JPH04348611A - Pulse generating circuit - Google Patents

Pulse generating circuit

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JPH04348611A
JPH04348611A JP3120617A JP12061791A JPH04348611A JP H04348611 A JPH04348611 A JP H04348611A JP 3120617 A JP3120617 A JP 3120617A JP 12061791 A JP12061791 A JP 12061791A JP H04348611 A JPH04348611 A JP H04348611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply voltage
signal
channel mosfet
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP3120617A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumi Fujito
藤戸 一三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04348611A publication Critical patent/JPH04348611A/en
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Abstract

PURPOSE:To control and adjust a time zone when an output pulse signal is active and a time zone when an output pulse signal is inactive corresponding to fluctuation of a power supply voltage in the pulse generating circuit from which a polyphase pulse signal is generated. CONSTITUTION:A level fluctuation of a power supply voltage is detected by a power supply voltage detection circuit 13 and inputted to a gate of an N- channel MOSFET 7. A P-channel MOSFET 4 and an N-channel MOSFET 5 are used for components of an inverter or the P-channel MOSFET 4 and the N-channel MOSFETs 5, 6, 7 are used for components of the inverter are decided depending on the state of on/off of the N-channel MOSFET 7. Thus, the path of an input signal phi is selected to any of the component paths for determining the delay characteristic of the semiconductor circuit components with respect to the input signal phi depending on high or low power supply voltage. The high level state of an output signal phiB shares much in the time zone when the power supply voltage is lowered, and the time zone when both output signals phiA and phiB are at a low level is longer when the power supply voltage gets higher.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明はパルス発生回路に関し、
特に、1パルス信号入力に対応して、相互にアクティブ
期間の異なる複数のパルス信号を出力するパルス発生回
路に関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a pulse generation circuit,
In particular, the present invention relates to a pulse generation circuit that outputs a plurality of pulse signals having mutually different active periods in response to one pulse signal input.

【0002】0002

【従来の技術】従来の、この種のパルス発生回路の回路
図を図3に示す。また、図4に示されるのは、この従来
のパルス発生回路の動作を示すタイミング図である。
2. Description of the Related Art A circuit diagram of a conventional pulse generating circuit of this type is shown in FIG. Also, shown in FIG. 4 is a timing diagram showing the operation of this conventional pulse generating circuit.

【0003】図3に示されるように、このパルス発生回
路はインバータ14および17〜21と、NAND回路
15および16とにより構成されており、入力信号φが
ハイレベルの時には、出力信号φA はハイレベル、出
力信号φB はロウレベルとなっている。
As shown in FIG. 3, this pulse generating circuit is composed of inverters 14 and 17 to 21 and NAND circuits 15 and 16, and when the input signal φ is at a high level, the output signal φA is high. The output signal φB is at a low level.

【0004】入力信号φがハイレベルからロウレベルに
変化する時には、出力信号φA は、NAND回路15
およびインバータ17による信号伝播時間を介して、時
間T1 だけ遅延してロウレベルに変化し、また、出力
信号φB は、インバータ18、19および20とNA
ND回路16による信号伝播時間を介して、出力信号φ
A よりも更に時間T2 だけ遅延してハイレベルに変
化する。同様に、入力信号φがロウレベルからハイレベ
ルに変化する時には、出力信号φB は、時間T1 だ
け遅延してロウレベルに変化し、出力信号φA は、出
力信号φB よりも更に時間T2 だけ遅延してハイレ
ベルに変化する。この場合における入力信号φ、出力信
号φA およびφB のタイミング関係は、図4のタイ
ミング図に明示されているとうりである。
When the input signal φ changes from high level to low level, the output signal φA changes to the NAND circuit 15.
The output signal φB changes to a low level with a delay of time T1 through the signal propagation time of the inverter 17 and the inverter 18, 19, and 20.
Through the signal propagation time by the ND circuit 16, the output signal φ
A is further delayed by time T2 and changes to high level. Similarly, when input signal φ changes from low level to high level, output signal φB changes to low level with a delay of time T1, and output signal φA goes high with a further delay of time T2 from output signal φB. Change in level. The timing relationship between the input signal φ and the output signals φA and φB in this case is as clearly shown in the timing diagram of FIG.

【0005】以上のように、従来のパルス発生回路にお
いては、入力信号φに対応して、出力信号φA および
φB は、時間帯T2 の間においては、共にロウレベ
ルの状態を保持しており、相互にハイレベルの状態とな
ることはない。
As described above, in the conventional pulse generation circuit, the output signals φA and φB both maintain a low level state during the time period T2 in response to the input signal φ, and the output signals φA and φB both maintain a low level state during time period T2. It never reaches a high level.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパルス
発生回路においては、その出力信号を他の論理回路に対
する制御信号として用いた場合には、出力信号が共にア
クティブでない時間区間を長くとると、出力信号のアク
ティブ期間が短かくなり、電源電圧が低電圧の状態にお
いては、前記論理回路を高周波にて動作させることが困
難となる。
In the conventional pulse generating circuit described above, when the output signal is used as a control signal for another logic circuit, if the time period in which both output signals are not active is made long, When the active period of the output signal becomes short and the power supply voltage is low, it becomes difficult to operate the logic circuit at a high frequency.

【0007】また、逆に、出力信号が共にアクティブで
ない期間が短かくなると、前記論理回路内の過渡特性に
より、パルス発生回路の出力信号が、論理回路内で共に
アクティブである期間が存在するようになる。この場合
、電源電圧が高くなると、論理回路を構成するトランジ
スタの信号伝播時間が短かくなるため、前述の出力信号
が共にアクティブである期間に、論理回路内でデータの
突抜けなどの誤動作が発生する。
Conversely, if the period in which both output signals are not active becomes shorter, due to the transient characteristics within the logic circuit, there will be a period in which the output signals of the pulse generation circuit are both active within the logic circuit. become. In this case, as the power supply voltage increases, the signal propagation time of the transistors that make up the logic circuit becomes shorter, so malfunctions such as data throughput occur in the logic circuit during the period when both of the aforementioned output signals are active. do.

【0008】このように、従来のパルス発生回路におい
ては、その出力信号を他の論理回路の制御信号として使
用する場合、低電圧動作時においては、出力信号が共に
アクティブでない時間帯を短かくし、高電圧動作時にお
いては、出力信号が共にアクティブでない時間帯を長く
する方がよいという、相互に、相反する条件が要求され
るという欠点がある。
As described above, in the conventional pulse generating circuit, when the output signal is used as a control signal for another logic circuit, during low voltage operation, the time period in which both output signals are not active is shortened, During high-voltage operation, there is a drawback that contradictory conditions are required, such as it is better to lengthen the period during which both output signals are inactive.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のパルス発生回路
は、入力パルス信号を受けて、半導体回路素子の信号伝
播時間に起因する遅延特性を利用し、相互にアクティブ
の状態となる時間帯が異なる複数のパルス信号を生成し
て出力するパルス発生回路において、電源電圧のレベル
変動を検出して、所定のレベル検出信号を出力する電源
電圧検出回路と、前記レベル検出信号の入力に対応して
、前記入力パルス信号に対する半導体回路素子の信号伝
播時間に起因する遅延特性を、適宜に切替制御する手段
とを備えて構成される。
[Means for Solving the Problems] The pulse generating circuit of the present invention receives an input pulse signal and utilizes the delay characteristics caused by the signal propagation time of semiconductor circuit elements, so that the time periods in which they are mutually active are set. A pulse generation circuit that generates and outputs a plurality of different pulse signals includes a power supply voltage detection circuit that detects level fluctuations in the power supply voltage and outputs a predetermined level detection signal; and means for appropriately switching and controlling delay characteristics caused by signal propagation time of the semiconductor circuit element with respect to the input pulse signal.

【0010】0010

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

【0011】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。図1に示されるように、本実施例は、インバー
タ1、3、8および10〜12と、NAND回路2およ
び9と、PチャネルMOSFET4と、NチャネルMO
SFET5〜7と、電源電圧検出回路13とを備えて構
成される。また、図2(a)および(b)に示されるの
は、本実施例の動作を示す入出力信号のタイミング図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment includes inverters 1, 3, 8, and 10 to 12, NAND circuits 2 and 9, P-channel MOSFET 4, and N-channel MOSFET 4.
It is configured to include SFETs 5 to 7 and a power supply voltage detection circuit 13. Furthermore, FIGS. 2A and 2B are timing diagrams of input and output signals showing the operation of this embodiment.

