JPH04346501A - マイクロ波集積回路モジュール - Google Patents
マイクロ波集積回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH04346501A JPH04346501A JP3119770A JP11977091A JPH04346501A JP H04346501 A JPH04346501 A JP H04346501A JP 3119770 A JP3119770 A JP 3119770A JP 11977091 A JP11977091 A JP 11977091A JP H04346501 A JPH04346501 A JP H04346501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- module
- matching circuit
- thin film
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯で動作す
るマイクロ波集積回路モジュールに関するものである。
るマイクロ波集積回路モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のマイクロ波帯で動作するマ
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称す）モジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図５は、図４のＢ−Ｂ線
による断面図である。これらの図において、１は金属で
形成した金属ベース、２はモジュールの内部と外部とを
電気的に接続するマイクロストリップラインが形成され
たセラミックの端子基板、３は金属やセラミックからな
るモジュールフレーム、４はマイクロ波半導体素子で、
例えばガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、Ｇａ
ＡｓＦＥＴと称す）、５はこのＧａＡｓＦＥＴ４をアセ
ンブリするための金属ブロック、６，７，および８はセ
ラミック基板に導体パターンが形成されている入力整合
回路基板，段間整合回路基板，および出力整合回路基板
、９は金属の電極リード、１０はＤＣブロックコンデン
サ、１１はボンディングワイヤである。
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称す）モジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図５は、図４のＢ−Ｂ線
による断面図である。これらの図において、１は金属で
形成した金属ベース、２はモジュールの内部と外部とを
電気的に接続するマイクロストリップラインが形成され
たセラミックの端子基板、３は金属やセラミックからな
るモジュールフレーム、４はマイクロ波半導体素子で、
例えばガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、Ｇａ
ＡｓＦＥＴと称す）、５はこのＧａＡｓＦＥＴ４をアセ
ンブリするための金属ブロック、６，７，および８はセ
ラミック基板に導体パターンが形成されている入力整合
回路基板，段間整合回路基板，および出力整合回路基板
、９は金属の電極リード、１０はＤＣブロックコンデン
サ、１１はボンディングワイヤである。
【０００３】図４および図５では、ＭＩＣモジュール内
部にＧａＡｓＦＥＴ４と入力整合回路基板６，段間整合
回路基板７，出力整合回路基板８，端子基板２および電
極リード９がボンディングワイヤ１１によって接続され
ている。したがって、電極リード９より入力したマイク
ロ波信号は、ＧａＡｓＦＥＴ４が各整合回路基板６，７
，８によって整合されているので、効率よくモジュール
内で増幅される。
部にＧａＡｓＦＥＴ４と入力整合回路基板６，段間整合
回路基板７，出力整合回路基板８，端子基板２および電
極リード９がボンディングワイヤ１１によって接続され
ている。したがって、電極リード９より入力したマイク
ロ波信号は、ＧａＡｓＦＥＴ４が各整合回路基板６，７
，８によって整合されているので、効率よくモジュール
内で増幅される。
【０００４】上記のように構成された従来のＭＩＣモジ
ュールのアセンブリは次のように行われている。まず、
金属ベース１上に、入力整合回路基板６，段間整合回路
基板７，出力整合回路基板８を、また、金属ブロック５
上にＧａＡｓＦＥＴ４を、次に、段間整合回路基板７上
にＤＣブロックコンデンサ１０を半田付けする。さらに
、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロックコンデンサ１０およ
び各整合回路基板６〜８をワイヤボンディングする。
ュールのアセンブリは次のように行われている。まず、
金属ベース１上に、入力整合回路基板６，段間整合回路
基板７，出力整合回路基板８を、また、金属ブロック５
上にＧａＡｓＦＥＴ４を、次に、段間整合回路基板７上
にＤＣブロックコンデンサ１０を半田付けする。さらに
、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロックコンデンサ１０およ
び各整合回路基板６〜８をワイヤボンディングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のＭ
ＩＣモジュールでは、比較的大きな整合回路基板（５×
１０ｍｍ）と小さなＧａＡｓＦＥＴチップ（０．５×０
．５ｍｍ）やＤＣブロックコンデンサ（０．５×０．５
ｍｍ）を小さなモジュール内部で半田付けやワイヤボン
ディングするので、アセンブリ工程が複雑になり、アセ
ンブリ時間が長くかかるという問題点があった。
ＩＣモジュールでは、比較的大きな整合回路基板（５×
１０ｍｍ）と小さなＧａＡｓＦＥＴチップ（０．５×０
．５ｍｍ）やＤＣブロックコンデンサ（０．５×０．５
ｍｍ）を小さなモジュール内部で半田付けやワイヤボン
ディングするので、アセンブリ工程が複雑になり、アセ
ンブリ時間が長くかかるという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、アセンブリ工程が簡単にできる
安価なＭＩＣモジュールを得ることを目的とする。
ためになされたもので、アセンブリ工程が簡単にできる
安価なＭＩＣモジュールを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明におけるＭＩＣモ
ジュールでは、整合回路等のマイクロ波回路が形成され
ているテープ状のプラスチック等の絶縁薄膜に、所要の
マイクロ波部品を接着し、所定のワイヤボンディングを
施した後、この絶縁薄膜を切断してモジュールフレーム
内のセラミック基板上に接着したものである。
ジュールでは、整合回路等のマイクロ波回路が形成され
ているテープ状のプラスチック等の絶縁薄膜に、所要の
マイクロ波部品を接着し、所定のワイヤボンディングを
施した後、この絶縁薄膜を切断してモジュールフレーム
内のセラミック基板上に接着したものである。
【０００８】
【作用】本発明におけるＭＩＣモジュールでは、整合回
路パターンが形成されている絶縁薄膜上にマイクロ波部
品をアセンブリすることにより、アセンブリ時間が短く
、安価なＭＩＣモジュールが得られる。
路パターンが形成されている絶縁薄膜上にマイクロ波部
品をアセンブリすることにより、アセンブリ時間が短く
、安価なＭＩＣモジュールが得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すＭＩＣモジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線
による断面図である。これらの図において、図４および
図５と同一符号は同一構成部分を示し、１２はセラミッ
ク基板、１３は耐熱性のある絶縁薄膜、例えばプラスチ
ック薄膜、１４は前記金属ベース１とプラスチック薄膜
１３とを電気的に導通するためのスルーホール、１５は
前記金属ベース１と後述するボンディング部１６とを電
気的に導通するためのスルーホールである。１６はボン
ディング部で、金属薄膜からなり、ＧａＡｓＦＥＴ４等
のマイクロ波部品がアセンブリされる。１７は入力整合
回路、１８は段間整合回路、１９は出力整合回路であり
、これらは図３に示すように、プラスチック薄膜１３上
に接着されている。
る。図１は本発明の一実施例を示すＭＩＣモジュールの
上ブタを除いた平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線
による断面図である。これらの図において、図４および
図５と同一符号は同一構成部分を示し、１２はセラミッ
ク基板、１３は耐熱性のある絶縁薄膜、例えばプラスチ
ック薄膜、１４は前記金属ベース１とプラスチック薄膜
１３とを電気的に導通するためのスルーホール、１５は
前記金属ベース１と後述するボンディング部１６とを電
気的に導通するためのスルーホールである。１６はボン
ディング部で、金属薄膜からなり、ＧａＡｓＦＥＴ４等
のマイクロ波部品がアセンブリされる。１７は入力整合
回路、１８は段間整合回路、１９は出力整合回路であり
、これらは図３に示すように、プラスチック薄膜１３上
に接着されている。
【００１０】なお、金メッキされた銅等の薄い金属薄膜
によるボンディング部１６や各整合回路１７〜１９は、
テープ状になったプラスチック薄膜１３上に耐熱性のあ
る接着樹脂で貼り付けられている。
によるボンディング部１６や各整合回路１７〜１９は、
テープ状になったプラスチック薄膜１３上に耐熱性のあ
る接着樹脂で貼り付けられている。
【００１１】次に、本発明のＭＩＣモジュールのアセン
ブリについて説明する。まず、テープ状となったプラス
チック薄膜１３上に、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロック
コンデンサ１０，ボンディング部１６，各整合回路１７
〜１９等を接着し、その後、ワイヤボンドを実施する。 次に、テープ状のプラスチック薄膜１３を切断してＭＩ
Ｃモジュールのセラミック基板１２上に接着する。
ブリについて説明する。まず、テープ状となったプラス
チック薄膜１３上に、ＧａＡｓＦＥＴ４，ＤＣブロック
コンデンサ１０，ボンディング部１６，各整合回路１７
〜１９等を接着し、その後、ワイヤボンドを実施する。 次に、テープ状のプラスチック薄膜１３を切断してＭＩ
Ｃモジュールのセラミック基板１２上に接着する。
【００１２】したがって、本発明のＭＩＣモジュールに
おいては、従来のＭＩＣモジュールで問題となっていた
アセンブリ上の問題点が改善されている。つまり、最も
アセンブリ時間の長いＧａＡｓＦＥＴ４のアセンブリに
おいて、モジュールフレーム３内でアセンブリするので
はなく、テープ状になったプラスチック薄膜１３上でア
センブリするので、高速で正確な自動半田付けや自動ワ
イヤボンドが可能となる。また、図４の従来例で説明し
たように、整合回路パターンが形成されている入力整合
回路基板６，段間整合回路基板７および出力整合回路基
板８を金属ベース１に半田付けする必要がないという利
点もある。
おいては、従来のＭＩＣモジュールで問題となっていた
アセンブリ上の問題点が改善されている。つまり、最も
アセンブリ時間の長いＧａＡｓＦＥＴ４のアセンブリに
おいて、モジュールフレーム３内でアセンブリするので
はなく、テープ状になったプラスチック薄膜１３上でア
センブリするので、高速で正確な自動半田付けや自動ワ
イヤボンドが可能となる。また、図４の従来例で説明し
たように、整合回路パターンが形成されている入力整合
回路基板６，段間整合回路基板７および出力整合回路基
板８を金属ベース１に半田付けする必要がないという利
点もある。
【００１３】上記のようにして構成されたＭＩＣモジュ
ールは、モジュールフレーム３内において、プラスチッ
ク薄膜１３上にＧａＡｓＦＥＴ４が半田付けされ、この
ＧａＡｓＦＥＴ４には入力整合回路１７，段間整合回路
１８，出力整合回路１９が接続されている。したがって
、従来と同様に電極リード９より入力されたマイクロ波
信号はＧａＡｓＦＥＴ４で効率良く増幅される。
ールは、モジュールフレーム３内において、プラスチッ
ク薄膜１３上にＧａＡｓＦＥＴ４が半田付けされ、この
ＧａＡｓＦＥＴ４には入力整合回路１７，段間整合回路
１８，出力整合回路１９が接続されている。したがって
、従来と同様に電極リード９より入力されたマイクロ波
信号はＧａＡｓＦＥＴ４で効率良く増幅される。
【００１４】なお、上記実施例では、マイクロ波半導体
素子としてＧａＡｓＦＥＴを、マイクロ波集積回路とし
て増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素子が
シリコンバイポーラトランジスタであっても、また、マ
イクロ波集積回路としては発振回路やミキサ回路等であ
っても、上記実施例と同様の効果を奏する。
素子としてＧａＡｓＦＥＴを、マイクロ波集積回路とし
て増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素子が
シリコンバイポーラトランジスタであっても、また、マ
イクロ波集積回路としては発振回路やミキサ回路等であ
っても、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波集積回路モジュールによれば、各整合回路が形成され
ている絶縁薄膜にマイクロ波部品をアセンブリしたもの
をモジュールフレーム内のセラミックベースに接着する
ことによって構成されているので、簡単なアセンブリで
安価なマイクロ波集積回路モジュールが得られるという
効果がある。
波集積回路モジュールによれば、各整合回路が形成され
ている絶縁薄膜にマイクロ波部品をアセンブリしたもの
をモジュールフレーム内のセラミックベースに接着する
ことによって構成されているので、簡単なアセンブリで
安価なマイクロ波集積回路モジュールが得られるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すＭＩＣモジュールの平
面図である。
面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】本発明のプラスチック薄膜の詳細を示す平面図
である。
である。
【図４】従来のＭＩＣモジュールを示す平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線による断面図である。
１ 金属ベース
２ 端子基板
３ モジュールフレーム
４ ＧａＡｓＦＥＴ
９ 電極リード
１０ ＤＣブロックコンデンサ
１１ ボンディングワイヤ
１２ セラミックベース
１３ プラスチック薄膜
１４ スルーホール
１５ スルーホール
１６ ボンディング部
１７ 入力整合回路
１８ 段間整合回路
１９ 出力整合回路
Claims (1)
- 【請求項１】金属ベース上にモジュールフレームを形成
し、このモジュールフレームに入力用と出力用の端子板
が形成され、前記モジュールフレーム内のマイクロ波回
路にマイクロ波部品をアセンブリするマイクロ波集積回
路モジュールにおいて、前記金属ベース上にセラミック
基板を設け、一方、マイクロ波回路を形成した金属薄膜
を設けた絶縁薄膜上に、マイクロ波部品をアセンブリし
、この絶縁薄膜をモジュール内の前記セラミック基板上
に配置したことを特徴とするマイクロ波集積回路モジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119770A JPH04346501A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | マイクロ波集積回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119770A JPH04346501A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | マイクロ波集積回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346501A true JPH04346501A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14769774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119770A Pending JPH04346501A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | マイクロ波集積回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014203846A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | 高周波半導体モジュール |
| WO2026047942A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | Ｎｔｔ株式会社 | 信号伝送装置 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119770A patent/JPH04346501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014203846A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | 高周波半導体モジュール |
| WO2026047942A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | Ｎｔｔ株式会社 | 信号伝送装置 |
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