JPH04353472A - Manufacture of thermal head - Google Patents
Manufacture of thermal headInfo
- Publication number
- JPH04353472A JPH04353472A JP3129588A JP12958891A JPH04353472A JP H04353472 A JPH04353472 A JP H04353472A JP 3129588 A JP3129588 A JP 3129588A JP 12958891 A JP12958891 A JP 12958891A JP H04353472 A JPH04353472 A JP H04353472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit wiring
- insulating substrate
- thermal head
- layer
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置やワ
ードプロセッサなどの印画出力装置として用いられるサ
ーマルヘッドの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a thermal head used as a printing output device such as a facsimile machine or a word processor.
【0002】0002
【従来の技術】従来からワードプロセッサなどの印字出
力装置としてサーマルプリンタが多く用いられている。
サーマルプリンタに備えられるサーマルヘッドは、セラ
ミック基板上に複数の発熱抵抗体に対応する電極をパタ
ーン形成し、この発熱抵抗体を発熱駆動する駆動回路素
子にははんだバンプが形成され、セラミック基板上の回
路配線とフェースダンボンディングで接続される。ここ
で量産性や高密度化を容易に実現するために、セラミッ
ク基板上に前記駆動回路素子を実装する技術として駆動
回路素子にはフリップチップを用い、該フリップチップ
の電極をはんだバンプを介してセラミック基板上に接続
する点と、当該サーマルヘッドにおいて配線パターンを
、比抵抗2.65×10−6Ω・cm(20℃)のアル
ミニウム薄膜から形成し、かつ該配線パターンのうち、
少なくともフリップチップがワイヤレスボンディングさ
れる部分をニッケルで被覆する点は、例として特開昭6
0−12853あるいは特開昭61−244567に開
示されている。2. Description of the Related Art Conventionally, thermal printers have been widely used as print output devices for word processors and the like. The thermal head installed in a thermal printer has a pattern of electrodes corresponding to a plurality of heat generating resistors on a ceramic substrate, and solder bumps are formed on the drive circuit element that drives the heat generating resistors to generate heat. Connected to circuit wiring by face-to-face bonding. Here, in order to easily achieve mass production and high density, a flip chip is used for the drive circuit element as a technique for mounting the drive circuit element on a ceramic substrate, and the electrodes of the flip chip are connected via solder bumps. The points to be connected on the ceramic substrate and the wiring pattern in the thermal head are formed from an aluminum thin film with a specific resistance of 2.65 x 10-6 Ωcm (20°C), and among the wiring patterns,
At least the part where the flip chip is wirelessly bonded is coated with nickel, as an example of Japanese Patent Laid-Open No. 6
0-12853 or Japanese Patent Laid-Open No. 61-244567.
【0003】図6は、このような従来例のサーマルヘッ
ド1の拡大断面図である。サーマルヘッド1は、アルミ
ナ系セラミックなどから成る絶縁基板2を備え、その上
にはアルミニウムから成る回路配線3がパターン形成さ
れる。回路配線3の接続部位8にはニッケル層4がパタ
ーン形成され、さらにニッケル層4上には金層5がパタ
ーン形成され、接続端子9を構成する。回路配線3の接
続端子9が形成される接続部位8には、集積回路素子と
して構成される駆動回路素子6がはんだバンプ7を対向
して当接させ相互に接続される。回路配線3上にニッケ
ル層4を設けるのは、溶融物のはんだバンプ7との結合
性を向上するためであり、金層5はニッケル層4の酸化
によるはんだ漏れ性の低下を防止するために設けられる
。FIG. 6 is an enlarged sectional view of such a conventional thermal head 1. As shown in FIG. The thermal head 1 includes an insulating substrate 2 made of alumina ceramic or the like, on which circuit wiring 3 made of aluminum is patterned. A nickel layer 4 is patterned on the connection portion 8 of the circuit wiring 3, and a gold layer 5 is further patterned on the nickel layer 4 to form a connection terminal 9. Drive circuit elements 6 configured as integrated circuit elements are connected to connection portions 8 where connection terminals 9 of circuit wiring 3 are formed, with solder bumps 7 facing each other and in contact with each other. The reason why the nickel layer 4 is provided on the circuit wiring 3 is to improve the bonding property of the melt with the solder bump 7, and the gold layer 5 is provided to prevent a decrease in solder leakage due to oxidation of the nickel layer 4. provided.
