JPH04353621A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるノントラッキ
ング方式用磁気テープとして好適な磁気記録媒体に関す
る。

【従来の技術】回転ドラムに取付けられたヘッドを磁気
テープの走行方向に対して斜めに操作して記録するヘリ
カルスキャン方式は、ビデオテープレコーダー（ＶＴＲ
）、デジタルオーディオテープレコーダー（ＤＡＴ）の
記録方式として一般に使用され、また、このヘリカルス
キャン方式が長時間化、小型化、低価格化に適した方式
であることから、ＶＴＲ、ＤＡＴ以外にもたとえば会議
等での音声を記録しておくビジネス用のデジタルメモ機
等の記録方式としても期待されている。

【０００２】ところで、このヘリカルスキャン方式を採
用するシステムにおいては、再生時にヘッドが記録トラ
ック上を正確にトレースする必要がある。このため、た
とえば、記録データとともにトラッキング用のＡＦＴ信
号をトラックごとに記録しておき、再生に際して、ヘッ
ドがこのＡＦＴ信号を検出することによって再生するべ
きトラックとの位置誤差を割り出し、この誤差信号に基
づいてトラッキングサーボ回路がヘッド位置を制御する
ようになされている。したがって、このようなヘリカル
スキャン方式を採用するシステムにおいては、記録再生
系の機構以外に複雑なサーボ機構を搭載することが必要
となるため、現状以上の小型化が困難であり、特に小型
，軽量性が要求されるビジネス用デジタルメモ機とする
には改善が必要であると考えられる。

【０００３】そこで、最近、サーボ機構の簡易化が可能
な記録再生方式としてノントラッキング方式が提案され
ている。このノントラッキング方式は、ヘリカルスキャ
ン方式で記録されたデータを再生するに際し、記録時の
たとえば２倍（２倍以上であってもよい。）の速度でヘ
ッドを回転させるようにしたものであり、これにより、
複雑なトラッキングサーボ機構がなくてもテープ上に記
録されたデータを読み落とすことなく完全に検出するこ
とが可能となる。

【０００４】すなわち、上記ノントラッキング方式では
、記録に際しては、通常のヘリカルスキャン方式記録の
場合と同様に、互いにアジマス角が異なるヘッドＡおよ
びヘッドＢが回転ドラムに取付けられてなる回転ヘッド
（ダブルアジマスヘッド）によって、ブロック化された
トラックデータをテープの走行方向に対して斜め方向に
記録する。そして、再生時に、記録時のたとえば２倍の
速度で回転ヘッドを回転させる。すると、ヘッドが記録
トラック上を細かくオーバーラップするようにトレース
することとなるので、記録されたデータは、オーバーラ
ップはしても欠落して検出されることはなく、ＤＲＡＭ
（ダイナミック随時書き込み読み出しメモリー）に読み
込まれて、データに付されたフレームアドレス，ブロッ
クアドレスを基に再配列されて完全なデータとして復元
されることとなる。

【０００５】したがって、このようなノントラッキング
方式によれば、ヘッドが精密にトラク上をトレースする
必要がないので従来のＡＦＴ信号を用いたトラッキング
サーボ回路を省略でき、装置の小型化，軽量化が可能と
なる。また、ＤＡＴ等において採用されている通常のヘ
リカルスキャン方式では、上述の如くヘッドがトラック
に対して忠実に配置される必要があるため、高精度なロ
ーディング機構が必要不可欠であったが、このノントラ
ッキング方式によれば、そのような高精度なローディン
グ機構も不要となる。したがって、従来、装置側にあっ
た垂直ガイドや傾斜ピンの機能をテープカセット内のテ
ープガイド軸に持たせ、テープをローディングさせるこ
となくテープカセットに回転ドラムを突き出すだけでテ
ープパスを形成するいわゆるノンローディン方式を実現
することが可能となり、これによりさらに装置の小型、
軽量性の向上を図ることが可能となる。

