JPH04348016A - 積層形固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH04348016A JPH04348016A JP14954291A JP14954291A JPH04348016A JP H04348016 A JPH04348016 A JP H04348016A JP 14954291 A JP14954291 A JP 14954291A JP 14954291 A JP14954291 A JP 14954291A JP H04348016 A JPH04348016 A JP H04348016A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子膜を固体電
解質として用いた積層形固体電解コンデンサの製造方法
に関する。
解質として用いた積層形固体電解コンデンサの製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年電子機器の高性能化が強まる中で各
種電子部品における小形化の要請は、電解コンデンサに
おいても例外ではなく、高密度実装化させて用いること
を可能とした電解コンデンサが各種提案され本格的な実
用化段階を迎えている。
種電子部品における小形化の要請は、電解コンデンサに
おいても例外ではなく、高密度実装化させて用いること
を可能とした電解コンデンサが各種提案され本格的な実
用化段階を迎えている。
【0003】この要請に応えた電解コンデンサの一つと
して、従来一般化している駆動用電解液に代えて各種半
導体を固体電解質として用いたものが知られいる。例え
ば、一対の陽極・陰極箔間にスペ−サを介在させて巻回
し形成したコンデンサ素子にTCNQ錯体に代表される
有機半導体を加熱・溶融含浸したもの、又はスペ−サを
取り除いた構造を有するものとして、陽極箔に所定の印
加電圧に耐え得る酸化皮膜を生成し、その上に直接有機
半導体を真空蒸着させてコンデンサとしたものであり、
いずれにしても温度特性或いは周波数特性において難点
があり、実用上解決すべき問題を抱える結果となってい
た。
して、従来一般化している駆動用電解液に代えて各種半
導体を固体電解質として用いたものが知られいる。例え
ば、一対の陽極・陰極箔間にスペ−サを介在させて巻回
し形成したコンデンサ素子にTCNQ錯体に代表される
有機半導体を加熱・溶融含浸したもの、又はスペ−サを
取り除いた構造を有するものとして、陽極箔に所定の印
加電圧に耐え得る酸化皮膜を生成し、その上に直接有機
半導体を真空蒸着させてコンデンサとしたものであり、
いずれにしても温度特性或いは周波数特性において難点
があり、実用上解決すべき問題を抱える結果となってい
た。
【0004】また、上記と同様にスペ−サ紙を使用しな
いものとして、陽極箔に印加電圧に耐え得る酸化皮膜を
生成させ、その上に化学酸化重合手段或いは電解酸化重
合手段を講じ、導電性高分子膜を形成させたものもある
。
いものとして、陽極箔に印加電圧に耐え得る酸化皮膜を
生成させ、その上に化学酸化重合手段或いは電解酸化重
合手段を講じ、導電性高分子膜を形成させたものもある
。
【0005】一般にコンデンサを電子機器に搭載する場
合には大容量が望まれるが、巻回形では、無効空間があ
るために高密度実装には適さず、高密度実装のためには
角形の積層構造がより有効であり、これらの要請に応え
るものとして酸化皮膜を生成した陽極箔を必要枚数積層
し、一端を接続した状態で化学酸化重合、電解酸化重合
を施し、前記酸化皮膜上に例えばポリピロ−ルからなる
導電性高分子膜を形成し、この導電性高分子膜上に陰極
引出層を形成してなる積層化構造のものが考えられる。
合には大容量が望まれるが、巻回形では、無効空間があ
るために高密度実装には適さず、高密度実装のためには
角形の積層構造がより有効であり、これらの要請に応え
るものとして酸化皮膜を生成した陽極箔を必要枚数積層
し、一端を接続した状態で化学酸化重合、電解酸化重合
を施し、前記酸化皮膜上に例えばポリピロ−ルからなる
導電性高分子膜を形成し、この導電性高分子膜上に陰極
引出層を形成してなる積層化構造のものが考えられる。
【0006】しかしながら、このような積層化構造のも
のは積層化が容易でなく、陽極箔積層間間隔を一定に保
つことは困難であり、したがって陽極箔表面に生成した
誘電体酸化皮膜上に形成される導電性高分子膜が不均一
になり、静電容量減少、tanδ大、更には漏れ電流増
大となる等の問題を抱える結果となっていた。
のは積層化が容易でなく、陽極箔積層間間隔を一定に保
つことは困難であり、したがって陽極箔表面に生成した
誘電体酸化皮膜上に形成される導電性高分子膜が不均一
になり、静電容量減少、tanδ大、更には漏れ電流増
大となる等の問題を抱える結果となっていた。
【0007】また、誘電体酸化皮膜を生成した陽極箔上
に導電性高分子膜を形成し、その上に導電ペ−ストを塗
布し陰電極膜とした基本素子を複数枚積層し、両端面部
に引出端子部を形成し積層形固体電解コンデンサとする
ものも考えられるが、この場合導電ペ−ストの乾燥時の
熱ストレスにより誘電体酸化皮膜にクラック等の欠陥が
生じ漏れ電流の増大やショ−ト不良発生等の問題を抱え
る結果となり、いずれにしても有効な対策とは言えなか
った。
に導電性高分子膜を形成し、その上に導電ペ−ストを塗
布し陰電極膜とした基本素子を複数枚積層し、両端面部
に引出端子部を形成し積層形固体電解コンデンサとする
ものも考えられるが、この場合導電ペ−ストの乾燥時の
熱ストレスにより誘電体酸化皮膜にクラック等の欠陥が
生じ漏れ電流の増大やショ−ト不良発生等の問題を抱え
る結果となり、いずれにしても有効な対策とは言えなか
った。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように電解
コンデンサにおける小形高性能化の要請に対応しようと
する流れは極めて活発であり、日進月歩の状況を迎えて
いる。
コンデンサにおける小形高性能化の要請に対応しようと
する流れは極めて活発であり、日進月歩の状況を迎えて
いる。
【0009】しかしながら、小形高性能化を満足し、か
つ回路基板への高密度実装化に適したチップ構造からな
る電解コンデンサとして現在のところ必ずしも満足でき
る状況には至っていない。
つ回路基板への高密度実装化に適したチップ構造からな
る電解コンデンサとして現在のところ必ずしも満足でき
る状況には至っていない。
【0010】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、作業性良好にして諸特性改善に大きく貢献できる導
電性高分子膜を固体電解質とした素子構成を有し、チッ
プ化構造に適した積層形固体電解コンデンサの製造方法
を提供することを目的とするものである。
で、作業性良好にして諸特性改善に大きく貢献できる導
電性高分子膜を固体電解質とした素子構成を有し、チッ
プ化構造に適した積層形固体電解コンデンサの製造方法
を提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体酸化皮
膜を生成した櫛形の皮膜生成性金属箔の基部の先端部を
除く両面及び歯の根元の両面に絶縁塗膜を形成する工程
と、前記櫛形の皮膜生成性金属箔の歯の両面に順次化学
酸化重合並びに電解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜
を形成し基本素子連を形成する工程と、この基本素子連
を前記絶縁塗膜部を接着し積層歯間に隙間を持たせそれ
ぞれ重なるよう複数枚積層し基本素子積層連群を形成す
る工程と、この基本素子積層連群の積層歯部に電解酸化
重合手段を講じ積層歯部に設けた導電性高分子膜上に更
に導電性高分子膜を形成してこの導電性高分子膜を介し
て前記積層歯間を一体化する工程と、この導電性高分子
膜上に陰極層を形成し積層素子連群を得る工程と、この
積層素子連群を歯の幅に沿って切断し単位素子を得る工
程と、この単位素子の陰極層に陰極引出端子を前記基部
の絶縁塗膜形成部以外に陽極引出端子を取着する工程と
を順次経る積層形固体電解コンデンサの製造方法を提供
することを特徴とするものである。
膜を生成した櫛形の皮膜生成性金属箔の基部の先端部を
除く両面及び歯の根元の両面に絶縁塗膜を形成する工程
と、前記櫛形の皮膜生成性金属箔の歯の両面に順次化学
酸化重合並びに電解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜
を形成し基本素子連を形成する工程と、この基本素子連
を前記絶縁塗膜部を接着し積層歯間に隙間を持たせそれ
ぞれ重なるよう複数枚積層し基本素子積層連群を形成す
る工程と、この基本素子積層連群の積層歯部に電解酸化
重合手段を講じ積層歯部に設けた導電性高分子膜上に更
に導電性高分子膜を形成してこの導電性高分子膜を介し
て前記積層歯間を一体化する工程と、この導電性高分子
膜上に陰極層を形成し積層素子連群を得る工程と、この
積層素子連群を歯の幅に沿って切断し単位素子を得る工
程と、この単位素子の陰極層に陰極引出端子を前記基部
の絶縁塗膜形成部以外に陽極引出端子を取着する工程と
を順次経る積層形固体電解コンデンサの製造方法を提供
することを特徴とするものである。
【0012】
【作用】このような構成によれば、あらかじめ基本素子
上に固体電解質としての導電性高分子膜を形成した後積
層化したものとなるため、導電性高分子膜が陽極箔上に
生成した誘電体酸化皮膜表面に均一に形成され、静電容
量、tanδ、漏れ電流特性の安定化に大きく寄与する
。
上に固体電解質としての導電性高分子膜を形成した後積
層化したものとなるため、導電性高分子膜が陽極箔上に
生成した誘電体酸化皮膜表面に均一に形成され、静電容
量、tanδ、漏れ電流特性の安定化に大きく寄与する
。
【0013】また、積層素子全体を電解重合膜で完全に
一体化させ基本素子間に積層状態で存在した隙間をなく
した状態で陰極層を形成するものであるため、熱ストレ
スによる誘電体酸化皮膜のクラック発生を抑えることが
でき漏れ電流のさらなる安定化は元よりチップ化構造に
適したものとなる。
一体化させ基本素子間に積層状態で存在した隙間をなく
した状態で陰極層を形成するものであるため、熱ストレ
スによる誘電体酸化皮膜のクラック発生を抑えることが
でき漏れ電流のさらなる安定化は元よりチップ化構造に
適したものとなる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき説明する。
【0015】まず、図2及び図3は基本素子連を示すも
ので、例えば厚さ100μmの高純度アルミニウム箔を
公知の手段でエッチングして表面を粗面化し、しかる後
櫛形に打ち抜いて基部1及び複数の歯2を設け、つぎに
化成処理を施し誘電体酸化皮膜3を生成し櫛形皮膜生成
性金属箔4とし、この櫛形皮膜生成性金属箔4の基部1
の先端部を除く両面及び歯2の根元までの両面にわたり
シリコ−ン、ポリイミド、ポリアミド、フッ素系樹脂な
どの絶縁塗料を塗布し絶縁塗膜5を形成し、しかる後前
記歯2の両面に化学酸化重合並びに電解酸化重合を施し
前記歯2の酸化皮膜上に導電性高分子膜6を形成し基本
素子連7を形成する。
ので、例えば厚さ100μmの高純度アルミニウム箔を
公知の手段でエッチングして表面を粗面化し、しかる後
櫛形に打ち抜いて基部1及び複数の歯2を設け、つぎに
化成処理を施し誘電体酸化皮膜3を生成し櫛形皮膜生成
性金属箔4とし、この櫛形皮膜生成性金属箔4の基部1
の先端部を除く両面及び歯2の根元までの両面にわたり
シリコ−ン、ポリイミド、ポリアミド、フッ素系樹脂な
どの絶縁塗料を塗布し絶縁塗膜5を形成し、しかる後前
記歯2の両面に化学酸化重合並びに電解酸化重合を施し
前記歯2の酸化皮膜上に導電性高分子膜6を形成し基本
素子連7を形成する。
【0016】つぎに、この基本素子連7を図4に示すよ
うに前記絶縁塗膜5部を接触させて積層する歯2間に間
隔をもたせそれぞれ重なるように複数枚積層し前記絶縁
塗膜5を加熱するか、若しくは新たに接着材を介して絶
縁塗膜5部を接着し基本素子積層連群8を得る。
うに前記絶縁塗膜5部を接触させて積層する歯2間に間
隔をもたせそれぞれ重なるように複数枚積層し前記絶縁
塗膜5を加熱するか、若しくは新たに接着材を介して絶
縁塗膜5部を接着し基本素子積層連群8を得る。
【0017】しかして、基本素子積層連群8の積層歯9
部を電解酸化重合溶液に浸漬して図5に示すようにこの
積層歯9部表面の導電性高分子膜6上に、電解酸化重合
によって電解重合膜からなる導電性高分子膜6を形成し
、前記歯2間に存在する間隔を導電性高分子膜6で埋め
込みこの導電性高分子膜6を介して前記積層歯9を一体
化し、前記導電性高分子膜6上にカ−ボングラファイト
層、更にこの上に銀ペ−ストを塗布−乾燥−焼付して陰
極層10を形成し積層素子連群11を得る。
部を電解酸化重合溶液に浸漬して図5に示すようにこの
積層歯9部表面の導電性高分子膜6上に、電解酸化重合
によって電解重合膜からなる導電性高分子膜6を形成し
、前記歯2間に存在する間隔を導電性高分子膜6で埋め
込みこの導電性高分子膜6を介して前記積層歯9を一体
化し、前記導電性高分子膜6上にカ−ボングラファイト
層、更にこの上に銀ペ−ストを塗布−乾燥−焼付して陰
極層10を形成し積層素子連群11を得る。
【0018】つぎに、図6に示すようにこの積層素子連
群11の基部1を歯2の幅(A−A)に沿って切断し、
図1に示すような単位素子12とし、この単位素子12
の陰極層10に陰極引出端子13を、また、この単位素
子12の基部1の絶縁塗膜5形成部以外に陽極引出端子
14をそれぞれ取着して、最後に樹脂外装15を施し、
この樹脂外装15から導出した陰極引出端子13及び陽
極引出端子14先端部を所望の位置に折曲げ(図示せず
)てなるものである。
群11の基部1を歯2の幅(A−A)に沿って切断し、
図1に示すような単位素子12とし、この単位素子12
の陰極層10に陰極引出端子13を、また、この単位素
子12の基部1の絶縁塗膜5形成部以外に陽極引出端子
14をそれぞれ取着して、最後に樹脂外装15を施し、
この樹脂外装15から導出した陰極引出端子13及び陽
極引出端子14先端部を所望の位置に折曲げ(図示せず
)てなるものである。
【0019】以上のように構成してなる本発明によれば
、あらかじめ基本素子連7段階で固体電解質としての導
電性高分子膜6を形成した後積層化したものとなるため
、導電性高分子膜6が櫛形皮膜生成性金属箔4上に生成
した誘電体酸化皮膜3表面に均一に形成され、静電容量
、tanδ、漏れ電流特性の安定化に大きく寄与する。
、あらかじめ基本素子連7段階で固体電解質としての導
電性高分子膜6を形成した後積層化したものとなるため
、導電性高分子膜6が櫛形皮膜生成性金属箔4上に生成
した誘電体酸化皮膜3表面に均一に形成され、静電容量
、tanδ、漏れ電流特性の安定化に大きく寄与する。
【0020】また、基本素子積層連群8全体を電解重合
膜からなる導電性高分子膜6で完全に一体化させ歯2間
(基本素子間)に積層状態で存在した隙間をなくした状
態で陰極層10を形成するものであるため、熱ストレス
による誘電体酸化皮膜3のクラック発生を抑えることが
でき漏れ電流のさらなる安定化は元よりチップ化に適し
たものとなる。
膜からなる導電性高分子膜6で完全に一体化させ歯2間
(基本素子間)に積層状態で存在した隙間をなくした状
態で陰極層10を形成するものであるため、熱ストレス
による誘電体酸化皮膜3のクラック発生を抑えることが
でき漏れ電流のさらなる安定化は元よりチップ化に適し
たものとなる。
【0021】つぎに、本発明と従来例によって得られた
固体電解ンデンサの特性比較について述べる。
固体電解ンデンサの特性比較について述べる。
【0022】すなわち、以下に示す本発明Aと従来例B
及び従来例Cの特性比較を下表に示す。試料はA、B、
Cとも50個で、表中の括弧なし数値は平均値で、括弧
付数値はバラツキを示す。
及び従来例Cの特性比較を下表に示す。試料はA、B、
Cとも50個で、表中の括弧なし数値は平均値で、括弧
付数値はバラツキを示す。
【0023】(本発明A)上記の実施例にて述べた手段
によって得られた、定格10V−6.3μFの積層形ア
ルミ固体電解コンデンサ。
によって得られた、定格10V−6.3μFの積層形ア
ルミ固体電解コンデンサ。
【0024】(従来例B)両面の一端近傍に絶縁塗膜を
設けた誘電体酸化皮膜を生成したアルミニウム箔複数枚
を、前記絶縁塗膜部を接着して前記アルミニウム箔間に
間隔を持たせて積層し積層体を形成した後、この積層体
を構成するアルミニウム箔の誘電体酸化皮膜上に化学酸
化重合及び電解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜を形
成する構成を除き、他は本発明と同じ手段を講じて得ら
れた、定格10V−6.3μFの積層形アルミ固体電解
コンデンサ。
設けた誘電体酸化皮膜を生成したアルミニウム箔複数枚
を、前記絶縁塗膜部を接着して前記アルミニウム箔間に
間隔を持たせて積層し積層体を形成した後、この積層体
を構成するアルミニウム箔の誘電体酸化皮膜上に化学酸
化重合及び電解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜を形
成する構成を除き、他は本発明と同じ手段を講じて得ら
れた、定格10V−6.3μFの積層形アルミ固体電解
コンデンサ。
【0025】(従来例C)誘電体酸化皮膜を生成したア
ルミニウム箔の誘電体酸化皮膜上に化学酸化重合及び電
解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜を形成し、その上
にカ−ボン層並びに銀ペ−スト層を設け陰極層を形成し
た基本素子を、絶縁塗膜を介して複数積層するようにし
た手段を除き、他は本発明と同じ手段を講じて得られた
、定格10V−6.3μFの積層形アルミ固体電解コン
デンサ。
ルミニウム箔の誘電体酸化皮膜上に化学酸化重合及び電
解酸化重合手段を講じ導電性高分子膜を形成し、その上
にカ−ボン層並びに銀ペ−スト層を設け陰極層を形成し
た基本素子を、絶縁塗膜を介して複数積層するようにし
た手段を除き、他は本発明と同じ手段を講じて得られた
、定格10V−6.3μFの積層形アルミ固体電解コン
デンサ。
【0026】
【表1】
【0027】上表から明らかなように、従来例Bのもの
は、いずれの特性も極端に悪く実用上大きな問題があり
、また従来例Cのものは、静電容量特性は問題はないが
、その他の特性はいずれも極端に悪く従来例B同様実用
的でないのに対して、本発明Aのものは、静電容量、t
anδ、漏れ電流特性も良好で、かつショ−ト不良率も
極僅かで本発明の優れた改善効果を実証した。
は、いずれの特性も極端に悪く実用上大きな問題があり
、また従来例Cのものは、静電容量特性は問題はないが
、その他の特性はいずれも極端に悪く従来例B同様実用
的でないのに対して、本発明Aのものは、静電容量、t
anδ、漏れ電流特性も良好で、かつショ−ト不良率も
極僅かで本発明の優れた改善効果を実証した。
【0028】なお、上記実施例では皮膜生成性金属箔と
して、アルミニウム箔を用いたものを例示して説明した
が、タンタル箔又はニオブ箔を用いたものに適用できる
ことは勿論である。
して、アルミニウム箔を用いたものを例示して説明した
が、タンタル箔又はニオブ箔を用いたものに適用できる
ことは勿論である。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体酸化皮膜を生成
した陽極箔全体に均一で十分な導電性高分子膜の形成が
可能となり、また熱ストレスによる誘電体酸化皮膜の損
傷も防止でき、諸特性改善に大きく貢献できる積層形固
体電解コンデンサの製造方法を得ることができる。
した陽極箔全体に均一で十分な導電性高分子膜の形成が
可能となり、また熱ストレスによる誘電体酸化皮膜の損
傷も防止でき、諸特性改善に大きく貢献できる積層形固
体電解コンデンサの製造方法を得ることができる。
【図1】本発明の実施例に係る積層形固体電解コンデン
サを示す断面図である。
サを示す断面図である。
【図2】本発明の実施例に係る基本素子連を示す側断面
図である。
図である。
【図3】本発明の実施例に係る基本素子連を示す平面図
である。
である。
【図4】本発明の実施例に係る基本素子積層連を示す側
面図である。
面図である。
【図5】本発明の実施例に係る積層素子連群を示す側断
面図である。
面図である。
【図6】本発明の実施例に係る積層素子連群を示す平面
図である。
図である。
1 基部
2 歯
3 誘電体酸化皮膜
4 櫛形皮膜生成性金属箔
5 絶縁塗膜
6 導電性高分子膜
7 基本素子連
8 基本素子積層連群
9 積層歯
10 陰極層
11 積層素子連群
12 単位素子
13 陰極引出端子
14 陽極引出端子
15 樹脂外装
Claims (1)
- 【請求項1】 誘電体酸化皮膜を生成した櫛形の皮膜
生成性金属箔の基部の先端部を除く両面及び歯の根元の
両面に絶縁塗膜を形成する工程と、前記櫛形の皮膜生成
性金属箔の歯の両面に順次化学酸化重合並びに電解酸化
重合手段を講じ導電性高分子膜を形成し基本素子連を形
成する工程と、この基本素子連を前記絶縁塗膜部を接着
し積層歯間に隙間を持たせそれぞれ重なるよう複数枚積
層し基本素子積層連群を形成する工程と、この基本素子
積層連群の積層歯部に電解酸化重合手段を講じ積層歯部
に設けた導電性高分子膜上に更に導電性高分子膜を形成
してこの導電性高分子膜を介して前記積層歯間を一体化
する工程と、この導電性高分子膜上に陰極層を形成し積
層素子連群を得る工程と、この積層素子連群を歯の幅に
沿って切断し単位素子を得る工程と、この単位素子の陰
極層に陰極引出端子を前記基部の絶縁塗膜形成部以外に
陽極引出端子を取着する工程とを順次経ることを特徴と
する積層形固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14954291A JP2832651B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14954291A JP2832651B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348016A true JPH04348016A (ja) | 1992-12-03 |
| JP2832651B2 JP2832651B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15477426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14954291A Expired - Fee Related JP2832651B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832651B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576365B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-06-10 | E.C.R. - Electro Chemical Research Ltd. | Ultra-thin electrochemical energy storage devices |
| US6790556B1 (en) | 1999-12-06 | 2004-09-14 | E.C.R. - Electro Chemical Research, Ltd. | Electrochemical energy storage device having improved enclosure arrangement |
| EP1030328A3 (en) * | 1999-02-17 | 2005-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacutring solid electrolytic capacitor |
| EP1030327A3 (en) * | 1999-02-17 | 2005-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing solid electrolytic capacitor, and apparatus of manufacturing the same |
| JP2011216795A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Nec Tokin Corp | 積層固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP14954291A patent/JP2832651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1030328A3 (en) * | 1999-02-17 | 2005-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacutring solid electrolytic capacitor |
| EP1030327A3 (en) * | 1999-02-17 | 2005-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing solid electrolytic capacitor, and apparatus of manufacturing the same |
| US6576365B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-06-10 | E.C.R. - Electro Chemical Research Ltd. | Ultra-thin electrochemical energy storage devices |
| US6790556B1 (en) | 1999-12-06 | 2004-09-14 | E.C.R. - Electro Chemical Research, Ltd. | Electrochemical energy storage device having improved enclosure arrangement |
| US7410725B2 (en) | 1999-12-06 | 2008-08-12 | Avx Corporation | Electrochemical energy storage device having improved enclosure arrangement |
| US7687198B2 (en) | 1999-12-06 | 2010-03-30 | E.C.R.-Electro Chemical Research Ltd. | Electrochemical energy storage device |
| US7927736B2 (en) | 1999-12-06 | 2011-04-19 | E.C.R.-Electro Chemical Research Ltd. | Electrochemical energy storage device |
| JP2011216795A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Nec Tokin Corp | 積層固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2832651B2 (ja) | 1998-12-09 |
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