【0012】図1において、電源電圧の高い場合には、
電源電圧検出回路13において当該電源電圧レベルが検
出されており、電源電圧検出回路13の出力はロウレベ
ルにて出力され、NチャネルMOSFET7のゲートに
入力される。これにより、NチャネルMOSFET7は
オフ状態となり、PチャネルMOSFET4およびNチ
ャネルMOSFET5のみが動作状態となって、これら
のMOSFETによりインバータが構成される。
In FIG. 1, when the power supply voltage is high,
The power supply voltage level is detected in the power supply voltage detection circuit 13, and the output of the power supply voltage detection circuit 13 is outputted at a low level and inputted to the gate of the N-channel MOSFET 7. As a result, N-channel MOSFET 7 is turned off, only P-channel MOSFET 4 and N-channel MOSFET 5 are put into operation, and an inverter is configured by these MOSFETs.

【0013】従って、入力信号φがハイレベルの時には
、出力信号φA はハイレベル、出力信号φB はロウ
レベルとなり、また、入力信号φがロウレベルに変化す
ると、出力信号φA は、NAND回路2およびインバ
ータ3の信号伝播時間を介して、時間T1 だけ遅延し
てロウレベルとなり、出力信号φB は、NAND回路
9およびインバータ8および9と、PチャネルMOSF
ET4およびNチャネルMOSFET5により構成され
るインバータの信号伝播時間を介して、出力信号φA 
より更に時間T2 だけ遅延してハイレベルとなる。同
様に、入力信号φがロウレベルからハイレベルに変化す
ると、出力信号φB は、時間T1 だけ遅延してロウ
レベルとなり、出力信号φA は、出力信号φB より
更に時間T2 だけ遅延してハイレベルとなる。この時
、出力信号φA およびφB が、それぞれ個別にハイ
レベルの状態にある時間帯は、図2(a)に示されるよ
うに、時間帯T3 である。
Therefore, when the input signal φ is at a high level, the output signal φA is at a high level and the output signal φB is at a low level, and when the input signal φ changes to a low level, the output signal φA is output from the NAND circuit 2 and the inverter 3. The output signal φB becomes low level after a delay of time T1 through the signal propagation time of NAND circuit 9, inverters 8 and 9, and P channel MOSFET
The output signal φA is
After a further delay of time T2, the signal becomes high level. Similarly, when the input signal φ changes from a low level to a high level, the output signal φB becomes a low level with a delay of time T1, and the output signal φA becomes a high level with a further delay of a time T2 from the output signal φB. At this time, the time period in which the output signals φA and φB are individually at a high level is a time period T3, as shown in FIG. 2(a).

【0014】次に、電源電圧が低電圧の状態においては
、電源電圧検出回路13の出力はハイレベルとなり、N
チャネルMOSFET7はオンの状態となって、Pチャ
ネルMOSFET4、NチャネルMOSFET5、6お
よび7によりインバータが構成される。このインバータ
は、前述の電源電圧が高電圧の場合に比較して、出力が
ロウレベルに変化する時の能力が向上されており、信号
伝播時間が短かい特性を有している。この場合における
入出力信号φ、φA およびφB のタイミング関係は
、図2(b)に示されるとうりである。即ち、入力信号
φがハイレベルからロウレベルに変化する場合には、前
述のインバータの信号伝播時間の短縮により、出力信号
φB の出力信号φAに対する遅延時間T2aは、前記
遅延時間T2 よりも小さくなり、出力信号φB がハ
イレベルの状態にある時間帯T3aは、前記時間帯T3
 よりも大きくなる。
Next, when the power supply voltage is low, the output of the power supply voltage detection circuit 13 becomes high level, and N
Channel MOSFET 7 is turned on, and P-channel MOSFET 4 and N-channel MOSFETs 5, 6, and 7 constitute an inverter. This inverter has characteristics that the ability to change the output to a low level is improved and the signal propagation time is short compared to the above-described case where the power supply voltage is a high voltage. The timing relationship among the input/output signals φ, φA and φB in this case is as shown in FIG. 2(b). That is, when the input signal φ changes from high level to low level, the delay time T2a of the output signal φB with respect to the output signal φA becomes smaller than the delay time T2 due to the shortening of the signal propagation time of the inverter described above. The time period T3a in which the output signal φB is at a high level is the time period T3a.
becomes larger than

【0015】以上の動作により、出力信号φB は、電
源電圧が低下した場合には、ハイレベルにある時間帯を
長くし、出力信号φA およびφB を他の論理回路の
制御信号として用いた場合に、より高周波における動作
を容易にすることができるとともに、電源電圧が高くな
った場合には、出力信号φA およびφB が共にロウ
レベルである時間帯を長くして、前述の論理回路の誤動
作を防止することが可能となる。
With the above operation, when the power supply voltage decreases, the output signal φB is kept at a high level for a longer period of time, and when the output signals φA and φB are used as control signals for other logic circuits, , it is possible to facilitate operation at higher frequencies, and when the power supply voltage becomes high, the time period in which both output signals φA and φB are at a low level is lengthened, thereby preventing the above-mentioned logic circuit from malfunctioning. becomes possible.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、相互に
異なる複数のパルス信号を発生するパルス発生回路にお
いて、電源電圧の変動に対応して、出力パルス信号のア
クティブである時間帯を切替制御することにより、この
パルス信号を他の論理回路に対する制御信号として用い
た場合に、当該論理回路の動作電源電圧範囲を拡大させ
、より安定した機能を発揮させることができるという効
果がある。
As explained above, the present invention is capable of switching the active time period of an output pulse signal in response to fluctuations in power supply voltage in a pulse generation circuit that generates a plurality of mutually different pulse signals. By controlling this pulse signal, when this pulse signal is used as a control signal for another logic circuit, there is an effect that the operating power supply voltage range of the logic circuit can be expanded and a more stable function can be exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例の動作を示す信号のタイミング図であ
る。
FIG. 2 is a timing chart of signals showing the operation of this embodiment.

【図3】従来例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図4】従来例の動作を示す信号のタイミング図である
FIG. 4 is a timing chart of signals showing the operation of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、3、8、10〜12、14、17〜21    イ
ンバータ 2、9、15、16    NAND回路4    P
チャネルMOSFET 5〜7    NチャネルMOSFET13    電
源電圧検出回路
1, 3, 8, 10-12, 14, 17-21 Inverter 2, 9, 15, 16 NAND circuit 4 P
Channel MOSFET 5 to 7 N-channel MOSFET 13 Power supply voltage detection circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  入力パルス信号を受けて、半導体回路
素子の信号伝播時間に起因する遅延特性を利用し、相互
にアクティブの状態となる時間帯が異なる複数のパルス
信号を生成して出力するパルス発生回路において、電源
電圧のレベル変動を検出して、所定のレベル検出信号を
出力する電源電圧検出回路と、前記レベル検出信号の入
力に対応して、前記入力パルス信号に対する半導体回路
素子の信号伝播時間に起因する遅延特性を、適宜に切替
制御する手段と、を備えることを特徴とするパルス発生
回路。
1. A pulse that receives an input pulse signal and generates and outputs a plurality of pulse signals that are mutually active in different time periods by utilizing the delay characteristics caused by the signal propagation time of a semiconductor circuit element. The generation circuit includes a power supply voltage detection circuit that detects level fluctuations in the power supply voltage and outputs a predetermined level detection signal, and a signal propagation of the semiconductor circuit element in response to the input pulse signal in response to the input of the level detection signal. A pulse generation circuit comprising means for appropriately switching and controlling delay characteristics caused by time.
JP3120617A 1991-05-27 1991-05-27 Pulse generating circuit Pending JPH04348611A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180321A (en) * 1984-02-28 1985-09-14 Nec Corp Clock signal generating circuit
JPH03102911A (en) * 1989-09-18 1991-04-30 Nec Corp Clock signal generating circuit

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Legal Events

Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970805