
より幅が狭い略逆テーパー形状となる。従って、基板全
面に蒸着またはスパッタにより金属等を付着させた場合
に、下層レジストの側面に金属等が付着するのを防止す
ることができる。その後、レジストパターンを有機溶剤
等で溶出除去すると、上層レジストに付着していた金属
等は、上層レジストと一緒に基板から除去され、結果的
にレジストパターンが形成されていなかった基板表面の
みに金属等で構成されたパターンが残るのでバリ等のな
いパターンが得られる。
【００１１】
【実施例】図１に基づいて本発明のパターン形成方法の
一実施例について説明する。図１はパターンを形成する
基板の断面図である。まず、（ａ）に示すように、基板
５上に、下層レジスト６、上層レジスト７を塗布して２
層構造のレジスト膜８を形成し、放射光または電子ビー
ムによって露光し現像する。ここで、所定の現像液に対
して、上層レジスト７の未露光部分の溶出レートが、下
層レジスト６の未露光部分の溶出レートよりも小さくな
るように、下層レジスト６及び上層レジスト７の材料を
選択しておく。現像の途中で、（ｂ）に示すように、ジ
ャスト現像状態となるが、（ｃ）に示すように、下層レ
ジスト６が上層レジスト７に比べて大きくサイドエッチ
されるように、さらに現像してレジストパターン９を形
成する。
一実施例について説明する。図１はパターンを形成する
基板の断面図である。まず、（ａ）に示すように、基板
５上に、下層レジスト６、上層レジスト７を塗布して２
層構造のレジスト膜８を形成し、放射光または電子ビー
ムによって露光し現像する。ここで、所定の現像液に対
して、上層レジスト７の未露光部分の溶出レートが、下
層レジスト６の未露光部分の溶出レートよりも小さくな
るように、下層レジスト６及び上層レジスト７の材料を
選択しておく。現像の途中で、（ｂ）に示すように、ジ
ャスト現像状態となるが、（ｃ）に示すように、下層レ
ジスト６が上層レジスト７に比べて大きくサイドエッチ
されるように、さらに現像してレジストパターン９を形
成する。
【００１２】次に、（ｄ）に示すように、基板１の全面
に蒸着またはスパッタ等により金属等を付着させ薄膜１
０を形成する。最後に、有機溶剤等により、レジストパ
ターン９（下層レジスト６及び上層レジスト７）を溶出
除去すると、（ｅ）に示すように、金属等で構成された
パターン１１が基板１上に綺麗に残ることになる。
に蒸着またはスパッタ等により金属等を付着させ薄膜１
０を形成する。最後に、有機溶剤等により、レジストパ
ターン９（下層レジスト６及び上層レジスト７）を溶出
除去すると、（ｅ）に示すように、金属等で構成された
パターン１１が基板１上に綺麗に残ることになる。
【００１３】図２に基づいて本発明のパターン形成方法
の異なる実施例について説明する。図２はパターンを形
成する基板の断面図である。まず、（ａ）に示すよう
に、基板１２上に、下層レジスト１３、上層レジスト１
４を塗布して２層構造のレジスト膜１５を形成する。こ
の場合、加熱された際に、上層レジスト１４の方が下層
レジスト１３より変形しやすいように、下層レジスト１
３及び上層レジスト１４の材料を選択しておく。次に、
放射光または電子ビームによって露光した後、（ｂ）に
示すように、レジスト膜１５がジャスト現像状態となる
まで現像を行う。
の異なる実施例について説明する。図２はパターンを形
成する基板の断面図である。まず、（ａ）に示すよう
に、基板１２上に、下層レジスト１３、上層レジスト１
４を塗布して２層構造のレジスト膜１５を形成する。こ
の場合、加熱された際に、上層レジスト１４の方が下層
レジスト１３より変形しやすいように、下層レジスト１
３及び上層レジスト１４の材料を選択しておく。次に、
放射光または電子ビームによって露光した後、（ｂ）に
示すように、レジスト膜１５がジャスト現像状態となる
まで現像を行う。
【００１４】次に、上層レジスト１４が熱変形しやすい
温度域でポストベークすると上層レジスト１４が熱によ
ってだれて変形し、（ｃ）に示すように、上層レジスト
１４の断面形状の幅が、下層レジスト１３の断面形状の
幅より広くなったレジストパターン１６が形成される。
さらに、（ｄ）に示すように、基板１２の全面に蒸着ま
たはスパッタ等により金属等を付着させ、薄膜１７を形
成する。最後に、（ｅ）に示すように、有機溶剤等によ
り、下層レジスト１３及び上層レジスト１４を溶出除去
すると金属等で構成されたパターン１８が基板１２上に
綺麗に残ることになる。
温度域でポストベークすると上層レジスト１４が熱によ
ってだれて変形し、（ｃ）に示すように、上層レジスト
１４の断面形状の幅が、下層レジスト１３の断面形状の
幅より広くなったレジストパターン１６が形成される。
さらに、（ｄ）に示すように、基板１２の全面に蒸着ま
たはスパッタ等により金属等を付着させ、薄膜１７を形
成する。最後に、（ｅ）に示すように、有機溶剤等によ
り、下層レジスト１３及び上層レジスト１４を溶出除去
すると金属等で構成されたパターン１８が基板１２上に
綺麗に残ることになる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１または請求項２記載のパターン
形成方法によれば、リフトオフ法による金属薄膜等のパ
