JPH04356384A - レーザー照射装置 - Google Patents
レーザー照射装置Info
- Publication number
- JPH04356384A JPH04356384A JP3127308A JP12730891A JPH04356384A JP H04356384 A JPH04356384 A JP H04356384A JP 3127308 A JP3127308 A JP 3127308A JP 12730891 A JP12730891 A JP 12730891A JP H04356384 A JPH04356384 A JP H04356384A
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- JP
- Japan
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- laser
- workpiece
- laser irradiation
- resin
- cracked
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は樹脂を分解除去するの
に用いるレーザー照射装置に関する。
に用いるレーザー照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光による樹脂の分解は、■微細
加工が可能である、■非接触加工であって被加工体に及
ぼす影響が小さい、■加工周辺部にほとんど影響を及ぼ
すことなく局所的な加工が可能である等の利点を有して
いることから、近年、樹脂材料への穴あけ，切断，マー
キング，表面加工，樹脂層の除去等に広く利用されてい
る。
加工が可能である、■非接触加工であって被加工体に及
ぼす影響が小さい、■加工周辺部にほとんど影響を及ぼ
すことなく局所的な加工が可能である等の利点を有して
いることから、近年、樹脂材料への穴あけ，切断，マー
キング，表面加工，樹脂層の除去等に広く利用されてい
る。
【０００３】従来用いられているレーザー照射装置は、
図４に示すように、レーザー光発生部１と、光学系ユニ
ット２と、ワークテーブル３を備えている。レーザー光
発生部１にて発生したレーザー光Ｌは、光学系ユニット
２にて所望のビームパターンに集光され、ワークテーブ
ル３上に載置された被加工体１１上に照射される。レー
ザー光発生部１は、図示しない発信部と、電源部と、そ
して必要に応じてガスユーティリティ部とからなってい
る。これらの各部が、制御ユニット４からの制御信号（
操作部５への入力によって作成される。以下同様。）に
よってコントロールされる。これにより、レーザー光Ｌ
の出力値，パルス発信数等がコントロールされる。光学
系ユニット２は、レンズ，ミラー，その他の光学部品等
により構成されており、レーザー光発生部１より出射さ
れたレーザー光Ｌを制御ユニット４からの制御信号に応
じて所望のビームパターンに集光する。ワークテーブル
３は、被加工体１１を載置するテーブルであり、制御ユ
ニット４からの制御信号に応じて被加工体１１の固定及
び水平方向，垂直方向の移動を行う。これにより、被加
工体１１の任意の箇所にレーザー光Ｌを照射して加工す
るこどができる。
図４に示すように、レーザー光発生部１と、光学系ユニ
ット２と、ワークテーブル３を備えている。レーザー光
発生部１にて発生したレーザー光Ｌは、光学系ユニット
２にて所望のビームパターンに集光され、ワークテーブ
ル３上に載置された被加工体１１上に照射される。レー
ザー光発生部１は、図示しない発信部と、電源部と、そ
して必要に応じてガスユーティリティ部とからなってい
る。これらの各部が、制御ユニット４からの制御信号（
操作部５への入力によって作成される。以下同様。）に
よってコントロールされる。これにより、レーザー光Ｌ
の出力値，パルス発信数等がコントロールされる。光学
系ユニット２は、レンズ，ミラー，その他の光学部品等
により構成されており、レーザー光発生部１より出射さ
れたレーザー光Ｌを制御ユニット４からの制御信号に応
じて所望のビームパターンに集光する。ワークテーブル
３は、被加工体１１を載置するテーブルであり、制御ユ
ニット４からの制御信号に応じて被加工体１１の固定及
び水平方向，垂直方向の移動を行う。これにより、被加
工体１１の任意の箇所にレーザー光Ｌを照射して加工す
るこどができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザー照射装置では、図５に例示するように被加工体
１１が樹脂部１２と電極１３，１４とを有する場合、レ
ーザー光Ｌにより分解された樹脂分解物１６が樹脂１２
や電源１３，１４上に付着し、加工箇所の周囲の表面の
清浄性が失われる。このため、レーザー加工後、被加工
体１１の表面に他の材料を被着する場合（例えば、金属
膜を蒸着したり、電極１３，１４上に他部品の電極を接
合したりする場合）に、密着不良や電気的接続不良を発
生するという問題があった。
レーザー照射装置では、図５に例示するように被加工体
１１が樹脂部１２と電極１３，１４とを有する場合、レ
ーザー光Ｌにより分解された樹脂分解物１６が樹脂１２
や電源１３，１４上に付着し、加工箇所の周囲の表面の
清浄性が失われる。このため、レーザー加工後、被加工
体１１の表面に他の材料を被着する場合（例えば、金属
膜を蒸着したり、電極１３，１４上に他部品の電極を接
合したりする場合）に、密着不良や電気的接続不良を発
生するという問題があった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、レーザー照射
による被加工体の分解物が被加工体表面に付着するのを
防止できるレーザー照射装置を提供することにある。
による被加工体の分解物が被加工体表面に付着するのを
防止できるレーザー照射装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のレーザー照射装置は、被加工体にレーザ
ー光を照射して加工するレーザー照射装置であって、上
記被加工体へ向けて不活性気体を噴射する噴射部を有す
ることを特徴としている。
に、この発明のレーザー照射装置は、被加工体にレーザ
ー光を照射して加工するレーザー照射装置であって、上
記被加工体へ向けて不活性気体を噴射する噴射部を有す
ることを特徴としている。
【０００７】
【作用】被加工体の加工箇所の周囲に、レーザー照射に
よる分解物が発生したとしても、この分解物は噴射部か
らの不活性気体によって吹き飛ばされる。したがって、
上記レーザー照射による分解物が上記被加工体の表面に
付着するのが防止される。
よる分解物が発生したとしても、この分解物は噴射部か
らの不活性気体によって吹き飛ばされる。したがって、
上記レーザー照射による分解物が上記被加工体の表面に
付着するのが防止される。
【０００８】
【実施例】以下、この発明のレーザー照射装置を実施例
により詳細に説明する。図１（ａ）は一実施例のレーザ
ー照射装置の全体構成を示している。このレーザー照射
装置は、レーザー光発生部２１と、光学系ユニット２２
と、ワークテーブル２３と、制御ユニット２４と、操作
部２５とを備え、さらに、噴射部として不活性気体噴射
ユニット２６を備えている。レーザー光発生部２１は、
ＸｅＣｌエキシマレーザー発生装置（波長３０８ｎｍ，
パルスエネルギー０．２〜０．５Ｊ／ｃｍ２のもの。こ
の他に、ＹＡＧレーザー，ＣＯ２レーザー等を用いるこ
とができる。）であって、図示しない発信部と、電源部
と、ガスユーティリティ部とから成る。これらの各部が
制御ユニット２４からの制御信号（操作部２５への入力
によって作成される。以下同様。）によってコントロー
ルされ、レーザー光Ｌの出力値，パルス発振数等が制御
される。 光学系ユニット２２は、レンズ，反射鏡，その他の光学
部品等により構成されており、レーザー光発生部２１よ
り出射されたレーザー光Ｌを制御ユニット２４からの制
御信号に応じて所望のビームパターンに集光する。ワー
クテーブル２３は被加工体３１を載置するテーブルであ
り、被加工体３１の固定及び水平方向，垂直方向の移動
を行う。これにより被加工体３１の任意の箇所にレーザ
ー光Ｌを照射して加工することができる。不活性気体噴
射ユニット２６は、図１（ｂ）に示すように、窒素ガス
が充填された不活性気体ボンベＢと、このボンベＢの開
閉を行うバルブＶと、フィルタＦと、レギュレータ（圧
力計が付属しているもの）ＰＲと、フローコントローラ
ＦＣと、電磁弁ＥＶと、噴射ノズルＮを有している。レ
ギュレータＰＲはノズルＮの噴射圧力を２〜６ｋｇ／ｃ
ｍ２の間の一定圧力（本実施例では２ｋｇ／ｃｍ２）に
調節している。また、電磁弁ＥＶとフローコントローラ
ＦＣは、それぞれ制御ユニット２４からの制御信号に応
じて、ガス経路２７の開閉，流量調整を行う。噴射ノズ
ルＮは、レーザー光照射中は、被加工体３１へ向けて窒
素ガスを噴射する。
により詳細に説明する。図１（ａ）は一実施例のレーザ
ー照射装置の全体構成を示している。このレーザー照射
装置は、レーザー光発生部２１と、光学系ユニット２２
と、ワークテーブル２３と、制御ユニット２４と、操作
部２５とを備え、さらに、噴射部として不活性気体噴射
ユニット２６を備えている。レーザー光発生部２１は、
ＸｅＣｌエキシマレーザー発生装置（波長３０８ｎｍ，
パルスエネルギー０．２〜０．５Ｊ／ｃｍ２のもの。こ
の他に、ＹＡＧレーザー，ＣＯ２レーザー等を用いるこ
とができる。）であって、図示しない発信部と、電源部
と、ガスユーティリティ部とから成る。これらの各部が
制御ユニット２４からの制御信号（操作部２５への入力
によって作成される。以下同様。）によってコントロー
ルされ、レーザー光Ｌの出力値，パルス発振数等が制御
される。 光学系ユニット２２は、レンズ，反射鏡，その他の光学
部品等により構成されており、レーザー光発生部２１よ
り出射されたレーザー光Ｌを制御ユニット２４からの制
御信号に応じて所望のビームパターンに集光する。ワー
クテーブル２３は被加工体３１を載置するテーブルであ
り、被加工体３１の固定及び水平方向，垂直方向の移動
を行う。これにより被加工体３１の任意の箇所にレーザ
ー光Ｌを照射して加工することができる。不活性気体噴
射ユニット２６は、図１（ｂ）に示すように、窒素ガス
が充填された不活性気体ボンベＢと、このボンベＢの開
閉を行うバルブＶと、フィルタＦと、レギュレータ（圧
力計が付属しているもの）ＰＲと、フローコントローラ
ＦＣと、電磁弁ＥＶと、噴射ノズルＮを有している。レ
ギュレータＰＲはノズルＮの噴射圧力を２〜６ｋｇ／ｃ
ｍ２の間の一定圧力（本実施例では２ｋｇ／ｃｍ２）に
調節している。また、電磁弁ＥＶとフローコントローラ
ＦＣは、それぞれ制御ユニット２４からの制御信号に応
じて、ガス経路２７の開閉，流量調整を行う。噴射ノズ
ルＮは、レーザー光照射中は、被加工体３１へ向けて窒
素ガスを噴射する。
【０００９】このレーザー照射装置を用いて、図２に示
す回路基板（被加工体）３１を加工するものとする。こ
の回路基板３１は、ガラス基板３５上に、電極３３，樹
脂層３２，電極３４を順に形成したものであって、図示
のように、電極３３の大部分が樹脂層で覆われている。 この回路基板３１のうちＡ部（樹脂層３２が露出し、そ
の下に電極３３が存する部分）にレーザー光を照射して
、Ａ部の樹脂層３２を除去するものとする。
す回路基板（被加工体）３１を加工するものとする。こ
の回路基板３１は、ガラス基板３５上に、電極３３，樹
脂層３２，電極３４を順に形成したものであって、図示
のように、電極３３の大部分が樹脂層で覆われている。 この回路基板３１のうちＡ部（樹脂層３２が露出し、そ
の下に電極３３が存する部分）にレーザー光を照射して
、Ａ部の樹脂層３２を除去するものとする。
【００１０】まず、図３に示すように、回路基板３１を
ワークテーブル２３上に載置し、図示しない真空吸着機
構により固定する。次に、ワークテーブル２３を移動さ
せて、レーザー光Ｌが回路基板３１のＡ部を照射するよ
うにアライメントする。次に、図１（ａ）に示した操作
部２５に入力を行って、図１（ｂ）に示した電磁弁ＥＶ
を開き、窒素ガスＧを噴射ノズルＮからＡ部に向けて噴
射する。なお、Ａ部に向けて窒素ガスＧが効率よく噴射
されるように、予め噴射ノズルＮの向きを調節しておく
。そして、フローコントローラＦＣによって流量調整を
行う。ここで、例えばＡ部が直径０．５ｍｍ〜５ｍｍの
領域である場合、ノズル直径は１〜５ｍｍ，ノズルから
Ａ部までの距離は５〜２０ｍｍ，ノズルＮと回路基板３
１とのなす角度は３０°〜６０°の範囲に設定する。な
お、これらの設定を変更することは可能であり、ノズル
形状，ノズル本数を変更することも可能である。
ワークテーブル２３上に載置し、図示しない真空吸着機
構により固定する。次に、ワークテーブル２３を移動さ
せて、レーザー光Ｌが回路基板３１のＡ部を照射するよ
うにアライメントする。次に、図１（ａ）に示した操作
部２５に入力を行って、図１（ｂ）に示した電磁弁ＥＶ
を開き、窒素ガスＧを噴射ノズルＮからＡ部に向けて噴
射する。なお、Ａ部に向けて窒素ガスＧが効率よく噴射
されるように、予め噴射ノズルＮの向きを調節しておく
。そして、フローコントローラＦＣによって流量調整を
行う。ここで、例えばＡ部が直径０．５ｍｍ〜５ｍｍの
領域である場合、ノズル直径は１〜５ｍｍ，ノズルから
Ａ部までの距離は５〜２０ｍｍ，ノズルＮと回路基板３
１とのなす角度は３０°〜６０°の範囲に設定する。な
お、これらの設定を変更することは可能であり、ノズル
形状，ノズル本数を変更することも可能である。
【００１１】次に、図１（ａ）に示したレーザー光発生
部２１，光学系ユニット２２を動作させて、図３に示す
ように、回路基板３１にレーザー光Ｌを照射する（レー
ザー出力は、樹脂層３２，電極３３の材質に合わせて調
節する）。このレーザー照射により、Ａ部の樹脂層３２
を分解除去でき、電極３３を露出させることができる。 このとき、レーザー照射部（Ａ部）の周囲には、レーザ
ー照射による樹脂分解物３６が発生する。しかし、噴射
ノズルＮから窒素ガスを吹き付けているので、樹脂分解
物３６は気流により吹き飛ばされる。したがって、回路
基板３１の表面に付着することはない。
部２１，光学系ユニット２２を動作させて、図３に示す
ように、回路基板３１にレーザー光Ｌを照射する（レー
ザー出力は、樹脂層３２，電極３３の材質に合わせて調
節する）。このレーザー照射により、Ａ部の樹脂層３２
を分解除去でき、電極３３を露出させることができる。 このとき、レーザー照射部（Ａ部）の周囲には、レーザ
ー照射による樹脂分解物３６が発生する。しかし、噴射
ノズルＮから窒素ガスを吹き付けているので、樹脂分解
物３６は気流により吹き飛ばされる。したがって、回路
基板３１の表面に付着することはない。
【００１２】レーザー照射によるべき加工が完了した時
点でレーザー照射を停止し、続いて窒素ガスＧの噴射を
停止する。そして、ワークテーブル２３から回路基板３
１を取り外して、加工作業を完了する。
点でレーザー照射を停止し、続いて窒素ガスＧの噴射を
停止する。そして、ワークテーブル２３から回路基板３
１を取り外して、加工作業を完了する。
【００１３】なお、この実施例は、不活性気体として窒
素ガスを用いたが、当然ながらこれに限られるものでは
なく、アルゴンガスその他の不活性気体またはこれらの
混合物を用いてもよい。
素ガスを用いたが、当然ながらこれに限られるものでは
なく、アルゴンガスその他の不活性気体またはこれらの
混合物を用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のレ
ーザー照射装置は、被加工体へ向けて不活性気体を噴射
する噴射部を有しているので、レーザー照射による被加
工体の分解物が被加工体表面に付着するのを防止できる
。したがって、レーザー加工後に、上記被加工体の表面
に他の材料を被着する場合、例えば金属膜を蒸着したり
、電極接続を行ったりする場合に、密着不良や電気的接
続不良が発生するのを防止できる。
ーザー照射装置は、被加工体へ向けて不活性気体を噴射
する噴射部を有しているので、レーザー照射による被加
工体の分解物が被加工体表面に付着するのを防止できる
。したがって、レーザー加工後に、上記被加工体の表面
に他の材料を被着する場合、例えば金属膜を蒸着したり
、電極接続を行ったりする場合に、密着不良や電気的接
続不良が発生するのを防止できる。
【図１】 この発明の一実施例のレーザー照射装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】 被加工体の断面構造を示す図である。
【図３】 上記レーザー照射装置を用いて上記被加工
体を加工している状態を示す図である。
体を加工している状態を示す図である。
【図４】 従来のレーザー照射装置の構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】 上記従来のレーザー照射装置を用いて被加
工体を加工している状態を示す図である。
工体を加工している状態を示す図である。
２１ レーザー光発生部
２２ 光学系ユニット
２３ ワークテーブル
２４ 制御ユニット
２５ 操作部
２６ 不活性気体噴射ユニット
３１ 回路基板
３２ 樹脂層
３３，３４ 電極
３５ 基材
３６ 樹脂分解物
Ｂ 不活性気体ポンベ
ＥＶ 電磁弁
Ｆ フィルタ
ＦＣ フローコントローラ
Ｇ 窒素ガス
Ｎ 噴射ノズル
ＰＲ レギュレータ
Claims (1)
- 【請求項１】 被加工体にレーザー光を照射して加工
するレーザー照射装置であって、上記被加工体へ向けて
不活性気体を噴射する噴射部を有することを特徴とする
レーザー照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127308A JPH04356384A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レーザー照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127308A JPH04356384A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レーザー照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356384A true JPH04356384A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=14956737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3127308A Pending JPH04356384A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | レーザー照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09161931A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
| JPH09267255A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板用研磨布の溝形成加工方法 |
| JP2004209505A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置における加工位置ずれ補正方法 |
| JP2018195356A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 日本発條株式会社 | サスペンションの再生方法 |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3127308A patent/JPH04356384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09161931A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
| JPH09267255A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板用研磨布の溝形成加工方法 |
| JP2004209505A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置における加工位置ずれ補正方法 |
| JP2018195356A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 日本発條株式会社 | サスペンションの再生方法 |
| US11069374B2 (en) | 2017-05-12 | 2021-07-20 | Nhk Spring Co., Ltd. | Method of restoring suspension of hard disk drive |
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