JPH04351804A - 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は焼成温度が８００〜１０
００℃でかつ中性雰囲気中または還元雰囲気中にて短時
間で焼成でき、誘電損失が小さい誘電体磁器組成物およ
びそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】小型化・大容量化が進むセラミックコン
デンサの高誘電率材料としては、チタン酸バリウムを主
成分とする材料が用いられてきた。しかし、この材料を
焼成させるには大気中でかつ焼成温度として１３００℃
程度の高温が必要であるため、積層型セラミックコンデ
ンサを作製する場合に、電極材料としては高価な白金あ
るいはパラジウム等の貴金属の使用が不可欠であり、特
に大容量化にともない内部電極材料が原料費を押し上げ
る要因となっていた。

【０００３】これに対し、近年チタン酸バリウム系材料
に耐還元性をもたせ電極材料として安価な卑金属を用い
て酸素分圧の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電
体材料と安価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の電
極材料とを用いて、１０００℃前後の低温で焼成する方
法により積層セラミックコンデンサの低コスト化が図ら
れている。

【０００４】一方、小型化や高信頼性が望まれる電子機
器においては、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進
められており、従来のチップコンデンサに変わって厚膜
コンデンサに対する要望が高まっている。厚膜コンデン
サを作製するには、低温，短時間焼成が可能な誘電体が
必要であり、このための材料としては主に鉛系誘電体が
用いられる。従って、積層チップコンデンサの大容量化
あるいはコンデンサの厚膜化のいずれにも対応できる低
温焼成が可能な材料として、鉛系誘電体の開発が盛んに
進められている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】さて、Ｐｂ（Ｍｇ１／
３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３系誘電体組成物は、特開昭６１−１５５
２４９号公報で知られているように、１１００℃以下の
大気中で焼成される高誘電率磁器組成物であるが、誘電
率を高め十分緻密な焼成体を得るためには焼成温度にて
数時間保持する必要がある。

【０００６】また、ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＺｒＯ３にＭｎＯ２を添加した低
誘電損失な誘電体磁器組成物は特公昭４６−４２５４４
号公報等で知られているように、強誘電率磁器組成物で
あるが、誘電率を高め十分緻密な焼成体を得るためには
１２５０℃以上の焼成温度にて数時間保持する必要があ
る。そのため誘電体と電極を同時焼成にて形成する場合
、電極材料としては低融点の安価な卑金属が利用できな
い。一方、ハイブリッドＩＣ用の厚膜コンデンサを作製
する場合、低温短時間焼成が不可欠となり、このような
条件下では上記誘電体材料は未焼成となるため所望の特
性が得られないという課題があった。

【０００７】本発明ではかかる問題に鑑み、Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ１
／２Ｗ１／２）Ｏ３系固容体およびＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ
（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＺｒＯ３系固容体
の持つ誘電率を損なわず、中性雰囲気中あるいは還元雰
囲気中にて８００〜１０００℃で、かつ短時間焼成が可
能でかつ誘電損失の小さい誘電体磁器組成物およびそれ
を用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサを提供
することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の誘電体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）ｘＴｉｙ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）ｚＯ３で表
される磁器組成分（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、
Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐ
ｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を頂点とする三角座標で
、下記の［　　］内の数値で表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅを頂点とする五角形の領域内からなる主成分誘電
体磁器組成物の仮焼粉に対して、副成分としてＰｂＯを
１．０〜２５．０モル％と、ＭｇＯを１０．０〜２００
．０モル％またはＭｎＯ２を１．０〜１５．０モル％添
加するという構成を備えたものである。