ターン形成において、工程数を著しく増加させることな
く、レジストパターンの側面に付着していた金属等が基
板上に残ることを防止することができるので、バリ等に
よるショートまたは断線の不良を著しく低減することが
できる。
形成方法によれば、リフトオフ法による金属薄膜等のパ
ターン形成において、工程数を著しく増加させることな
く、レジストパターンの側面に付着していた金属等が基
板上に残ることを防止することができるので、バリ等に
よるショートまたは断線の不良を著しく低減することが
できる。
【図１】本発明のパターン形成方法の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のパターン形成方法の異なる実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】従来のパターン形成方法の一例を示す断面図で
ある。
ある。
１，１０ 基板 ６，１３ 下層レジスト ７，１４ 上層レジスト ８，１５ レジスト膜 ９，１６ レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、下層レジストと、その下層レ
ジストと同一の露光源で感光し、現像時の未露光部分の
溶出レートが前記下層レジストよりも小さい上層レジス
トとで構成される２層構造のレジスト膜を形成し、その
レジスト膜を放射光または電子ビームによって露光し現
像してレジストパターンを形成し、そのレジストパター
ンを用いリフトオフ法により金属薄膜等のパターン形成
を行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 基板上に、下層レジストと、その下層レ
ジストと同一の露光源で感光し、加熱された際に前記下
層レジストよりも変形しやすい上層レジストとで構成さ
れる２層構造のレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を
放射光または電子ビームによって露光し現像してレジス
トパターンを形成し、加熱して前記上層レジストを変形
させ、前記レジストパターンを用いリフトオフ法により
金属薄膜等のパターン形成を行うことを特徴とするパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6537995A JPH08264533A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6537995A JPH08264533A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264533A true JPH08264533A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13285292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6537995A Withdrawn JPH08264533A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264533A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159188A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 住友商事株式会社 | パターン構造体 |
| WO2019029171A1 (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | 厦门三安光电有限公司 | 牺牲层结构、剥离材料层的方法及发光二极管的镜面制作方法 |
| CN117594436A (zh) * | 2024-01-18 | 2024-02-23 | 汉轩微电子制造(江苏)有限公司 | 剥离金属的方法 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6537995A patent/JPH08264533A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015159188A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 住友商事株式会社 | パターン構造体 |
| WO2019029171A1 (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | 厦门三安光电有限公司 | 牺牲层结构、剥离材料层的方法及发光二极管的镜面制作方法 |
| CN117594436A (zh) * | 2024-01-18 | 2024-02-23 | 汉轩微电子制造(江苏)有限公司 | 剥离金属的方法 |
| CN117594436B (zh) * | 2024-01-18 | 2024-03-29 | 汉轩微电子制造(江苏)有限公司 | 剥离金属的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |