JPH04346431A - 半導体シリコンウェハの洗浄装置 - Google Patents
半導体シリコンウェハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH04346431A JPH04346431A JP12019391A JP12019391A JPH04346431A JP H04346431 A JPH04346431 A JP H04346431A JP 12019391 A JP12019391 A JP 12019391A JP 12019391 A JP12019391 A JP 12019391A JP H04346431 A JPH04346431 A JP H04346431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- ammonia water
- silicon wafer
- semiconductor silicon
- ammonia
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体シリコンウェハの
アンモニア水を用いた洗浄装置に関する。
アンモニア水を用いた洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体シリコンウェハの洗浄には
、アンモニアと過酸化水素の混合水溶液を洗浄液とし、
８０℃程度に加熱して用いている。この方法では、加熱
のため過酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により濃度
の減少による洗浄液の劣化が起こり、特にアンモニアよ
り過酸化水素は濃度の減少が早く、アンモニアの濃度が
過酸化水素の濃度より過大になる。そのため洗浄液を連
続して用いると洗浄力の減少だけでなく、アンモニアに
よる半導体シリコンウェハの不均一なエッチングが生じ
てしまう。このため、洗浄液中の過酸化水素の濃度をア
ンモニアの濃度より高くするため、過酸化水素の補給を
行うが、薬品としての取扱いの安全上、過酸化水素水の
濃度は３０％程度であるため、洗浄液に持ち込まれる水
分の量が多く、過酸化水素水の分解で生じる水と合わせ
て、洗浄液全体の濃度が減少してしまい洗浄液の寿命が
短いという問題がある。そのためか酸化水素水の代わり
に気体であるオゾンを供給して洗浄液の劣化を防ぐ試み
がある。このオゾンを用いた洗浄装置を図にもとづいて
説明する。
、アンモニアと過酸化水素の混合水溶液を洗浄液とし、
８０℃程度に加熱して用いている。この方法では、加熱
のため過酸化水素の分解、アンモニアの蒸発により濃度
の減少による洗浄液の劣化が起こり、特にアンモニアよ
り過酸化水素は濃度の減少が早く、アンモニアの濃度が
過酸化水素の濃度より過大になる。そのため洗浄液を連
続して用いると洗浄力の減少だけでなく、アンモニアに
よる半導体シリコンウェハの不均一なエッチングが生じ
てしまう。このため、洗浄液中の過酸化水素の濃度をア
ンモニアの濃度より高くするため、過酸化水素の補給を
行うが、薬品としての取扱いの安全上、過酸化水素水の
濃度は３０％程度であるため、洗浄液に持ち込まれる水
分の量が多く、過酸化水素水の分解で生じる水と合わせ
て、洗浄液全体の濃度が減少してしまい洗浄液の寿命が
短いという問題がある。そのためか酸化水素水の代わり
に気体であるオゾンを供給して洗浄液の劣化を防ぐ試み
がある。このオゾンを用いた洗浄装置を図にもとづいて
説明する。
【０００３】図３は従来のオゾンを用いた洗浄装置の概
略断面図である。図中３１は処理槽、３２は処理槽３１
に入れた洗浄液でアンモニア水である。３３は処理槽３
１に設けられたヒータ、３４はバブラ、５はバブラ３４
にオゾンを含む気体を供給するオゾン発生器、６はオゾ
ン発生器５よりオゾンを含む気体を送る供給管、７は洗
浄かごに納めた半導体シリコンウェハである。つぎに動
作について説明する。処理槽３１に入れてある洗浄液３
２はヒータ３３の入切により液温が８０℃前後に保たれ
ている。オゾン発生器５より供給管６を取って送られる
オゾンを含んだ気体、例えば通常はオゾンを含んだ酸素
をバブリングさせ、バブラ３４から放出させ洗浄液３２
にオゾンを溶解させる。そして、半導体シリコンウェハ
７を洗浄液３２に漬けると、洗浄液３２に含まれたオゾ
ンにより半導体シリコンウェハ７の表面がわずかに酸化
され、ついで洗浄液３２に含まれるアンモニア水による
軽いエッチングが起こり、これにより半導体シリコンウ
ェハ７の洗浄が行われる。
略断面図である。図中３１は処理槽、３２は処理槽３１
に入れた洗浄液でアンモニア水である。３３は処理槽３
１に設けられたヒータ、３４はバブラ、５はバブラ３４
にオゾンを含む気体を供給するオゾン発生器、６はオゾ
ン発生器５よりオゾンを含む気体を送る供給管、７は洗