【０００９】 　　［Ａはｘ＝０．０２５，ｙ＝０．９５０，ｚ＝０．
０２５　　　　Ｂはｘ＝０．１２５，ｙ＝０．８５０，
ｚ＝０．０２５　　　　Ｃはｘ＝０．６００，ｙ＝０．
１００，ｚ＝０．３００　　　　Ｄはｘ＝０．４００，
ｙ＝０．１００，ｚ＝０．５００　　　　Ｅはｘ＝０．
０２５，ｙ＝０．９００，ｚ＝０．０７５］また、本発
明の誘電体磁器組成物は、ＰｂＴｉｘ（Ｍｇ１／３Ｎｂ
２／３）ｙＺｒｚＯ３＋ｍＭｎＯ２で表される磁器組成
分（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、ｍ＝０．１〜３
．０ｗｔ％の範囲にあり、この範囲内のｍの値に対し、
ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐ
ｂＺｒＯ３を頂点とする三角座標で、下記の［　　］内
の数値で表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを頂点と
する六角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の
仮焼粉に対して、副成分としてＰｂＯを１．０〜２５．
０モル％と、ＭｇＯを１０．０〜２５０．０モル％添加
するという構成を備えたものである。

【００１０】 　　［Ａはｘ＝０．２５０　　，ｙ＝０．１２５　　，
ｚ＝０．６２５　　　　Ｂはｘ＝０．３１２５，ｙ＝０
．０６２５，ｚ＝０．６２５　　　　Ｃはｘ＝０．５０
０　　，ｙ＝０．０６２５，ｚ＝０．４３２５　　　　
Ｄはｘ＝０．５００　　，ｙ＝０．４５０　　，ｚ＝０
．０５０　　　　Ｅはｘ＝０．４５０　　，ｙ＝０．５
００　　，ｚ＝０．０５０　　　　Ｆはｘ＝０．２５０
　　，ｙ＝０．５００　　，ｚ＝０．２５０］

【００１
１】

【作用】本発明の誘電体磁器組成物においては、ペロブ
スカイト構造を有するＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
３−ＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）Ｏ３系
の仮焼粉体に、ＰｂＯと、ＭｇＯまたはＭｎＯ２を添加
するか、あるいはペロブスカイト構造を有するＰｂＴｉ
Ｏ３，Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＺｒＯ
３，ＭｎＯ２系の仮焼粉体に、ＰｂＯとＭｇＯを添加す
ることにより、ＰｂＯとＭｇＯまたはＭｎＯ２の共晶組
成を利用し低温で液相を発生させ、またこれらの添加物
がＡ，Ｂ両サイトとに同時に固容することで誘電体への
拡散を円滑に行う。よって添加物による粒界層の形成が
抑制され、かつ誘電率の低下および誘電損失の上昇を防
ぐことができる。従って、中性雰囲気中あるいは還元雰
囲気中にて１０００℃以下という低い焼成温度で短時間
に緻密に焼成可能なセラミックコンデンサと厚膜コンデ
ンサが得られることとなる。

【００１２】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の一実施例の誘電体磁器組成
物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コン
デンサについて説明する。

【００１３】まず、出発原料としては化学的に高純度な
ＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＭｎＯ２を用
いた。これらを純度補正を行った上で所定量を秤量し、
純水を加えメノウ製玉石を用いてボールミルで１７時間
混合した。これを吸引ろ過した水分の大半を分離した後
乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後、粉砕量の
５ｗｔ％の純水を加え、直径６０ｍｍ高さ約５０ｍｍの
円柱状に成型圧力５００ｋｇ／ｃｍ２で成型した。これ
をアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５０〜１０
００℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物をアルミナ
乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉砕し、吸
引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥を数回
くりかえした。この粉末をＸ線解析法により解析し、ペ
ロブスカイト相であることを確認した。

【００１４】この誘電体粉末に副成分としてＰｂＯと、
ＭｇＯまたはＭｎＯ２を添加しライカイ機で混合した後
、ポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗ
ｔ％加え、３２メッシュふるいを通して造粒し、成型圧
力５００ｋｇ／ｃｍ２で直径１３ｍｍ高さ約５ｍｍの円
板状に成型した。次いで、この成型物を大気中６００℃
で、１時間保持して脱バインダーした後、マグネシア磁
器容器に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて
中性雰囲気中または還元雰囲気中で所定温度まで２４０
０℃／ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後、２
４００℃／ｈｒｓで降温した。

【００１５】以上のようにして得られた焼成物を厚さ１
ｍｍの円板状に加工し、両面を電極としてＣｒ−Ａｇを
蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ＫＨｚ，１Ｖ／ｍｍの電
界下で測定した。

【００１６】下記の（表１）に本実施例の材料組成と、
焼成雰囲気を中性雰囲気である窒素中とした焼成物の誘
電特性および誘電損失を示す。

【００１７】

【表１】

【００１８】また、焼成雰囲気を１０−８ａｔｍ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の誘
電体磁器組成物の誘電特性および誘電損失を下記の（表
２）に示す。

【００１９】

【表２】

【００２０】上記（表１），（表２）に示すように、実
施例によれば、８００〜１０００℃短時間焼成にもかか
わらず、また様々な雰囲気焼成においても、高誘電率の
緻密な焼成体が得られ、また助剤にＭｇＯあるいはＭｎ
Ｏ２を添加することで、中性雰囲気あるいは還元雰囲気
焼成においても、低い誘電損失を有する焼成体が得られ
るものである。

【００２１】図１は本発明の主成分の組成範囲を、Ｐｂ
（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（
Ｎｉ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を主成分とする三角組成図中
に示したものであるが、ここで、本発明において特許請
求の範囲を、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｘＴｉｙ（
Ｎｉ１／２Ｗ１／２）ｚＯ３で表される磁器組成分（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／
２）Ｏ３を頂点とする三角座標で、下記の［　　］内の
数値で表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを頂点とする五
角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉
に対して、副成分としてＰｂＯを１．０〜２５．０モル
％と、ＭｇＯを１０．０〜２００．０モル％またはＭｎ
Ｏ２を１．０〜１５．０モル％添加することを特徴とす
る誘電体磁器組成物、 　　［Ａはｘ＝０．０２５，ｙ＝０．９５０，ｚ＝０．
０２５　　　　Ｂはｘ＝０．１２５，ｙ＝０．８５０，
ｚ＝０．０２５　　　　Ｃはｘ＝０．６００，ｙ＝０．
１００，ｚ＝０．３００　　　　Ｄはｘ＝０．４００，
ｙ＝０．１００，ｚ＝０．５００　　　　Ｅはｘ＝０．
０２５，ｙ＝０．９００，ｚ＝０．０７５］と具体的に
限定した理由を述べる。（表１），（表２）の比較例に
示すように、発明の範囲外の組成物においては、助剤の
添加量が少ない組成および８００℃より低い焼成温度で
は焼成が不十分となり緻密な焼成体が得られず、助剤の
添加量の多い組成および１０００℃より高い焼成温度で
は、助剤の誘電体への反応により誘電率が大幅に低下し
、また、誘電損失が大きくなる難点を有している。また
、ｘ，ｙ，ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘電率お
よび低い誘電損失が得られない難点を有している。以上
のように、限定範囲外の組成では具体的には、本焼成条
件で焼成体の誘電率が２０００以下、あるいは誘電損失
が１．５％以上となり、コンデンサとしての所望の特性
が得られないためである。

【００２２】（実施例２）上記実施例１と同様に仮焼・
粉砕・乾燥した誘電体粉末に、副成分としてＰｂＯとＭ
ｇＯまたはＭｎＯ２を添加し、ボールミルにて湿式混合
した後乾燥し、エチルセルロースを主成分とする樹脂を
溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロールにて混練し
誘電体ペーストを作製した。一方、純度９６％のアルミ
ナ基板上に２×２ｍｍ２の形状を有する厚膜コンデンサ
を形成するために、下部電極として銅電極を印刷し乾燥
させた。次に、誘電体層として上記誘電体ペーストを厚
み０．０５０〜０．０６０ｍｍになるように二度印刷乾
燥を行い、さらに上部電極として下部電極と同じ銅電極
を印刷し乾燥することにより、電極−誘電体−電極の三
層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用いて最高温度
８００〜１０００℃，保持時間１０分間窒素中で焼成し
た。 このようにして得られた厚膜コンデンサの誘電率、ｔａ
ｎδを１ＫＨｚ，１Ｖ／ｍｍの電界下で測定した。（表
３）に本実施例の材料組成と、窒素中９００℃で焼成し
た焼成物の誘電特性および誘電損失を示す。

【００２３】

【表３】

【００２４】上記（表３）に示すように、本実施例の材
料組成にかかる焼成物は、短時間低温焼成にもかかわら
ず、緻密な焼成体からなる高誘電率でかつ低い誘電損失
を有する厚膜コンデンサが得られるものである。

【００２５】特許請求の範囲を限定した理由は、実施例
１と同様に、（表３）の比較例に示すように、限定範囲
外の組成では、本焼成条件で焼成体の誘電率が１０００
以下、あるいは誘電損失が１．０％以上となり、厚膜コ
ンデンサとしての所望の特性が得られないためである。

【００２６】本実施例では窒素中にて焼成が可能である
ことを示したが、アルゴン，ヘリウム等の中性雰囲気中
でも焼成が可能であることが容易に推察される。

【００２７】なお、本実施例で用いられる電極としては
、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０
００℃で焼成可能な電極が適宜選択され、使用されるも
のである。

【００２８】（実施例３）以下本発明の他の実施例の誘
電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデン
サと厚膜コンデンサを説明する。

【００２９】まず、出発原料としては化学的に高純度な
ＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｍ
ｎＯ２を用いた。これらを純度補正を行った上で所定量
を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いてボールミル
で１７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を
分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後
、粉砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０ｍｍ高さ約
５０ｍｍの円柱状に成型圧力５００ｋｇ／ｃｍ２で成型
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７
５０〜１１５０℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間
粉砕し、吸引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・
乾燥を数回くりかえした。この粉末をＸ線解析法により
解析し、ペロブスカイト相であることを確認した。

【００３０】この誘電体粉末に副成分としてＰｂＯと、
ＭｇＯを添加しライカイ機で混合した後、ポリビニルア
ルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、３２
メッシュふるいを通して造粒し、成型圧力５００ｋｇ／
ｃｍ２で直径１３ｍｍ高さ約５ｍｍの円板状に成型した
。次いで、この成型物を大気中６００℃で、１時間保持
して脱バインダーした後、マグネシア磁器容器に入れて
同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて大気中，中性雰
囲気中または還元雰囲気中で所定温度まで２４００℃／
ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後、２４００
℃／ｈｒｓで降温した。

【００３１】以上のようにして得られた焼成物を厚さ１
ｍｍの円板状に加工し、両面を電極としてＣｒ−Ａｇを
蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ＭＨｚ，１Ｖ／ｍｍの電
界下で測定した。

【００３２】下記の（表４）に本実施例の材料組成と、
大気中での焼成物の誘電特性，誘電損失を示す。

【００３３】

【表４】

【００３４】また、焼成雰囲気を中性雰囲気である窒素
中とした焼成物および焼成雰囲気を１０−８ａｔｍ以上
の酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の
誘電体磁器組成物の誘電特性および誘電損失を下記の（
表５），（表６）に示す。

【００３５】

【表５】

【００３６】

【表６】

【００３７】上記（表４）に示すように、実施例によれ
ば、８００〜１０００℃短時間焼成にもかかわらず、助
剤にＰｂＯとＭｇＯあるいはＭｎＯ２を添加することで
、大気中において、高い誘電率で低誘電損失の緻密な焼
成体が得られるものである。また、大気中焼成における
特許請求の範囲内の組成物は、（表５），（表６）の中
性雰囲気，還元性雰囲気による焼成においても上記の特
徴を持った焼結体が得られた。

【００３８】図２は本発明の主成分の組成範囲を、Ｐｂ
ＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（
Ｎｉ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を主成分とする三角組成図中
に示したものであるが、ここで、本発明において特許請
求の範囲を、ＰｂＴｉｘ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｙＺ
ｒｚＯ３＋ｍＭｎＯ２で表される磁器組成分（ただしｘ
＋ｙ＋ｚ＝１）において、ｍ＝０．１〜３．０ｗｔ％の
範囲にあり、この範囲内のｍの値に対し、ＰｂＴｉＯ３
，Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（Ｎｉ１／
２Ｗ１／２）Ｏ３を頂点とする三角座標で、下記の［　
　］内の数値で表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを
頂点とする六角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組
成物の仮焼粉に対して、副成分としてＰｂＯを１．０〜
２５．０モル％とＭｇＯを１０．０〜２５０．０モル％
添加することを特徴とする誘電体磁器組成物、 　　［Ａはｘ＝０．２５０　　，ｙ＝０．１２５　　，
ｚ＝０．６２５　　　　Ｂはｘ＝０．３１２５，ｙ＝０
．０６２５，ｚ＝０．６２５　　　　Ｃはｘ＝０．５０
０　　，ｙ＝０．０６２５，ｚ＝０．４３２５　　　　
Ｄはｘ＝０．５００　　，ｙ＝０．４５０　　，ｚ＝０
．０５０　　　　Ｅはｘ＝０．４５０　　，ｙ＝０．５
００　　，ｚ＝０．０５０　　　　Ｆはｘ＝０．２５０
　　，ｙ＝０．５００　　，ｚ＝０．２５０］と具体的
に限定した理由を述べる。（表４），（表５），（表６
）の比較例に示すように、発明の範囲外の組成物におい
ては、助剤の添加量が少ない組成および８００℃より低
い焼成温度では焼成が不十分となり緻密な焼成体が得ら
れず、助剤の添加量の多い組成および１０００℃より高
い焼成温度では、助剤の誘電体への反応により誘電率が
低下し、また、誘電損失が大きくなる難点を有している
。また、ｘ，ｙ，ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘
電率および低い誘電損失が得られない難点を有している
。以上のように、限定範囲外の組成では具体的には、本
焼成条件で焼成体の誘電率が２００以下、誘電損失が１
．０％以上となり、コンデンサとしての所望の特性が得
られないためである。

【００３９】（実施例４）上記実施例３と同様に仮焼・
粉砕・乾燥した誘電体粉末に、副成分としてＰｂＯとＭ
ｇＯまたはＭｎＯ２を添加し、ボールミルにて湿式混合
した後乾燥し、エチルセルロースを主成分とする樹脂を
溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロールにて混練し
誘電体ペーストを作製した。一方、純度９６％のアルミ
ナ基板上に２×２ｍｍ２の形状を有する厚膜コンデンサ
を形成するために、下部電極として電極ペーストを印刷
し乾燥させた。次に、誘電体層として上記誘電体ペース
トを厚み０．０５０〜０．０６０ｍｍになるように二度
印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電極と同じ
電極ペーストを印刷し乾燥することにより、電極−誘電
体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用
いて最高温度８００〜１０００℃，保持時間１０分間焼
成した。このようにして得られた厚膜コンデンサの誘電
率、ｔａｎδを１ＫＨｚ，１Ｖ／ｍｍの電界下で測定し
た。（表７）に本実施例の材料組成と、大気中９００℃
で焼成した焼成物の誘電特性，誘電損失を示す。

【００４０】

【表７】

【００４１】上記（表７）に示すように、本実施例の材
料組成にかかる焼成物は、短時間低温焼成にもかかわら
ず、緻密な焼成体からなる高誘電率でかつ低い誘電損失
を有する厚膜コンデンサが得られるものである。

【００４２】また（表８）に本実施例の材料組成と、窒
素中９００℃で焼成した焼成物の誘電特性，誘電損失を
示す。

【００４３】

【表８】

【００４４】上記（表８）に示すように、本実施例の材
料組成にかかる焼成物は、短時間低温焼成にもかかわら
ず、緻密な焼成体からなる高誘電率でかつ低い誘電損失
を有する厚膜コンデンサが得られるものである。

【００４５】特許請求の範囲を限定した理由は、実施例
１と同様に、（表７），（表８）の比較例に示すように
、限定範囲外の組成では、本焼成条件で焼成体の誘電率
が２００以下、あるいは誘電損失が１．０％以上となり
、厚膜コンデンサとしての所望の特性が得られないため
である。

【００４６】本実施例では窒素中にて焼成が可能である
ことを示したが、アルゴン，ヘリウム等の中性雰囲気中
でも焼成が可能であることが容易に推察される。

【００４７】なお、本実施例で用いられる電極としては
、大気中，中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８０
０〜１０００℃で焼成可能な電極が適宜選択され、使用
されるものである。

【００４８】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、８０
０〜１０００℃の温度にて短時間でかつ中性雰囲気中あ
るいは還元雰囲気中においても焼成可能な高誘電率を有
し、かつ誘電損失の小さい積層セラミックコンデンサお
よび厚膜コンデンサを提供し得る誘電体磁器組成物を実
現できるという優れた効果を発揮するものである。

【図面の簡単な説明】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３を含む
   鉛系誘電体磁器組成を仮焼し粉砕して得られた主成分誘
   電体磁器組成物に対して、副成分としてＰｂＯと、Ｍｇ
   ＯまたはＭｎＯ２を添加することを特徴とする誘電体磁
   器組成物。 【請求項２】Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｘＴｉｙ（
   Ｎｉ１／２Ｗ１／２）ｚＯ３で表される磁器組成分（た
   だしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ
   ２／３）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／
   ２）Ｏ３を頂点とする三角座標で、下記の［］内の数値
   で表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを頂点とする五角形
   の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対
   して、副成分としてＰｂＯを１．０〜２５．０モル％と
   、ＭｇＯを１０．０〜２００．０モル％またはＭｎＯ２
   を１．０〜１５．０モル％添加することを特徴とする誘
   電体磁器組成物。 　　［Ａはｘ＝０．０２５，ｙ＝０．９５０，ｚ＝０．
   ０２５　　　　Ｂはｘ＝０．１２５，ｙ＝０．８５０，
   ｚ＝０．０２５　　　　Ｃはｘ＝０．６００，ｙ＝０．
   １００，ｚ＝０．３００　　　　Ｄはｘ＝０．４００，
   ｙ＝０．１００，ｚ＝０．５００　　　　Ｅはｘ＝０．
   ０２５，ｙ＝０．９００，ｚ＝０．０７５］【請求項３
   】ＰｂＴｉｘ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｙＺｒｚＯ３＋
   ｍＭｎＯ２で表される磁器組成分（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
   １）において、ｍ＝０．１〜３．０ｗｔ％の範囲にあり
   、この範囲内のｍの値に対し、ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍ
   ｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，ＰｂＺｒＯ３を頂点とする
   三角座標で、下記の［　　］内の数値で表される組成Ａ
   ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを頂点とする六角形の領域内から
   なる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、副成分
   としてＰｂＯを１．０〜２５．０モル％と、ＭｇＯを１
   ０．０〜２５０．０モル％添加することを特徴とする誘
   電体磁器組成物。 　　［Ａはｘ＝０．２５０　　，ｙ＝０．１２５　　，
   ｚ＝０．６２５　　　　Ｂはｘ＝０．３１２５，ｙ＝０
   ．０６２５，ｚ＝０．６２５　　　　Ｃはｘ＝０．５０
   ０　　，ｙ＝０．０６２５，ｚ＝０．４３２５　　　　
   Ｄはｘ＝０．５００　　，ｙ＝０．４５０　　，ｚ＝０
   ．０５０　　　　Ｅはｘ＝０．４５０　　，ｙ＝０．５
   ００　　，ｚ＝０．０５０　　　　Ｆはｘ＝０．２５０
   　　，ｙ＝０．５００　　，ｚ＝０．２５０］【請求項
   ４】請求項２または３記載の誘電体磁器組成物からなる
   誘電体層と、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８
   ００〜１０００℃で焼成可能な電極とで構成されたこと
   を特徴とするセラミックコンデンサ。 【請求項５】セラミック基板上に、請求項２または３記
   載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、８００〜１
   ０００℃で焼成可能な電極とから構成されたことを特徴
   とする厚膜コンデンサ。