JPH0435040A - Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 - Google Patents
Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0435040A JPH0435040A JP2142176A JP14217690A JPH0435040A JP H0435040 A JPH0435040 A JP H0435040A JP 2142176 A JP2142176 A JP 2142176A JP 14217690 A JP14217690 A JP 14217690A JP H0435040 A JPH0435040 A JP H0435040A
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- JP
- Japan
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- bump
- bumps
- forming
- holder
- inner lead
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体素子の実装に用いられるＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープ
キャリアのインナーリード先端部にバンプを形成する方
法に関する。
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープ
キャリアのインナーリード先端部にバンプを形成する方
法に関する。
一般に、半導体素子をＴＡＢ用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法としては、例えば、「アイビーエム ジャ
ーナル（ＩＢＭ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ）Ｊ第８巻（１９６
４年）１０２頁に記載のように電極部に直接バンプとな
る突起をメツキ法により形成する方法や、［エレクトロ
ニック・パッケージング・アンド・プロダクション（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＰａｃＫａ−ｇｉｎｇ ＆ Ｐｒ
ｏｄｕｃｔｉＯｎ）Ｊ、１９８４年１２月号、３３〜３
９頁に記載のようにエツチング技術を用いたペデスタル
法、すなわちバンプを形成する部分をマスキングしてお
き、他のインナーリード部分をハーフエツチングするこ
とにより、３０〜４０１１ｍの高さの突起を形成する方
法、あるいは［昭和６０年度電子通信学会半導体・材料
部門全国大会論文集、講演番号２」（１９８５年１１月
）に記載のようにガラス基板にバンプを形成した後、電
極部にバンプを移し換える方式の転写バンプ法などが行
われている。
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法としては、例えば、「アイビーエム ジャ
ーナル（ＩＢＭ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ）Ｊ第８巻（１９６
４年）１０２頁に記載のように電極部に直接バンプとな
る突起をメツキ法により形成する方法や、［エレクトロ
ニック・パッケージング・アンド・プロダクション（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＰａｃＫａ−ｇｉｎｇ ＆ Ｐｒ
ｏｄｕｃｔｉＯｎ）Ｊ、１９８４年１２月号、３３〜３
９頁に記載のようにエツチング技術を用いたペデスタル
法、すなわちバンプを形成する部分をマスキングしてお
き、他のインナーリード部分をハーフエツチングするこ
とにより、３０〜４０１１ｍの高さの突起を形成する方
法、あるいは［昭和６０年度電子通信学会半導体・材料
部門全国大会論文集、講演番号２」（１９８５年１１月
）に記載のようにガラス基板にバンプを形成した後、電
極部にバンプを移し換える方式の転写バンプ法などが行
われている。
しかし、これらの方法でバンプを形成するには、高価な
露光装置やメツキ装置などの設備が必要となるだけでな
く、パターンニングのためのりソゲラフイエ程やエツチ
ング工程が必要になるためバンプ形成工程も長くなると
いう課題がある。
露光装置やメツキ装置などの設備が必要となるだけでな
く、パターンニングのためのりソゲラフイエ程やエツチ
ング工程が必要になるためバンプ形成工程も長くなると
いう課題がある。
このため第４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示すよう
に（特公昭６４−１００９４号公報）、金型を用いた機
械的なプレス成形加工技術を用いてインナーリード先端
部にペデスタル２０を製作する方法が提案されている。
に（特公昭６４−１００９４号公報）、金型を用いた機
械的なプレス成形加工技術を用いてインナーリード先端
部にペデスタル２０を製作する方法が提案されている。
この方法は、下型２１に、フィルム２２とインナーリー
ド１８とが一体となったテープキャリアを装着し、上方
からインナーリードの幅よりも大きな凸部２３を有する
上型２４を降下させてインナーリードエ８の先端部に溝
２５をプレス加工によって形成し、バンプとなるペデス
タル２０をインナーリード先端部に形成する方法である
。なお、上型２４の凸部２３により押圧されたインナー
リード１８の溝２５の材料の逃げのため、幅方向に切欠
き２６が設けられている。
ド１８とが一体となったテープキャリアを装着し、上方
からインナーリードの幅よりも大きな凸部２３を有する
上型２４を降下させてインナーリードエ８の先端部に溝
２５をプレス加工によって形成し、バンプとなるペデス
タル２０をインナーリード先端部に形成する方法である
。なお、上型２４の凸部２３により押圧されたインナー
リード１８の溝２５の材料の逃げのため、幅方向に切欠
き２６が設けられている。
第４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｅ）に示したようなプレ
ス加工方法によりインナーリード先端部に成形したバン
プの材質は、インナーリード材質により決定される。
ス加工方法によりインナーリード先端部に成形したバン
プの材質は、インナーリード材質により決定される。
したがって、一般にバンプ材質は銅リードに厚さ１ＩＩ
Ｉ１１程度のＡｕメツキが施されたものとなり、バンプ
材質の大半が銅を占めるため、転写バンプ等で用いられ
ているＡｕバンプに比べ変形が生じにくい硬いバンプと
なる。
Ｉ１１程度のＡｕメツキが施されたものとなり、バンプ
材質の大半が銅を占めるため、転写バンプ等で用いられ
ているＡｕバンプに比べ変形が生じにくい硬いバンプと
なる。
このため第４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示すよう
な従来のバンプでは、半導体素子のＡＱ電極とＡｕメツ
キ付バンプとの熱圧着接合において、バンプの変形が生
じにくいためＡｆｌ電極上に存在する自然酸化膜を十分
に破壊することができず、ＡＱ電極とＡｕメツキ付バン
プを十分な強度で接合することができなかった。ＡＱ電
極上の自然酸化膜の破壊は、バンプの塑性変形を利用す
るため、従来のバンプで十分な強度で接合するためには
、熱圧着時の荷重を増加することが必要となる。ところ
がこの場合にはボンディング圧力が過大となるため、Ａ
Ｑ電極下のＳｉや５ｉ０２膜にクラックが発生する確率
が高くなり、接合の信頼性が低下する課題があった。
な従来のバンプでは、半導体素子のＡＱ電極とＡｕメツ
キ付バンプとの熱圧着接合において、バンプの変形が生
じにくいためＡｆｌ電極上に存在する自然酸化膜を十分
に破壊することができず、ＡＱ電極とＡｕメツキ付バン
プを十分な強度で接合することができなかった。ＡＱ電
極上の自然酸化膜の破壊は、バンプの塑性変形を利用す
るため、従来のバンプで十分な強度で接合するためには
、熱圧着時の荷重を増加することが必要となる。ところ
がこの場合にはボンディング圧力が過大となるため、Ａ
Ｑ電極下のＳｉや５ｉ０２膜にクラックが発生する確率
が高くなり、接合の信頼性が低下する課題があった。
本発明の目的は、バンプをインナーリードとは別体に成
形加工し、その成形加工されたバンプをインナーリード
に熱圧着することにより、従来の課題を解決し、バンプ
形成工程が簡単で、しかも信頼性高く半導体素子との接
合が達成できるＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
を提供することにある。
形加工し、その成形加工されたバンプをインナーリード
に熱圧着することにより、従来の課題を解決し、バンプ
形成工程が簡単で、しかも信頼性高く半導体素子との接
合が達成できるＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るＴＡＢインナー
リードのバンプ形成方法においては、バンプの打抜工程
と、バンプの第１及び第２の成形工程と、バンプの熱圧
着工程とを有し、ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリ
ード先端部近傍にバンプを形成する方法であって、 バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、単品
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、バンプの高さより浅い深さ
の凹部をもつバンプホルダを用い、打抜かれたバンプの
先端部を該バンプホルダの凹部に圧入することにより、
該先端部を成形するものであり、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用いて、前記バ
ンプホルダの凹部から上方に突き出たバンプを該プレス
板で高さ方向から圧下することにより、該バンプを設定
値の高さに成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形されたバンプをインナーリ
ードに熱圧着して一体に取付けるものである。
リードのバンプ形成方法においては、バンプの打抜工程
と、バンプの第１及び第２の成形工程と、バンプの熱圧
着工程とを有し、ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリ
ード先端部近傍にバンプを形成する方法であって、 バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、単品
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、バンプの高さより浅い深さ
の凹部をもつバンプホルダを用い、打抜かれたバンプの
先端部を該バンプホルダの凹部に圧入することにより、
該先端部を成形するものであり、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用いて、前記バ
ンプホルダの凹部から上方に突き出たバンプを該プレス
板で高さ方向から圧下することにより、該バンプを設定
値の高さに成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形されたバンプをインナーリ
ードに熱圧着して一体に取付けるものである。
また、本発明に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形成
方法においては、バンプの打抜工程と、バンプの第１及
び第２の成形工程と、バンプの熱圧着工程とを有し、Ｔ
ＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端部近傍にバ
ンプを形成する方法であって・ バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、複数
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、ＴＡＢ用テープキャリアの
インナーリードと同一ピッチで整列し、かつバンプの高
さより浅い深さの凹部を複数有するバンプホルダを用い
て、打抜かれたバンプの先端部をバンプホルダの各凹部
に連続して圧入することにより、該バンプの先端部を成
形するものであリ、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用い、バンプホ
ルダの各凹部から上方に突き出た複数のバンプを一括し
てプレス板で高さ方向から圧下し、該複数のバンプを設
定値の高さに揃えて成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形された複数のバンプを一括
して複数のインナーリードに熱圧着して一体に取付ける
ものである。
方法においては、バンプの打抜工程と、バンプの第１及
び第２の成形工程と、バンプの熱圧着工程とを有し、Ｔ
ＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端部近傍にバ
ンプを形成する方法であって・ バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、複数
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、ＴＡＢ用テープキャリアの
インナーリードと同一ピッチで整列し、かつバンプの高
さより浅い深さの凹部を複数有するバンプホルダを用い
て、打抜かれたバンプの先端部をバンプホルダの各凹部
に連続して圧入することにより、該バンプの先端部を成
形するものであリ、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用い、バンプホ
ルダの各凹部から上方に突き出た複数のバンプを一括し
てプレス板で高さ方向から圧下し、該複数のバンプを設
定値の高さに揃えて成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形された複数のバンプを一括
して複数のインナーリードに熱圧着して一体に取付ける
ものである。
まず第１の本発明について説明する。第１図（ａ）に示
すようにポンチ１１とダイス１２を用いて薄板状のバン
プ材料１３から単品のバンプ１４を打ち抜き、第１図（
ｂ）に示すように打ち抜いたバンプ１４の先端部をバン
プホルダ１５の凹部１６に圧入する。これにより、バン
プＩ４の先端形状を、凹部１６の四部形状にならった半
球面状に成形することができる。ここで、凹部１６の深
さはバンプ高さよりも浅いため、バンプＩ４の上端はバ
ンプホルダ１５の表面より上方に位置する。次に第１図
（Ｃ）に示すように、バンプ高さが所望とする高さとな
るように、プレス板１７によりバンプ１４を圧下し成形
する。以上のようにして、成形するバンプの高さを常に
一定にすることができる。最後に第１図（ｄ）に示すよ
うに、バンプ１４をインナーリード１８に熱圧着するこ
とにより、インナーリード１８の先端にバンプ１４を容
易に形成することができる。なお、本発明によるバンプ
形成方法では、バンプ材料１３を任意に選ぶことができ
るため、塑性変形が生じやすい柔らかいバンプをインナ
ーリード先端に形成することが可能となる。また、第１
の本発明では、バンプを１ケづつインナーリード先端部
に熱圧着するため、あらゆるインナーリードパターンに
対しても容易にバンプ形成を行うことができ、多品種少
量生産用途のＴＡＢテープキャリアに対しても容易にバ
ンプ形成が可能となる。
すようにポンチ１１とダイス１２を用いて薄板状のバン
プ材料１３から単品のバンプ１４を打ち抜き、第１図（
ｂ）に示すように打ち抜いたバンプ１４の先端部をバン
プホルダ１５の凹部１６に圧入する。これにより、バン
プＩ４の先端形状を、凹部１６の四部形状にならった半
球面状に成形することができる。ここで、凹部１６の深
さはバンプ高さよりも浅いため、バンプＩ４の上端はバ
ンプホルダ１５の表面より上方に位置する。次に第１図
（Ｃ）に示すように、バンプ高さが所望とする高さとな
るように、プレス板１７によりバンプ１４を圧下し成形
する。以上のようにして、成形するバンプの高さを常に
一定にすることができる。最後に第１図（ｄ）に示すよ
うに、バンプ１４をインナーリード１８に熱圧着するこ
とにより、インナーリード１８の先端にバンプ１４を容
易に形成することができる。なお、本発明によるバンプ
形成方法では、バンプ材料１３を任意に選ぶことができ
るため、塑性変形が生じやすい柔らかいバンプをインナ
ーリード先端に形成することが可能となる。また、第１
の本発明では、バンプを１ケづつインナーリード先端部
に熱圧着するため、あらゆるインナーリードパターンに
対しても容易にバンプ形成を行うことができ、多品種少
量生産用途のＴＡＢテープキャリアに対しても容易にバ
ンプ形成が可能となる。
次に第２の本発明の作用について説明する。第２の発明
では、第２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、ポンチ１１
とダイス１２を用いて薄板状バンプ材料１３から複数の
バンプ１４を打ち抜き、該複数のバンプ１４を、ＴＡＢ
テープキャリアのインナーリードのピッチに等しいピッ
チで形成された複数の凹部１６にそれぞれ連続して圧入
する。次に、第２図（６）に示すように全てのバンプの
高さが一定となるようにプレス板１７により複数のバン
プ１４を一括して圧下することにより、一定形状の複数
のバンプ１４をポンチホルダ１５上に配置できる。最後
に第２図（ｅ）に示すように、−括してバンプ１４をイ
ンナーリード１８に熱圧着することにより、全てのイン
ナーリード１８の先端にバンプ１４を一括して容易に形
成することができる。第２の発明では、バンプとインナ
ーリードの接合を一括して行うため、生産性に優れる特
徴を有する。このため、大量生産用途のＴＡＢテープキ
ャリアに対して生産性よく安価にバンプ形成が可能とな
る。
では、第２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、ポンチ１１
とダイス１２を用いて薄板状バンプ材料１３から複数の
バンプ１４を打ち抜き、該複数のバンプ１４を、ＴＡＢ
テープキャリアのインナーリードのピッチに等しいピッ
チで形成された複数の凹部１６にそれぞれ連続して圧入
する。次に、第２図（６）に示すように全てのバンプの
高さが一定となるようにプレス板１７により複数のバン
プ１４を一括して圧下することにより、一定形状の複数
のバンプ１４をポンチホルダ１５上に配置できる。最後
に第２図（ｅ）に示すように、−括してバンプ１４をイ
ンナーリード１８に熱圧着することにより、全てのイン
ナーリード１８の先端にバンプ１４を一括して容易に形
成することができる。第２の発明では、バンプとインナ
ーリードの接合を一括して行うため、生産性に優れる特
徴を有する。このため、大量生産用途のＴＡＢテープキ
ャリアに対して生産性よく安価にバンプ形成が可能とな
る。
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例１に係るインナ
ーリードのバンプ形成方法を工程順に示す断面図である
。
ーリードのバンプ形成方法を工程順に示す断面図である
。
第１図（ａ）に示すように、ポンチ１１とダイス１２の
間にリボン状のバンブ材料１３を配置し、バンブ材料１
３をポンチ１１及びダイス１２により打ち抜き、直径約
８０ｐｍ、高さ約４０ｐｍの単品のバンプ１４を形成し
た。ここで、バンブ材料１３として厚さ５０ｐｍのＡｕ
リボンを用いた。次に上記の工程と連続的に第１図（ｂ
）に示すように、バンプ１４を、バンプホルダ１５上に
形成された直径７０ｐｍ、深さ３０ｐｍの半球状の凹部
１６に圧入し、バンプ１４の先端を半球状に成形した。
間にリボン状のバンブ材料１３を配置し、バンブ材料１
３をポンチ１１及びダイス１２により打ち抜き、直径約
８０ｐｍ、高さ約４０ｐｍの単品のバンプ１４を形成し
た。ここで、バンブ材料１３として厚さ５０ｐｍのＡｕ
リボンを用いた。次に上記の工程と連続的に第１図（ｂ
）に示すように、バンプ１４を、バンプホルダ１５上に
形成された直径７０ｐｍ、深さ３０ｐｍの半球状の凹部
１６に圧入し、バンプ１４の先端を半球状に成形した。
次に第１図（Ｃ）に示すように、バンプ高さｈが３５ｐ
ｍになるようにプレス板１７をバンプ１４の上方から圧
下した。最後に第１図（ｄ）に示すように、バンプ１４
がインナーリード１８の直下に位置するようにバンプホ
ルダ１５を移動し、温度３５０℃に加熱されたボンディ
ングツール１９により、荷重３０ｇｆでバンプ１４とイ
ンナーリード■８とを熱圧着し、第３図に示すようなバ
ンプ１４をインナーリード１８の先端に形成した。
ｍになるようにプレス板１７をバンプ１４の上方から圧
下した。最後に第１図（ｄ）に示すように、バンプ１４
がインナーリード１８の直下に位置するようにバンプホ
ルダ１５を移動し、温度３５０℃に加熱されたボンディ
ングツール１９により、荷重３０ｇｆでバンプ１４とイ
ンナーリード■８とを熱圧着し、第３図に示すようなバ
ンプ１４をインナーリード１８の先端に形成した。
＋１
（実施例２）
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２に係るインナ
ーリードのバンプ形成方法を工程順に示す断面図である
。本実施例では、バンプホルダ１５として、その表面に
複数の半球状凹部１６．１６・・・を設けたバンプホル
ダを用いている。
ーリードのバンプ形成方法を工程順に示す断面図である
。本実施例では、バンプホルダ１５として、その表面に
複数の半球状凹部１６．１６・・・を設けたバンプホル
ダを用いている。
まず第２図（ａ）に示すように、ポンチ１１とダイス１
２の間にリボン状のバンブ材料１３を配置し、直径約８
０ｐｍ、高さ約４０ｐｍのバンプ１４を打ち抜いた。こ
こで、バンプ材料１３として、厚さ５０ＦＩＩＩのＡｕ
リボンを用いた。上記工程と連続的に第２図（ｂ）に示
すように、ＴＡＢテープキャリアのインナーリードＩ８
のパターンに等しいパターンの複数の凹部１６を有する
バンプホルダ１５の一つめ凹部１６にバンプ１４を圧入
した。凹部１６は直径７０ｐｍ、深さ３０ｐｍの半球状
の穴とした。以上の第２図（ａ）、 （ｂ）に示す工程
を繰り返し、第２図（Ｃ）に示すように全ての凹部１６
にバンプ１４を配置した。次いで第２図（ロ）に示すよ
うに、全てのバンプ１４が一定高さ３５ｐｍとなるよう
に、プレス板１７により複数のバンプ１４の上方から一
括して圧下した。最後に第２図（ｅ）に示すように、バ
ンプ１４がインナーリード１８の直下に位置するように
バンプホルダ１５を移動し、温度３５０℃に加熱された
ボンディングツール１９により、１つのバンプ当たり３
０ｇｆの荷重で、バンプ１４とインナーリード１８とを
一括して熱圧着し、第３図に示すような複数のバンプ１
４をインナーリード１８の先端に一括して形成した。
２の間にリボン状のバンブ材料１３を配置し、直径約８
０ｐｍ、高さ約４０ｐｍのバンプ１４を打ち抜いた。こ
こで、バンプ材料１３として、厚さ５０ＦＩＩＩのＡｕ
リボンを用いた。上記工程と連続的に第２図（ｂ）に示
すように、ＴＡＢテープキャリアのインナーリードＩ８
のパターンに等しいパターンの複数の凹部１６を有する
バンプホルダ１５の一つめ凹部１６にバンプ１４を圧入
した。凹部１６は直径７０ｐｍ、深さ３０ｐｍの半球状
の穴とした。以上の第２図（ａ）、 （ｂ）に示す工程
を繰り返し、第２図（Ｃ）に示すように全ての凹部１６
にバンプ１４を配置した。次いで第２図（ロ）に示すよ
うに、全てのバンプ１４が一定高さ３５ｐｍとなるよう
に、プレス板１７により複数のバンプ１４の上方から一
括して圧下した。最後に第２図（ｅ）に示すように、バ
ンプ１４がインナーリード１８の直下に位置するように
バンプホルダ１５を移動し、温度３５０℃に加熱された
ボンディングツール１９により、１つのバンプ当たり３
０ｇｆの荷重で、バンプ１４とインナーリード１８とを
一括して熱圧着し、第３図に示すような複数のバンプ１
４をインナーリード１８の先端に一括して形成した。
上記第１図及び第２図に示した方法により、ＴＡＢテー
プのインナーリード部に形成したバンプ１４を、半導体
素子のＡＭ電極部と低温ボンディング法（素子′加熱温
度：１５０℃、加圧用ツール温度：４５０℃、圧カニ
６０ｇｆ／リード、１秒）により接合した結果、何れの
方法により形成したバンプ１４においても、半導体素子
のＡＱ電極と強度的にも電気的にも良好な接続が達成で
き、インナーリードのバンプとして十分に使用できるこ
とを確認した。また、ボンディング後のＳｉ及び５ｉ０
２面には、クラックは発生していないことを確認した。
プのインナーリード部に形成したバンプ１４を、半導体
素子のＡＭ電極部と低温ボンディング法（素子′加熱温
度：１５０℃、加圧用ツール温度：４５０℃、圧カニ
６０ｇｆ／リード、１秒）により接合した結果、何れの
方法により形成したバンプ１４においても、半導体素子
のＡＱ電極と強度的にも電気的にも良好な接続が達成で
き、インナーリードのバンプとして十分に使用できるこ
とを確認した。また、ボンディング後のＳｉ及び５ｉ０
２面には、クラックは発生していないことを確認した。
以上説明したように、本発明のＴＡＢインナーリードの
バンプ形成方法によれば、半導体素子のＡＱ組電極信頼
性高く、かつ、十分な強度で接合できるバンプを形成で
き、しかも機械的なプレス法を用いてバンプ形成を行う
ため、安価で、かつ、容易にインナーリード先端にバン
プを形成できる効果がある。
バンプ形成方法によれば、半導体素子のＡＱ組電極信頼
性高く、かつ、十分な強度で接合できるバンプを形成で
き、しかも機械的なプレス法を用いてバンプ形成を行う
ため、安価で、かつ、容易にインナーリード先端にバン
プを形成できる効果がある。
第１図（ａ）〜ω）は本発明の実施例１を工程順に示す
断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２を工
程順に示す断面図、第３図は本発明の実施例により形成
されたバンプ構造を示す断面図、第４図（ａ）〜（ｃ）
は従来のバンプ形成方法を工程順に示す断面図である。 ■・・・ポンチ １２・・・ダイス３・
・バンプ材料 １４・・・バンプ訃・・バン
プホルダ １６・・・四部７・・・プレス板
１８・・・インナーリード９・・・ボンデ
ィングツール
断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２を工
程順に示す断面図、第３図は本発明の実施例により形成
されたバンプ構造を示す断面図、第４図（ａ）〜（ｃ）
は従来のバンプ形成方法を工程順に示す断面図である。 ■・・・ポンチ １２・・・ダイス３・
・バンプ材料 １４・・・バンプ訃・・バン
プホルダ １６・・・四部７・・・プレス板
１８・・・インナーリード９・・・ボンデ
ィングツール
Claims (2)
- （１）バンプの打抜工程と、バンプの第１及び第２の成
形工程と、バンプの熱圧着工程とを有し、ＴＡＢ用テー
プキャリアのインナーリード先端部近傍にバンプを形成
する方法であって、 バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、単品
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、バンプの高さより浅い深さ
の凹部をもつバンプホルダを用い、打抜かれたバンプの
先端部を該バンプホルダの凹部に圧入することにより、
該先端部を成形するものであり、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用いて、前記バ
ンプホルダの凹部から上方に突き出たバンプを該プレス
板で高さ方向から圧下することにより、該バンプを設定
値の高さに成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形されたバンプをインナーリ
ードに熱圧着して一体に取付けるものであることを特徴
とするＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法。 - （２）バンプの打抜工程と、バンプの第１及び第２の成
形工程と、バンプの熱圧着工程とを有し、ＴＡＢ用テー
プキャリアのインナーリード先端部近傍にバンプを形成
する方法であって、 バンプの打抜工程は、ポンチとダイスとを用いて、複数
のバンプを薄板状バンプ材料から打抜くものであり、 バンプの第１の成形工程は、ＴＡＢ用テープキャリアの
インナーリードと同一ピッチで整列し、かつバンプの高
さより浅い深さの凹部を複数有するバンプホルダを用い
て、打抜かれたバンプの先端部をバンプホルダの各凹部
に連続して圧入することにより、該バンプの先端部を成
形するものであり、 バンプの第２の成形工程は、プレス板を用い、バンプホ
ルダの各凹部から上方に突き出た複数のバンプを一括し
てプレス板で高さ方向から圧下し、該複数のバンプを設
定値の高さに揃えて成形するものであり、 バンプの熱圧着工程は、成形された複数のバンプを一括
して複数のインナーリードに熱圧着して一体に取付ける
ものであることを特徴とするＴＡＢインナーリードのバ
ンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142176A JPH0435040A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142176A JPH0435040A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435040A true JPH0435040A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15309134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2142176A Pending JPH0435040A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0797247A1 (en) * | 1996-03-21 | 1997-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2142176A patent/JPH0435040A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0797247A1 (en) * | 1996-03-21 | 1997-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| US5914274A (en) * | 1996-03-21 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| US6042953A (en) * | 1996-03-21 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
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