【０００６】ところで、このノントラッキング方式を採
用するシステムにおいては、このようにノントラッキン
グ方式が小型化、軽量化に適していることから、超小型
記録再生装置へ向けて検討，開発が進められており、た
とえば記録媒体となるテープカセットとしては、その大
きさが３０×２１．５×５ｍｍ程度の切手サイズである
とともに２時間程度の記録時間を有するものが想定され
ている。このため、磁気テープとしては、上記大きさの
カセットとし且つ上記記録時間で記録再生を行った場合
でも良好な記録再生が行えるように、記録密度が高いも
のであることが要求され、たとえばそのような記録媒体
として非磁性支持体上にＣｏ−Ｎｉ合金等を斜方から蒸
着することにより強磁性金属薄膜を成膜した、いわゆる
斜方蒸着テープ等の採用が考えられている。

【０００７】この斜方蒸着テープは、図７に示すように
非磁性支持体３２上に斜方柱状構造を有する強磁性金属
薄膜３１が形成されてなるものであり、高飽和磁化量、
高保磁力であるとともに高波長域から短波長域に亘って
高出力を発揮できるという利点を有し、ＶＴＲやＤＡＴ
用の記録媒体として既に実用化されているものである。

【０００８】しかしながら、上記斜方蒸着テープをノン
トラッキング方式に使用しようとすると以下のような不
都合が生じる。

【０００９】すなわち、上記蒸着テープにおいては、記
録再生に際してヘッドが強磁性金属薄膜の斜方柱状構造
の成長方向に対して正方向（図中矢印ａ方向）に摺動す
る場合には上述のような良好な記録再生特性が発揮され
るが、斜方柱状構造の成長方向に対して逆方向（図中矢
印ｂ方向）に摺動する場合には、最適記録電流，位相特
性，ＣＮ比，出力特性等の特性が正方向に摺動した場合
と比べて劣り、十分な記録再生特性が得られないといっ
た欠点がある。このため、ヘッドが強磁性金属薄膜の成
長方向に対して一方向にのみ摺動するシステム、たとえ
ばＶＴＲ、ＤＡＴ等においては良好な記録再生が行える
が、ヘッドが強磁性金属薄膜の成長方向に対して正逆両
方向に摺動するシステム，たとえば磁気テープを幅方向
に上部、下部に分けて個々に記録再生を行うような往復
仕様のシステムにおいては、ヘッドが逆方向に摺動する
場合に記録再生特性が劣化するといった問題が生じる。

【００１０】上記ノントラッキング方式を使用するシス
テムにおいては、カセットの小型化とともに記録時間の
確保が目的としてあるので、記録時間を確保するために
上記往復仕様が採用される。したがって、蒸着テープの
上記問題点がその記録再生能に大きく影響することとな
る。

【００１１】そこで、このような問題点を解決する斜方
蒸着テープとして、成長方向が互いに異なる２層の斜方
蒸着膜により磁性層を構成した斜方蒸着テープが提案さ
れている。この２層構造の斜方蒸着テープでは、テープ
に対するヘッドの摺動方向が、ヘッドの接触する側の強
磁性金属薄膜の成長方向に対して同方向であっても異な
る方向であっても（以下、ヘッドの摺動方向について、
摺動方向がヘッドと接触する側の強磁性金属薄膜の斜方
柱状構造の成長方向と同方向の場合を正方向、異なる方
向の場合を逆方向と称す。）同程度の位相特性，最適記
録電流を発揮するため、ノントラッキング用の磁気記録
媒体として期待を集めている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記２
層構造の斜方蒸着テープにおいては、位相特性や最適記
録電流については、ヘッドの摺動方向による差は解消さ
れているが、それ以外の特性、たとえばＣＮ比や再生出
力についてはヘッドの摺動方向が正方向である場合と逆
方向である場合とで異なる特性を示し、往復仕様の磁気
テープとして十分満足のいくものとは言えない。

【００１３】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、ヘッドの摺動方向が正方
向、逆方向のいずれの場合であっても、良好な記録再生
特性が得られ、ノントラッキング方式用磁気テープとし
て好適な磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】従来の２層構造の斜方蒸
着テープを往復使用すると、位相特性、最適記録電流に
ついては、ヘッドの摺動方向による差はほとんどないが
、ＣＮ比や再生出力については、ヘッドの摺動方向が正
方向である場合と逆方向である場合とで異なり、往復使
用が要求されるノントラッキング方式用の磁気テープと
して十分とは言えない。本発明者らが、このヘッドの摺
動方向によるＣＮ比、出力特性の差について検討を重ね
た結果、このヘッドの摺動方向による特性差は、各強磁
性金属薄膜の膜厚、磁性層全体の保磁力および残留磁束
密度を調整することによって解消されるとの知見を得る
に至った。

【００１５】本発明の磁気記録媒体は、このような知見
に基づいて提案されたものであり、非磁性支持体上に斜
方柱状構造を有する第１の強磁性金属薄膜と第２の強磁
性金属薄膜が順次積層される磁性層が形成されてなり、
上記第１の強磁性金属薄膜の斜方柱状構造の成長方向と
上記第２の強磁性金属薄膜の斜方柱状構造の成長方向が
互いに逆方向とされるとともに、上記第１の強磁性金属
薄膜の膜厚をδ１　、上記第２の強磁性金属薄膜の膜厚
をδ２　、磁性層全体の保磁力をＨｃ、磁性層全体の残
留磁束密度をＢｒとしたときに、 １６００Å≦δ１　＋δ２　≦２０００Å１／３≦δ２
　／δ１　≦２／３ Ｈｃ≦１２００Ｏｅ Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）≧５０Ｏｅ・ｃｍ・Ｇ
であることを特徴とするものである。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、たとえば図１に
示すように、非磁性支持体１上に斜方柱状構造を有する
第１の強磁性金属薄膜２と、斜方柱状構造であり且つ前
記第１の強磁性金属薄膜とは斜方柱状構造の成長方向が
逆向きである第２の強磁性金属薄膜３が積層形成されて
なるものである。

【００１７】上記第１の強磁性金属薄膜２および第２の
強磁性金属薄膜３はたとえば斜め蒸着法により成膜され
る。

【００１８】先ず、第１の強磁性金属薄膜２を斜め蒸着
法により成膜するには、図２に示すように、巻き出しロ
ール４９に巻回された非磁性支持体１を巻き出してドラ
ム４１の外周面４１ａに掛け渡し、巻き取りロール５０
によって巻き取られるようにしておく。そして、上記ド
ラム４１の回転に応じて上記非磁性支持体１を図中ｒ方
向に移動させながらルツボ４４内に充填された強磁性金
属薄膜となる金属材料４３を蒸発させ、この金属材料４
３からの蒸気流Ｙを上記非磁性支持体１の表面の法線方
向Ｘに対してある入射角θを持たせて入射させながら蒸
着を行う。この時、上記ドラム４１の近傍にマスク４５
を配設し、上記蒸気流Ｙを入射角θを規制する。これに
より、上記非磁性支持体１に対する蒸着は、上記非磁性
支持体１の表面が上記マスク４５で遮蔽される時点まで
の領域でなされ、上記蒸気流Ｙの入射角θは、上記非磁
性支持体１の移動とともに高角度から低角度に徐々に変
化し、上記マスク４５が配設された位置で最小値をとる
ようになる。この蒸気流Ｙの入射角θの変化範囲は、９
０〜３０°とされることが好ましい。また、マスク４５
の端部にＯ２　ガス導入口を設け、このＯ２　ガス導入
口から蒸気非磁性支持体１の表面にＯ２　ガスを供給す
る。このＯ２　ガスの供給は、磁性層の酸化に対する耐
久性を向上させると同時にこのとき供給するＯ２　ガス
量を調節することにより、強磁性金属薄膜の保持力、残
留磁束密度等の磁気特性を制御することができる。