【0004】図7は、このような接続端子9の製造工程
を説明する工程図である。工程c1では、絶縁基板2上
にアルミニウム薄膜で前記回路配線3をパターン形成す
る。工程c2では、回路配線3の接続部位8にニッケル
層4をパターン形成し、工程c3では、ニッケル層4上
に金層5をパターン形成する。このような工程c1〜c
3は、いずれも薄膜形成技術として知られるフォトレジ
ストを用いるフォトプロセスがそれぞれ用いられて実現
されるものである。FIG. 7 is a process diagram illustrating the manufacturing process of such a connecting terminal 9. In step c1, the circuit wiring 3 is patterned using an aluminum thin film on the insulating substrate 2. In step c2, a nickel layer 4 is patterned on the connection portion 8 of the circuit wiring 3, and in step c3, a gold layer 5 is patterned on the nickel layer 4. Such steps c1-c
3 are realized using a photo process using a photoresist, which is known as a thin film forming technique.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このような従来例は、
駆動回路素子6のはんだバンプ7と接続される接続端子
9を形成するに際して、図7で示される少なくとも3つ
の製造工程が必要であり、工程が複雑になり量産性およ
び製造上の歩留まりが低下するという課題を有している
。[Problem to be solved by the invention] Such a conventional example is
When forming the connection terminals 9 to be connected to the solder bumps 7 of the drive circuit element 6, at least three manufacturing steps shown in FIG. 7 are required, which complicates the steps and reduces mass productivity and manufacturing yield. There is a problem with this.
【0006】本発明の目的は、上述の技術的課題を解消
し、構成が簡略化されると共に量産性および製造上歩留
まりが格段に向上されるサーマルヘッドの製造方法を提
供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thermal head that solves the above-mentioned technical problems, simplifies the structure, and significantly improves mass productivity and manufacturing yield.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
設けられた発熱抵抗体層を通電せしめる回路配線パター
ンであって、該回路配線パターンが下記(A)および(
B)の工程によって形成されていることを特徴とするサ
ーマルヘッドの製造方法である。[Means for Solving the Problems] The present invention provides a circuit wiring pattern for energizing a heating resistor layer provided on an insulating substrate, the circuit wiring pattern comprising the following (A) and (
This is a method for manufacturing a thermal head, characterized in that it is formed by the step B).
【0008】(A)絶縁基板上に比較的イオン化傾向が
小さく、アルミニウムよりも高硬度の第1の金属材料か
ら成る導電体をパターン形成する工程。
(B)前記回路配線上の予め定める接続部位に、第1の
金属材料よりもイオン化傾向が小さい第2の金属材料か
ら成る被覆層を無電解メッキ法で形成する工程。(A) A step of patterning a conductor made of a first metal material that has a relatively low ionization tendency and is harder than aluminum on an insulating substrate. (B) A step of forming a coating layer made of a second metal material having a smaller ionization tendency than the first metal material at a predetermined connection site on the circuit wiring by electroless plating.
【0009】[0009]
【作用】本発明に従がうサーマルヘッドの製造方法は、
絶縁基板上に比較的イオン化傾向が小さく、アルミニウ
ムよりも高硬度の第1の金属材料から成る回路配線が設
けられ、この回路配線上の予め定める接続部位に第1の
金属材料よりもイオン化傾向が小さい第2の金属材料か
ら成る被覆層が周知のフォトプロセスで形成されて成る
。このような配線基板を製造するに際しては前記回路配
線は絶縁基板上にパターン形成され、回路配線上の前記
接続部位に第2金属から材料から成る被覆層を形成する
には、無電解メッキ法で形成する。[Operation] The method for manufacturing a thermal head according to the present invention is as follows:
A circuit wiring made of a first metal material having a relatively low ionization tendency and higher hardness than aluminum is provided on the insulating substrate, and a circuit wiring made of a first metal material having a relatively low ionization tendency and a higher hardness than aluminum is provided at a predetermined connection site on the circuit wiring. A small covering layer of a second metal material is formed by a well-known photo process. When manufacturing such a wiring board, the circuit wiring is patterned on an insulating substrate, and an electroless plating method is used to form a coating layer made of a second metal at the connection portion on the circuit wiring. Form.
【0010】これにより、たとえば絶縁基板上にアルミ
ニウムから成る回路配線を形成し、接続部位にニッケル
層と金層とを積層する構成と比較し、構成が格段に簡略
化される。またアルミニウムから成る回路配線を省略し
、前記第1の金属材料で回路配線を構成している。これ
により製造工程が簡略化され、量産性が向上されると共
に製造上の歩留まりが向上される。[0010] This greatly simplifies the structure compared to, for example, a structure in which circuit wiring made of aluminum is formed on an insulating substrate and a nickel layer and a gold layer are laminated at the connection portion. Further, the circuit wiring made of aluminum is omitted, and the circuit wiring is made of the first metal material. This simplifies the manufacturing process, improves mass productivity, and improves manufacturing yield.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明の一実施例のサーマルヘッドと
してのヘッド基板33の断面図であり、図2はヘッド基
板33が用いられるサーマルヘッド21の断面図であり
、図3はサーマルヘッド21の平面図である。サーマル
ヘッド21は、たとえばアルミニウムなどの金属材料か
ら成る放熱板22を備え、この上にたとえばアルミナA
l2O3系セラミックなどからなる絶縁基板23が接着
剤層30で固着される。絶縁基板23上にはたとえばス
クリーン印刷などの厚膜技術にてケイ酸ガラスを例とし
て層厚80μmに形成してなる蓄熱層35が形成され、
また厚膜共通電極層27が絶縁基板23の外周に沿って
形成される。[Embodiment] FIG. 1 is a sectional view of a head substrate 33 as a thermal head according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a thermal head 21 in which the head substrate 33 is used, and FIG. 21 is a plan view of FIG. The thermal head 21 includes a heat dissipation plate 22 made of a metal material such as aluminum, and a heat dissipation plate 22 made of a metal material such as aluminum.
An insulating substrate 23 made of l2O3 ceramic or the like is fixed with an adhesive layer 30. A heat storage layer 35 is formed on the insulating substrate 23 by using a thick film technique such as screen printing to have a thickness of 80 μm using silicate glass, for example.
Further, a thick film common electrode layer 27 is formed along the outer periphery of the insulating substrate 23.
【0012】蓄熱層35上にはたとえば窒化タンタルT
a3N4を数100Åの膜厚に形成して得られる抵抗体
層34、共通電極36および複数の個別電極37が形成
され、直線状に配列される複数の発熱抵抗体24が構成
される。各発熱抵抗体24を被覆し、たとえば窒化ケイ
素Si3N4などからなり、たとえばスパッタリングな
どの薄膜技術により保護層39が形成され、ヘッド基板
33を構成する。ヘッド基板33は、保護層39を介し
て、プラテンローラ31との間で感熱紙32に感熱印字
を行う。For example, tantalum nitride T is provided on the heat storage layer 35.
A resistor layer 34 obtained by forming a3N4 to a thickness of several hundred angstroms, a common electrode 36, and a plurality of individual electrodes 37 are formed to constitute a plurality of linearly arranged heat generating resistors 24. Each heating resistor 24 is covered with a protective layer 39 made of, for example, silicon nitride, Si3N4, and formed by a thin film technique such as sputtering, thereby forming a head substrate 33. The head substrate 33 performs thermal printing on the thermal paper 32 between the head substrate 33 and the platen roller 31 via the protective layer 39 .
【0013】各個別電極37は所定数毎に駆動回路素子
25に接続され、この駆動回路素子25には、外部から
印画動作用のデータや各種制御信号が入力される信号ラ
イン29が接続される。これらの駆動回路素子25は合
成樹脂材料から成る保護層26で被覆される。発熱抵抗
体24は集積回路素子として実現される駆動回路素子2
5により制御される。駆動回路素子25には保護層39
で被覆された前記個別電極37が接続される。A predetermined number of individual electrodes 37 are connected to a drive circuit element 25, and a signal line 29 is connected to the drive circuit element 25 to which data for printing operation and various control signals are input from the outside. . These drive circuit elements 25 are covered with a protective layer 26 made of synthetic resin material. The heating resistor 24 is a drive circuit element 2 realized as an integrated circuit element.
5. A protective layer 39 is provided on the drive circuit element 25.
The individual electrode 37 coated with is connected.
【0014】前記駆動回路素子25は、はんだバンプ4
0を有するフリップチップとして構成され、ヘッド基板
33にフェースダウンボンディング法にて接続される。
ヘッド基板33の絶縁基板23上には、信号ライン29
、共通電極36および個別電極37などの回路配線38
が、図1に示すようにニッケルNiの薄膜からパターン
形成され、回路配線38上の、例としてはんだバンプ4
0が接続される接続部位41には金層42がパターン形
成される。The drive circuit element 25 includes solder bumps 4
0, and is connected to the head substrate 33 by face-down bonding. A signal line 29 is provided on the insulating substrate 23 of the head substrate 33.
, circuit wiring 38 such as a common electrode 36 and individual electrodes 37
is patterned from a thin nickel film as shown in FIG.
A gold layer 42 is patterned at a connection site 41 to which 0 is connected.
【0015】図4は図1に示すヘッド基板33を製造す
る製造工程を説明する工程図である。図4工程a1では
、絶縁基板23上の抵抗体層34上にニッケル薄膜を全
面に形成し、通常のフォトレジストを用いるフォトプロ
セスで回路配線38をパターン形成し、工程a2では前
記接続部位41に前記と同様なフォトプロセスで金層4
2をパターン形成する。FIG. 4 is a process diagram illustrating a manufacturing process for manufacturing the head substrate 33 shown in FIG. 1. In step a1 of FIG. 4, a nickel thin film is formed on the entire surface of the resistor layer 34 on the insulating substrate 23, and the circuit wiring 38 is patterned by a photo process using a normal photoresist. Gold layer 4 was formed using the same photo process as above.
2 is patterned.
【0016】図5は、前記工程a2の詳細を説明する工
程図である。絶縁基板23上の抵抗体層34上に前記回
路配線38がパターン形成された後、工程b1では、回
路配線38を被覆し絶縁基板23の全面に亘ってフォト
レジストを塗布し、前記接続部位41のフォトレジスト
が除去される状態に露光し、現像して窓あけ処理を行う
。工程b2では、前記フォトレジストの接続部位41に
相当する箇所に形成された透孔を介してフッ硝酸などで
所定量のエッチングを行い、前記透孔から露出している
ニッケルの表面を前処理する。工程b3では、このよう
な絶縁基板23の表面を金を含む溶液中に浸漬し、回路
配線38を構成するニッケルと金との置換反応により金
層42を形成する。すなわち無電解金メッキを行う。
工程b4では、残存しているフォトレジストを剥離し、
このようにして図1に示す金層42がパターン形成され
る。FIG. 5 is a process diagram illustrating the details of step a2. After the circuit wiring 38 is patterned on the resistor layer 34 on the insulating substrate 23, in step b1, a photoresist is coated over the entire surface of the insulating substrate 23 to cover the circuit wiring 38, and the connection portion 41 is coated with photoresist. The photoresist is exposed to light in such a way that it is removed, developed, and a window opening process is performed. In step b2, a predetermined amount of etching is performed using hydrofluoric nitric acid or the like through the through hole formed at the location corresponding to the connection portion 41 of the photoresist, and the surface of the nickel exposed from the through hole is pretreated. . In step b3, the surface of such an insulating substrate 23 is immersed in a solution containing gold, and a gold layer 42 is formed by a substitution reaction between nickel constituting the circuit wiring 38 and gold. That is, electroless gold plating is performed. In step b4, the remaining photoresist is peeled off,
In this way, the gold layer 42 shown in FIG. 1 is patterned.
【0017】このとき金層42は、ニッケルから成る回
路配線38の接続部位41における表面の酸化を防止す
るために用いられ、膜厚は例として0.01〜0.10
μmを選択される場合がある。すなわちニッケルNiは
、一般的にははんだへの濡れ性は比較的低くはないけれ
ども、酸化した表面ははんだ濡れ性が極めて低いからで
ある。At this time, the gold layer 42 is used to prevent oxidation of the surface of the connection portion 41 of the circuit wiring 38 made of nickel, and the film thickness is, for example, 0.01 to 0.10.
μm may be selected. That is, although nickel (Ni) generally has relatively low wettability to solder, the oxidized surface has extremely low solder wettability.
【0018】またこのように接続部位41に金層42を
形成することにより、はんだバンプ40を加熱して溶融
し、接続部位41との接続を行う場合に、溶融したはん
だは表面が酸化している回路配線38の接続部位41以
外の範囲で撥かれ、金層42上にのみ乗ることになり、
はんだバンプ40を効率的に接続に用いることができる
。Furthermore, by forming the gold layer 42 on the connection portion 41 in this manner, when the solder bump 40 is heated and melted to make a connection with the connection portion 41, the surface of the molten solder is oxidized. The area other than the connection part 41 of the circuit wiring 38 is repelled, and it only rides on the gold layer 42.
Solder bumps 40 can be used efficiently for connection.
【0019】このようにニッケルから成る回路配線38
は、金層42を介してはんだバンプ40と強固に接続す
ることができ、ニッケルを回路配線38に用いる場合で
も、駆動回路素子25などをはんだにて接続することが
できる。As described above, the circuit wiring 38 made of nickel
can be firmly connected to the solder bumps 40 via the gold layer 42, and even when nickel is used for the circuit wiring 38, the drive circuit element 25 and the like can be connected by solder.
【0020】また本実施例では、従来例と比較し、絶縁
基板23上に接続端子43を形成するに際して、金属の
積層数を1層を削減することができ、製造工程の簡略化
を図ることができ、量産性および製造上の歩留まりを格
段に改善することができる。またニッケルはアルミニウ
ムよりも高硬度のため、サーマルヘッド21を実際に使
用するに際して、サーマルヘッド21の機械的強度が向
上され、信頼性を向上できるとともに、長寿命化を図る
ことができる。Furthermore, in this embodiment, when forming the connection terminal 43 on the insulating substrate 23, the number of laminated metal layers can be reduced by one, which simplifies the manufacturing process, compared to the conventional example. This makes it possible to significantly improve mass productivity and manufacturing yield. Further, since nickel has a higher hardness than aluminum, when the thermal head 21 is actually used, the mechanical strength of the thermal head 21 is improved, reliability can be improved, and the service life can be extended.
【0021】前記回路配線38は、ニッケルに限らず比
較的イオン化傾向が小さく、かつはんだとの濡れ性が良
好であり、かつアルミニウムよりも高硬度の特性を満足
する範囲のニッケル合金(例えばNi−Cr,Ni−T
i,Ni−Ta,Ni−Wなど)あるいは他の金属およ
び合金を用いる例も本発明に含まれるものである。The circuit wiring 38 is not limited to nickel, but may also be made of a nickel alloy (for example, Ni- Cr, Ni-T
Examples using other metals and alloys are also included in the present invention.
【0022】なお、本実施例においては、抵抗体層13
4の上にニッケル薄膜を形成した場合を示したが、絶縁
基板23上に直ちにスパッタリング法や蒸着法によりニ
ッケル薄膜を形成しても同様な作用効果が得られた。Note that in this embodiment, the resistor layer 13
Although the case where a nickel thin film was formed on the insulating substrate 23 was shown, similar effects could be obtained even if the nickel thin film was immediately formed on the insulating substrate 23 by sputtering or vapor deposition.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上のように本発明のサーマルヘッドの
製造方法に従えば、絶縁基板上に比較的イオン化傾向が
小さく、アルミニウムよりも高硬度の第1の金属材料か
ら成る回路配線が設けられ、この回路配線上の予め定め
る接続部位に第1の金属材料よりもイオン化傾向が小さ
い第2の金属材料から成る被覆層が形成されて成る。こ
のような配線基板を製造するに際しては前記回路配線は
絶縁基板上にパターン形成され、回路配線上の前記接続
部位に第2金属から材料から成る被覆層を形成するには
、無電解メッキ法で形成する。[Effects of the Invention] As described above, according to the method of manufacturing a thermal head of the present invention, circuit wiring made of a first metal material that has a relatively low ionization tendency and is harder than aluminum is provided on an insulating substrate. A coating layer made of a second metal material having a smaller ionization tendency than the first metal material is formed at a predetermined connection site on the circuit wiring. When manufacturing such a wiring board, the circuit wiring is patterned on an insulating substrate, and an electroless plating method is used to form a coating layer made of a second metal at the connection portion on the circuit wiring. Form.
【0024】これにより、たとえば絶縁基板上にアルミ
ニウムから成る回路配線を形成し、接続部位にニッケル
層と金層とを積層する構成と比較し、構成が格段に簡略
化される。またアルミニウムから成る回路配線を省略し
、前記第1の金属材料で回路配線を構成している。これ
により製造工程が簡略化され、量産性が向上されると共
に製造上の歩留まりが向上される。[0024] This greatly simplifies the structure compared to, for example, a structure in which circuit wiring made of aluminum is formed on an insulating substrate and a nickel layer and a gold layer are laminated at the connection portion. Further, the circuit wiring made of aluminum is omitted, and the circuit wiring is made of the first metal material. This simplifies the manufacturing process, improves mass productivity, and improves manufacturing yield.
【図1】本発明の一実施例のヘッド基板33の拡大断面
図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a head substrate 33 according to an embodiment of the present invention.
【図2】サーマルヘッド21の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the thermal head 21. FIG.
【図3】サーマルヘッド21の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the thermal head 21. FIG.
【図4】接続端子43の製造工程を説明する工程図であ
る。FIG. 4 is a process diagram illustrating the manufacturing process of the connection terminal 43.
【図5】金層42の製造工程を説明する工程図である。FIG. 5 is a process diagram illustrating the manufacturing process of the gold layer 42.
【図6】従来例のサーマルヘッド1の拡大断面図である
。FIG. 6 is an enlarged sectional view of a conventional thermal head 1.
【図7】従来例の接続端子9の製造工程を説明する工程
図である。FIG. 7 is a process diagram illustrating a manufacturing process of a conventional connection terminal 9.
21 サーマルヘッド 23 絶縁基板 25 駆動回路素子 29 信号ライン 33 ヘッド基板 36 共通電極 37 個別電極 38 回路配線 40 はんだバンプ 41 接続部位 42 金層 43 接続端子 21 Thermal head 23 Insulating substrate 25 Drive circuit element 29 Signal line 33 Head board 36 Common electrode 37 Individual electrode 38 Circuit wiring 40 Solder bump 41 Connection part 42 Gold layer 43 Connection terminal
Claims (1)
を通電せしめる回路配線パターンであって、該回路配線
パターンが下記(A)および(B)の工程によって形成
されていることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法
。 (A)絶縁基板上に比較的イオン化傾向が小さく、アル
ミニウムよりも高硬度の第1の金属材料から成る導電体
をパターン形成する工程。 (B)前記回路配線上の予め定める接続部位に、第1の
金属材料よりもイオン化傾向が小さい第2の金属材料か
ら成る被覆層を無電解メッキ法で形成する工程。1. A circuit wiring pattern for energizing a heating resistor layer provided on an insulating substrate, characterized in that the circuit wiring pattern is formed by the following steps (A) and (B). A method for manufacturing a thermal head. (A) A process of forming a pattern on an insulating substrate of a conductor made of a first metal material that has a relatively low ionization tendency and is harder than aluminum. (B) A step of forming a coating layer made of a second metal material having a smaller ionization tendency than the first metal material at a predetermined connection site on the circuit wiring by electroless plating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129588A JPH04353472A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Manufacture of thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129588A JPH04353472A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Manufacture of thermal head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04353472A true JPH04353472A (en) | 1992-12-08 |
Family
ID=15013160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3129588A Pending JPH04353472A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Manufacture of thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04353472A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008238667A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | Recording head, method for manufacturing the same, and recording apparatus |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3129588A patent/JPH04353472A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008238667A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | Recording head, method for manufacturing the same, and recording apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2194757A (en) | Thermal heads | |
| US5252988A (en) | Thermal head for thermal recording machine | |
| KR20050095552A (en) | Circuit device | |
| JPH02251145A (en) | Formation of bump electrode | |
| JPH04353472A (en) | Manufacture of thermal head | |
| JP2594646B2 (en) | Manufacturing method of thermal head | |
| JP2811741B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH10119335A (en) | Thermal head and manufacture thereof | |
| JPS60112461A (en) | Thermal head and manufacture thereof | |
| JP2519340B2 (en) | Thermal recording device | |
| JP3824246B2 (en) | Manufacturing method of thermal head | |
| KR890001382B1 (en) | Method of manufacturing the thermal recording element | |
| JPH0260228B2 (en) | ||
| JP2703757B2 (en) | Electronic components | |
| JPH05169703A (en) | Method of manufacturing thermal head | |
| JP2661158B2 (en) | Lead pattern formation method | |
| JPH0751810Y2 (en) | Printed wiring board for thermal head | |
| JPH01258961A (en) | Manufacture of integrated circuit device and substrate for integrated circuit device | |
| JPS62270347A (en) | Manufacture of thermal head | |
| JP2006272851A (en) | Thermal head | |
| JPH03124457A (en) | Print head manufacturing method | |
| JPH0737147B2 (en) | Thermal head and manufacturing method thereof | |
| JP2929882B2 (en) | Carrier tape for semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2600669B2 (en) | Metal bump for transfer bump | |
| JPH03121862A (en) | Thermal head |