JPH04352417A - 半導体装置のフォトレジスト塗布装置 - Google Patents
半導体装置のフォトレジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH04352417A JPH04352417A JP3126372A JP12637291A JPH04352417A JP H04352417 A JPH04352417 A JP H04352417A JP 3126372 A JP3126372 A JP 3126372A JP 12637291 A JP12637291 A JP 12637291A JP H04352417 A JPH04352417 A JP H04352417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nozzle
- cleaning
- wafer
- resist nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトレジスト（以降、
単にレジストと称す）を半導体ウェーハ（以降、単にウ
ェーハと称す）に塗布する半導体装置のフォトレジスト
塗布装置（以降、単にレジスト塗布装置と称す）に関す
る。
単にレジストと称す）を半導体ウェーハ（以降、単にウ
ェーハと称す）に塗布する半導体装置のフォトレジスト
塗布装置（以降、単にレジスト塗布装置と称す）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５の構成断面図に示すように従来のこ
の種のレジスト塗布装置についてその動作を順を追って
説明する。まず図５のように、チャック７に吸着された
ウェーハ８上にレジストノズル４からレジストを一定量
滴下する。その後、スピンモータ９によってウェーハ８
を回転させ、不要なレジストを飛散させつつ、ウェーハ
８上のレジスト膜厚の均一化を行う。以上の動作をウェ
ーハ毎に繰り返していくが、ウェーハ８を連続して処理
せず、ある一定時間以上レジストを滴下しなかった場合
、レジストノズル４の先端部のレジストは長時間空気に
接することになる。これにより、レジストの一部が乾燥
し、レジストノズル４の内壁に固形物が生成される。
の種のレジスト塗布装置についてその動作を順を追って
説明する。まず図５のように、チャック７に吸着された
ウェーハ８上にレジストノズル４からレジストを一定量
滴下する。その後、スピンモータ９によってウェーハ８
を回転させ、不要なレジストを飛散させつつ、ウェーハ
８上のレジスト膜厚の均一化を行う。以上の動作をウェ
ーハ毎に繰り返していくが、ウェーハ８を連続して処理
せず、ある一定時間以上レジストを滴下しなかった場合
、レジストノズル４の先端部のレジストは長時間空気に
接することになる。これにより、レジストの一部が乾燥
し、レジストノズル４の内壁に固形物が生成される。
【０００３】この状態で次に処理を再開した時、この固
形物が混入したレジストが滴下される為、ウェーハ面内
で部分的にレジスト膜厚が異なる不良が発生する。この
ような不良が発生するのを防ぐ為、レジストノズル４を
ドレインホース１０上に移動させ（点線で示す）、レジ
ストノズル４からレジストをドレインホース１０に数十
回吐出することによって固形物を排出し、レジストノズ
ル内壁を清浄にしている。
形物が混入したレジストが滴下される為、ウェーハ面内
で部分的にレジスト膜厚が異なる不良が発生する。この
ような不良が発生するのを防ぐ為、レジストノズル４を
ドレインホース１０上に移動させ（点線で示す）、レジ
ストノズル４からレジストをドレインホース１０に数十
回吐出することによって固形物を排出し、レジストノズ
ル内壁を清浄にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレジス
ト塗布装置では、レジスト自体を吐出することによって
レジストノズル内壁の固形物を除去しようとしている為
、数十回レジストを吐出しても固形物が除去できないこ
とがあった。その為、固形物が突発的にレジスト中に混
入することがあり、その固形物が核となり、ウェーハ面
内で遠心方向に直線状にレジスト膜厚が異なる不良を発
生させていた。
ト塗布装置では、レジスト自体を吐出することによって
レジストノズル内壁の固形物を除去しようとしている為
、数十回レジストを吐出しても固形物が除去できないこ
とがあった。その為、固形物が突発的にレジスト中に混
入することがあり、その固形物が核となり、ウェーハ面
内で遠心方向に直線状にレジスト膜厚が異なる不良を発
生させていた。
【０００５】このレジスト膜厚のばらつきによる局部的
な悪化は、パターン寸法の変化を生じさせることになる
。よって、長時間停止後、処理を再開する前にはレジス
トノズル内壁に付着した固形物を完全に除去しないと、
ウェーハのフォトリソグラフィ工程での歩留りや品質を
低下させることになる。
な悪化は、パターン寸法の変化を生じさせることになる
。よって、長時間停止後、処理を再開する前にはレジス
トノズル内壁に付着した固形物を完全に除去しないと、
ウェーハのフォトリソグラフィ工程での歩留りや品質を
低下させることになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、乾燥固化したレジストが先端部に付着しているレ
ジストノズルを、溶剤にて洗浄する為の洗浄機構を備え
ている。
置は、乾燥固化したレジストが先端部に付着しているレ
ジストノズルを、溶剤にて洗浄する為の洗浄機構を備え
ている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の実施例１の構成断面図である。塗布処
理を行うカップ１周辺に洗浄ノズル２，ドレイン槽３を
設ける。このドレイン槽３の上部に洗浄ノズル２を設け
る。まず図１のように、レジストノズル４を洗浄ノズル
２の近くへ移動させる。洗浄ノズル２から溶剤を噴出さ
せて、レジストノズル４の先端を洗浄する。設定時間に
達したら、溶剤の噴出を停止する。そして、レジストノ
ズル中の余分な溶剤成分を追い出す為、設定回数だけレ
ジストをレジストノズル４から排液する。その後、レジ
ストノズル４をチャック７中央へ移動させ、ウェーハ８
をチャック７上へ搬送し、レジストを滴下し回転塗布処
理を行う。製品処理が終了し、次の処理開始までの待機
時間が約１時間を超えると、レジストノズル４先端の乾
燥により固形物が生成されてくる為、前記のレジストノ
ズル洗浄から始める。約１時間を超えていなかったら、
レジストノズル洗浄は行なわず、すぐに塗布処理に入る
。ただし、固形物が生成される為に要する時間は、レジ
ストノズル形状、カップ排気強さで変化するため、この
洗浄を行なう時間の区切りは、条件によって確認する必
要がある。
。図１は本発明の実施例１の構成断面図である。塗布処
理を行うカップ１周辺に洗浄ノズル２，ドレイン槽３を
設ける。このドレイン槽３の上部に洗浄ノズル２を設け
る。まず図１のように、レジストノズル４を洗浄ノズル
２の近くへ移動させる。洗浄ノズル２から溶剤を噴出さ
せて、レジストノズル４の先端を洗浄する。設定時間に
達したら、溶剤の噴出を停止する。そして、レジストノ
ズル中の余分な溶剤成分を追い出す為、設定回数だけレ
ジストをレジストノズル４から排液する。その後、レジ
ストノズル４をチャック７中央へ移動させ、ウェーハ８
をチャック７上へ搬送し、レジストを滴下し回転塗布処
理を行う。製品処理が終了し、次の処理開始までの待機
時間が約１時間を超えると、レジストノズル４先端の乾
燥により固形物が生成されてくる為、前記のレジストノ
ズル洗浄から始める。約１時間を超えていなかったら、
レジストノズル洗浄は行なわず、すぐに塗布処理に入る
。ただし、固形物が生成される為に要する時間は、レジ
ストノズル形状、カップ排気強さで変化するため、この
洗浄を行なう時間の区切りは、条件によって確認する必
要がある。
【０００８】図２は本発明の実施例２の構成断面図であ
る。塗布処理を行うカップ１の周辺に洗浄槽５，洗浄槽
駆動部６，ドレイン槽３を設ける。洗浄槽５は洗浄槽駆
動部６によってドレイン槽３内を上下に駆動される。ま
ず図２のように、レジストノズル４を洗浄槽５の上へ移
動する。この間、洗浄槽５には一定量の溶剤を供給して
おく。次にレジストノズル４の先端を溶剤に浸せるよう
に洗浄槽５を上昇させる。さらに、洗浄槽５を洗浄槽駆
動部６によりゆっくりと上下動させる。これにより、レ
ジストノズル４の内壁に付着した固形物を効果的に除去
する。例えば、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）であれば
、この動作を約３０秒間繰り返すと充分な洗浄が可能で
ある。その後は、実施例１と同様にしてレジストノズル
４中の余分な溶剤成分を追い出す。
る。塗布処理を行うカップ１の周辺に洗浄槽５，洗浄槽
駆動部６，ドレイン槽３を設ける。洗浄槽５は洗浄槽駆
動部６によってドレイン槽３内を上下に駆動される。ま
ず図２のように、レジストノズル４を洗浄槽５の上へ移
動する。この間、洗浄槽５には一定量の溶剤を供給して
おく。次にレジストノズル４の先端を溶剤に浸せるよう
に洗浄槽５を上昇させる。さらに、洗浄槽５を洗浄槽駆
動部６によりゆっくりと上下動させる。これにより、レ
ジストノズル４の内壁に付着した固形物を効果的に除去
する。例えば、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）であれば
、この動作を約３０秒間繰り返すと充分な洗浄が可能で
ある。その後は、実施例１と同様にしてレジストノズル
４中の余分な溶剤成分を追い出す。
【０００９】図３は本発明の実施例３の構成断面図であ
る。本実施例は実施例１と実施例２を組合わせたもので
、洗浄槽５，洗浄ノズル２，ドレイン槽３，洗浄槽駆動
部６を設ける。本実施例の動作を図４のフローチャート
を用いて説明する。まずレジストノズル４を洗浄槽５上
に移動する。次いで洗浄ノズル２から溶剤を噴出し、設
定時間に達したら噴出を停止し、洗浄槽５の揺動を開始
する。設定時間に達したら揺動を停止し、レジストノズ
ル４をドレイン槽３上へ移動する。次いでレジストノズ
ル４からレジストを吐出し、設定回数に達したら吐出を
停止する。次いでレジストノズル４をチャック７の中央
へ移動し、ウェーハ８にレジスト塗布シーケンスを実行
する。そして製品処理開始までの待機時間の限度時間に
達した場合は、再び上記のレジストノズルの洗浄動作に
戻る。
る。本実施例は実施例１と実施例２を組合わせたもので
、洗浄槽５，洗浄ノズル２，ドレイン槽３，洗浄槽駆動
部６を設ける。本実施例の動作を図４のフローチャート
を用いて説明する。まずレジストノズル４を洗浄槽５上
に移動する。次いで洗浄ノズル２から溶剤を噴出し、設
定時間に達したら噴出を停止し、洗浄槽５の揺動を開始
する。設定時間に達したら揺動を停止し、レジストノズ
ル４をドレイン槽３上へ移動する。次いでレジストノズ
ル４からレジストを吐出し、設定回数に達したら吐出を
停止する。次いでレジストノズル４をチャック７の中央
へ移動し、ウェーハ８にレジスト塗布シーケンスを実行
する。そして製品処理開始までの待機時間の限度時間に
達した場合は、再び上記のレジストノズルの洗浄動作に
戻る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、塗布シー
ケンス前に溶剤にてレジストノズルの表面，内面を洗浄
し、その後清浄なレジストに置換えすることによって、
処理停止後、放置により生成される固形物を皆無にする
ことができる。従って、レジストノズル先端にできる固
形物の生成を防ぐことができる為、製品の歩留り及び信
頼性の向上に効果がある。
ケンス前に溶剤にてレジストノズルの表面，内面を洗浄
し、その後清浄なレジストに置換えすることによって、
処理停止後、放置により生成される固形物を皆無にする
ことができる。従って、レジストノズル先端にできる固
形物の生成を防ぐことができる為、製品の歩留り及び信
頼性の向上に効果がある。
【図１】本発明の実施例１の構成断面図である。
【図２】実施例２の構成断面図である。
【図３】実施例３の構成断面図である。
【図４】実施例３のフローチャート図である。
【図５】従来のレジスト塗布装置の構成図である。
１ カップ
２ 洗浄ノズル
３ ドレイン槽
４ レジストノズル
５ 洗浄槽
６ 洗浄槽駆動部
７ チャック
８ ウェーハ
９ スピンモータ
１０ ドレインホース
Claims (1)
- 【請求項１】 フォトレジストを半導体ウェーハ上に
塗布する半導体装置のフォトレジスト塗布装置において
、少なくともフォトレジストノズルを溶剤にて洗浄する
機構を有することを特徴とする半導体装置のフォトレジ
スト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126372A JPH04352417A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置のフォトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3126372A JPH04352417A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置のフォトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352417A true JPH04352417A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14933545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3126372A Pending JPH04352417A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置のフォトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352417A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475731B1 (ko) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트분사제어시스템 |
| JP2011035379A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-02-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置及びノズルの管理方法 |
| CN103077911A (zh) * | 2008-08-28 | 2013-05-01 | 东京应化工业株式会社 | 涂敷装置 |
| JP2016207837A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3126372A patent/JPH04352417A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475731B1 (ko) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트분사제어시스템 |
| CN103077911A (zh) * | 2008-08-28 | 2013-05-01 | 东京应化工业株式会社 | 涂敷装置 |
| JP2011035379A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-02-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置及びノズルの管理方法 |
| US8667924B2 (en) | 2009-07-06 | 2014-03-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating device and nozzle managing method |
| JP2016207837A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000606 |