JPH046608A - 薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特に、高記録密度を達成するために適した薄
膜磁気ヘッドに関する。

更に、本発明は薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク
装置、特に、コンピュータの外部記憶装置として使用す
るのに好適な磁気ディスク装置に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置。

ビデオテープレコーダ等の磁気記録装置の記録密度が増
加するにつれて、情報の書込みや読出しを行う薄膜磁気
ヘッドの高周波特性を向上させなければならない。薄膜
磁気ヘッドの特性は磁気コアの磁区構造と密接な関係が
あり、磁区構造の制御が重要になってきている。読出又
は書込み時に好ましい磁区構造の変化は、応答の速い磁
化回転であるが、単層磁性膜を磁気コアに用いると環流
磁区構造となるため、応答が遅く不連続な変化になりや
すい９０度磁壁の移動を含んでしまい、高周波特性が劣
下しＳ／Ｎ比が悪くなってしまう。また、読込時の信号
波形が歪むことがあり読出エラーの原因になってしまう
。従来の方法は、特開昭５８−１７１７０９号公報に記
載のように、磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層磁
性膜を磁気コアに用いる事により、磁区構造を単磁区化
していた。単磁区の場合には磁化回転だけで磁束を通す
ため、高周波特性が良く読込時に信号波形が歪むことも
ない。この場合、上部・下部磁気コアはそれぞれ分割さ
れておらず、それぞれ連続した多層磁性膜から成る。

また、記録密度を高くするにはトラック幅を小さく高精
度で形成しなければならない。トラック幅を決める上部
磁気コア先端部の幅を高精度で形成するには特開昭６０
−１０４０９号公報に記載のように上部磁気コア先端部
のみを先に形成し、その後、上部磁気コア後部を形成す
るのが有利とされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のうち、特開昭５８−１７１７０９号に記
載されている技術を用いれば、再生波形歪を発生させず
に高周波でのＳ／Ｎ比を良くすることができるが上部磁
気コア先端部形成の高精度化については考慮されておら
ず、出力が薄膜磁気ヘッドによってばらつくという問題
があった。また、従来技術のうち特開昭６０−１０４０
９号公報に記載されている技術を用いれば、上部磁気コ
ア先端部を高精度で形成できるが、磁区構造については
考慮がされておらず、再生波形歪が発生したり、高周波
でのＳ／Ｎ比が低くなる問題があった。

本発明の目的は、上部磁気コア先端部を高精度に形成す
る薄膜磁気ヘッドの、再生波形歪をなくし、高周波での
Ｓ／Ｎ比を向上することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、薄膜磁気ヘッドは上部磁気
コアを先端部と後部に分割して別々に形成する構造とし
、上部磁気コア先端部、上部磁気コア後部、下部磁気コ
アの一部又は全部を磁性膜と非磁性膜を交互に積層した
二層以上の多層磁性膜により形成したものである。

〔作用〕

薄膜磁気ヘッドを上部磁気コアが先端部と後部に分割し
て別々に形成する構造とすることにより。

トラック幅を決める上部磁気コア先端部の幅を高精度で
形成することができる。また、上部磁気コア先端部、上
部磁気コア後部、下部磁気コアを多層磁性膜で形成する
ことにより磁区構造は単磁区となり、磁壁がないため再
生波形歪が無くなるだけでなく高周波領域でのＳ／Ｎ比
も高くなる。

〔実施例〕

以下、本発明を用いた一実施例を第１図（ａ）。

（ｂ）に示す。薄膜磁気ヘッドは基板１上に形成された
。磁性膜（Ｇｏ−Ｔａ−Ｚｒ）２と非磁性膜（ＡＱｚＯ
δ）３により形成された下部磁気コア。

磁気ギャップ（ＡＱｚＯａ）４．下層絶縁層（レジスト
）５．磁性膜（Ｇｏ−Ｔａ−Ｚｒ）６と非磁性膜（ＡＱ
ｚＯａ）７により形成された上部磁気コア先端部、保護
膜（Ａ　Ｑ　ｚｏ　ｓ”）　８　、磁気性膜（Ｇｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ）１０と非磁性膜（Ａ　Ｑ　２０３）９により
形成された上部磁気コア後部、コイル（＠）１２．上層
絶縁膜（レジスト）１３．素子保護膜１４から構成され
る。上部磁気コア先端部と上部磁気コア後部は保護膜８
に設けたコンタクトホール１１を通して接続しており、
下部磁気コアとともに磁気回路を形成している。