【００１９】そして、このようにして第１の強磁性金属
薄膜２を成膜した後、この第１の強磁性金属薄膜２上に
第２の強磁性金属薄膜３を斜め蒸着法により成膜する。 このとき、斜方柱状構造の成長方向が第１の強磁性金属
薄膜２の成長方向と逆向きになるようにするために、第
１の強磁性金属薄膜２が成膜された非磁性支持体１が巻
回された巻き取りロールを、今度は、巻き出しロール側
に配置する。そして、上記非磁性支持体１をドラム４１
の外周面４１ａに掛け渡してｒ方向に移動させ、上述と
同様の手法により蒸着を行う。これにより、上記非磁性
支持体１は、上記第１の強磁性金属薄膜２の成膜時とは
、ドラムに対して逆方向に走行することとなるので、第
１の強磁性金属薄膜２の場合と逆向きの成長方向で第２
の強磁性金属薄膜３が成膜されることとなる。

【００２０】なお、上記第１の強磁性金属薄膜２および
第２の強磁性金属薄膜３を構成する金属材料としては、
特に限定されるものではなく、たとえばＣｏ単体、ある
いはＣｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｔ等の中から２種以上
を組み合わせて使用することが可能である。この組み合
わせとしては、ＣｏとＮｉ、ＣｏとＰｔ、ＣｏとＴａ、
ＣｏとＣｒ等が挙げられる。また、上記非磁性支持体１
としては、通常この種の磁気記録媒体において使用され
るものが何れも使用可能である。

【００２１】さらに、上記磁気記録媒体は、必要に応じ
て、上記非磁性支持体上に下塗り膜を設けたり、あるい
はバックコート層、トップコート層を設けるようにして
もよい。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップ
コート層の材料としては、通常、この種の磁気記録媒体
に使用されるものであれば良く、特に限定されない。

【００２２】このような２層構成の斜方蒸着膜を磁性層
とする磁気記録媒体は、往復使用した場合に正方向（図
１中矢印Ａ方向）逆方向（図１中矢印Ｂ方向）で位相特
性，最適記録電流に差がなく、単層構成の磁気記録媒体
に比べて往復仕様に適する。しかし、上記斜方蒸着膜に
おいて、ＣＮ比，再生出力特性についても正逆両方向で
同様に良好なものとするためには、第１の強磁性金属薄
膜２の膜厚δ１　，上記第２の強磁性金属薄膜３の膜厚
δ２　，磁性層全体の保磁力Ｈｃおよび残留磁束密度Ｂ
ｒが調整されている必要がある。

【００２３】そこで、本発明の磁気記録媒体においては
、ノントラッキング方式によって往復仕様した場合に、
正逆両方向でともに高ＣＮ比，高再生出力を発揮し、良
好な再生信号（エラーレートが１×１０−２以下の再生
信号）が得られるものとするために、δ１　，δ２　，
Ｈｃ，Ｂｒを下記の関係を満たすように設定することと
する。 １６００Å≦δ１　＋δ２　≦２０００Å１／３≦δ２
　／δ１　≦２／３ Ｈｃ≦１２００Ｏｅ Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）≧５０Ｏｅ・ｃｍ・Ｇ

【００２４】ここで、δ１　＋δ２　が１６００〜２０
００Åの範囲にない場合には、ヘッドの摺動方向が正方
向、逆方向のいずれの場合においても、エラーレートが
高くなり、良好な再生信号が得られない。また、δ２　
／δ１　が１／３未満の場合には、ヘッドを正方向に摺
動して記録再生を行った場合にエラーレートが高くなり
、δ２　／δ１　が２／３を越えて設定された場合には
、ヘッドをＡ方向に摺動した場合のエラーレートが高く
なり、いずれの場合においても往復仕様の磁気テープと
して不十分となる。

【００２５】一方、Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）は
、ノントラッキング方式によって十分な再生出力を得る
という点から設定されるものである。すなわち、一般に
リングヘッドの再生出力は、磁気記録媒体の面内保磁力
、残留磁束密度、磁性層の膜厚に概ね比例することが知
られている。ノントラッキング方式においては、エラレ
ートを１×１０−２以下に抑えるためには、＋３．５ｄ
Ｂ以上の再生出力が必要であることが実験により見い出
されている。＋３．５ｄＢ以上の再生出力を得るには、
Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）は５０Ｏｅ・ｃｍ・Ｇ
以上であることが必要であり、Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋
δ２　）が５０Ｏｅ・ｃｍ・Ｇ未満の場合には、再生出
力が不足し、エラーレートが増大する。

【００２６】また、保磁力Ｈｃは、ノントラッキングシ
ステムで使用されるヘッドの特性、消費電流を考慮して
設定される。すなわち、ノントラッキングシステムにお
いては、通常、記録電流を２０ｍＡ以下に設定する。し
たがって、磁気記録媒体としては、２０ｍＡ以下の記録
電流でも記録が行えるものでなければならない。そのた
めには、保磁力Ｈｃは１２００Ｏｅ以下であることが必
要であり、保磁力Ｈｃが１２００Ｏｅを越える場合には
記録が十分行えず、再生出力の低下を招くこととなる。

【００２７】

【作用】非磁性支持体上に斜方柱状構造の金属粒子より
なる第１の強磁性金属薄膜と、斜方柱状構造であり且つ
長軸方向が第１の強磁性金属薄膜の金属粒子とは逆方向
である金属粒子よりなる第２の強磁性金属薄膜が積層形
成されてなる磁気記録媒体において、第１の強磁性金属
薄膜の膜厚、第２の強磁性金属薄膜の膜厚、磁性層全体
の保磁力および残留磁束密度を規制すると、ノントラッ
キング方式によって往復使用した場合に、ヘッドの摺動
方向による特性差がほとんどなく、正逆両方向でともに
高ＣＮ比、高再生出力が達成される。

【００２８】

【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。

【００２９】実験例１ 本実験例は磁性層の膜厚δ１　＋δ２　の検討を行った
例である。

【００３０】斜方蒸着テープを作製するには、先ず、非
磁性支持体上に下塗りを行った後、Ｃｏ８０−Ｎｉ２０
合金を蒸着源としてドラムに対する非磁性支持体の走行
方向を変えて２回蒸着を行い、第１の強磁性金属薄膜、
第２の強磁性金属薄膜を成膜した。次いで、バックコー
ト層および潤滑剤よりなるトップコート層を形成して、
所定幅となるように裁断し、カセット内に組み込んだ。

【００３１】なお、蒸着は、蒸気流の入射角の変化範囲
を９０〜４５°、Ｏ２　供給量を２００ｃｃ／ｍｉｎに
設定して行った。また、このとき強磁性金属薄膜の膜厚
δ１　，δ２　はルツボに供給されるビーム電流を制御
することで蒸気流の飛散量を一定に保ち、テープの移動
速度を変化させることによって調節した。本実施例では
、成膜される蒸着膜の膜厚はテープの移動速度が１４ｍ
／ｍｉｎのときに２０００Åであった。

【００３２】このような手法により、δ１　：δ２　が
１：０．５となる範囲で膜厚δ１　＋δ２　を変化させ
て各種斜方蒸着テープを作製した。そして、作製された
各種斜方蒸着テープについて、正逆両方向で記録再生を
行い、エラーレートの測定を行った。

【００３３】表１に各斜方蒸着テープの第１の強磁性金
属薄膜の膜厚δ１　，第２の強磁性金属薄膜の膜厚δ２
　，磁性層全体の膜厚δ１＋δ２　，保磁力Ｈｃ，残留
磁束密度Ｂｒおよび再生時のエラーレートを示す。また
図３に磁性層の膜厚δ１　＋δ２　とエラーレートの関
係を示す。

【表１】

【００３４】図３を見てわかるように、斜方蒸着テープ
では、ヘッドの摺動方向が正方向，逆方向いずれの場合
においても、磁性層の膜厚によるエラーレートの変化は
極小値を有する略双曲線で表される。ここで、ノントラ
ッキングシステムにおいて、良好な再生信号を得るため
にはエラーレートが１×１０−２以下であることが必要
であり、正逆両方向でエラーレートが１×１０−２以下
となる磁性層の膜厚は１６００〜２０００Åである。し
たがって、このことからノントラッキング用磁気テープ
として適用できる斜方蒸着テープを得るには、その磁性
層の膜厚δ１　＋δ２　を１６００〜２０００Åに設定
することが好適であることが示された。

【００３５】実験例２ 本実験例は膜厚比δ２　／δ１　の検討を行った例であ
る。 実験例１と同様の手法により、磁性層の膜厚δ１　＋δ
２　が１８００Åとなる範囲でδ２　／δ１　を変化さ
せて各種斜方蒸着テープを作製した。そして、作製され
た各種斜方蒸着テープについて、正逆両方向で記録再生
を行い、エラーレートを測定した。

【００３６】表２に各斜方蒸着テープの第１の強磁性金
属薄膜の膜厚δ１　，第２の強磁性金属薄膜の膜厚δ２
　，膜厚比δ２　／δ１　，保磁力Ｈｃ，残留磁束密度
Ｂｒおよに再生時のエラーレートを示す。また図４に第
１の強磁性金属薄膜の膜厚δ１　とエラーレートの関係
を示す。

【表２】

【００３７】図４を見てわかるように、斜方蒸着テープ
においては、ヘッドの摺動方向が正方向の場合には、第
１の強磁性金属薄膜の膜厚δ１　の増加に伴ってエラー
レートが高くなり、これに対して、逆方向の場合には膜
厚δ１　が小さい程エラーレートが高く、膜厚δ１　が
増加するに従ってエラーレートが減少する傾向を示す。 ここで、正逆両方向でエラーレートが１×１０−２以下
となる膜厚δ１　は１０８０〜１３５０Åである。した
がって、このことからノントラッキングシステム用の磁
気テープとして適用できる斜方蒸着テープを得るには、
膜厚比δ２　／δ１　は１／３以上２／３以下に設定す
ることが好適であることが示された。

【００３８】実験例３ 本実験例はエネルギー積Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　
）および保磁力Ｈｃの検討を行った例である。蒸着の際
の蒸着源としてＣｏ８０−Ｎｉ２０以外にＣｏ１００　
を使用し、Ｏ２　供給量を変化させて残留磁束密度Ｂｒ
、保磁力Ｈｃを調節した以外は実施例１と同様の手法に
より、各種斜方蒸着テープを作製した。そして、作製さ
れた各種斜方蒸着テープについて、正逆両方向で記録再
生を行い、再生出力、最適記録電流を測定した。

【００３９】表３に各斜方蒸着テープの蒸着の際のＯ２
　供給量、保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、エネルギー
積Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）、最適記録電流、再
生出力を示す。また、図５にエネルギー積Ｈｃ×Ｂｒ×
（δ１　＋δ２　）と再生出力の関係を、図６に保磁力
Ｈｃと最適記録電流の関係を示す。なお、図５に示す再
生出力は金属塗布型磁気テープとの比であり、図６に示
す最適記録電流は２０ｍＡを基準としてｄＢ表示したも
のである。

【表３】 図５を見てわかるように、斜方蒸着テープにおいて、再
生出力は、正逆両方向いずれについてもエネルギー積の
増加に伴って増大する。ここで、ノントラッキング方式
において、エラーレートを１×１０−２以下に抑えるた
めには再生出力が＋３．５ｄＢ以上必要であり、正方向
再生，逆方向再生でともに再生出力が３．５ｄＢ以上と
なるエネルギ積は５０Ｏｅ以上であった。したがって、
ノントラッキングシステム用の磁気テープとして適用で
きる斜方蒸着テープを得るためには、保磁力Ｈｃ，残留
磁束密度ＢｒはＨｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）≧５０
Ｏｅとなるように設定することが好適であることが示さ
れた。

