JPH04354352A - チップの剥離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組立工程
におけるダイシング後のチップをピックアップしてトレ
ーに再配列するダイピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、ダイシングソーによってダイシン
グしたときにチップがばらばらになるのを防ぐために、
ダイシングを行うウエハの裏面にはテープを貼りつける
。そしてダイシング後に、テープよりダイシングしたチ
ップをはがし取るには、ダイピックアップ装置を用いる
。このダイピックアップ装置を図４の概略構成断面図に
より説明する。図に示すように、上面を平坦に形成した
ステージ５１には複数の吸引孔５２，５３が形成されて
いる。各吸引孔５２，５３にはピン５４，５５が遊挿自
在に設けられている。各ピン５４，５５の先端半径は、
通常およそ０．４ｍｍに形成されている。また吸引孔５
２，５３の上方には、コレット５６が矢印イ方向に昇降
自在に設けられている。さらに、各吸引孔５２，５３に
は、真空引きするための真空排気装置（図示せず）が接
続されている。

【０００３】上記ダイピックアップ装置５０を用いて、
テープ３１に貼りつけられたチップ４１をはがし取るに
は、まずチップ４１を貼りつけたテープ３１を吸引孔５
２，５３上に配置する。次いで、真空排気装置で各吸引
孔５２，５３を真空引きして、テープ３１をステージ５
１の上面５１ａに吸着する。その後、ピン５４，５５を
上昇させて、テープ３１を突き破り、チップ４１を突き
上げる。そして前記図４に示す如く、チップ４１をテー
プ３１よりはがす。続いて突き上げられたチップ４１を
コレット５６で吸着して、所定のトレー（図示せず）に
収納する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ダ
イピックアップ装置では、先端半径が非常に小さいピン
でチップを突き上げるために、チップに打痕が付く。ま
たチップには、ピンによって局所的に大きな力が加わる
ので、クラックが発生する。このためチップの機械的強
度が低下する。特にメモリカードに実装される薄いチッ
プでは、大きなクラックが生じて割れる。

【０００５】本発明は、チップにクラックを生じること
なくテープよりチップをはがすダイピックアップ装置を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたダイピックアップ装置である。す
なわち、チップを貼りつけたテープを載置するステージ
に、ガス供給孔を形成し、その周りに吸引孔を形成する
。ガス供給孔には高温で高圧のガスを供給するガス供給
機を接続し、吸引孔には吸引機を接続する。さらに、ガ
ス供給孔の上方にはコレットを設ける。

【０００７】

【作用】上記構成のダイピックアップ装置では、ステー
ジにガス供給孔と吸引孔とを設けたことにより、吸引孔
でテープを吸着し、ガス供給孔よりテープに高温で高圧
のガスを吹きつけてテープをチップ側に押圧する。この
とき、テープは軟化して、徐々にチップ側に膨らむ。こ
の結果、チップは、テープが膨らんだ部分の周辺部より
チップの縁部方向に向かって、テープより徐々にはがれ
る。そして、コレットにチップを吸着し、コレットを静
かに上昇させて、チップをテープより完全にはがし取る
。したがって、チップには局所的に大きな力が作用しな
い。

【０００８】

【実施例】本発明の実施例を図１の概略構成断面図およ
び図２に示す図１中のＡ−Ａ線矢視図により説明する。 図に示すように、チップ４１を貼りつけたテープ３１を
載置するステージ１１の上面１１ａは平坦に形成されて
いる。このステージ１１の上面１１ａ側には、ガス供給
孔１２が形成され、このガス供給孔１２の周囲に吸引孔
１３が形成されている。ガス供給孔１２の断面形状は、
例えば円形に形成される。また吸引孔１３は、例えばリ
ング状に形成される。またステージ１１の内部には、吸
引孔１３に接続する中空部１４が形成されている。上記
ガス供給孔１２には配管１５を介してガス供給機１６が
接続されている。このガス供給機１６はガス供給孔１２
に高温で高圧のガスを送る。中空部１４には配管１７を
介して、真空引きするための吸引機１８が接続されてい
る。またガス供給孔１２の上方にはコレット１９が矢印
ア方向に昇降自在に設けられている。このコレット１９
は、例えば通常の角錐コレットよりなる。

【０００９】次に上記ダイピックアップ装置１で、テー
プ３１に貼りつけられたチップ４１をはがし取る方法を
説明する。まずチップ４１を貼りつけたテープ３１（通
常ポリ塩化ビニル樹脂製）を、チップ４１がガス供給孔
１２上に位置するように、ステージ１１の上面１１ａに
載置する。そして吸引機１８で真空引きして、吸引孔１
３にテープ３１を吸着する。

【００１０】次いでガス供給機１６よりガス供給孔１２
に、高温で高圧のガスとして、例えば温度が７０℃ない
し８０℃でおよそ圧力が１５０ｋＰａの窒素ガスを供給
する。上記高温で高圧のガスには、窒素ガスの他に、例
えば空気またはアルゴン等の他のガスを用いることも可
能である。またガスの温度は、テープ３１を軟化させる
に十分な温度に設定される。さらにガスの圧力は、ガス
供給孔１２の位置で、テープ３１を膨らませるに十分な
圧力でしかもテープ３１が吸引孔１３より引き離されな
い圧力に設定される。テープ３１の高温で高圧のガスを
吹きつけた部分は、温められて軟化し、ガス供給孔１２
側より上記ガスによって押圧されるのでチップ４１側に
膨らむ。このため、チップ４１は、上方に押し上げられ
るとともに、テープ３１の膨らんだ部分が貼りついてい
るチップ４１の部分の周辺部４１ａよりチップ４１の縁
部４１ｂ方向に向かって徐々にはがされる。

【００１１】次いで、コレット１９を降下させてチップ
４１を吸着し、その後コレット１９を静かに上昇させて
、テープ３１よりチップ４１を完全にはがす。このとき
、チップ４１にテープ３１の膨らんだ部分が貼りついて
いる面積はチップ４１の面積に対してわずかであり、ま
たテープ３１が軟化しているので、チップ４１には大き
な力は加わらない。したがって、チップ４１はクラック
を生じることなくテープ３１よりはがすことができるの
で、チップ４１の機械的強度は低下しない。

【００１２】上記ダイピックアップ装置１の吸引孔１３
は、ガス供給孔１２の周囲にリング状に形成したが、図
３に示す如く、ステージ１１の上面１１ａ側でガス供給
孔１２の周囲に、円形断面の吸引孔１３を複数形成して
もよい。このように、吸引孔１３の形成位置や断面形状
は、ステージ１１に載置されるテープ（３１）を、ガス
供給孔１２の周囲で吸引することができる形成位置や断
面形状であれば、任意でよい。またガス供給孔１２の断
面形状も、テープ（３１）に高温で高圧のガスを吹きつ
けることにより、テープを軟化させてチップ側に膨らま
せることができれば、その形状は問わない。さらに、長
方形状のチップをはがし取る場合には、ガス供給孔１２
をチップの長手方向に沿って複数か所に形成することも
可能である。

【００１３】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ステージの上面側にガス供給孔と吸引孔とを形成した。 このため、吸引孔でテープを吸着しながら、ガス供給孔
よりテープに高温で高圧のガスを吹きつけ、テープを軟
化させてチップ側に膨らませることができる。この結果
、チップには局所的に大きな力が加わることなく、膨ら
んだ部分のテープが貼りついている部分を除いて、チッ
プをテープより徐々にはがすことが可能になる。さらに
、コレットにチップを吸着させて、コレットを静かに上
昇させることにより、膨らんだ部分のテープよりチップ
を完全にはがし取ることができる。したがって、チップ
には、局所的に大きな力が作用しないので、クラックが
生じない。よって、チップの機械的強度は低下しない。 またメモリカードに実装される薄いチップでも、クラッ
クを生じることなくテープよりはがすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の概略構成断面図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ線矢視図である。

【図３】ガス供給孔と吸引孔とを説明する平面図である
。

【図４】従来例の概略構成断面図である。

【符号の説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　チップを貼りつけたテープを載置する
   ステージと、前記ステージの上面側に形成したガス供給
   孔と、前記ガス供給孔に接続しかつ高温で高圧のガスを
   送給するガス供給機と、前記ガス供給孔の周りの前記ス
   テージの上面側に形成した吸引孔と、前記吸引孔に接続
   した吸引機と、前記ガス供給孔の上方にかつ昇降自在に
   設けたコレットとによりなることを特徴とするダイピッ
   クアップ装置。