磁性膜ＣｏＴａＺｒ−層の膜厚を０．４μｍ非磁性膜八
ρへ０３−暦の膜厚を５ｎｍとし、下部磁気コアを五層
磁性膜（６１ｉ性膜膜厚２μｍ）、上部磁気コア先端部
を六層磁性膜（磁性膜膜厚２．４μｍ）＋上部磁気コア
後部を上層磁性膜（磁性膜膜厚２．８μｍ）で形成した
薄膜磁気ヘッドの各磁気コアの磁区構造は単磁区となっ
た。第２図（ａ）に規格化したＳ／Ｎ比の周波数変化を
示す。

各磁気コアの膜厚がそれぞれ等しく、各磁気コアを単層
Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ膜で形成し、他は同じ構成の薄膜磁気
ヘッドと、同じ記録媒体からの読込特性を比較すると、
トラック＠８μｍの場合には、１０ＭＨｚ以上の高周波
領域でＳ／Ｎ比が向上した。第２図（ｂ）に規格化した
ノイズの周波数変化を示す、多層磁性膜の薄膜磁気ヘッ
ドで高周波領域でノイズが減少するのは磁気コアが単磁
区で磁壁がないため、磁壁移動の寄与がなくなるためで
ある。また、トラック幅が５μｍの薄膜磁気ヘッドの場
合には、第３図に示すように、Ｓ／Ｎ比の向上はトラッ
ク幅が８μｍの場合よりも大きい。

本発明によれば、狭トラック幅、高周波領域でＳ／Ｎ比
向上の効果がある。さらに、単Ｈａ性膜で形成した薄膜
磁気ヘッドでは再生波形歪が発生したが、多層磁性層で
形成した薄膜磁気ヘッドでは再生波形歪は問題とならな
いレベルであった。

磁性膜をＮｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−５ｉ、Ｆｅ−Ｇｅ。

Ｆｅ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃ。

−Ｆ　ｅ　、　Ｃｏ　−Ｚ　ｒ　、　Ｃｏ　−Ｔ　ａ　
、又は、Ｃｏ−Ｔｉで形成し、非磁性膜をＣ，Ｔｉ、Ｗ
、Ｃｒ。

Ｔａ、Ｐｔ、ＳｉＯ２，Ｓ　ｉ　Ｎ、　Ｔ　ｉ−Ｃ，Ｙ
２Ｏ３、又は、ＢＮで形成した多層膜で磁気コアを構成
した薄膜磁気ヘッドは再生波形歪は問題にならないレベ
ルであり、同じ膜厚で単層磁性膜で形成した薄膜磁気ヘ
ッドよりも１０ＭＨｚ以上の高周波領域でＳ／Ｎ比が向
上した。

本実施例の、トラック幅が１０μｍ以下の多層磁性膜で
磁気コアを形成した薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置はトラック密度を−インチ当り１８００）−ラ
ック以上に、線記録密度を一インチ当り３０キロビット
以上にでき、両者の積である面記録密度を５４メガビッ
ト以上にできた。

また、直径８〜１１インチの磁気ディスクを３８００ｒ
ｐｍ以上で回転することにより転送速度を４．５メガバ
イト／秒以上にできた。再生波形歪が問題とならないレ
ベルであるため、読出エラーは無かった。トラック幅が
１０μｍ以下の、単層磁性膜で磁気コアを形成した薄膜
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置は再生波形歪の
ため読出エラーが頻発した。また、Ｓ／Ｎ比が低下する
ため線記録密度を３０キロビット以上にはできなかった
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、トラック幅を高精度で形成する薄膜磁
気ヘッドの磁気コアの磁区構造を単磁区にできるので、
１０μｍ以下の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッドにおいて１
０ＭＨｚ以上の高周波領域でのＳ／Ｎ比を向上する効果
がある。

