JPH04271160A - マイクロ波集積回路モジュ−ル - Google Patents
マイクロ波集積回路モジュ−ルInfo
- Publication number
- JPH04271160A JPH04271160A JP3007748A JP774891A JPH04271160A JP H04271160 A JPH04271160 A JP H04271160A JP 3007748 A JP3007748 A JP 3007748A JP 774891 A JP774891 A JP 774891A JP H04271160 A JPH04271160 A JP H04271160A
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- JP
- Japan
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- module
- output
- integrated circuit
- chip
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯で動作す
るマイクロ波集積回路モジュ−ルに関するものである。
るマイクロ波集積回路モジュ−ルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波帯で動作するマ
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称す）モジュ−ルの
上蓋を除いた平面図である。この図において、１は金属
で構成したモジュ−ルケ−ス本体、２は金属またはセラ
ミックのモジュ−ルフレ−ム、３はモジュ−ルの内部と
外部を電気的に接続するセラミック端子基板であり、４
はガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、ＧａＡｓ
ＦＥＴと称す）チップ、５はこのＧａＡｓＦＥＴチップ
４をダイボンドするための金属ブロック、６および７は
セラミック基板に導体パタ−ンが形成されている入力整
合回路基板および出力整合回路基板、８は金属の電極リ
−ド端子、９はボンディングワイヤである。
イクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと称す）モジュ−ルの
上蓋を除いた平面図である。この図において、１は金属
で構成したモジュ−ルケ−ス本体、２は金属またはセラ
ミックのモジュ−ルフレ−ム、３はモジュ−ルの内部と
外部を電気的に接続するセラミック端子基板であり、４
はガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、ＧａＡｓ
ＦＥＴと称す）チップ、５はこのＧａＡｓＦＥＴチップ
４をダイボンドするための金属ブロック、６および７は
セラミック基板に導体パタ−ンが形成されている入力整
合回路基板および出力整合回路基板、８は金属の電極リ
−ド端子、９はボンディングワイヤである。
【０００３】図３のＭＩＣモジュ−ルにおいては、モジ
ュ−ルケ−ス本体１上にＧａＡｓＦＥＴチップ４と入力
整合回路基板６，出力整合回路基板７およびセラミック
端子基板３とがボンディングワイヤ９によってそれぞれ
接続されている。したがって、電極リ−ド端子８より入
力したマイクロ波信号は、入力および出力整合回路基板
６，７により入出力整合されているため、効率よくＧａ
ＡｓＦＥＴチップ４で増幅される。
ュ−ルケ−ス本体１上にＧａＡｓＦＥＴチップ４と入力
整合回路基板６，出力整合回路基板７およびセラミック
端子基板３とがボンディングワイヤ９によってそれぞれ
接続されている。したがって、電極リ−ド端子８より入
力したマイクロ波信号は、入力および出力整合回路基板
６，７により入出力整合されているため、効率よくＧａ
ＡｓＦＥＴチップ４で増幅される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＩＣモジュ−
ルは以上のように構成されているので、ＭＩＣモジュ−
ルをアセンブリする場合、まず入力，出力整合回路基板
６，７、金属ブロック５およびＧａＡｓＦＥＴチップ４
をダイボンドシタ後、各々の基板をボンディングワイヤ
９でワイヤボンディングする必要があった。つまり、比
較的大きな入力，出力整合回路基板（５ｍｍ×１０ｍｍ
）６，７と小さなＧａＡｓＦＥＴチップ（０．５ｍｍ×
０．５ｍｍ）４を、小さなモジュ−ル上にダイボンドお
よびワイヤボンドするのでアセンブリ工程が複雑になり
、アセンブリ時間が長くかかるという問題点があった。 また、入力および出力整合回路基板６，７はセラミック
基板上に整合回路を導体印刷したものを用いているので
、セラミックの誘電体損失や導体印刷回路の導体損失に
より、ＭＩＣモジュ−ルのマイクロ波特性も劣化すると
いう問題点があった。
ルは以上のように構成されているので、ＭＩＣモジュ−
ルをアセンブリする場合、まず入力，出力整合回路基板
６，７、金属ブロック５およびＧａＡｓＦＥＴチップ４
をダイボンドシタ後、各々の基板をボンディングワイヤ
９でワイヤボンディングする必要があった。つまり、比
較的大きな入力，出力整合回路基板（５ｍｍ×１０ｍｍ
）６，７と小さなＧａＡｓＦＥＴチップ（０．５ｍｍ×
０．５ｍｍ）４を、小さなモジュ−ル上にダイボンドお
よびワイヤボンドするのでアセンブリ工程が複雑になり
、アセンブリ時間が長くかかるという問題点があった。 また、入力および出力整合回路基板６，７はセラミック
基板上に整合回路を導体印刷したものを用いているので
、セラミックの誘電体損失や導体印刷回路の導体損失に
より、ＭＩＣモジュ−ルのマイクロ波特性も劣化すると
いう問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、アセンブリが簡単でマイクロ波
特性の良好なＭＩＣモジュ−ルを得ることを目的とする
。
ためになされたもので、アセンブリが簡単でマイクロ波
特性の良好なＭＩＣモジュ−ルを得ることを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＩＣモジ
ュ−ルは、入力，出力リ−ド電極自体を入力整合回路お
よび出力整合回路に構成し、これらの入力，出力リ−ド
電極をチップキャリアに接続しておき、このチップキャ
リアに半導体チップを取付けたものである。
ュ−ルは、入力，出力リ−ド電極自体を入力整合回路お
よび出力整合回路に構成し、これらの入力，出力リ−ド
電極をチップキャリアに接続しておき、このチップキャ
リアに半導体チップを取付けたものである。
【０００７】
【作用】本発明におけるＭＩＣモジュ−ルにおいては、
入力，出力リ−ド電極を備えたチップキャリアをリ−ド
フレ−ムに連結して形成することにより、半導体チップ
のダイボンドおよびワイヤボンド等のアセンブリはモジ
ュ−ルケ−ス内ではなく、リ−ドフレ−ムに連結した状
態で行えるため、アセンブリ時間が短くなるとともに、
誘電体損失や、導体損失が少なくなり、マイクロ波特性
が向上する。
入力，出力リ−ド電極を備えたチップキャリアをリ−ド
フレ−ムに連結して形成することにより、半導体チップ
のダイボンドおよびワイヤボンド等のアセンブリはモジ
ュ−ルケ−ス内ではなく、リ−ドフレ−ムに連結した状
態で行えるため、アセンブリ時間が短くなるとともに、
誘電体損失や、導体損失が少なくなり、マイクロ波特性
が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すもので、ＭＩＣモジ
ュ−ルの上蓋を除いた平面図である。この図で、図３と
同一符号はは同一部分を示し、１０はセラミックのチッ
プキャリアで、入力整合回路および出力整合回路パタ−
ンが形成されている金属のリ−ド電極となっている入力
リ−ド電極１１および出力リ−ド電極１２を備えている
。１３は前記ＧａＡｓＦＥＴチップ４のソ−スがボンデ
ィングワイヤ９によりボンディングされている接地リ−
ド電極、１４はこの接地リ−ド電極１３をモジュ−ルケ
−ス本体１に接地させるための金属ブロックである。
る。図１は本発明の一実施例を示すもので、ＭＩＣモジ
ュ−ルの上蓋を除いた平面図である。この図で、図３と
同一符号はは同一部分を示し、１０はセラミックのチッ
プキャリアで、入力整合回路および出力整合回路パタ−
ンが形成されている金属のリ−ド電極となっている入力
リ−ド電極１１および出力リ−ド電極１２を備えている
。１３は前記ＧａＡｓＦＥＴチップ４のソ−スがボンデ
ィングワイヤ９によりボンディングされている接地リ−
ド電極、１４はこの接地リ−ド電極１３をモジュ−ルケ
−ス本体１に接地させるための金属ブロックである。
【０００９】チップキャリア１０は、図２に示されるよ
うに、リ−ドフレ−ム１５に多数連結された状態になっ
ており、ＧａＡｓＦＥＴチップ４をボンディングした後
、入力，出力リ−ド電極１１，１２および接地リ−ド電
極１３を、例えば各々一点鎖線で示す位置で切断し、Ｍ
ＩＣモジュ−ルにはんだ付けを行う。
うに、リ−ドフレ−ム１５に多数連結された状態になっ
ており、ＧａＡｓＦＥＴチップ４をボンディングした後
、入力，出力リ−ド電極１１，１２および接地リ−ド電
極１３を、例えば各々一点鎖線で示す位置で切断し、Ｍ
ＩＣモジュ−ルにはんだ付けを行う。
【００１０】本発明のＭＩＣモジュ−ルにおいては、チ
ップキャリア１０上にＧａＡｓＦＥＴチップ４がボンデ
ィングされ、ＧａＡｓＦＥＴチップ４には入力整合回路
パタ−ンおよび出力整合回路パタ−ンとなっている入力
リ−ド電極１１および出力リ−ド電極１２が接続されて
いる。したがって、従来と同様、電極リ−ド端子８より
入力されたマイクロ波信号は、ＧａＡｓＦＥＴチップ４
で効率よく増幅される。
ップキャリア１０上にＧａＡｓＦＥＴチップ４がボンデ
ィングされ、ＧａＡｓＦＥＴチップ４には入力整合回路
パタ−ンおよび出力整合回路パタ−ンとなっている入力
リ−ド電極１１および出力リ−ド電極１２が接続されて
いる。したがって、従来と同様、電極リ−ド端子８より
入力されたマイクロ波信号は、ＧａＡｓＦＥＴチップ４
で効率よく増幅される。
【００１１】本発明のＭＩＣモジュ−ルにおいては、入
出力整合回路付チップキャリアを用いているので、従来
のモジュ−ルで問題となっていたアセンブリおよびマイ
クロ波特性に関する欠点が改善されている。つまり、最
もアセンブリ時間の長いＧａＡｓＦＥＴチップ４のアセ
ンブリにおいては、モジュ−ルケ−ス内でアセンブリす
るのではなく、図２のようにリ−ドフレ−ム１５と一体
となっているチップキャリア１０上でアセンブリを実施
するので、高速で正確な自動ダイボンドおよびワイヤボ
ンドが可能となる。また、本発明の入力および出力整合
回路は、セラミック基板上に導体印刷したものでなく、
空間中におかれた金属の入力リ−ドおよび出力リ−ドで
構成されているので、セラミックの誘電体損失や導体損
失が少なく、マイクロ波特性の良好なＭＩＣモジュ−ル
が得られるという効果がある。さらに、高価なセラミッ
ク整合回路を用いていないので、廉価なモジュ−ルが構
成できるという利点もある。
出力整合回路付チップキャリアを用いているので、従来
のモジュ−ルで問題となっていたアセンブリおよびマイ
クロ波特性に関する欠点が改善されている。つまり、最
もアセンブリ時間の長いＧａＡｓＦＥＴチップ４のアセ
ンブリにおいては、モジュ−ルケ−ス内でアセンブリす
るのではなく、図２のようにリ−ドフレ−ム１５と一体
となっているチップキャリア１０上でアセンブリを実施
するので、高速で正確な自動ダイボンドおよびワイヤボ
ンドが可能となる。また、本発明の入力および出力整合
回路は、セラミック基板上に導体印刷したものでなく、
空間中におかれた金属の入力リ−ドおよび出力リ−ドで
構成されているので、セラミックの誘電体損失や導体損
失が少なく、マイクロ波特性の良好なＭＩＣモジュ−ル
が得られるという効果がある。さらに、高価なセラミッ
ク整合回路を用いていないので、廉価なモジュ−ルが構
成できるという利点もある。
【００１２】なお、上記実施例ではマイクロ波半導体素
子としてＧａＡｓＦＥＴチップを、マイクロ波集積回路
として増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素
子がシリコンバイポ−ラトランジスタであっても、マイ
クロ波集積回路として発振回路やミキサ回路等であって
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
子としてＧａＡｓＦＥＴチップを、マイクロ波集積回路
として増幅回路の場合を示したが、マイクロ波半導体素
子がシリコンバイポ−ラトランジスタであっても、マイ
クロ波集積回路として発振回路やミキサ回路等であって
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、入力，
出力リ−ド電極が入力，出力整合回路となっており、こ
の入力，出力リ−ド電極が接続されたチップキャリアを
用いてマイクロ波集積回路モジュ−ルを構成したので、
簡単なアセンブリでマイクロ波特性の良好な、かつ廉価
なモジュ−ルが得られるという効果がある。
出力リ−ド電極が入力，出力整合回路となっており、こ
の入力，出力リ−ド電極が接続されたチップキャリアを
用いてマイクロ波集積回路モジュ−ルを構成したので、
簡単なアセンブリでマイクロ波特性の良好な、かつ廉価
なモジュ−ルが得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例によるマイクロ波集積回路モ
ジュ−ルの上蓋を除いた平面図である。
ジュ−ルの上蓋を除いた平面図である。
【図２】本発明のモジュ−ルに用いられているフレ−ム
状態のチップキャリアの平面図である。
状態のチップキャリアの平面図である。
【図３】従来のマイクロ波集積回路モジュ−ルの上蓋を
除いた平面図である。
除いた平面図である。
１ モジュ−ルケ−ス本体
２ モジュ−ルフレ−ム
３ セラミック端子基板
４ ＧａＡｓＦＥＴチップ
８ 電極リ−ド端子
９ ボンディングワイヤ
１０ チップキャリア
１１ 入力リ−ド電極
１２ 出力リ−ド電極
１３ 接地リ−ド電極
１４ 金属ブロック
１５ リ−ドフレ−ム
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波信号を入力，出力する電極
リ−ド端子と、この電極リ−ド端子と接続され、入力お
よび出力整合回路のパタ−ンがそれぞれ形成された入力
，出力リ−ド電極を備えたチップキャリアと、このチッ
プキャリアにダイボンドされ、前記入力，出力リ−ド電
極と所要のワイヤボンディングが施された半導体チップ
とを有することを特徴とするマイクロ波集積回路モジュ
−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007748A JPH04271160A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007748A JPH04271160A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271160A true JPH04271160A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=11674323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007748A Pending JPH04271160A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271160A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01273404A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体デバイス |
| JPH02114551A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007748A patent/JPH04271160A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01273404A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体デバイス |
| JPH02114551A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
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