JPH04352316A - レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH04352316A JPH04352316A JP3126308A JP12630891A JPH04352316A JP H04352316 A JPH04352316 A JP H04352316A JP 3126308 A JP3126308 A JP 3126308A JP 12630891 A JP12630891 A JP 12630891A JP H04352316 A JPH04352316 A JP H04352316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- valve
- suction
- supply
- control mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置及びレ
ジスト塗布方法に関する。近年，半導体装置はますます
複雑多様化し，より高精度でより高集積のパターンの実
現が望まれる。
ジスト塗布方法に関する。近年，半導体装置はますます
複雑多様化し，より高精度でより高集積のパターンの実
現が望まれる。
【０００２】フォトリソグラフィー技術においては，半
導体装置の微細化，高集積化に伴い，ウエハーに塗布す
るレジストの膜厚がより的確でかつ分布がより均一であ
ることが要求される。
導体装置の微細化，高集積化に伴い，ウエハーに塗布す
るレジストの膜厚がより的確でかつ分布がより均一であ
ることが要求される。
【０００３】
【従来の技術】図３はレジスト塗布装置の従来例を示す
図であり，２はレジスト供給弁であってエアオペバルブ
，３はレジスト吸引弁であってサックバックエアオペバ
ルブ，４はノズル，５は配管，６，７はスピードコント
ローラ，１６は３ポート電磁弁を表す。
図であり，２はレジスト供給弁であってエアオペバルブ
，３はレジスト吸引弁であってサックバックエアオペバ
ルブ，４はノズル，５は配管，６，７はスピードコント
ローラ，１６は３ポート電磁弁を表す。
【０００４】ノズル４先端部から基板８に滴下するレジ
スト量の制御は，サックバックエアオペバルブ３とエア
オペバルブ２を制御することにより行うが，従来，サッ
クバックエアオペバルブ３とエアオペバルブ２のスピー
ドコントローラ６，７は，一つの３ポート電磁弁１６に
より駆動されていた。
スト量の制御は，サックバックエアオペバルブ３とエア
オペバルブ２を制御することにより行うが，従来，サッ
クバックエアオペバルブ３とエアオペバルブ２のスピー
ドコントローラ６，７は，一つの３ポート電磁弁１６に
より駆動されていた。
【０００５】ところが，ノズル４先端部におけるレジス
ト滴下量の制御はスピードコントローラ６，７の性能に
よるところが大きく，サックバックエアオペバルブ３と
エアオペバルブ２を同一の３ポート電磁弁１６により制
御しているため，スピードコントローラ６，７をいかに
調整しても，滴下するレジスト量を的確に制御すること
が困難であった。即ち，３ポート電磁弁１６の作動によ
りレジストの供給路を遮断しても，ノズル４先端部のレ
ジストを瞬時に止めることが困難で，レジスト塗布の終
了段階においてレジストが断続的に落ち，膜厚が的確に
定まらないといった問題があった。
ト滴下量の制御はスピードコントローラ６，７の性能に
よるところが大きく，サックバックエアオペバルブ３と
エアオペバルブ２を同一の３ポート電磁弁１６により制
御しているため，スピードコントローラ６，７をいかに
調整しても，滴下するレジスト量を的確に制御すること
が困難であった。即ち，３ポート電磁弁１６の作動によ
りレジストの供給路を遮断しても，ノズル４先端部のレ
ジストを瞬時に止めることが困難で，レジスト塗布の終
了段階においてレジストが断続的に落ち，膜厚が的確に
定まらないといった問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，ノズル４先端部のレジストを瞬時に止め，レジス
トの滴下量を的確に制御できるレジスト塗布装置及びレ
ジスト塗布方法を提供することを目的とする。
鑑み，ノズル４先端部のレジストを瞬時に止め，レジス
トの滴下量を的確に制御できるレジスト塗布装置及びレ
ジスト塗布方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は，本発明のレジス
ト塗布装置の実施例を示す図である。上記課題は，レジ
スト供給源１と， レジスト供給弁２と，レジスト吸引
弁３と， レジストを滴下するノズル４と， 該レジス
ト供給源１，該レジスト供給弁２，該レジスト吸引弁３
，該ノズル４をこの順に連結する配管５と， 該レジス
ト吸引弁３の開閉を制御する第１の制御機構６，９と，
該レジスト供給弁２の開閉を制御する第２の制御機構
７，１０とを有するレジスト塗布装置によって解決され
る。
ト塗布装置の実施例を示す図である。上記課題は，レジ
スト供給源１と， レジスト供給弁２と，レジスト吸引
弁３と， レジストを滴下するノズル４と， 該レジス
ト供給源１，該レジスト供給弁２，該レジスト吸引弁３
，該ノズル４をこの順に連結する配管５と， 該レジス
ト吸引弁３の開閉を制御する第１の制御機構６，９と，
該レジスト供給弁２の開閉を制御する第２の制御機構
７，１０とを有するレジスト塗布装置によって解決され
る。
【０００８】また，上記のレジスト塗布装置を用いて基
板８にレジスト塗布を行うに際し，該第２の制御機構７
，１０により該レジスト供給弁２を開きかつ該第１の制
御機構６，９により該レジスト吸引弁３を閉じて該基板
８にレジストを滴下し，その後，第２の制御機構７，１
０により該レジスト供給弁２を閉じてレジスト供給を止
め， しかる後，該第１の機構６，９により該レジスト
吸引弁３を開いてレジスト吸引を行い，レジスト塗布を
終了するレジスト塗布方法によって解決される。
板８にレジスト塗布を行うに際し，該第２の制御機構７
，１０により該レジスト供給弁２を開きかつ該第１の制
御機構６，９により該レジスト吸引弁３を閉じて該基板
８にレジストを滴下し，その後，第２の制御機構７，１
０により該レジスト供給弁２を閉じてレジスト供給を止
め， しかる後，該第１の機構６，９により該レジスト
吸引弁３を開いてレジスト吸引を行い，レジスト塗布を
終了するレジスト塗布方法によって解決される。
【０００９】
【作用】本発明のレジスト塗布装置では，レジスト吸引
弁（サックバックエアオペバルブ）３とレジスト供給弁
（エアオペバルブ）２とを，それぞれ独立に，第１の制
御機構６，９と第２の制御機構７，１０により駆動させ
ることができるようにしている。
弁（サックバックエアオペバルブ）３とレジスト供給弁
（エアオペバルブ）２とを，それぞれ独立に，第１の制
御機構６，９と第２の制御機構７，１０により駆動させ
ることができるようにしている。
【００１０】レジスト塗布終了時においては，まずレジ
スト供給弁（エアオペバルブ）２を閉じてノズル４への
レジスト供給を止め，完全に止まってから，レジスト吸
引弁（サックバックエアオペバルブ）３を開いてノズル
４内のレジストを引き込むようにしてレジスト塗布を終
了しているから，レジスト塗布の終了段階においてレジ
ストが断続的に落ちるようなことはなく，基板８へのレ
ジスト滴下量を的確に制御できる。
スト供給弁（エアオペバルブ）２を閉じてノズル４への
レジスト供給を止め，完全に止まってから，レジスト吸
引弁（サックバックエアオペバルブ）３を開いてノズル
４内のレジストを引き込むようにしてレジスト塗布を終
了しているから，レジスト塗布の終了段階においてレジ
ストが断続的に落ちるようなことはなく，基板８へのレ
ジスト滴下量を的確に制御できる。
【００１１】従って，基板８上のレジスト膜厚を的確に
制御することができる。
制御することができる。
【００１２】
【実施例】図１はレジスト塗布装置の実施例を示す図で
あり，１はレジスト供給源であってレジストタンク，２
はレジスト供給弁であってエアオペバルブ，３はレジス
ト吸引弁であってサックバックエアオペバルブ，４はノ
ズル，５は配管，６は第１の制御機構であって第１のス
ピードコントローラ，７は第２の制御機構であって第２
のスピードコントローラ，８は基板，９は第１の制御機
構であって第１の３ポート電磁弁，１０は第２の制御機
構であって第２の３ポート電磁弁，１１はポンプ， １
２はフィルタ， １３は第３のスピードコントローラ，
１４は第４のスピードコントローラ，１５は５ポート電
磁弁を表す。
あり，１はレジスト供給源であってレジストタンク，２
はレジスト供給弁であってエアオペバルブ，３はレジス
ト吸引弁であってサックバックエアオペバルブ，４はノ
ズル，５は配管，６は第１の制御機構であって第１のス
ピードコントローラ，７は第２の制御機構であって第２
のスピードコントローラ，８は基板，９は第１の制御機
構であって第１の３ポート電磁弁，１０は第２の制御機
構であって第２の３ポート電磁弁，１１はポンプ， １
２はフィルタ， １３は第３のスピードコントローラ，
１４は第４のスピードコントローラ，１５は５ポート電
磁弁を表す。
【００１３】図２は制御機構動作のタイミングチャート
図である。第１の３ポート電磁弁９は，ＯＮ状態でレジ
スト吸引弁３を閉じレジスト吸引を止め，ＯＦＦ状態で
レジスト吸引弁３を開きレジスト吸引を行う。
図である。第１の３ポート電磁弁９は，ＯＮ状態でレジ
スト吸引弁３を閉じレジスト吸引を止め，ＯＦＦ状態で
レジスト吸引弁３を開きレジスト吸引を行う。
【００１４】第２の３ポート電磁弁１０は，ＯＮ状態で
レジスト供給弁２を開きレジストを供給し，ＯＦＦ状態
でレジスト供給弁２を閉じレジストを止める。吸引量は
ニードルにより調整できる。
レジスト供給弁２を開きレジストを供給し，ＯＦＦ状態
でレジスト供給弁２を閉じレジストを止める。吸引量は
ニードルにより調整できる。
【００１５】５ポート電磁弁１５は，ＯＮ状態でポンプ
１１によりレジストをレジスト供給弁２側へ供給し，Ｏ
ＦＦ状態でレジスト供給弁２側へのレジスト供給を止め
，レジスト供給源からレジストを吸引する。
１１によりレジストをレジスト供給弁２側へ供給し，Ｏ
ＦＦ状態でレジスト供給弁２側へのレジスト供給を止め
，レジスト供給源からレジストを吸引する。
【００１６】基板８へのレジスト塗布時に，第１の３ポ
ート電磁弁９，第２の３ポート電磁弁１０， ５ポート
電磁弁１５を同時にＯＮさせる。ポンプ１１は供給側に
作動し， レジスト供給弁２は開き，レジスト吸引弁３
は閉じ，レジストはノズル４先端部に送り込まれ，回転
する基板８に滴下してレジスト塗布が行われる。通常，
２〜３秒程度の塗布で所望のレジスト膜厚が得られる。
ート電磁弁９，第２の３ポート電磁弁１０， ５ポート
電磁弁１５を同時にＯＮさせる。ポンプ１１は供給側に
作動し， レジスト供給弁２は開き，レジスト吸引弁３
は閉じ，レジストはノズル４先端部に送り込まれ，回転
する基板８に滴下してレジスト塗布が行われる。通常，
２〜３秒程度の塗布で所望のレジスト膜厚が得られる。
【００１７】レジスト塗布終了時には，まず，第２の３
ポート電磁弁１０， ５ポート電磁弁１５を同時にＯＦ
Ｆにし，ノズル４先端部へのレジスト供給を止める。レ
ジスト供給が完全にとまった段階，例えば１秒後，第１
の３ポート電磁弁９をＯＦＦにしてレジスト吸引弁３を
開き，ノズル４内に残存するレジストを吸引する。
ポート電磁弁１０， ５ポート電磁弁１５を同時にＯＦ
Ｆにし，ノズル４先端部へのレジスト供給を止める。レ
ジスト供給が完全にとまった段階，例えば１秒後，第１
の３ポート電磁弁９をＯＦＦにしてレジスト吸引弁３を
開き，ノズル４内に残存するレジストを吸引する。
【００１８】このようにして，レジスト塗布終了段階に
おけるレジストの断続的滴下を防ぐことができる。
おけるレジストの断続的滴下を防ぐことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
レジスト吸引弁（サックバックエアオペバルブ）３とレ
ジスト供給弁（エアオペバルブ）２をシーケンス制御す
ることにより，レジスト塗布終了段階においてレジスト
を瞬時に止めることができ，基板８へのレジスト滴下量
を的確に制御し，レジスト膜厚を精度よく所定の値にす
ることができる。
レジスト吸引弁（サックバックエアオペバルブ）３とレ
ジスト供給弁（エアオペバルブ）２をシーケンス制御す
ることにより，レジスト塗布終了段階においてレジスト
を瞬時に止めることができ，基板８へのレジスト滴下量
を的確に制御し，レジスト膜厚を精度よく所定の値にす
ることができる。
【００２０】かかるレジスト塗布装置及びレジスト塗布
方法は，半導体装置の微細パターンを精度よく形成し，
