JPH04356912A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
- Publication number
- JPH04356912A JPH04356912A JP3131120A JP13112091A JPH04356912A JP H04356912 A JPH04356912 A JP H04356912A JP 3131120 A JP3131120 A JP 3131120A JP 13112091 A JP13112091 A JP 13112091A JP H04356912 A JPH04356912 A JP H04356912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- main body
- cover plate
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板ホルダーに関する。
詳しくは電子ビーム露光装置によるレチクル、マスク露
光又はウエハ直接露光において、パターンが高精度にで
きる基板ホルダーに関する。
光又はウエハ直接露光において、パターンが高精度にで
きる基板ホルダーに関する。
【０００２】近年、半導体装置は高密度化され、それに
伴ってパターンの微細寸法を再現性よく高精度に形成す
ることが重要となっている。このため、ホトリソグラフ
ィ工程に於いては可視光又は紫外線よりも分解能の良い
電子ビーム露光が用いられている。
伴ってパターンの微細寸法を再現性よく高精度に形成す
ることが重要となっている。このため、ホトリソグラフ
ィ工程に於いては可視光又は紫外線よりも分解能の良い
電子ビーム露光が用いられている。
【０００３】
【従来の技術】図２は従来の電子ビーム露光装置の１例
の概要を示す図である。これはステージ部１と鏡塔部２
とよりなり、該鏡塔部２には、電子銃３、４〜５段のレ
ンズ４、アパーチャ６、電子線走査用偏向板７等が具備
されており、ステージ部１には、Ｘ−Ｙテーブル８、該
Ｘ−Ｙテーブル上に載置された基板ホルダ９等が具備さ
れている。
の概要を示す図である。これはステージ部１と鏡塔部２
とよりなり、該鏡塔部２には、電子銃３、４〜５段のレ
ンズ４、アパーチャ６、電子線走査用偏向板７等が具備
されており、ステージ部１には、Ｘ−Ｙテーブル８、該
Ｘ−Ｙテーブル上に載置された基板ホルダ９等が具備さ
れている。
【０００４】そして該基板ホルダ９に、表面にレジスト
が塗布された基板（ウエハ）１０又は乾板を載置し、電
子銃３から出射される電子ビームによってレジストを露
光するようになっている。
が塗布された基板（ウエハ）１０又は乾板を載置し、電
子銃３から出射される電子ビームによってレジストを露
光するようになっている。
【０００５】また、基板ホルダ９は図３（ａ）の平面図
及び（ｂ）の断面図に示すように、ホルダ本体１１と、
基板押え板１２と、覆い板１３と、ばね１４等を具備し
て構成されている。そしてホルダ本体１１はセラミック
で形成され、導電性を付与するため表面に金属膜が形成
されている。また基板押え板１２は熱膨張率の小さい金
属であるＴｉで形成され、ねじ１５でホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ばね１４で上方に付勢される基板１０を
押えるようになっている。また覆い板１３は表面処理し
たＡｌ板で形成され、ねじ１６によりホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ホルダ本体１１の表面の金属膜が電子に
より損傷を受けて剥離しないように保護している。
及び（ｂ）の断面図に示すように、ホルダ本体１１と、
基板押え板１２と、覆い板１３と、ばね１４等を具備し
て構成されている。そしてホルダ本体１１はセラミック
で形成され、導電性を付与するため表面に金属膜が形成
されている。また基板押え板１２は熱膨張率の小さい金
属であるＴｉで形成され、ねじ１５でホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ばね１４で上方に付勢される基板１０を
押えるようになっている。また覆い板１３は表面処理し
たＡｌ板で形成され、ねじ１６によりホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ホルダ本体１１の表面の金属膜が電子に
より損傷を受けて剥離しないように保護している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム露光装置に
より、基板あるいはマスク、レチクル等に、高密度パタ
ーン（例えば、１ＭＤＲＡＭ 以上のパターン） を露
光する場合は長時間を要する。この時、長時間露光によ
る基板ホルダの熱膨張によるパターンずれ、及び図４に
示すように露光装置鏡塔部２の下面と覆い板１３との間
を反射する反射電子によるオーバ露光からくるパターン
寸法精度の悪化が発生する。このため前述したように基
板ホルダ９のホルダ本体１１には熱膨張の小さいＴｉも
しくはセラミックを用いている。
より、基板あるいはマスク、レチクル等に、高密度パタ
ーン（例えば、１ＭＤＲＡＭ 以上のパターン） を露
光する場合は長時間を要する。この時、長時間露光によ
る基板ホルダの熱膨張によるパターンずれ、及び図４に
示すように露光装置鏡塔部２の下面と覆い板１３との間
を反射する反射電子によるオーバ露光からくるパターン
寸法精度の悪化が発生する。このため前述したように基
板ホルダ９のホルダ本体１１には熱膨張の小さいＴｉも
しくはセラミックを用いている。
【０００７】しかしホルダ本体１１を保護している覆い
板１３には表面処理したＡｌ板が用いられているため、
熱膨張率が大きく、また電子の放出性も大きい。このた
め従来の基板ホルダでの長時間露光では、パターンの配
置精度及び寸法精度が悪化するという問題があった。
板１３には表面処理したＡｌ板が用いられているため、
熱膨張率が大きく、また電子の放出性も大きい。このた
め従来の基板ホルダでの長時間露光では、パターンの配
置精度及び寸法精度が悪化するという問題があった。
【０００８】本発明は長時間露光におけるパターン位置
精度及び寸法精度の悪化を減少可能とした基板ホルダを
実現しようとする。
精度及び寸法精度の悪化を減少可能とした基板ホルダを
実現しようとする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の基板ホルダに於
いては、基板１０を支承するホルダ本体１１と、基板１
０を押圧保持する基板押え板１２と、ホルダ本体１１上
面の基板支承部分及び基板押え板部分を除く領域を覆い
、ホルダ本体表面を保護する覆い板１３とを具備して成
る基板ホルダにおいて、上記覆い板１３を低熱膨張率で
、且つ導電性及び低電子放出性を有する材料で形成した
ことを特徴とする。
いては、基板１０を支承するホルダ本体１１と、基板１
０を押圧保持する基板押え板１２と、ホルダ本体１１上
面の基板支承部分及び基板押え板部分を除く領域を覆い
、ホルダ本体表面を保護する覆い板１３とを具備して成
る基板ホルダにおいて、上記覆い板１３を低熱膨張率で
、且つ導電性及び低電子放出性を有する材料で形成した
ことを特徴とする。
【００１０】また、それに加えて、上記覆い板１３の材
料がカーボン又は導電性ＳｉＣ であることを特徴とす
る。この構成を採ることに依り、長時間露光時にもパタ
ーン配置精度及び寸法精度の悪化が少ない基板ホルダが
得られる。
料がカーボン又は導電性ＳｉＣ であることを特徴とす
る。この構成を採ることに依り、長時間露光時にもパタ
ーン配置精度及び寸法精度の悪化が少ない基板ホルダが
得られる。
【００１１】
【作用】ホルダ本体１１の表面を保護する覆い板１３に
カーボンあるいは導電性ＳｉＣ 等の低熱膨張率で且つ
導電性及び低電子放出性を有する材料を用いたことによ
り、長時間露光時にも覆い板１３の熱膨張は少なく、且
つ鏡塔部から反射する電子を吸収して放出をしにくいた
め、パターンずれがなくなり、また反射電子によるオー
バ露光がなくなる。これによりパターンの位置精度及び
寸法精度は従来に比して向上する。
カーボンあるいは導電性ＳｉＣ 等の低熱膨張率で且つ
導電性及び低電子放出性を有する材料を用いたことによ
り、長時間露光時にも覆い板１３の熱膨張は少なく、且
つ鏡塔部から反射する電子を吸収して放出をしにくいた
め、パターンずれがなくなり、また反射電子によるオー
バ露光がなくなる。これによりパターンの位置精度及び
寸法精度は従来に比して向上する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例をマスク又はレチクル
用のクロム乾板と共に示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図、（ｃ）は
（ａ）図のｃ−ｃ線における断面図である。
用のクロム乾板と共に示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図、（ｃ）は
（ａ）図のｃ−ｃ線における断面図である。
【００１３】同図において、１１はホルダ本体であり、
該ホルダ本体１１は熱膨張率の小さいセラミックで形成
され、基板又は乾板１０を収容する凹部を有し、該凹部
には基板又は乾板１０を押し上げるばね１４が設けられ
ている。 さらに該ホルダ本体１１の表面には導電性をもたせるた
め導電性を有する金属膜が形成されている。
該ホルダ本体１１は熱膨張率の小さいセラミックで形成
され、基板又は乾板１０を収容する凹部を有し、該凹部
には基板又は乾板１０を押し上げるばね１４が設けられ
ている。 さらに該ホルダ本体１１の表面には導電性をもたせるた
め導電性を有する金属膜が形成されている。
【００１４】また１２は基板押え板であり、該基板押え
板１２はＴｉで形成され、ねじ１５でホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ばね１４で押し上げられる基板又は乾板
を係止するようになっている。
板１２はＴｉで形成され、ねじ１５でホルダ本体１１に
ねじ止めされ、ばね１４で押し上げられる基板又は乾板
を係止するようになっている。
【００１５】また１３は覆い板であり、該覆い板１３は
熱膨張率が小さく且つ導電性及び低電子放出性を有する
材料を用い、ホルダ本体１１の基板支承部分及び基板押
え板部分を除く領域を覆うことができる様に形成され、
ねじ１６でホルダ本体１１に固定されている。なお熱膨
張率が小さく、導電性を有し、低電子放出性の低い材料
としては、カーボン又は導電性ＳｉＣ があり覆い板に
好適である。
熱膨張率が小さく且つ導電性及び低電子放出性を有する
材料を用い、ホルダ本体１１の基板支承部分及び基板押
え板部分を除く領域を覆うことができる様に形成され、
ねじ１６でホルダ本体１１に固定されている。なお熱膨
張率が小さく、導電性を有し、低電子放出性の低い材料
としては、カーボン又は導電性ＳｉＣ があり覆い板に
好適である。
【００１６】このように構成された本実施例は、レジス
ト１０ａを塗布したクロム乾板１０（又は基板）を載置
し、電子ビーム露光装置により露光が行われる。この際
露光が長時間にわたっても、ホルダ本体１１と覆い板１
３は、共に熱膨張率の小さい材料で形成されているため
、熱変形は少ない。また覆い板１３に低電子放出性を有
する材料を用いているため、反射電子が少なくなり、反
射電子によるオーバ露光は無くなる。これにより熱膨張
及びオーバ露光によるパターン位置精度及び寸法精度の
悪化を減少させることができる。実際例としてカーボン
を用いた場合、位置精度は従来の３σ＝０．２μｍから
０．１μｍに、寸法精度は従来の３σ＝０．１５μｍか
ら０．１μｍに向上した。
ト１０ａを塗布したクロム乾板１０（又は基板）を載置
し、電子ビーム露光装置により露光が行われる。この際
露光が長時間にわたっても、ホルダ本体１１と覆い板１
３は、共に熱膨張率の小さい材料で形成されているため
、熱変形は少ない。また覆い板１３に低電子放出性を有
する材料を用いているため、反射電子が少なくなり、反
射電子によるオーバ露光は無くなる。これにより熱膨張
及びオーバ露光によるパターン位置精度及び寸法精度の
悪化を減少させることができる。実際例としてカーボン
を用いた場合、位置精度は従来の３σ＝０．２μｍから
０．１μｍに、寸法精度は従来の３σ＝０．１５μｍか
ら０．１μｍに向上した。
【００１７】
【発明の効果】本発明に依れば、覆い板を低熱膨張率で
且つ導電性及び低電子放出性を有する材料で形成したこ
とにより、長時間露光時にもパターン位置精度及び寸法
精度の悪化を減少させることができ、パターンの高精度
化に寄与するところ大である。
且つ導電性及び低電子放出性を有する材料で形成したこ
とにより、長時間露光時にもパターン位置精度及び寸法
精度の悪化を減少させることができ、パターンの高精度
化に寄与するところ大である。
【図１】本発明の実施例をクロム乾板と共に示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における
断面図、（ｃ）は（ａ）図のｃ−ｃ線における断面図で
ある。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における
断面図、（ｃ）は（ａ）図のｃ−ｃ線における断面図で
ある。
【図２】従来の電子ビーム露光装置を示す図である。
【図３】従来の基板ホルダを示す図で、（ａ）は平面図
、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図である。
、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図である。
【図４】発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。
図である。
１０…基板又はクロム乾板
１１…ホルダ本体
１２…基板押え板
１３…覆い板
１４…ばね
１５，１６ …ねじ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（１０）を支承するホルダ本体（
１１）と、基板（１０）を押圧保持する基板押え板（１
２）と、ホルダ本体（１１）上面の基板支承部分及び基
板押え板部分を除く領域を覆い、ホルダ本体（１１）表
面を保護する覆い板（１３）とを具備して成る電子ビー
ム露光装置用基板ホルダにおいて、上記覆い板（１３）
を低熱膨張率で、且つ導電性及び低電子放出性を有する
材料で形成したことを特徴とする基板ホルダ。 - 【請求項２】 上記覆い板（１３）の材料がカーボン
又は導電性ＳｉＣ であることを特徴とする請求項１の
基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3131120A JPH04356912A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3131120A JPH04356912A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356912A true JPH04356912A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15050455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3131120A Withdrawn JPH04356912A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356912A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184382B2 (en) * | 2003-03-24 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Energy beam irradiating apparatus |
| JP2014216407A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスクカバー用アース機構、マスクカバー、荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3131120A patent/JPH04356912A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184382B2 (en) * | 2003-03-24 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Energy beam irradiating apparatus |
| JP2014216407A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスクカバー用アース機構、マスクカバー、荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |