JPH0434836B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は温度変化において光出力の補償を有し
ている発光ダイオードのためのバイアス制御回路
に関し、これでは発光ダイオードはそれ自体温度
センサとして使用されており、そして一連の抵抗
体と共に固定（fixed）電源電圧が加えられる直
列回路内に組込まれている。このようなバイアス
制御回路はドイツ特許公開第2309446号から公知
である。

電流が発光ダイオードを通過するとき、このダ
イオードは可視即ち赤外光放射線（infraredlight
radiation）を放出する。ダイオードの光量即ち
光出力は電流の大きさ及びダイオードの温度に依
存する。従つて、光出力は周囲の温度の増加する
とき減少し、そして逆もまた同じである。ダイオ
ードにより放出される中心波長（central
wavelength）及び光のバンド幅は温度により僅
かに変化する。しかし乍ら、これは発光ダイオー
ドと協働し、光を検出する光検出器即ち光電池が
充分広い分光感度を有すときは重要ではない。

デイジタル即ちFM−変調回路を含む用途にお
ける温度とこの依存性は、これ等の回路において
主として光の不存在又は存在あるいは光の強さ
（light intensity）変調の周波数がそれぞれ検出
されるときは重要ではない。しかし乍ら、アナロ
グ回路又は比例回路を含む用途においては光の量
は実際に重要であり、そして温度の依存性が考慮
されなければならない。

上記の特許公開公報のバイアス制御回路は、こ
の回路における抵抗値が特定の方程式
（specificequation）に従つて使用される発光ダ
イオードに調和されるよう制限されている。相互
に異なる特性を有する一方の発光ダイオードを他
方の発光ダイオードに変えるとき、この回路にお
ける抵抗値は前記方程式によつて調整されなけれ
ばならない。

オランダ特許公開第8004071号より公知である
他のバイアス制御回路においては、これは温度変
化における光出力の補償を有しており、ある用途
のための発光ダイオードと協働する第１光検出器
を除いて、別箇の温度センサとして同一の第２光
検出器が使用されている。これにより、発光ダイ
オードと第１光検出器との間で、測定されるべき
物体を経て透過される光量の外に、また特定の光
量が直接第２光検出器へ透過される。増幅器及び
制御手段と共にダイオードと直列に接続されてい
る第２検出器が、温度が変化するときダイオード
を通り電流を補償するため制御ループ内に組込ま
れる。

この公知のバイアス制御回路に必要な第２光検
出器はこの回路を不体裁とし、そしてある用途に
おいては例えば光プレチスモグラフを有するふく
らまされるカフ（cuff）における如く発光ダイオ
ード及び両方の光検出器を取付るために利用し得
る非常に制限された空間のみがあるときには無用
とさえなる。

本発明の目的は上記の問題を除去しそして光出
力の補償を有している発光ダイオードのためのバ
イアス制御回路を提供することであり、このバイ
アス制御回路は簡単且つ安価な構造であり、そし
てまた小型である。本発明によればこれは序言に
おいて述べた型式のバイアス制御回路を用いて達
成され、これでは更に２つの抵抗体の更に他の直
列回路が１つの直列回路における直列抵抗体の両
端に並列に接続されており、そして異なる増幅器
が設けられており、その一方及び他方の入力がそ
れぞれ２つの他の抵抗体の接合点及び設定電圧へ
接続されていて、そしてその出力が１つの直列回
路と直列に組込まれている制御手段へ接続されて
いる。この実施態様においては発光ダイオード自
身、つまり発光ダイオード上の順方向電圧は温度
センサとして有利に使用される。発光ダイオード
における温度はそれ自身の順方向電圧から決定さ
れ、その電圧は発光ダイオードを通る電流を決定
する。

他の直列回路における前記２つの他の抵抗体に
相互に異なる値を与えることによつて不等抵抗ア
ームを有するレバー回路が得られ、そのヒンジ点
（hinged point）は差動増幅器により形成される。

本発明のバイアス制御回路を付加的な更に他の
有利な実施態様において、発光ダイオードの発光
は変調される。この実施態様においては、導電性
（conducting）が温度のみならず、温度補償によ
り変化するダイオード電流に依存するとき順方向
電圧として生ずるいくらかの妨害効果を除去す
る。発光ダイオードのオン一周期における前記温
度補償は単にオフ一周期における順方向電圧に基
づいて実現され、その電圧自身は発光ダイオード
の温度により決定され、そして一定の静止電流
（rest current）が前記オフ一周期に流れる。

このようなバイアス制御回路は光プレチスモグ
ラフに有利に応用されることができる。これによ
り、一定の量における発光ダイオードにより放出
される光が、その部分的な遮断（interception）
後吸収、即ちデイスペンジングテイシユー
（dispensing tissue）により、比例回路へ接続さ
れた光検出器よつて検出される。この場合、検出
された光量は非常に重要である。

図面を参照していくつかの実施態様に基づいて
詳細に本発明を説明する。

第１図はオランダ国特許出願第8004071号から
周知であるバイアス制御回路を示している。発光
ダイオードによつて放出された光は測定されるべ
き物体Ｏを経て光検出器Ｄ１へ透過される。前記
光検出器の出力信号が更に他の処理のための分圧
器を経て出される。発光ダイオードによつて放出
された光はまた直接第２光検出器Ｄ２へ透過され
る。出力信号Ｄ２は差動増幅器Ｖの入力へ供給さ
れ、その他の入力は設定電圧へ接続される。差動
増幅器Ｖの出力信号は温度変化において発光ダイ
オードの光出力の変化を補償するため制御トラン
ジスタTrによつて発光ダイオードを通る電流を
調整するのに使用される。

第２図は発光ダイオードが抵抗インピーダンス
Ｒ、例えば３オームと直列に組込まれている直列
回路を示しており、この直列回路は固定電源電圧
Vs、例えば1.8Vにより給電される。従つて発光
ダイオード上の電圧Vdは約1.5Vである。この直
列回路において、発光ダイオード自身は変化する
温度の指示計、従つて温度センサとして使用され
ている。発光ダイオード上の順方向電圧Vdはダ
イオードにおける温度が上昇するとき減少し、従
つて全直列回路上の固定電源電圧において、抵抗
体上の電圧は同じ量を増加する。この結果、直列
回路を通る電流は増加し、これによりダイオード
により放出された光量は正しく補償される。

測定が下記のことを示した： (1) 温度上昇において光量は実際に直線的に約
0.6％／℃まで減少する； (2) 温度上昇においてダイオード上の順方向電圧
はほぼ直線的に約1.2ｍＶ／℃まで減少する。

(3) 電流ｉの強さの増加において放出された光量
Ｉは実際に正比例して増加する、つまりＩ＝
i^1.16；そして (4) これ等の値における相互の分散は系統的偏流
（systematic drift）よりも小さい大体におい
て係数10であり、従つて補償が達成される。

第２図における構成要素に関する上述の値は、
増加された電流強さにおいて、減少された光量の
補償に必要であるダイオード上の増加された順方
向電圧の効果が考慮されないとき、温度変化にお
いて光量の変化のかなりの補償を与える。この効
果が考慮に入れられる場合には、直列抵抗体の値
は少なくとも係数２小さくなければならない。

というのは、一般に、発光ダイオードは与えられ
た電流、例えば10ｍＡに対する順方向電圧Vd及
び光出力で変化する。発光ダイオードが1.5ボル
トの固定電源電圧へ接続される場合、一方の発光
ダイオードにおける電流は50ｍＡであり、そして
他方では100ｍＡ又は200ｍＡであり、従つて、こ
れにより光の出力が変化する。それ故、発光ダイ
オードは大きな直列抵抗体を経てより高い電源電
圧へ殆んど接続されている。その場合に電源電圧
及び抵抗体が実質的に電流を決定する。6.5ボル
トVs及び50オームの抵抗の場合における電流は
1.5ボルトのダイオード電圧Vdのとき100ｍＡで
ある（抵抗体上で5V）。

しかし乍ら1.4ボルト及び1.6ボルトのダイオー
ド電圧の場合に電流はそれぞれ102ｍＡ及び98ｍ
Ａであり、従つてほぼ同一である。

高抵抗値に配列されていて、そして高電圧のと
き、相互に異なる特性を有する発光ダイオードを
制御できるようにするため、本発明により、第２
図の基本的実施態様から得られるバイアス制御回
路が使用される。第３図に示されているこのバイ
アス制御回路において、異なる抵抗体を有してお
り、そしてヒンジ点の如く比較器として使用され
る演算増幅器を有するレバー回路が使用される。

直列回路における発光ダイオードの電流は例え
ば47オームの大きな抵抗体Ｒ３を横切り、そして
より高い、且つ可変な電圧Veにより制御される。

更に他の直列回路内における更に他の抵抗Ｒ１
及びＲ２が一方の直列回路における抵抗体Ｒ３に
並列に接続されており、この抵抗Ｒ１及びＲ２は
レバーの不等アームを形成している。２つの抵抗
体の接合点は比較器Ａ１のマイナス入力に接続さ
れており、そのプラス入力は電位差計Ｐ１からの
調整可能な設定電圧Viへ接続されている。比較
器Ａ１の出力はトランジスタTr１の如き制御手
段の制御入力へ接続されている。前記トランジス
タTr１は１つの直列回路と直列に組込まれてお
り、固定電源電圧＋Vsへ接続されている。発光
ダイオード上の順方向電圧がこの発光ダイオード
における温度の増加により減少するとき、比較器
Ａ１のマイナス入力における電圧はまたＲ１及び
Ｒ２の値の比率によつて減少する。

トラジスタTr１のベースに対する比較器Ａ１
の出力からの制御電圧がこのトランジスタを制御
し、従つてエミツタにおける電圧Veが増加する。
この結果、直列回路を通る、且つ発光ダイオード
内の電流もまた増加する。比較器Ａ１のマイナス
入力における電圧をプラス入力における設定電圧
Viに再び等しくせしめるためエミツタ電圧Veは
ネツトワークを経てフイードバツクにより抵抗比
R1／R2と比例して増加しなければならない。

ネツトワーク内における抵抗体の値は下記の如
くすることができる： R1＝200kΩ、R2＝3.9kΩ、R3＝47Ω。

電位差計Ｐ１は設定電圧Viの供給のため調整
され、従つて与えられた温度において、正確な量
の発光を得るため正確な電流が直列回路を介して
発光ダイオードへ送られる。発光ダイオードが取
替えられるとき、電位差計は正確なViを得るた
め改めて調整されることができる。

第４図は発光ダイオードの自動バイアス制御を
有している本発明によるバイアス制御回路の更に
他の実施態様を示している。この発光ダイオード
に対する電圧Viの自動バイアス制御は、電源電
圧がオンに切替えられたとき、そしてまた、発光
ダイオードが利用可能な電源電圧において挿入
（再び）されたとき行なわれる。第３図に示され
ている、レバー回路及び比較器を有する直列回路
が、抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、発光ダイオード
と、比較器Ａ１とを具備しているネツトワークと
して第４図に再び示されている。

このバイアス制御回路においては、設定電圧
Viはゼロから直列回路Ｒ３及び発光ダイオード
を介して充分な電流に対し充分高い電圧まで段階
的に増加される。

従つて、比較器Ａ１のパルス入力は緩衝増幅器
４を経てその出力に段階的に変化する出力電圧を
供給するステツプジエネレータ（step
generator）１へ接続されている。例えば比較器
あるいはシユミツト−効果（Schmitt−effect）
を有する演算増幅器であるトリガ手段Ａ３の入力
が直列回路における抵抗体Ｒ３へ接続されてい
る。このトリガ手段の他の入力即ちプラス入力は
電位差計Ｐ２からの基準電圧へ接続されている。
トリガ手段Ａ３の出力はステツプジエネレータ１
の使用可能入力Ｅへ接続されている。例えば比較
器あるいは演算増幅器である変換手段Ａ２の入力
はまた直列回路における抵抗体Ｒ３へ接続されて
いる。前記変換手段の他の入力は固定電圧へ接続
されており、一方その出力はステツプジエネレー
タ１のリセツト入力Ｒへ接続されている。

ステツプジエネレータ１は好ましくはクロツク
回路２と、２進カウンタ３と、Ｄ／Ａ変換器４と
を含むことができる。２進カウンタ３は並列８−
ビツト出力を経て変換器４へ接続される。この変
換器は切換可能な抵抗体はしご形回路網
（laddernetwork）と考えられることができ、一
方の抵抗体は固定されており、そして一方が可変
である。低抗体の１方は増幅器Ａ４のフイードバ
ツク抵抗体として組込まれており、他方の抵抗体
はＡ４の入力の１方及び基準電圧Vrefの双方へ
接続されている。固定及び可変抵抗体は交換され
ることができる。しかし乍ら、ステツプジエネレ
ータ１は他の永続する安定メモリ（lasting
stablememory）を含むことも可能である。

電源電圧がバイアス回路に切換えられ、そし
て／又は発光ダイオートが除かれている場合に、
最初に変換手段即ち比較器Ａ２のプラス入力には
そのマイナス入力よりも高い電圧がある。この結
果、出力Ａ２は高レベルであり、そして２進カウ
ンタ３はそのリセツト状態にある。比較器Ａ４の
入力電圧そしてまたその出力電圧Viはゼロであ
る。更に、変換器手段即ち比較器Ａ３の出力はそ
れぞれ発光ダイオードが存在しないかあるいは挿
入されているとき低レベルあるいは高レベルであ
る。

出力Ａ２は電源電圧が切換えられたとき、ある
いは発光ダイオードが利用可能な電源電圧におい
て挿入されるとき高レベルから低レベルへ切換
り、従つてカウンタ３のリセツト入力Ｒにおける
リセツト電圧は減退する。カウンタ３はＡ３から
の使用可能信号によつてスタートされそしてクロ
ツク回路２のブロツクパルスをカウントし始め
る。これはカウンタを増加し、そして比較器Ａ４
の出力電圧は階段的に増加する。またこれにより
電圧Veは比較器Ａ１及び不等アームＲ１及びＲ
２を有するレバーを経て増加する。これは基準電
圧Ｐ２によつて決定される変換手段即ち比較器Ａ
３の切換レベル（switching level）に達するま
で続けられる。従つてカウンタ３に対する使用可
能信号は減退し、れによりカウンタはその達した
位置に維持される。

トリガ手段Ａ３の切換レベルが電位差計Ｐ２に
よつて一度だけ設定される。クロツク回路の典型
的な周波数10Hzにおいて、且つ８−ビツトカウン
タを用いて、この１回の（one−time）自動設定
は最大25秒かかる。

上記について更に詳細に数字による実施例に基
づいて説明する。電圧Viは、電圧VeがＰ２で設
定された電圧によつて例えば6.5ボルトであるよ
うに、発光ダイオードの順方向電圧に適合し、且
つほぼ同じ大きさでバイアス制御回路に一度だけ
設定される。このとき電流は約100ｍＡである。
その後温度変化により生じたVdにおける小さな
変化がＡ１及び抵抗比R1／R2によりVeに増幅さ
れ、そして一定の直列抵抗体Ｒ３を経てかなりの
電流変化に変換される。第２図の説明において述
べた測定(1)、(2)及び(3)は１ｍＡ／ｍＶの電流変化
が必要であつて、この１ｍＡの変化が１℃の変化
を補償することを概略的に示している。１ｍＡの
電流変化は50オームの抵抗体が使用されるとき50
ｍＶのVeの変化を必要とし、これは50倍の電圧
利得を意味している（概略的にR1／R2）。シユ
ミツトトリガ回路Ａ３が一旦トリガされそして
Veにおける比較的小さな変化に対してもはや感
応しなくなつた後カウンタ３が固定されて電圧
Viはもはや変化しない。換言すると、このワン
タイム設定（one−time setting）は最初にＰ２
により、例えばＡ１上の電圧Viにより制御され
た6.5Vの固定値Veを提供する。

第５図はレバー回路の作用を説明するための同
じグラフを示している。第５ａ図は順方向電圧
Vdがダイオードの正確な光出力のとき1.5ボルト
である発光ダイオードの場合を示している。初期
ワン−タイム設定のとき、Viは（最初に固定さ
れた）電圧Ve6.5ボルトにおいて1.6ボルトである
と思われる。その後前記初期設定Viは上記の如
く固定され、そしてレバー回路のヒンジ点
（hinged point）として作用する。温度低下によ
るVdの増加は光出力を補償するため、レバー演
算を経て、より大きなVeの減少及び関連する電
流の減少を生ずる。第５図における点線は例とし
てVd及びVeが如何に変化するかを示している。

第５ｂ図は順方向電圧Vd1.7ボルトにおいて正
確な光出力を有する与えられた発光ダイオードに
対して最初に既にViが1.6ボルトに設定されてい
る場合を示している。レバー回路における対応す
る電圧Veは負にならなければならないが、これ
は勿論不可能である。この場合Viは好ましくは
各々が異なるVdを有している異なる発光ダイオ
ードに対処するため好ましくは最初に調整可能で
なければならないことを例示している。

第５ｃ図は第５ｂ図と同一の発光ダイオードの
場合を示しているがこれでは調整可能なViを有
している。これは、Vd1.7ボルトを有するこの発
光ダイオードに対する初期ワン−タイム設定にお
いて、Viにより決定された初期固定電圧Ve＝6.5
ボルトにおいて1.7ボルトより大きいことが判明
した。その後この初期設定は固定されたままとな
る。

第６図は本発明によるバイアス制御回路の付加
的な更に他の、そして改良された実施態様を説明
しており、これは変調した光が許容される即ち必
要である用途に使用されることができる。

多くの用途に対して、比較的高い周波数におい
て発光ダイオードの光を変調する必要があること
がある。従つて、発光ダイオードと協働する光検
出器の増幅器は変調周波数に対して同調され、そ
して供給ハム（supply hum）50Hz又は60Hz及び
光の強さに比較的遅い又は早い変化を有している
周囲の光に対して無感応となる。

発光ダイオードからの光の変調は電流を発光ダ
イオードを介してオン及びオフに切換えることに
よつて得られることができる。この目的のため比
較器Ａ１のプラス入力はダイオードＤ１の如き別
箇の手段を経てクロツク回路２の出力Ｑへ接続さ
れる。この出力Ｑの出力信号は零ボルトと電源電
圧との間のパルスが周波数10kHzにより生ずる脈
動（pulsatile）信号である。

発光ダイオードを具備している直列回路におけ
る電流が脈動出力信号Ｑにより殆んどオフに切換
えられる半周期において、抵抗体Ｒ４及びＲ３を
経て供給される発光ダイオードを通るなお非常に
弱い残留電流がある。この半周期における発光ダ
イオード上の順方向電圧は殆んど単に小さな定数
「オフ」、即ち静止電流（rest curent）及び発光
ダイオードの温度により決定され、そして他の半
周期における温度補償の結果として変化する「オ
ン」電流により決定されない。

逆位相（conter phase）で切換えられる切換
手段即ちトラジスタTr２を用いて他の、即ち
「オン周期（on period）」において非常により且
つ安定した補償を得られることができる。前記ト
ランジスタTr２はクロツク回路２の逆
（inverting）出力へ接続される。トランジスタ
Tr２は発光ダイオードの「オフ」周期において
導通し、そして順方向電圧Vd及びその結果関連
する温度はコンデンサＣ１内に記憶（store）さ
れる。というのは、「オン」周期において、温度
補償は不等アームＲ１，Ｒ２を有するレバーを経
て、Ｃ１に記憶された電圧のみに基いて、そして
電流変化の結果として変化する順方向電圧Vdに
基づかずに、Tr２がこの周期に導通しないとき
演算する。順方向電圧は温度のみにならず電流に
も依存し、そして後者は補償の結果として変化す
るので、これは幾分妨害効果である。この妨害は
一定の静止電流のとき「オフ」周期において決定
される順方向電圧Vdに基づいて「オン」周期に
おいて補償を行なうことによりバイパスされる。

抵抗体Ｒ１及びＲ２の値はこのとき変化され、
つまり200kΩ及び10.5kΩである。抵抗体Ｒ３の
値は20℃で約10ｍＡの「オン」電流の強さのとき
再び47Ωである。

発光ダイオードを通る電流は１ｍＡと100ｍＡ
との間を周期的に変化する。この脈動電流構成要
素はTr１，Ｄ２，Ｒ３、発光ダイオードにより
及びトラジスタTr１における分散を減少する抵
抗体Ｒ５により、且つコンデンサＣ２により形成
される回路内に配置されている。

バイアス回路における種々の構成要素は下記の
型式であることができる。ダイオードはシリコン
ダイオードであることができる。トランジスタ
Tr１及びTr２は型式BC109Cであることができ
る。比較器即ち演算増幅器は型式LF347であるこ
とができる。クロツク回路はチツプ（chip）4047
であることができる。２進カウンタは型式14520
であることができる。Ｄ／Ａ変換器は型式
AD7533であることができる。発光ダイオードは
若しもＲ１，Ｒ２及びＲ３に対して上記の値が使
用されるときは型式シーメンスLD242であること
ができるが、発光ダイオードは他の型式であるこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は公知のバイアス制御回路の線図を示し
ており；第２図は直列回路における発光ダイオー
ドへの温度の影響を説明するための直列回路の線
図を示し；第３図は本発明によるバイアス制御回
路の実施態様の線図を示しており；第４図は自動
調整を有する本発明によるバイアス制御回路の更
に他の実施態様を示しており；第５図は前記実施
態様に使用されるレバー回路の作動を説明するた
めのいくつかの線図を示しており；第６図は本発
明によるバイアス制御回路のなお他の実施態様の
線図を示している。 １……ステツプジエネレータ、４……Ｄ／Ａ変
換器、Ａ１，Ａ２，Ａ３……比較器、Ａ２……変
換手段、Ｄ１，Ｄ２……光検出器、Ｐ１……電位
差計、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３……抵抗体、Ｖ……差動
増幅器、Vs……固定電圧電源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 温度の変動による光出力の変動を補償する作
   用を有する、発光ダイオード自体が温度センサと
   して使用され、直列に接続された第１の抵抗体Ｒ
   ３と発光ダイオードとが第１の直列回路を構成
   し、第１の直列回路に固定電源電圧が印加され
   る、発光ダイオードのためのバイアス制御回路に
   おいて、 直列に接続された第２の抵抗体Ｒ１と第３の抵
   抗体Ｒ２とによつて構成された第２の直列回路
   が、第１の抵抗体Ｒ３に並列に接続されており、 制御手段Tr１が、第１の直列回路に直列に接
   続されており、 差動増幅器Ａ１の一方の入力が、第２の抵抗体
   Ｒ１と第３の抵抗体Ｒ２との接合点に接続されて
   おり、 差動増幅器Ａ１の他方の入力が、設定電圧Vi
   に接続されており、 差動増幅器Ａ１の出力が、制御手段Tr１に接
   続されていることを特徴とする発光ダイオードの
   バイアス制御回路。 ２ 第３の抵抗体Ｒ２が第２の低抗体Ｒ１より
   も、小さい抵抗値を有し、 第３の抵抗体Ｒ２が発光ダイオードに接続され
   ている特許請求の範囲第１項記載のバイアス制御
   回路。 ３ 差動増幅器Ａ１の他方の入力が、設定電圧vi
   を供給するステツプジエネレータ１に接続されて
   おり、 第１の抵抗体Ｒ３と第２の抵抗体Ｒ１との接合
   点が、トリガ手段Ａ３の一方の入力に接続されて
   おり、 トリガ手段Ａ３の他方の入力が基準電圧VSに
   接続されており、 トリガ手段Ａ３の出力が、ステツプジエネレー
   タ１の入力Ｅに接続されていて、 基準電圧により決定された発光ダイオードのバ
   イアスに達すると、ステツプジエネレータ１から
   の電圧が維持される特許請求の範囲第１項記載の
   バイアス制御回路。 ４ 第１の抵抗体Ｒ３と第２の抵抗体Ｒ１との接
   合点が、変換手段Ａ２の入力に接続されており、
   変換手段Ａ２の出力が、ステツプジエネレータ１
   のリセツト入力Ｒに接続されいて、 固定電源電圧がオンにされたとき、又は発光ダ
   イオードが除去されたとき、変換手段Ａ２からス
   テツプジエネレータ１のリセツト入力Ｒにリセツ
   ト信号が供給される特許請求の範囲第３項記載の
   バイアス制御回路。 ５ ステツプジエネレータ１が、クロツク回路２
   と、２進カウンタ３と、Ｄ／Ａ変換器４とを備え
   ている特許請求の範囲第３項又は第４項記載のバ
   イアス制御回路。 ６ 差動増幅器Ａ１の他方の入力が、分離手段Ｄ
   １を介して、クロツク回路２の一方の脈動出力に
   接続されている特許請求の範囲第５項記載のバイ
   アス制御回路。 ７ 発光ダイオード及び第１の抵抗体Ｒ３の接合
   点と、第３の抵抗体Ｒ２との間に切替手段Tr２
   が接続されており、 切替手段Tr２の入力が、クロツク回路２の他
   方の脈動出力に接続されており、 第３の抵抗体Ｒ２と切替手段Tr２との接合点
   が、コンデンサＣ１に接続されている特許請求の
   範囲第６項記載のバイアス制御回路。 ８ 制御手段Tr１がトランジスタであり、差動
   増幅器Ａ１及び変換手段Ａ２が演算増幅器であ
   り、 トリガ手段Ａ３がシユミツトー効果を有する演
   算増幅器であり、 分離手段Ｄ１がダイオードであり、 切替手段Tr２がトランジスタである特許請求
   の範囲第７項記載のバイアス制御回路。