JPH043491A - 回路又はリードフレームのめっき方法 - Google Patents
回路又はリードフレームのめっき方法Info
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- JPH043491A JPH043491A JP10278990A JP10278990A JPH043491A JP H043491 A JPH043491 A JP H043491A JP 10278990 A JP10278990 A JP 10278990A JP 10278990 A JP10278990 A JP 10278990A JP H043491 A JPH043491 A JP H043491A
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- solder resist
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回路又はリードフレームのめっき方法にかか
わり、特には、例えばプリント回路基板やテープキャリ
ア等などの半導体装置や半導体チップを実装、ボンディ
ング等行うソルダーレジスト被膜部以外の回路又はリー
ドフレーム上にスズ等をめっきする方法に関する。
わり、特には、例えばプリント回路基板やテープキャリ
ア等などの半導体装置や半導体チップを実装、ボンディ
ング等行うソルダーレジスト被膜部以外の回路又はリー
ドフレーム上にスズ等をめっきする方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置をプリント回路基板の所定の位置に積載する
場合、半導体装置のリードフレームとプリント回路基板
の回路とは通常ハンダにより接続される。この場合、ハ
ンダ付は性を向上させるため、プリント回路基板のこの
接続部の回路部分にスズ等のめっきが施される。また、
最近、ポリイミド等の絶縁樹脂フィルム上に銅箔でリー
ドフレームを形成して半導体チップを実装するテープキ
ャリアの一種であるＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が実用化され始めた
。この方式では半導体チップのバンプと前記フィルム上
のリードフレームの一端とを熱圧着によりボンディング
するが、この熱圧着性を向上させるために、また当該リ
ードフレームの他端はハンダ付けに供されるため、この
ハンダ付は性向上のため、上記リードフレームの両端上
にスズ等のめっきが施される。
場合、半導体装置のリードフレームとプリント回路基板
の回路とは通常ハンダにより接続される。この場合、ハ
ンダ付は性を向上させるため、プリント回路基板のこの
接続部の回路部分にスズ等のめっきが施される。また、
最近、ポリイミド等の絶縁樹脂フィルム上に銅箔でリー
ドフレームを形成して半導体チップを実装するテープキ
ャリアの一種であるＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が実用化され始めた
。この方式では半導体チップのバンプと前記フィルム上
のリードフレームの一端とを熱圧着によりボンディング
するが、この熱圧着性を向上させるために、また当該リ
ードフレームの他端はハンダ付けに供されるため、この
ハンダ付は性向上のため、上記リードフレームの両端上
にスズ等のめっきが施される。
従来、このようなめっきは、ハンダが他の部分に付着す
るのを防ぐためのソルダーレジスト膜を形成した後に行
われていた。
るのを防ぐためのソルダーレジスト膜を形成した後に行
われていた。
さらに、このめっきを行うためのスズ等のめっき浴は、
塩酸あるいはホウフッ化水素酸等の強酸をベースとし、
チオ尿素、二価のスズ等を含有するものが用いられてい
た。しかし、これらの浴では、特に、チオ尿素等、銅又
は銅合金素材を腐食する物質を含んでおり、しかも、Ｔ
ＡＢ方式に用いられるリードの巾は５０μｍ以下と極め
て細かいために、フィルム等の基板とリードとの接触境
界部であるリードのつけ根あるいはソルダーレジストと
リードとの接触境界部であるソルダーレジスト端部が腐
食し、リードの断線が発生しやすいという問題があった
。
塩酸あるいはホウフッ化水素酸等の強酸をベースとし、
チオ尿素、二価のスズ等を含有するものが用いられてい
た。しかし、これらの浴では、特に、チオ尿素等、銅又
は銅合金素材を腐食する物質を含んでおり、しかも、Ｔ
ＡＢ方式に用いられるリードの巾は５０μｍ以下と極め
て細かいために、フィルム等の基板とリードとの接触境
界部であるリードのつけ根あるいはソルダーレジストと
リードとの接触境界部であるソルダーレジスト端部が腐
食し、リードの断線が発生しやすいという問題があった
。
そこで、このリードのつけ根の腐食を防止する目的で、
従来のスズめっき浴に用いられる強酸に代えて有機スル
ホン酸を用いた無電解めっき浴が提案された（特開昭６
３−２３０８８３号、特開平１−１８４２７９号公報参
照）。
従来のスズめっき浴に用いられる強酸に代えて有機スル
ホン酸を用いた無電解めっき浴が提案された（特開昭６
３−２３０８８３号、特開平１−１８４２７９号公報参
照）。
しかし、この浴ではソルダーレジスト端部の腐食を防止
することができなかった。
することができなかった。
［発明が解決しようとする課題１
本発明は、上記問題点を解消すべくなされたものであり
、その目的とするところは、リードのつけ根あるいはソ
ルダーレジスト端部に腐食の発生しないめっき方法を提
供することにある。
、その目的とするところは、リードのつけ根あるいはソ
ルダーレジスト端部に腐食の発生しないめっき方法を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ソルダーレジスト被膜部を有する回路又はリ
ードフレームの当該ソルダーレジスト被膜部以外の回路
又はリードフレーム上をめっきする方法において、ソル
ダーレジスト被膜を形成する前に、あらかじめ、回路又
はリードフレームの全体あるいはその一部を銅の標準電
極電位未満の標準電極電位を有する金属から選択された
１種もしくは２種以上の金属でめっきした後、ソルダー
レジスト被膜を形成し、次いで、ソルダーレジスト被膜
部以外の回路又はリードフレーム上をスズ又はスズ合金
でめっきすることからなり、特に、好ましくは、前記鋪
の標準電極電位未満の標準電極電位を有する金属が、ス
ズ、ナマリ、アエン、アンチモン、ビスマス又はインジ
ウムから選択される１種もしくは２種以上であることか
らなる回路又はリードフレームのめっき方法である。
ードフレームの当該ソルダーレジスト被膜部以外の回路
又はリードフレーム上をめっきする方法において、ソル
ダーレジスト被膜を形成する前に、あらかじめ、回路又
はリードフレームの全体あるいはその一部を銅の標準電
極電位未満の標準電極電位を有する金属から選択された
１種もしくは２種以上の金属でめっきした後、ソルダー
レジスト被膜を形成し、次いで、ソルダーレジスト被膜
部以外の回路又はリードフレーム上をスズ又はスズ合金
でめっきすることからなり、特に、好ましくは、前記鋪
の標準電極電位未満の標準電極電位を有する金属が、ス
ズ、ナマリ、アエン、アンチモン、ビスマス又はインジ
ウムから選択される１種もしくは２種以上であることか
らなる回路又はリードフレームのめっき方法である。
本発明は、プリント回路基板、フレキシブルプリント回
路基板等の銅及び銅合金からなる回路、フラットバッグ
、チップキャリア、テープキャリア等の銅及び銅合金か
らなるリードフレーム等に好適である。
路基板等の銅及び銅合金からなる回路、フラットバッグ
、チップキャリア、テープキャリア等の銅及び銅合金か
らなるリードフレーム等に好適である。
尚、本発明に云うソルダーレジストとは、永久レジスト
とも云われているが、ハンダが、目的部以外のところに
付着するのを防ぐための保護膜であり、一般にはエポキ
シ系樹脂、アクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂等を用
いてレジスト膜を形成する。
とも云われているが、ハンダが、目的部以外のところに
付着するのを防ぐための保護膜であり、一般にはエポキ
シ系樹脂、アクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂等を用
いてレジスト膜を形成する。
本発明の上記ソルダーレジスト被膜を形成する前に、行
うめっきは、当該部分に最終的番―めっきが必要とされ
る厚さの１７２以下の膜厚とすることが好ましい。１７
２以上の厚さにすると回路およびリードフレーム間の絶
縁不良を起こすおそれがあるためである。尚、めっきが
必要とされる膜厚は、各回路および各リードフレームの
間隔、目的、用途等によって異なるため、−概に決める
ことはできないが、一般には、０．４〜８μｍ程度とさ
れるので、最初のめっきは０．２〜４μｍ以下の厚さに
することが好ましい。尚、この最初のめっきの膜厚は、
０．１μｍ以下とすると本発明の効果を充分に発揮する
ことができず、あまり好ましくない。
うめっきは、当該部分に最終的番―めっきが必要とされ
る厚さの１７２以下の膜厚とすることが好ましい。１７
２以上の厚さにすると回路およびリードフレーム間の絶
縁不良を起こすおそれがあるためである。尚、めっきが
必要とされる膜厚は、各回路および各リードフレームの
間隔、目的、用途等によって異なるため、−概に決める
ことはできないが、一般には、０．４〜８μｍ程度とさ
れるので、最初のめっきは０．２〜４μｍ以下の厚さに
することが好ましい。尚、この最初のめっきの膜厚は、
０．１μｍ以下とすると本発明の効果を充分に発揮する
ことができず、あまり好ましくない。
この最初のめっきは、従来のめっきと同じ方法、すなわ
ち、電気めっき、化学めっきの何れをも用いて行うこと
ができるが、操作の容易性等から、化学めっき、特には
置換めっきの方法で行うことが好ましい。
ち、電気めっき、化学めっきの何れをも用いて行うこと
ができるが、操作の容易性等から、化学めっき、特には
置換めっきの方法で行うことが好ましい。
この最初のめっきは、銅の標準電極電位未満の金属を用
いる。ここで云う標準電極電位とは水溶液中での値で、
銅の標準電極電位は＋０．３３７Ｖであり、この値未満
の標準電極電位を有する金属を用いるものである。これ
以上の標準電極電位を有する金属をめっきした場合は、
後工程でのスズ或はスズ合金めっきが均一に形成されな
い。この水溶液中での標準電極電位が＋０．３３７Ｖ未
満の金属としては、スズ、ナマリ、アエン、インジウム
、アンチモン又はビスマス等を例示でき、これらのいず
れか１種の金属或いはこれらの２種以上の組み合わせか
らなる合金、さらには、これらの金属や合金に、他の金
属を添加した合金めっき等とすることができる。最初の
めっきは上記金属の何れかが、或いは上記金属の合計量
が、５０重量％以上であれば特に支障はなく、また合金
組成をも、特に問題とすることはない。
いる。ここで云う標準電極電位とは水溶液中での値で、
銅の標準電極電位は＋０．３３７Ｖであり、この値未満
の標準電極電位を有する金属を用いるものである。これ
以上の標準電極電位を有する金属をめっきした場合は、
後工程でのスズ或はスズ合金めっきが均一に形成されな
い。この水溶液中での標準電極電位が＋０．３３７Ｖ未
満の金属としては、スズ、ナマリ、アエン、インジウム
、アンチモン又はビスマス等を例示でき、これらのいず
れか１種の金属或いはこれらの２種以上の組み合わせか
らなる合金、さらには、これらの金属や合金に、他の金
属を添加した合金めっき等とすることができる。最初の
めっきは上記金属の何れかが、或いは上記金属の合計量
が、５０重量％以上であれば特に支障はなく、また合金
組成をも、特に問題とすることはない。
またこの最初のめっきは、回路やリードフレームの全体
に渡って行っても良いが、一部でも良い。一部に行う場
合は、後工程でのめっきを行う部分を含んで、ソルダー
レジストで被覆される部分をも一部含むようにする。
に渡って行っても良いが、一部でも良い。一部に行う場
合は、後工程でのめっきを行う部分を含んで、ソルダー
レジストで被覆される部分をも一部含むようにする。
これは、ソルダーレジストの皮膜境界の腐食を防止する
という本目的上当然である。
という本目的上当然である。
次に、ソルダーレジストの印刷等を行なうが、これは従
来、スクリーン印刷等の方法をそのまま適用できる。
来、スクリーン印刷等の方法をそのまま適用できる。
その後、前記ソルダーレジストの被膜が形成されなかっ
た、先にめっきした回路又はリードフレーム上にスズ又
はスズ合金等によるめっきを行なう。このめっきも、従
来性われている電解めっき、化学めっき等の何れの方法
をも用いることができる。特に、従来の塩酸又はホウフ
ッ化水素酸等をベースとし、これにチオ尿素等を含んだ
スズ或いはスズ合金のめっき浴や有機スルホン酸ベース
としためっき浴等を用いる化学めっき方法は、好適に採
用しつる 〔実施例］ （実施例１） ５．５ＣＩＴ１平方の銅張ガラスエポキシ積層板上にラ
インアンドスペース５０μｍのくし型パターン（ビン数
４００）を形成した。この各基板を第１表に示すめっき
浴に、同表に記載しだ液温及び時間浸漬し、パターン全
体にめっき膜厚を０．２μｍとなるようにめっきした。
た、先にめっきした回路又はリードフレーム上にスズ又
はスズ合金等によるめっきを行なう。このめっきも、従
来性われている電解めっき、化学めっき等の何れの方法
をも用いることができる。特に、従来の塩酸又はホウフ
ッ化水素酸等をベースとし、これにチオ尿素等を含んだ
スズ或いはスズ合金のめっき浴や有機スルホン酸ベース
としためっき浴等を用いる化学めっき方法は、好適に採
用しつる 〔実施例］ （実施例１） ５．５ＣＩＴ１平方の銅張ガラスエポキシ積層板上にラ
インアンドスペース５０μｍのくし型パターン（ビン数
４００）を形成した。この各基板を第１表に示すめっき
浴に、同表に記載しだ液温及び時間浸漬し、パターン全
体にめっき膜厚を０．２μｍとなるようにめっきした。
上記めっき後のパターンにピンの両端が約１ｍｍ出るよ
うにソルダーレジスト（日本合成化学、エポグレーズＮ
−５０６ＫＧ）を印刷し、加熱硬化（１３０℃、６０分
）した。その後、第２表の浴組成を有するスズめっき浴
に液温７０℃で５分間浸漬し、パターン上に膜厚が０．
７μｍとなるようにスズめっきした。これらの基板につ
いて、本パターンの断面を観察したところ、ソルダーレ
ジスト端部には全く腐食等の異常は観察されなかった。
うにソルダーレジスト（日本合成化学、エポグレーズＮ
−５０６ＫＧ）を印刷し、加熱硬化（１３０℃、６０分
）した。その後、第２表の浴組成を有するスズめっき浴
に液温７０℃で５分間浸漬し、パターン上に膜厚が０．
７μｍとなるようにスズめっきした。これらの基板につ
いて、本パターンの断面を観察したところ、ソルダーレ
ジスト端部には全く腐食等の異常は観察されなかった。
また、これらの基板を８０℃で、３時間加熱し、次いで
、２２℃の温度で、相対湿度６０％の環境下に１６８時
間曝した。この結果、いずれの基板にもスズのウィスカ
ーの発生等の異常は全く認められなかった。
、２２℃の温度で、相対湿度６０％の環境下に１６８時
間曝した。この結果、いずれの基板にもスズのウィスカ
ーの発生等の異常は全く認められなかった。
（以下余白）
第２表 スズめっき浴
（単位ｇハ）
（実施例２）
巾３ ｃｍ、３ｃｍ毎に正方形（ｌｃｎｌ）の穴を有す
るポリイミドテープに電解銅箔をエポキシ系接着剤で張
り合わせた。本テープにラインアンドスペース５０μｍ
のくし型パターン（ビン数１６０）をピンの先端が２ｍ
ｍ穴の中に突き出るように形成した。本テープを第１表
のめっき浴に同表に記載しだ液温及び時間で浸漬し、パ
ターン全体に、膜厚が０．２μｍとなるようにめっきし
た。このめっき後のパターンに、ポリイミドテープ上穴
の４辺から１ｍｌＴｌ外側の領域を除きソルダーレジス
ト（日本合成化学、エボグレーズＮ−５０４ＪＧ）を印
刷し、加熱硬化（１３０℃、６０分）した。その後、第
２表のスズめっき浴に液温７０℃で、５分間浸漬し、パ
ターン上に膜厚が０．７μｍのスズめっきした。本パタ
ーンの断面を観察したところ、リードのつけ根とソルダ
ーレジスト端部には全く腐食等の異常は観察されなかっ
た。また、これらのテープを８０℃で、３時間加熱し、
次いで、２２℃の温度で、相対湿度６０％の環境下に１
６８時間曝した。この結果、いずれの基板にもスズのウ
ィスカーの発生等の異常は全く認められなかった。
るポリイミドテープに電解銅箔をエポキシ系接着剤で張
り合わせた。本テープにラインアンドスペース５０μｍ
のくし型パターン（ビン数１６０）をピンの先端が２ｍ
ｍ穴の中に突き出るように形成した。本テープを第１表
のめっき浴に同表に記載しだ液温及び時間で浸漬し、パ
ターン全体に、膜厚が０．２μｍとなるようにめっきし
た。このめっき後のパターンに、ポリイミドテープ上穴
の４辺から１ｍｌＴｌ外側の領域を除きソルダーレジス
ト（日本合成化学、エボグレーズＮ−５０４ＪＧ）を印
刷し、加熱硬化（１３０℃、６０分）した。その後、第
２表のスズめっき浴に液温７０℃で、５分間浸漬し、パ
ターン上に膜厚が０．７μｍのスズめっきした。本パタ
ーンの断面を観察したところ、リードのつけ根とソルダ
ーレジスト端部には全く腐食等の異常は観察されなかっ
た。また、これらのテープを８０℃で、３時間加熱し、
次いで、２２℃の温度で、相対湿度６０％の環境下に１
６８時間曝した。この結果、いずれの基板にもスズのウ
ィスカーの発生等の異常は全く認められなかった。
（実施例３）
実施例２で用いたテープを第２表のめっき浴に液温４０
℃で、５分間浸漬し、パターン全体に、膜厚が０．２μ
ｍのめつきした。これを、τソルダーレジストを印刷し
、加熱硬化した。その後、第３表のスズめっき浴に液温
８Ｏ℃で５分間浸漬し、パターン上に膜厚が０゜７μｍ
になるようにスズめっきした。本パターンの断面を観察
したところ、リードのつけ根とソルダーレジスト端部に
は全く腐食等の異常は観察されなかった。また、これら
のテープを８０℃で、３時間加熱し、次いで、２２℃の
温度で、相対湿度６０％の環境下に１６８時間曝した。
℃で、５分間浸漬し、パターン全体に、膜厚が０．２μ
ｍのめつきした。これを、τソルダーレジストを印刷し
、加熱硬化した。その後、第３表のスズめっき浴に液温
８Ｏ℃で５分間浸漬し、パターン上に膜厚が０゜７μｍ
になるようにスズめっきした。本パターンの断面を観察
したところ、リードのつけ根とソルダーレジスト端部に
は全く腐食等の異常は観察されなかった。また、これら
のテープを８０℃で、３時間加熱し、次いで、２２℃の
温度で、相対湿度６０％の環境下に１６８時間曝した。
この結果、いずれの基板にもスズのウィスカーの発生等
の異常は全く認められなかった。
の異常は全く認められなかった。
（比較例１）
実施例１で用いた基板に、パターン全体へのめっきを行
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第２表のめつき浴に液温７０℃で５分間浸漬し、
パターン上に膜厚は０．７μｍのスズめっきした。本パ
ターンの断面を観察したところ、ソルダーレジスト端部
に深さ４μｍの腐食が観察された。
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第２表のめつき浴に液温７０℃で５分間浸漬し、
パターン上に膜厚は０．７μｍのスズめっきした。本パ
ターンの断面を観察したところ、ソルダーレジスト端部
に深さ４μｍの腐食が観察された。
（比較例２）
実施例２で用いたテープにパターン全体へのめっきを行
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第２表のスズめっき浴に液温７０’Ｃで５分間浸
漬し、パターン上に膜厚が０．７μｍになるようにスズ
めっきした。本パターンの断面を観察したところ、リー
ドのつけ根とソルダーレジスト端部にそれぞれ深さ２μ
ｍと４μｍの腐食が観察された。
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第２表のスズめっき浴に液温７０’Ｃで５分間浸
漬し、パターン上に膜厚が０．７μｍになるようにスズ
めっきした。本パターンの断面を観察したところ、リー
ドのつけ根とソルダーレジスト端部にそれぞれ深さ２μ
ｍと４μｍの腐食が観察された。
（比較例３）
実施例２で用いたテープにパターン全体へのめっきを行
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第３表のスズめっき浴に液温８０℃で５分間浸漬
し、パターン上に膜厚が０．７μｍになるようにスズめ
っきした。本パターンの断面を観察したところ、ソルダ
ーレジスト端部に深さ６μｍの腐食が観察された。
なわず、ソルダーレジストを印刷し、加熱硬化した。そ
の後、第３表のスズめっき浴に液温８０℃で５分間浸漬
し、パターン上に膜厚が０．７μｍになるようにスズめ
っきした。本パターンの断面を観察したところ、ソルダ
ーレジスト端部に深さ６μｍの腐食が観察された。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るめっき法は、回路あ
るいはリードフレームのスズ等のめっき工程で発生する
リードのつけ根あるいはソルダーレジスト端部の腐食防
止に格別の効果を有し、特に、ＴＡＢ等のリード巾が極
めて細かく、リード腐食が製品の致命的損傷となり得る
場合において極めて有効なものである。
るいはリードフレームのスズ等のめっき工程で発生する
リードのつけ根あるいはソルダーレジスト端部の腐食防
止に格別の効果を有し、特に、ＴＡＢ等のリード巾が極
めて細かく、リード腐食が製品の致命的損傷となり得る
場合において極めて有効なものである。
Claims (2)
- （１）ソルダーレジスト被膜部を有する回路又はリード
フレームの当該ソルダーレジスト被膜部以外の回路又は
リードフレーム上をめっきする方法において、ソルダー
レジスト被膜を形成する前に、あらかじめ、回路又はリ
ードフレームの全体あるいはその一部を銅の標準電極電
位未満の標準電極電位を有する金属から選択された１種
もしくは２種以上の金属でめっきした後、ソルダーレジ
スト被膜を形成し、次いで、ソルダーレジスト被膜部以
外の回路又はリードフレーム上をスズ又はスズ合金でめ
っきすることを特徴とする回路又はリードフレームのめ
っき方法。 - （２）請求項（１）の銅の標準電極電位未満の標準電極
電位を有する金属が、スズ、ナマリ、アエン、アンチモ
ン、ビスマス又はインジウムであることを特徴とする回
路又はリードフレームのめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278990A JPH043491A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 回路又はリードフレームのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10278990A JPH043491A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 回路又はリードフレームのめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043491A true JPH043491A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14336890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10278990A Pending JPH043491A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 回路又はリードフレームのめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043491A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997000753A1 (en) * | 1995-06-20 | 1997-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solder, and soldered electronic component and electronic circuit board |
| JP2006032483A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法 |
| JP2006032484A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10278990A patent/JPH043491A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997000753A1 (en) * | 1995-06-20 | 1997-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solder, and soldered electronic component and electronic circuit board |
| US5962133A (en) * | 1995-06-20 | 1999-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solder, electronic component mounted by soldering, and electronic circuit board |
| CN1080616C (zh) * | 1995-06-20 | 2002-03-13 | 松下电器产业株式会社 | 焊料、用焊接法贴装的电子元件及电路板 |
| JP2006032483A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法 |
| JP2006032484A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法 |
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