浄かごに納めた半導体シリコンウェハである。つぎに動
作について説明する。処理槽３１に入れてある洗浄液３
２はヒータ３３の入切により液温が８０℃前後に保たれ
ている。オゾン発生器５より供給管６を取って送られる
オゾンを含んだ気体、例えば通常はオゾンを含んだ酸素
をバブリングさせ、バブラ３４から放出させ洗浄液３２
にオゾンを溶解させる。そして、半導体シリコンウェハ
７を洗浄液３２に漬けると、洗浄液３２に含まれたオゾ
ンにより半導体シリコンウェハ７の表面がわずかに酸化
され、ついで洗浄液３２に含まれるアンモニア水による
軽いエッチングが起こり、これにより半導体シリコンウ
ェハ７の洗浄が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の洗浄装置では、半導体シリコンウェハ７の表面
へのオゾンの供給がバブラ３４から洗浄液３２中へのバ
ブリングに依存している。このためオゾンの水への溶解
度が小さい、かつ半導体シリコンウェハ７表面でのオゾ
ンを含んだ洗浄液３２の置換が遅いことにより、半導体
シリコンウェハ７表面でのオゾンの消費に供給が追いつ
かず、オゾン不足により半導体シリコンウェハ７にアン
モニアによる不均一なエッチングが生じるという問題が
発生する。本発明は上記した従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、半導体シリコ
ンウェハの洗浄にアンモニア水とオゾンを用いても、ア
ンモニアによるシリコンウェハ表面の不均一なエッチン
グが生じない洗浄装置を提供することにある。
た従来の洗浄装置では、半導体シリコンウェハ７の表面
へのオゾンの供給がバブラ３４から洗浄液３２中へのバ
ブリングに依存している。このためオゾンの水への溶解
度が小さい、かつ半導体シリコンウェハ７表面でのオゾ
ンを含んだ洗浄液３２の置換が遅いことにより、半導体
シリコンウェハ７表面でのオゾンの消費に供給が追いつ
かず、オゾン不足により半導体シリコンウェハ７にアン
モニアによる不均一なエッチングが生じるという問題が
発生する。本発明は上記した従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、半導体シリコ
ンウェハの洗浄にアンモニア水とオゾンを用いても、ア
ンモニアによるシリコンウェハ表面の不均一なエッチン
グが生じない洗浄装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明では、半導体シリコンウェハを内部に保持す
る処理槽と、アンモニア水を加圧供給する装置と、オゾ
ンを供給する装置とからなり、前記アンモニア水を加圧
供給することにより前記オゾンを含む気体を混合しなが
ら該アンモニア水を前記処理槽内の半導体シリコンウェ
ハに噴出したものである。また、処理槽を密閉し、オゾ
ン含む気体単体を前記処理槽内に導入したものである。
に、本発明では、半導体シリコンウェハを内部に保持す
る処理槽と、アンモニア水を加圧供給する装置と、オゾ
ンを供給する装置とからなり、前記アンモニア水を加圧
供給することにより前記オゾンを含む気体を混合しなが
ら該アンモニア水を前記処理槽内の半導体シリコンウェ
ハに噴出したものである。また、処理槽を密閉し、オゾ
ン含む気体単体を前記処理槽内に導入したものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、アンモニア水をオゾンを含
んだ気体を混合気体として、半導体シリコンウェハに噴
出させることにより、オゾンで飽和したアンモニア水を
シリコンウェハ表面へすばやく供給するとともに周辺雰
囲気からウェハ表面のアンモニア水への供給を促進し、
オゾン不足によるシリコンウェハ表面の不均一なエッチ
ングが生じなくなる。
んだ気体を混合気体として、半導体シリコンウェハに噴
出させることにより、オゾンで飽和したアンモニア水を
シリコンウェハ表面へすばやく供給するとともに周辺雰
囲気からウェハ表面のアンモニア水への供給を促進し、
オゾン不足によるシリコンウェハ表面の不均一なエッチ
ングが生じなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図にもとづいて説
明する。図１において、従来技術と同一の符号を付した
ものは従来と同一構成を示すので詳細な説明は省略する
。図中１１は処理槽、１２は洗浄液であるアンモニア水
で、本実施例では濃度が３．５％である。１３は処理槽
１１の下方に配設したアンモニア水１２を入れるタンク
、１４はタンク１３内に設けられたヒータ、１５はポン
プ、１６はフィルタで本実施例では孔径０．３μｍのも
のを採用している。１７はノズルで内部は流体の流れに
より別の流体を吸引する水流ポンプとなっている。
明する。図１において、従来技術と同一の符号を付した
ものは従来と同一構成を示すので詳細な説明は省略する