【００４０】また、図６を見てわかるように、ノントラ
ッキングシステムにおいて使用される記録電流である２
０ｍＡ以下が最適記録電流となるのは、保磁力Ｈｃが１
２００Ｏｅの場合である。したがって、このことから、
ノントラッキング方式用の磁気テープとして適用できる
斜方蒸着テープを得るには、保磁力Ｈｃは１２００Ｏｅ
以下に設定するころが好適であることが示された。

【００４１】なお、各実験例で電磁変換特性、磁気特性
を測定する際に使用した測定装置を下記に示す。 　　磁気特性（保磁力，残留磁束密度）　　　　測定装
置：振動試料型磁力計 　　電磁変換特性（最適記録電流，再生出力，エラーレ
ート）　　　　測定装置：ソニー社製，商品名ＮＴ−１
（改造品）　　　　　　ヘッド仕様　　　　　　　　　
　型・ＭＩＧ（メタルインギャップ）ヘッド　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　材質・単結晶
フェライト（ＭｎＺｎ）　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　（ギャップ部はセン
ダスト）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ギャッ
プ長・０．２２μｍ　　　　　　記録波長　　　　　　
　　　　　　０．６７μｍ　　　　　　サンプリング周
波数　　３２ｋＨｚ　　　　　　量子化ビット数　　　
　　　１２ｂｉｔ折線

【００４２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体は、互いに長軸方向が異なる２層の斜
方蒸着膜を磁性層とする磁気記録媒体において、各斜方
蒸着膜の膜厚、磁性層の残留磁束密度および保磁力を規
制しているので、ノントラッキング方式で往復使用した
場合でも、位相特性、最適記録電流、ＣＮ比、再生出力
が正方向、逆方向で差がなく、いずれの場合においても
良好な記録再生特性を得ることができる。したがって、
本発明によれば、ノントラッキング方式用磁気テープと
して十分な特性を有する磁気テープを実現することが可
能となり、ノントラッキングシステムの実用性、性能の
向上を図ることが可能となる。

【００４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の構成例を示す概略断面
図である。

【図２】強磁性金属薄膜の蒸着に仕様する蒸着装置を示
す要部概略断面図である。

【図３】磁性層の膜厚δ１　＋δ２　とエラーレートの
関係を示す特性図である。

【図４】膜厚比δ２　／δ１　とエラーレートの関係を
示す特性図である。

【図５】エネルギー積Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）
と再生出力の関係を示す特性図である。

【図６】保磁力Ｈｃと最適記録電流の関係を示す特性図
である。

【図７】従来の斜方蒸着テープの構成を示す概略断面図
である。

【符号の説明】

１・・・非磁性支持体 ２・・・第１の強磁性金属薄膜 ３・・・第２の強磁性金属薄膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　非磁性支持体上に斜方柱状構造を有す
   る第１の強磁性金属薄膜と第２の強磁性金属薄膜が順次
   積層される磁性層が形成されてなり、上記第１の強磁性
   金属薄膜の斜方柱状構造の成長方向と上記第２の強磁性
   金属薄膜の斜方柱状構造の成長方向が互いに逆方向とさ
   れるとともに、上記第１の強磁性金属薄膜の膜厚をδ１
   　、上記第２の強磁性金属薄膜の膜厚をδ２　、磁性層
   全体の保磁力をＨｃ、磁性層全体の残留磁束密度をＢｒ
   としたときに、 １６００Å≦δ１　＋δ２　≦２０００Å１／３≦δ２
   　／δ１　≦２／３ Ｈｃ≦１２００Ｏｅ Ｈｃ×Ｂｒ×（δ１　＋δ２　）≧５０Ｏｅ・ｃｍ・Ｇ
   であることを特徴とする磁気記録媒体