性能を向上する効果を奏するものである。
方法は，半導体装置の微細パターンを精度よく形成し，
性能を向上する効果を奏するものである。
【図１】レジスト塗布装置の実施例を示す図である。
【図２】制御機構動作のタイミングチャート図である。
【図３】レジスト塗布装置の従来例を示す図である。
１はレジスト供給源であってレジストタンク２はレジス
ト供給弁であってエアオペバルブ３はレジスト吸引弁で
あってサックバックエアオペバルブ ４はノズル ５は配管 ６は第１の制御機構であって第１のスピードコントロー
ラ ７は第２の制御機構であって第２のスピードコントロー
ラ ８は基板 ９は第１の制御機構であって第１の３ポート電磁弁１０
は第２の制御機構であって第２の３ポート電磁弁１１は
ポンプ １２はフィルタ １３は第３のスピードコントローラ １４は第４のスピードコントローラ １５は５ポート電磁弁 １６は３ポート電磁弁
ト供給弁であってエアオペバルブ３はレジスト吸引弁で
あってサックバックエアオペバルブ ４はノズル ５は配管 ６は第１の制御機構であって第１のスピードコントロー
ラ ７は第２の制御機構であって第２のスピードコントロー
ラ ８は基板 ９は第１の制御機構であって第１の３ポート電磁弁１０
は第２の制御機構であって第２の３ポート電磁弁１１は
ポンプ １２はフィルタ １３は第３のスピードコントローラ １４は第４のスピードコントローラ １５は５ポート電磁弁 １６は３ポート電磁弁
Claims (2)
- 【請求項１】 レジスト供給源（１） と，レジスト
供給弁（２） と，レジスト吸引弁（３） と，レジス
トを滴下するノズル（４） と，該レジスト供給源（１
） ，該レジスト供給弁（２） ，該レジスト吸引弁（
３） ，該ノズル（４） をこの順に連結する配管（５
） と，該レジスト吸引弁（３） の開閉を制御する第
１の制御機構（６， ９）と，該レジスト供給弁（２）
の開閉を制御する第２の制御機構（７， １０） と
を有することを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジスト塗布装置を用
いて基板（８） にレジスト塗布を行うに際し，該第２
の制御機構（７， １０） により該レジスト供給弁（
２） を開きかつ該第１の制御機構（６， ９）により
該レジスト吸引弁（３） を閉じて該基板８にレジスト
を滴下し，その後，第２の制御機構（７， １０） に
より該レジスト供給弁（２） を閉じてレジスト供給を
止め， しかる後，該第１の機構（６， ９）により該
レジスト吸引弁（３） を開いてレジスト吸引を行い，
レジスト塗布を終了することを特徴とするレジスト塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126308A JPH04352316A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126308A JPH04352316A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352316A true JPH04352316A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14931977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3126308A Pending JPH04352316A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352316A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391111B1 (en) | 1998-01-19 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3126308A patent/JPH04352316A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391111B1 (en) | 1998-01-19 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |