JPH04352381A - コンデンサー内蔵複合回路基板 - Google Patents
コンデンサー内蔵複合回路基板Info
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- JPH04352381A JPH04352381A JP3126181A JP12618191A JPH04352381A JP H04352381 A JPH04352381 A JP H04352381A JP 3126181 A JP3126181 A JP 3126181A JP 12618191 A JP12618191 A JP 12618191A JP H04352381 A JPH04352381 A JP H04352381A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- composite circuit
- built
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- layer
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサー、抵抗体
及び電気配線用導体層を有するコンデンサー内蔵複合回
路基板に関し、とりわけ絶縁基体及び誘電体を同時に焼
成一体化して成るコンデンサー内蔵複合回路基板に関す
るものである。
及び電気配線用導体層を有するコンデンサー内蔵複合回
路基板に関し、とりわけ絶縁基体及び誘電体を同時に焼
成一体化して成るコンデンサー内蔵複合回路基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種の電子部品はＩＣ及びＬＳＩ
等の半導体集積回路素子の利用で小型化・高密度実装化
が急速に進められ、それに伴い前記半導体集積回路素子
等を搭載する絶縁基板も小型化とともに、より一層の高
密度化が要求されてきた。そこで、電気配線の微細化や
多層化による高密度化および電子回路におけるコンデン
サーや抵抗等の受動部品のチップ化が進められ、更にそ
れら小型化された受動部品を、絶縁基板の両面に設けた
電気配線用導体層に接続する両面実装化が実用化されて
きた。
等の半導体集積回路素子の利用で小型化・高密度実装化
が急速に進められ、それに伴い前記半導体集積回路素子
等を搭載する絶縁基板も小型化とともに、より一層の高
密度化が要求されてきた。そこで、電気配線の微細化や
多層化による高密度化および電子回路におけるコンデン
サーや抵抗等の受動部品のチップ化が進められ、更にそ
れら小型化された受動部品を、絶縁基板の両面に設けた
電気配線用導体層に接続する両面実装化が実用化されて
きた。
【０００３】しかし乍ら、半導体材料の著しい発達に伴
って電子部品は、より一層の小型化・高密度実装化が要
求されるようになり、前記受動部品の小型化等ではその
要求を満足することが出来なくなっていた。
って電子部品は、より一層の小型化・高密度実装化が要
求されるようになり、前記受動部品の小型化等ではその
要求を満足することが出来なくなっていた。
【０００４】そこで、かかる要求に応えるべく、誘電体
層と電極層とを順次積層して形成されたコンデンサ一部
の片面もしくは両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体
化し、該絶縁体層表面上にスクリーン印刷法等により電
気配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体層及び抵
抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型化
・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案されて
いる（特公昭６２−２１２６０号公報、特公昭６３−５
５７９５号公報参照）。
層と電極層とを順次積層して形成されたコンデンサ一部
の片面もしくは両面に絶縁体層を設けて同時に焼成一体
化し、該絶縁体層表面上にスクリーン印刷法等により電
気配線用導体層及び抵抗体層を形成し、該導体層及び抵
抗体層を焼付けてハイブリッド化することにより小型化
・高密度化せんとする複合セラミック基板が提案されて
いる（特公昭６２−２１２６０号公報、特公昭６３−５
５７９５号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の複合セラミック基板はチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ３ ）を主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、該
誘電体層をアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）やステアタイト
（ＭｇＳｉＯ３ ）から成る絶縁体層で挾着して焼成一
体化したものであり、絶縁基体自体の強度が高いという
利点はあるものの、焼成温度が１３００〜１４００℃と
高く、前記誘電体層と絶縁体層とが反応してしまい所期
の特性を有する誘電体層が得られない。
来の複合セラミック基板はチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ３ ）を主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、該
誘電体層をアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）やステアタイト
（ＭｇＳｉＯ３ ）から成る絶縁体層で挾着して焼成一
体化したものであり、絶縁基体自体の強度が高いという
利点はあるものの、焼成温度が１３００〜１４００℃と
高く、前記誘電体層と絶縁体層とが反応してしまい所期
の特性を有する誘電体層が得られない。
【０００６】その上、前記絶縁体層と誘電体層との焼成
温度を一致させることが難しく、絶縁体層と誘電体層と
の熱膨張差から誘電体層にクラックが発生し、コンデン
サーとしての絶縁抵抗や絶縁破壊電圧が所期の特性値よ
り低下してしまうという問題があった。
温度を一致させることが難しく、絶縁体層と誘電体層と
の熱膨張差から誘電体層にクラックが発生し、コンデン
サーとしての絶縁抵抗や絶縁破壊電圧が所期の特性値よ
り低下してしまうという問題があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み研究開発された
もので、その目的は主成分がＭｇＯ、ＳｉＯ２ 、Ｃａ
Ｏ及び硼珪酸マグネシウムガラスから成る高周波絶縁性
に優れた絶縁体層と、高い比誘電率を有するチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする誘電体層を同
時に焼成一体化でき、かつ高い静電容量を有するコンデ
ンサ−を内蔵することを可能とした複合回路基板を提供
することにある。
もので、その目的は主成分がＭｇＯ、ＳｉＯ２ 、Ｃａ
Ｏ及び硼珪酸マグネシウムガラスから成る高周波絶縁性
に優れた絶縁体層と、高い比誘電率を有するチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする誘電体層を同
時に焼成一体化でき、かつ高い静電容量を有するコンデ
ンサ−を内蔵することを可能とした複合回路基板を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るコンデンサ
ー内蔵複合回路基板は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
３ ）を主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、コン
デンサー部を挾着する絶縁体層の主成分が、重量比で表
わした図１に示す下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で
囲まれた範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ２ ）及びカルシア（ＣａＯ）と、該マグネシア（Ｍ
ｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２ ）及びカルシア（ＣａＯ）
の合計１００重量部に対し、１を越え１５未満の重量部
の硼珪酸マグネシウムガラスとから成る絶縁体であり、
該絶縁体層がフォルステライト（Ｍｇ２ ＳｉＯ４ ）
とメルウイナイト（Ｃａ３ ＭｇＳｉ２ Ｏ８ ）、モ
ンチセライト（ＣａＭｇＳｉＯ４ ）、アカーマナイト
（Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７ ）またはエンスタタイト
（ＭｇＳｉＯ３ ）のうち少なくとも１種の結晶相を含
有し、前記誘電体と該誘電体層及び電極層とから形成さ
れるコンデンサー部を挾着した絶縁体層とは同時焼成し
て一体焼結体としたことを特徴とするものである。
ー内蔵複合回路基板は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
３ ）を主成分とする磁器組成物を誘電体層とし、コン
デンサー部を挾着する絶縁体層の主成分が、重量比で表
わした図１に示す下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点で
囲まれた範囲内のマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ２ ）及びカルシア（ＣａＯ）と、該マグネシア（Ｍ
ｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２ ）及びカルシア（ＣａＯ）
の合計１００重量部に対し、１を越え１５未満の重量部
の硼珪酸マグネシウムガラスとから成る絶縁体であり、
該絶縁体層がフォルステライト（Ｍｇ２ ＳｉＯ４ ）
とメルウイナイト（Ｃａ３ ＭｇＳｉ２ Ｏ８ ）、モ
ンチセライト（ＣａＭｇＳｉＯ４ ）、アカーマナイト
（Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７ ）またはエンスタタイト
（ＭｇＳｉＯ３ ）のうち少なくとも１種の結晶相を含
有し、前記誘電体と該誘電体層及び電極層とから形成さ
れるコンデンサー部を挾着した絶縁体層とは同時焼成し
て一体焼結体としたことを特徴とするものである。
【０００９】
即ち、前記絶縁体中のＭｇＯが５９重量％を越える
と焼成温度が１３００℃を越え、前記誘電体材料との反
応性が大となり同時焼成できず、その上、結晶相として
ペリクレース（ＭｇＯ）が析出し耐湿性が劣化する。
と焼成温度が１３００℃を越え、前記誘電体材料との反
応性が大となり同時焼成できず、その上、結晶相として
ペリクレース（ＭｇＯ）が析出し耐湿性が劣化する。
【００１０】他方、３１重量％未満ではコンデンサ−部
の絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低下してしまい実用範
囲を越えてしまう。
の絶縁抵抗値及び絶縁破壊電圧が低下してしまい実用範
囲を越えてしまう。
【００１１】また、ＳｉＯ２ が５９重量％を越えると
絶縁体層の熱膨張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体
層との熱膨張差が大とより、該誘電体層にクラックが発
生し、所期の誘電体特性が得られない。
絶縁体層の熱膨張率が低下し、該絶縁体層と前記誘電体
層との熱膨張差が大とより、該誘電体層にクラックが発
生し、所期の誘電体特性が得られない。
【００１２】他方、３１重量％未満では焼成温度が１３
００℃以上となり、前記誘電体材料と同時焼成できない
。
００℃以上となり、前記誘電体材料と同時焼成できない
。
【００１３】一方、ＣａＯが２９重量％を越えると誘電
体材料との反応性が大となり、同時焼成できず、かつＣ
ａＳｉＯ３ またはＣａ２ ＳｉＯ４ 等のカルシウム
ケイ酸塩が析出し耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び
絶縁破壊電圧が低下し実用範囲を越える。
体材料との反応性が大となり、同時焼成できず、かつＣ
ａＳｉＯ３ またはＣａ２ ＳｉＯ４ 等のカルシウム
ケイ酸塩が析出し耐湿性の劣化と共に、絶縁抵抗値及び
絶縁破壊電圧が低下し実用範囲を越える。
【００１４】また、５重量％未満では絶縁体層の熱膨張
率が低下し、前記と同様の理由により、誘電体層にクラ
ックが発生し、所期の安定した誘電体特性が得られない
。
率が低下し、前記と同様の理由により、誘電体層にクラ
ックが発生し、所期の安定した誘電体特性が得られない
。
【００１５】また、硼珪酸マグネシウムガラスが１５重
量％以上では絶縁体層の焼成温度が１２００℃以下とな
り、誘電体層及び電極層とで形成されるコンデンサー部
を同時焼成できない。
量％以上では絶縁体層の焼成温度が１２００℃以下とな
り、誘電体層及び電極層とで形成されるコンデンサー部
を同時焼成できない。
【００１６】一方、１重量％以下の場合には焼成温度が
１３００℃以上となり誘電体材料と同時焼成できないと
いう問題を生じる。故に、前記絶縁体層の主成分は前記
範囲に特定される。
１３００℃以上となり誘電体材料と同時焼成できないと
いう問題を生じる。故に、前記絶縁体層の主成分は前記
範囲に特定される。
【００１７】
【作用】コンデンサー部を挾着した絶縁体層の主成分で
あるマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２ ）、カ
ルシア（ＣａＯ）及び硼珪酸マグネシウムガラスを前記
範囲内になる様に調整することにより、前記絶縁体材料
をチタン酸バリウム（ＢａＴＯ３ ）を主成分とする誘
電体材料が焼結する１２１０℃乃至１２８０℃の焼成温
度にて同時に焼成し、焼成一体化された絶縁体層にフォ
ルステライト（Ｍｇ２ ＳｉＯ４ ）結晶相以外に、該
フォルステライト結晶相と異なる熱膨張率を有するメル
ウイナイト（Ｃａ３ ＭｇＳｉ２ Ｏ８ ）、モンチセ
ライト（ＣａＭｇＳｉＯ４ ）、アカーマナイト（Ｃａ
２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７ ）またはエンスタタイト（Ｍｇ
ＳｉＯ３ ）の結晶相を少なくとも１種形成させること
により、前記絶縁体の熱膨張率を調整可としたことから
、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて少なくなる。
あるマグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２ ）、カ
ルシア（ＣａＯ）及び硼珪酸マグネシウムガラスを前記
範囲内になる様に調整することにより、前記絶縁体材料
をチタン酸バリウム（ＢａＴＯ３ ）を主成分とする誘
電体材料が焼結する１２１０℃乃至１２８０℃の焼成温
度にて同時に焼成し、焼成一体化された絶縁体層にフォ
ルステライト（Ｍｇ２ ＳｉＯ４ ）結晶相以外に、該
フォルステライト結晶相と異なる熱膨張率を有するメル
ウイナイト（Ｃａ３ ＭｇＳｉ２ Ｏ８ ）、モンチセ
ライト（ＣａＭｇＳｉＯ４ ）、アカーマナイト（Ｃａ
２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７ ）またはエンスタタイト（Ｍｇ
ＳｉＯ３ ）の結晶相を少なくとも１種形成させること
により、前記絶縁体の熱膨張率を調整可としたことから
、焼成一体化後の熱応力の発生が極めて少なくなる。
【００１８】また、絶縁体組成中の硼珪酸マグネシウム
ガラスの含有量が増加するに従って絶縁体材料の軟化温
度が低下するため、焼成時の降温の際、絶縁体と誘電体
との熱膨張率の違いにより発生する残留応力を低減する
ことができ、結果として誘電体に発生するクラックの発
生を阻止することを可能とする。
ガラスの含有量が増加するに従って絶縁体材料の軟化温
度が低下するため、焼成時の降温の際、絶縁体と誘電体
との熱膨張率の違いにより発生する残留応力を低減する
ことができ、結果として誘電体に発生するクラックの発
生を阻止することを可能とする。
【００１９】
【実施例】次に本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板
を図２に示す実施例に基づき詳細に説明する。図２は本
発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示す
断面図である。
を図２に示す実施例に基づき詳細に説明する。図２は本
発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示す
断面図である。
【００２０】図において、１は絶縁体層、２はコンデン
サー部、３は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２
は交互に積層されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３
）を主成分とする誘電体層４と電極層５とから成る。
サー部、３は電気配線用導体で、前記コンデンサー部２
は交互に積層されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３
）を主成分とする誘電体層４と電極層５とから成る。
【００２１】前記絶縁体層１は、その組成が図１に示す
下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 で囲まれた範囲内のＭｇＯ、ＳｉＯ２ 及びＣａＯと、
該ＭｇＯ、ＳｉＯ２ 及びＣａＯの合計１００重量部に
対し、１を越え１５未満の重量部の硼珪酸マグネシウム
ガラスとから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合
物を１０００℃及至１３００℃の温度で仮焼する。
下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの各点 で囲まれた範囲内のＭｇＯ、ＳｉＯ２ 及びＣａＯと、
該ＭｇＯ、ＳｉＯ２ 及びＣａＯの合計１００重量部に
対し、１を越え１５未満の重量部の硼珪酸マグネシウム
ガラスとから成るセラミック原料粉末を混合し、該混合
物を１０００℃及至１３００℃の温度で仮焼する。
【００２２】その後、前記仮焼物を粉砕したセラミック
粉末に適当な有機バインダー、分散剤、可塑剤及び溶媒
を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物を例えば従来周
知のドクターブレード法等によりシート状に成形し、得
られたグリーンシートを複数枚積層したものから絶縁体
層が形成される。
粉末に適当な有機バインダー、分散剤、可塑剤及び溶媒
を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物を例えば従来周
知のドクターブレード法等によりシート状に成形し、得
られたグリーンシートを複数枚積層したものから絶縁体
層が形成される。
【００２３】また、前記コンデンサー部２はＢａＴｉＯ
３ を主成分とする微粉の誘電体材料に、有機バインダ
ーや溶媒等を添加混合して調製した泥漿物を従来周知の
引き上げ法等によりシート状に成形する。次いで前記グ
リーンシート上に銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金ペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法等により所定の電
極パターンに被着し、電極層５を形成する。
３ を主成分とする微粉の誘電体材料に、有機バインダ
ーや溶媒等を添加混合して調製した泥漿物を従来周知の
引き上げ法等によりシート状に成形する。次いで前記グ
リーンシート上に銀・パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金ペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法等により所定の電
極パターンに被着し、電極層５を形成する。
【００２４】尚、絶縁体層１及びコンデンサー部２の上
下面の導通をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーン
シートには打ち抜き加工等によりスルホール部６が形成
され、該スルホール部６には前記合金ペーストが充填さ
れている。
下面の導通をはかるため、絶縁体及び誘電体のグリーン
シートには打ち抜き加工等によりスルホール部６が形成
され、該スルホール部６には前記合金ペーストが充填さ
れている。
【００２５】次いで、前記絶縁体とチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする誘電体のグリーンシー
トを夫々積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、
２００℃乃至４００℃の温度で脱バインダーし、その後
、１２１０℃乃至１２８０℃の温度にて焼成一体化する
ことにより、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得
る。
ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする誘電体のグリーンシー
トを夫々積層して熱圧着し、得られた積層体を大気中、
２００℃乃至４００℃の温度で脱バインダーし、その後
、１２１０℃乃至１２８０℃の温度にて焼成一体化する
ことにより、コンデンサー部２を内蔵した絶縁基板を得
る。
【００２６】かくして前記焼成一体化した絶縁体層１表
面にＡｇ−Ｐｄ系の電気配線用導体パターン及び酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２ ）等の抵抗パターンを夫々印刷形
成し、大気中およそ８５０℃の温度で焼成して抵抗体７
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
面にＡｇ−Ｐｄ系の電気配線用導体パターン及び酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２ ）等の抵抗パターンを夫々印刷形
成し、大気中およそ８５０℃の温度で焼成して抵抗体７
を有するコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
【００２７】また、電気配線用導体パターンを銅（Ｃｕ
）を主成分とするもので形成する場合には、硼化ランタ
ン（ＬａＢ６ ）や酸化スズ（ＳｎＯ２ ）等を主成分
とする抵抗体材料で抵抗パターンを形成し、窒素雰囲気
中およそ９００℃の温度で焼成することにより、前記同
様のコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
）を主成分とするもので形成する場合には、硼化ランタ
ン（ＬａＢ６ ）や酸化スズ（ＳｎＯ２ ）等を主成分
とする抵抗体材料で抵抗パターンを形成し、窒素雰囲気
中およそ９００℃の温度で焼成することにより、前記同
様のコンデンサー内蔵複合回路基板が得られる。
【００２８】尚、前記絶縁体層１に残留する不可避不純
物として、酸化鉄（Ｆｅ２ Ｏ３ ）及びアルミナ（Ａ
ｌ２ Ｏ３ ）の総量は、ＭｇＯ 、ＳｉＯ２ 、Ｃ
ａＯ 及びＡｌ２ Ｏ３ の総量を１００重量部とし
た場合、５重量部以下であればコンデンサー部の各種特
性を劣化させることはない。
物として、酸化鉄（Ｆｅ２ Ｏ３ ）及びアルミナ（Ａ
ｌ２ Ｏ３ ）の総量は、ＭｇＯ 、ＳｉＯ２ 、Ｃ
ａＯ 及びＡｌ２ Ｏ３ の総量を１００重量部とし
た場合、５重量部以下であればコンデンサー部の各種特
性を劣化させることはない。
【００２９】次に以下の実施例に基づき本発明を具体的
に説明する。絶縁体層の組成が表１に示す組成比となる
ように、ＭｇＯ 、ＳｉＯ２ 、ＣａＯ及び硼珪酸マ
グネシウムガラスから成るセラミツ ク原料粉末を混合
し、該混合物を１１００℃乃至１２５０℃の温度で仮焼
を行った。
に説明する。絶縁体層の組成が表１に示す組成比となる
ように、ＭｇＯ 、ＳｉＯ２ 、ＣａＯ及び硼珪酸マ
グネシウムガラスから成るセラミツ ク原料粉末を混合
し、該混合物を１１００℃乃至１２５０℃の温度で仮焼
を行った。
【００３０】その後、前記仮焼物を所望の粒度に粉砕調
整し、得られた原料粉末に適当な有機バインダー及び溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物から
ドクターブレード法により厚さ約２００μｍのグリーン
シートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜
き加工を施し、１７０ｍｍ角の絶縁体シートを得た。
整し、得られた原料粉末に適当な有機バインダー及び溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物から
ドクターブレード法により厚さ約２００μｍのグリーン
シートを成形し、しかる後、該グリーンシートに打ち抜
き加工を施し、１７０ｍｍ角の絶縁体シートを得た。
【００３１】一方、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３
）を主成分とする原料粉末に適当な有機バインダー及び
溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を
引き上げ法により夫々のコンデンサーの容量設定のため
に厚さ２０μｍ乃至６０μｍのグリーンシートを成形し
、該グリーンシートを打ち抜き加工して夫々１７０ｍｍ
角の高容量の誘電体シートを得た。
）を主成分とする原料粉末に適当な有機バインダー及び
溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、該泥漿物を
引き上げ法により夫々のコンデンサーの容量設定のため
に厚さ２０μｍ乃至６０μｍのグリーンシートを成形し
、該グリーンシートを打ち抜き加工して夫々１７０ｍｍ
角の高容量の誘電体シートを得た。
【００３２】次いで、前記誘電体シートにスクリーン印
刷等の厚膜印刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用い
て約１ｍｍ乃至１０ｍｍ角の電極パターンを，必要とす
る静電容量に応じて印刷形成した。
刷等の厚膜印刷法によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを用い
て約１ｍｍ乃至１０ｍｍ角の電極パターンを，必要とす
る静電容量に応じて印刷形成した。
【００３３】また、前記絶縁体シート及び誘電体シート
に予め形成されたスルホール部にもスクリーン印刷法等
によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを充填した。しかる後、
前記絶縁体シートの間にチタン酸バリウムから成る誘電
体シートを夫々複数枚積層したものを挾み込み熱圧着し
、得られた積層体を大気中２００℃乃至４００℃の温度
で脱バインダーし、続いて表１に示す温度にて大気中で
焼成した。
に予め形成されたスルホール部にもスクリーン印刷法等
によりＡｇ−Ｐｄ合金ペーストを充填した。しかる後、
前記絶縁体シートの間にチタン酸バリウムから成る誘電
体シートを夫々複数枚積層したものを挾み込み熱圧着し
、得られた積層体を大気中２００℃乃至４００℃の温度
で脱バインダーし、続いて表１に示す温度にて大気中で
焼成した。
【００３４】上記評価試料によりＬＣＲメーターを使用
して高容量コンデンサー部の電極層間の短絡の有無を確
認した後、ＪＩＳ Ｃ ５１０２の規定に準じて前
記ＬＣＲメーターにより周波数１ＫＨｚ、入力信号レベ
ル１．０Ｖｒｍｓの測定条件にて、高容量コンデンサー
部の静電容量を測定し、該静電容量から比誘電率（εｒ
）を算出し、一方、−５５℃乃至１２５℃における静
電容量を測定し、２５℃での静電容量を基準として前記
静電容量の変化率を温度特性（ ＴＣＣ ）として算出
した。
して高容量コンデンサー部の電極層間の短絡の有無を確
認した後、ＪＩＳ Ｃ ５１０２の規定に準じて前
記ＬＣＲメーターにより周波数１ＫＨｚ、入力信号レベ
ル１．０Ｖｒｍｓの測定条件にて、高容量コンデンサー
部の静電容量を測定し、該静電容量から比誘電率（εｒ
）を算出し、一方、−５５℃乃至１２５℃における静
電容量を測定し、２５℃での静電容量を基準として前記
静電容量の変化率を温度特性（ ＴＣＣ ）として算出
した。
【００３５】また、前記各コンデンサー部の絶縁抵抗値
は、２５Ｖの直流電圧を印加し６０秒後に測定した抵抗
値とし、絶縁破壊電圧はコンデンサー部の端子間に毎秒
１００Ｖの昇圧速度で電圧を印加した時の漏れ電流値が
１．０ｍＡを越えた瞬間の電圧値とした。
は、２５Ｖの直流電圧を印加し６０秒後に測定した抵抗
値とし、絶縁破壊電圧はコンデンサー部の端子間に毎秒
１００Ｖの昇圧速度で電圧を印加した時の漏れ電流値が
１．０ｍＡを越えた瞬間の電圧値とした。
【００３６】一方、絶縁体層の結晶相は、前記評価試料
を使用してＸ線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パ
ターンにより同定した。
を使用してＸ線回折を行い、評価試料表面のＸ線回折パ
ターンにより同定した。
【００３７】また、絶縁体層及び各誘電体層の熱膨張率
は、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦３ｍｍ、
横３ｍｍ、長さ４０ｍｍの角棒状の試験片を前記評価試
料の焼成と同時に焼成し、４０℃乃至８００℃の温度範
囲における平均熱膨張率を測定した。
は、それぞれ前記評価試料と同一組成である縦３ｍｍ、
横３ｍｍ、長さ４０ｍｍの角棒状の試験片を前記評価試
料の焼成と同時に焼成し、４０℃乃至８００℃の温度範
囲における平均熱膨張率を測定した。
【００３８】以上の結果を表１〜表３に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表３】
【００４２】
【発明の効果】本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板
によれば、マグネシア、シリカ及びカルシアを主成分と
する高周波絶縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有す
るチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする
誘電体層とが互いに反応することなく低温度で同時に焼
成一体化することが可能となる上、前記絶縁体層と誘電
体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものとすること
ができることから、誘電体層にクラック等の欠陥を生ぜ
ず、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静電容量を
有するコンデンサー部を内蔵することができるとともに
、更に、高強度を有する絶縁体層上に電気配線用導体層
を強固に被着させることができ、その結果、ハイブリッ
ド基板等に最適な小型化・高密度化されたコンデンサー
内蔵複合回路基板を得ることが出来る。
によれば、マグネシア、シリカ及びカルシアを主成分と
する高周波絶縁性に優れた絶縁体層と高い誘電率を有す
るチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）を主成分とする
誘電体層とが互いに反応することなく低温度で同時に焼
成一体化することが可能となる上、前記絶縁体層と誘電
体層の熱膨張率を互いに極めて近似したものとすること
ができることから、誘電体層にクラック等の欠陥を生ぜ
ず、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧に優れた高い静電容量を
有するコンデンサー部を内蔵することができるとともに
、更に、高強度を有する絶縁体層上に電気配線用導体層
を強固に被着させることができ、その結果、ハイブリッ
ド基板等に最適な小型化・高密度化されたコンデンサー
内蔵複合回路基板を得ることが出来る。
【図１】本発明に係る絶縁体層の組成の一部であるＭｇ
Ｏ、ＳｉＯ及びＣａＯの組成範囲を示す三元系図である
。
Ｏ、ＳｉＯ及びＣａＯの組成範囲を示す三元系図である
。
【図２】本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
１ 絶縁体層
２ コンデンサー部
４ 誘電体層
５ 電極層
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126181A JP2842705B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126181A JP2842705B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352381A true JPH04352381A (ja) | 1992-12-07 |
| JP2842705B2 JP2842705B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=14928695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3126181A Expired - Fee Related JP2842705B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842705B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707952A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Keramischer Schichtverbundkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Modul |
| EP1095915A3 (en) * | 1999-10-27 | 2003-04-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
| CN118047599A (zh) * | 2024-01-11 | 2024-05-17 | 华中科技大学 | 一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3126181A patent/JP2842705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707952A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Keramischer Schichtverbundkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Modul |
| EP1095915A3 (en) * | 1999-10-27 | 2003-04-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
| US6602623B1 (en) | 1999-10-27 | 2003-08-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
| CN118047599A (zh) * | 2024-01-11 | 2024-05-17 | 华中科技大学 | 一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2842705B2 (ja) | 1999-01-06 |
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|---|---|---|---|
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