。図中１１は処理槽、１２は洗浄液であるアンモニア水
で、本実施例では濃度が３．５％である。１３は処理槽
１１の下方に配設したアンモニア水１２を入れるタンク
、１４はタンク１３内に設けられたヒータ、１５はポン
プ、１６はフィルタで本実施例では孔径０．３μｍのも
のを採用している。１７はノズルで内部は流体の流れに
より別の流体を吸引する水流ポンプとなっている。
【０００８】つぎに動作を説明する。タンク１３内のア
ンモニア水１２はヒータ１４の入切により８０℃前後に
保たれている。処理槽１１内に洗浄かごに入れた半導体
シリコンウェハ７を入れる。タンク１３中のアンモニア
水１２をポンプ１５により加圧し、フィルタ１６により
０．１μｍ以上の粒子を除去したのち、ノズル１７より
半導体シリコンウェハ７に噴出させる。同時に、オゾン
発生器５より供給管６を通うして送られたオゾンを含ん
だ酸素をノズル１７にてアンモニア水１２の流れによる
減圧効果でアンモニア水１２中に吸引、混合させる。
ンモニア水１２はヒータ１４の入切により８０℃前後に
保たれている。処理槽１１内に洗浄かごに入れた半導体
シリコンウェハ７を入れる。タンク１３中のアンモニア
水１２をポンプ１５により加圧し、フィルタ１６により
０．１μｍ以上の粒子を除去したのち、ノズル１７より
半導体シリコンウェハ７に噴出させる。同時に、オゾン
発生器５より供給管６を通うして送られたオゾンを含ん
だ酸素をノズル１７にてアンモニア水１２の流れによる
減圧効果でアンモニア水１２中に吸引、混合させる。
【０００９】オゾンのアンモニア水１２中への吸引混合
により、アンモニア水１２中への溶解を促進し、急速に
飽和させる。さらにアンモニア水１２をノズル１７より
噴出させることにより、半導体シリコンウェハ７の表面
に常にオゾンで飽和したアンモニア水１２を供給する。 さらにアンモニア水１２に溶解しきれないオゾンも気体
のままアンモニア水の噴出とともに半導体シリコンウェ
ハ７の表面に供給する。これにより、半導体シリコンウ
ェハ７の表面には消費量に比べ充分なオゾンが供給され
るため、半導体シリコンウェハ７の表面のオゾンによる
軽い酸化とアンモニア水による軽いエッチングが起こり
、半導体シリコンウェハ７の洗浄がオゾンの不足による
不均一なエッチングがなく行われる。洗浄後のアンモニ
ア水は処理槽１１に流れ落ち、処理槽１１の下部よりタ
ンク１３に戻る。
により、アンモニア水１２中への溶解を促進し、急速に
飽和させる。さらにアンモニア水１２をノズル１７より
噴出させることにより、半導体シリコンウェハ７の表面
に常にオゾンで飽和したアンモニア水１２を供給する。 さらにアンモニア水１２に溶解しきれないオゾンも気体
のままアンモニア水の噴出とともに半導体シリコンウェ
ハ７の表面に供給する。これにより、半導体シリコンウ
ェハ７の表面には消費量に比べ充分なオゾンが供給され
るため、半導体シリコンウェハ７の表面のオゾンによる
軽い酸化とアンモニア水による軽いエッチングが起こり
、半導体シリコンウェハ７の洗浄がオゾンの不足による
不均一なエッチングがなく行われる。洗浄後のアンモニ
ア水は処理槽１１に流れ落ち、処理槽１１の下部よりタ
ンク１３に戻る。
【００１０】図２は本発明の別の実施例であり、この実
施例においては、処理槽２１に開閉自在な蓋２２を設け
処理槽２１を密閉状態とし、同時に処理槽２１の一方側
面にオゾン発生器５から送られるオゾンを含んだ酸素を
処理槽２１内に導入する導入口２３と、他方側面に処理
槽２１内の空気を排気する排気口２４とをそれぞれ設け
ている。処理槽２１に導入口２３および排気口２４とを
設けたことにより、処理槽２１の内部のオゾン濃度を高
くすることができる。ポンプ１５を動作させ、アンモニ
ア水１２をオゾンとともにノズル１７より噴出させると
、半導体シリコンウェハ７の周辺がオゾン雰囲気である
ため、よりオゾンの供給が促進される。
施例においては、処理槽２１に開閉自在な蓋２２を設け
処理槽２１を密閉状態とし、同時に処理槽２１の一方側
面にオゾン発生器５から送られるオゾンを含んだ酸素を
処理槽２１内に導入する導入口２３と、他方側面に処理
槽２１内の空気を排気する排気口２４とをそれぞれ設け
ている。処理槽２１に導入口２３および排気口２４とを
設けたことにより、処理槽２１の内部のオゾン濃度を高
くすることができる。ポンプ１５を動作させ、アンモニ
ア水１２をオゾンとともにノズル１７より噴出させると
、半導体シリコンウェハ７の周辺がオゾン雰囲気である
ため、よりオゾンの供給が促進される。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オゾンを含む気体をアンモニア水とともにノズルより半
導体シリコンウェハに噴出させているので、半導体シリ
コンウェハ表面へのオゾンの供給が充分行われて、不均
一なエッチングが起こることはなくアンモニア水とオゾ
ンによる半導体ウェハの洗浄を確実に行うことができる
といる効果がある。
オゾンを含む気体をアンモニア水とともにノズルより半
導体シリコンウェハに噴出させているので、半導体シリ
コンウェハ表面へのオゾンの供給が充分行われて、不均
一なエッチングが起こることはなくアンモニア水とオゾ
ンによる半導体ウェハの洗浄を確実に行うことができる
といる効果がある。
【図１】本発明の概略の側断面図である。
【図２】本発明の別の実施例を示す概略の側断面図であ
る。
る。
【図３】従来の概略の側断面図である。
５ オゾン発生器
７ 半導体シリコンウェハ
１１ 処理槽
１２ アンモニア水
１３ タンク
１５ ポンプ
１７ ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体シリコンウェハを内部に保持す
る処理槽と、アンモニア水を加圧供給する装置と、オゾ
ンを供給する装置とからなり、前記アンモニア水を加圧
供給することにより前記オゾンを含む気体を混合しなが
ら該アンモニア水を前記処理槽内の半導体シリコンウェ
ハに噴出したことを特徴とする半導体シリコンウェハの
洗浄装置。 - 【請求項２】 処理槽を密閉し、オゾン単体を前記処
理槽内に導入したことを特徴とする請求項１記載の半導
体シリコンウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12019391A JPH04346431A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12019391A JPH04346431A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346431A true JPH04346431A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14780215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12019391A Pending JPH04346431A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346431A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487398A (en) * | 1993-06-22 | 1996-01-30 | Tadahiro Ohmi | Rotary cleaning method with chemical solutions and rotary cleaning apparatus with chemical solutions |
| EP1199740A3 (en) * | 1995-08-23 | 2003-09-03 | Ictop Entwicklungs GmbH | Procedure for drying silicon |
| EP1335412A3 (en) * | 2002-01-30 | 2006-06-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| CN114975076A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆清洗方法和装置 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP12019391A patent/JPH04346431A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487398A (en) * | 1993-06-22 | 1996-01-30 | Tadahiro Ohmi | Rotary cleaning method with chemical solutions and rotary cleaning apparatus with chemical solutions |
| EP1199740A3 (en) * | 1995-08-23 | 2003-09-03 | Ictop Entwicklungs GmbH | Procedure for drying silicon |
| EP1335412A3 (en) * | 2002-01-30 | 2006-06-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| CN114975076A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆清洗方法和装置 |
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