さらに、再生波形歪がないので読比エラーをなくす効果
がある。

さらに、磁気ディスク装置の面記録密度を１平方インチ
当り５４メガビット以上にできるため、６０ギガバイト
以上の容量の磁気ディスク装置を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図（
ａ）および上面図（ｂ）、第２図（ａ）はトラック幅が
８μｍの、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドと従来技
術の薄膜磁気ヘッドの、Ｓ／Ｎ比の周波数変化（ａ）お
よびノイズの周波数変化（ｂ）を示す特性図、第３図は
トラック幅が５μｍの、本発明の薄膜磁気ヘッドと従来
技術の薄膜磁気ヘッドのＳ／Ｎ比の周波数変化の説明図
を示す。 １・・・基板、２・・・下部磁気コア磁性膜、３・・・
下部磁気コア非磁性膜、４・・・磁気ギャップ、５・・
・下層絶縁膜、６・・・上部磁気コア先端部磁性膜、７
・・・上部磁気コア先端部非磁性膜、８・・・保護膜、
９・・・上部磁気コア後部非磁性膜、１０・・・上部磁
気コア磁性膜、１１・・・コンタクトホール、１２・・
・コイル、１３・・・上層絶縁膜、１４・・・素子保護
膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コアと
   、前記下部磁気コア上に形成され一部が前記下部磁気コ
   アの一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気
   ギャップを介して対向し、これによつて前記下部磁気コ
   アと共に一部に前記磁気ギャップをもつ磁気回路を形成
   する上部磁気コアが、前記スライダの浮上面側の先端部
   と、少なくとも前記先端部上に形成した保護膜と、前記
   保護膜に設けられたコンタクトホールを通じて前記先端
   部と接続する後部とをもち、前記上部磁気コアと前記下
   部磁気コアの間を通り前記磁気回路と交差する導体コイ
   ルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁気コアの先端部及び前記上部磁気コアの後部
   及び前記下部磁気コアの一部又は全部が磁性膜と非磁性
   膜を交互に積層した複数層の多層磁性膜により形成され
   ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、請求項１において、前記上部磁気コア後部を形成す
   る磁気膜の総膜厚が、前記上部磁気コア先端部を形成す
   る磁性膜の総膜厚よりも大きい薄膜磁気ヘッド。 ３、請求項１または２において、前記磁性膜が、Ｃｏ−
   Ｔａ−Ｚｒ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｇｅ、Ｆ
   ｅ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｆｅ、
   Ｃｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｔｉを主成分とする合
   金から選ばれた材料である薄膜磁気ヘッド。４、請求項
   １または２において、前記非磁性膜が高融点非磁性金属
   材料である薄膜磁気ヘッド。 ５、請求項１または２において、前記非磁性膜が、Ｃ、
   Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔから選ばれた材料である薄
   膜磁気ヘッド。 ６、請求項１または２において、前記非磁性膜が非磁性
   絶縁膜である薄膜磁気ヘッド。 ７、請求項１または２において、前記非磁性膜絶縁膜が
   Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２、ＳｉＮ、Ｔｉ−Ｃ、Ｙ＿
   ２Ｏ＿３、ＢＮから選ばれた材料である薄膜磁気ヘッド
   。 ８、請求項１、２、３、４、５、６または７において、
   情報を記録する少なくとも一枚の前記磁気ディスクと、 前記磁気ディスクに対して情報の書込及び読出を行う前
   記薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とをもつヘッド・デ
   ィスク・アッセンブリを少なくとも一つ具備し前記薄膜
   磁気ヘッドを一個以上搭載する磁気ディスク装置。