JPS6379320A - 半導体基板露光装置 - Google Patents
半導体基板露光装置Info
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- JPS6379320A JPS6379320A JP62174587A JP17458787A JPS6379320A JP S6379320 A JPS6379320 A JP S6379320A JP 62174587 A JP62174587 A JP 62174587A JP 17458787 A JP17458787 A JP 17458787A JP S6379320 A JPS6379320 A JP S6379320A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はリソグラフィ装置でのシンクロトロン放射に
よる半導体基板露光装置に関する。
よる半導体基板露光装置に関する。
［従来の技林ｉコ
放射線案内部の中を導かれる平行なＸ線が放射窓から放
射され、パターンを描かれたマスクとマスクの後ろに間
隔を離して置かれパターンを形成すべき半導体基板との
上に照射され、放射窓により決められるＸ線の照射面よ
り大きい一つの露光域をカバーするために、マスクと半
導体基板とが一緒に放射方向に垂直に可動であり、マス
クと半導体基板との上に設けられた調節マークが光学装
置を介して評価されて調節信号の導出のために用いられ
、このａｊ！！ｍ信号がマスクと半導体基板との相互ｙ
４節のための装置を制御するようになっている、リソグ
ラフィ装置でのシンクロトロン放射による半導体基板露
光装置は、ミュラー（Ｋ、 ）１．にｕｅｌｌｅｒ ）
及びプルグハウゼン（）１．Ｂｕｒｇｈａｕｓｅｎ）著
論文ｒＸ線リソグラフィのだめの重なり測定（Ｏｖｅｒ
ｌａｙ ＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＳｆｏｒＸ−Ｒａｙ−
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ） Ｊ 、ジャーナル オブ
バキューム サイエンス テクノロジー（Ｊ、 Ｖａ
ｃ。
射され、パターンを描かれたマスクとマスクの後ろに間
隔を離して置かれパターンを形成すべき半導体基板との
上に照射され、放射窓により決められるＸ線の照射面よ
り大きい一つの露光域をカバーするために、マスクと半
導体基板とが一緒に放射方向に垂直に可動であり、マス
クと半導体基板との上に設けられた調節マークが光学装
置を介して評価されて調節信号の導出のために用いられ
、このａｊ！！ｍ信号がマスクと半導体基板との相互ｙ
４節のための装置を制御するようになっている、リソグ
ラフィ装置でのシンクロトロン放射による半導体基板露
光装置は、ミュラー（Ｋ、 ）１．にｕｅｌｌｅｒ ）
及びプルグハウゼン（）１．Ｂｕｒｇｈａｕｓｅｎ）著
論文ｒＸ線リソグラフィのだめの重なり測定（Ｏｖｅｒ
ｌａｙ ＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＳｆｏｒＸ−Ｒａｙ−
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ） Ｊ 、ジャーナル オブ
バキューム サイエンス テクノロジー（Ｊ、 Ｖａ
ｃ。
Ｓｃｉ、↑ｃｈｒ＋ｏ１．） 、第Ｅ３ （１）巻、１
９８５年１月／り月、第２４１ページないし第２４４ペ
ージから知られている。その際放射窓は露光室の壁の中
にはめ込まれ、Ｘ線を露光室の中に配置されたマスク半
導体基板組み合わせ体へできる限り損失無く導くために
、露光室の中には真空又は約５０ｍｂａｒのヘリウム雰
囲気が形成される。マスクと半導体基板との上に設けら
れた調節マークの観察は、露光室の中に固定の軸線を中
心として回動可能に配置された二つの対物レンズを備え
る顕微鏡を介して行われる。
９８５年１月／り月、第２４１ページないし第２４４ペ
ージから知られている。その際放射窓は露光室の壁の中
にはめ込まれ、Ｘ線を露光室の中に配置されたマスク半
導体基板組み合わせ体へできる限り損失無く導くために
、露光室の中には真空又は約５０ｍｂａｒのヘリウム雰
囲気が形成される。マスクと半導体基板との上に設けら
れた調節マークの観察は、露光室の中に固定の軸線を中
心として回動可能に配置された二つの対物レンズを備え
る顕微鏡を介して行われる。
その際マスクと半導体基板との相互調節のために、対物
レンズが放射窓とマスクとの間の作業位置に回動して入
られ、この作業位置で対物レンズは放射方向にマスクの
直前にあり、調節マークに位置合わせされている。調節
の後に対物レンズは作業位置から回動して外されるので
、Ｘ線の入射は妨げられない。続いてマスク半導体基板
組み合わせ体の露光が行われ、放射窓により決められＸ
線の照射面より大きい一つの露光域をカバーするために
、組み合わせ体は２ｇ１ｔｌＢされた状態で放射方向に
垂直にＸ線により走査照射される。この装置では、露光
された半導体基板をこれから露光すべき半導体基板に交
換する際に、又は使用されたマスクを他のマスクに交換
する際に、露光室を開放しそして露光工程の継続のため
に真空又はヘリウム雰囲気を再び形成することが必要で
あり、このことは露光工程を時間がかかり面倒なものと
する。更に各調節工程のために顕微鏡の対物レンズを作
業位置に回動して入れ、次に続く露光の開始前に再び回
動して外さなけらばならず、このことは運転費を更に増
大する。
レンズが放射窓とマスクとの間の作業位置に回動して入
られ、この作業位置で対物レンズは放射方向にマスクの
直前にあり、調節マークに位置合わせされている。調節
の後に対物レンズは作業位置から回動して外されるので
、Ｘ線の入射は妨げられない。続いてマスク半導体基板
組み合わせ体の露光が行われ、放射窓により決められＸ
線の照射面より大きい一つの露光域をカバーするために
、組み合わせ体は２ｇ１ｔｌＢされた状態で放射方向に
垂直にＸ線により走査照射される。この装置では、露光
された半導体基板をこれから露光すべき半導体基板に交
換する際に、又は使用されたマスクを他のマスクに交換
する際に、露光室を開放しそして露光工程の継続のため
に真空又はヘリウム雰囲気を再び形成することが必要で
あり、このことは露光工程を時間がかかり面倒なものと
する。更に各調節工程のために顕微鏡の対物レンズを作
業位置に回動して入れ、次に続く露光の開始前に再び回
動して外さなけらばならず、このことは運転費を更に増
大する。
［発明が解決しようとする問題点］
この発明は、前記の欠点が生じない前記の種類の装置を
提供することを［１的とする。
提供することを［１的とする。
［問題点を解決するための手段］
この目的はこの発明に基づき、放射窓がスリット形に形
成されてマスクの直前に固定配置され、光学装置が放射
線案内部の脇に設けられ、調節時に照射面の外に存在す
るマスクの部分に位置合わせされていることにより達成
される。
成されてマスクの直前に固定配置され、光学装置が放射
線案内部の脇に設けられ、調節時に照射面の外に存在す
るマスクの部分に位置合わせされていることにより達成
される。
この発明に基づく装置は特に、同等の従来の装置を用い
る場合より速やかな半導体基板の露光が実施できること
により優れている。なぜならば真空引きすべさ又はヘリ
ウム雰囲気を送り込むべき露光室が無いからである。こ
の長所は、複数の露光域を有する半導体基板の露光に対
して、並びにそれぞれ同一のマスクによりパターンを形
成すべき一連の半導体基板の露光に対して、なお−層有
効である。
る場合より速やかな半導体基板の露光が実施できること
により優れている。なぜならば真空引きすべさ又はヘリ
ウム雰囲気を送り込むべき露光室が無いからである。こ
の長所は、複数の露光域を有する半導体基板の露光に対
して、並びにそれぞれ同一のマスクによりパターンを形
成すべき一連の半導体基板の露光に対して、なお−層有
効である。
この発明の有利な実施態様は特許請求の範囲第２項ない
し第６引に記載されている。
し第６引に記載されている。
［実施例］
次にこの発明に基づく装置の一実施例を示す図面により
、この発明の詳細な説明する。
、この発明の詳細な説明する。
第１図は、パターンを形成すべき半導体基板１に対して
定められた間隔を置いて保持されパターンを描かれたマ
スク２を使用しながら、管３を経て供給されるシンクロ
トロン放射により、パターンを形成すべき半導体基板１
を露光するための装置を備えたりソグラフィ装置を示す
。その際高い平行度を有するＸ線が問題であり、Ｘ線は
電子加速器のストレイシリングから引き出されるのが合
目的である。管３には放射線案内部４が接続し、この放
射線案内部は支柱４ｄ上に固定された円筒形の部分４ａ
と方形断面を有する付加部４ｂとから成り、付加部は放
射窓４ｃにより閉じられている。管３ないし付加部”４
ｂの中を導かれる放射線は、放射方向を示す矢印５によ
り示されている。
定められた間隔を置いて保持されパターンを描かれたマ
スク２を使用しながら、管３を経て供給されるシンクロ
トロン放射により、パターンを形成すべき半導体基板１
を露光するための装置を備えたりソグラフィ装置を示す
。その際高い平行度を有するＸ線が問題であり、Ｘ線は
電子加速器のストレイシリングから引き出されるのが合
目的である。管３には放射線案内部４が接続し、この放
射線案内部は支柱４ｄ上に固定された円筒形の部分４ａ
と方形断面を有する付加部４ｂとから成り、付加部は放
射窓４ｃにより閉じられている。管３ないし付加部”４
ｂの中を導かれる放射線は、放射方向を示す矢印５によ
り示されている。
その際図の紙面に垂直に測られた付加部４ｂ及び放射窓
４ｃの内のり幅は、鉛直方向に測られたその内のり高さ
より大きい寸法に選ばれているので、付加部４ｂ及び放
射窓４ｃの断面は管３を経て供給されるＸ線束の帯状断
面に適合している。
４ｃの内のり幅は、鉛直方向に測られたその内のり高さ
より大きい寸法に選ばれているので、付加部４ｂ及び放
射窓４ｃの断面は管３を経て供給されるＸ線束の帯状断
面に適合している。
内のり幅は例えば４０ｍｍとすることができ、内のり高
さは約８ｍｍである。
さは約８ｍｍである。
半導体基板１は支持板６上に固定され、支持板自体は結
合要素７により装てん板８に取り付けられている。装て
ん板８は台１０の孔９の中に押入され台１０に強固に結
合されている。台１０自体は間隔要素１１を備え、間ｒ
ｉＡ要素１１は台ｌＯを台板１２に対し定められた間隔
に保持している。
合要素７により装てん板８に取り付けられている。装て
ん板８は台１０の孔９の中に押入され台１０に強固に結
合されている。台１０自体は間隔要素１１を備え、間ｒ
ｉＡ要素１１は台ｌＯを台板１２に対し定められた間隔
に保持している。
台板１２は放射方向５に対し垂直な平面上に有り、この
平面上で鉛直方向に移動可能である。この目的のために
台板の付加部１３は孔１４を備え、この孔は底板１５に
固定されたビン１６上に移動可ｆオに支持されている。
平面上で鉛直方向に移動可能である。この目的のために
台板の付加部１３は孔１４を備え、この孔は底板１５に
固定されたビン１６上に移動可ｆオに支持されている。
底板の孔１７を通って突出し図示されていない駆動装置
により長手方向に移動可能なビン１８は、台板１２を従
って６ないし１１を介して台板１２に結合された半導体
ノ。（板１をも放射方向５に垂直に移動する・。
により長手方向に移動可能なビン１８は、台板１２を従
って６ないし１１を介して台板１２に結合された半導体
ノ。（板１をも放射方向５に垂直に移動する・。
補強された縁領域２ａを有するマスク２はマスク支Ｉ、
！具！９Ｊ二に取り付けられている。マスク支持具は孔
２０を有し、この孔はマスク２により覆われている。そ
の際マスク支持具１９はフランジ状部分１９ａにより台
板１２の放射方向前側の面に固定され、台板１２の孔１
２ａの中に突出する。それによりマスク２も孔１２ａの
中又は孔に対し放射方向５にずれた位置に存在する。し
かしながら放射方向５に逆向きのずれも同様に可能であ
る。更にマスク２が放射方向５に垂直な平面上で二方向
に平行移動可能にかつ補助的に回転可能に支持されてい
るように、マスク支持具１９は構成されている。詳細に
はマスク２は、その内の一つが第１図に示され符号２１
を伺けられている三つのビンを介して、孔２０を部分的
に覆う底部分２２に結合されており、その際ビンはマス
ク支持具１９の孔例えば２３を貫通して突出している。
！具！９Ｊ二に取り付けられている。マスク支持具は孔
２０を有し、この孔はマスク２により覆われている。そ
の際マスク支持具１９はフランジ状部分１９ａにより台
板１２の放射方向前側の面に固定され、台板１２の孔１
２ａの中に突出する。それによりマスク２も孔１２ａの
中又は孔に対し放射方向５にずれた位置に存在する。し
かしながら放射方向５に逆向きのずれも同様に可能であ
る。更にマスク２が放射方向５に垂直な平面上で二方向
に平行移動可能にかつ補助的に回転可能に支持されてい
るように、マスク支持具１９は構成されている。詳細に
はマスク２は、その内の一つが第１図に示され符号２１
を伺けられている三つのビンを介して、孔２０を部分的
に覆う底部分２２に結合されており、その際ビンはマス
ク支持具１９の孔例えば２３を貫通して突出している。
マスク２とマスク支持具１９との間の前記の相対連動は
、４＋ｊに圧電式の三つの調ｆｒＪ装首例えば２４によ
りもたらされ、その調節ビン例えば２５は二重矢印２６
の方向の一方に付加部２ｂに作用する。二つの付加部２
６に作用する三つの調節ａ ｖ１２４により、マスク２
とマスク支持具１９との間の前記の相対運動を引き起こ
すことができる。このように形成されたマスク支持具は
それ自体、例えば「アイビーエム テクニカル ディス
クロージャー ブレテ４ ｙ （ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎ、
Ｄｉｓｃｌ。
、４＋ｊに圧電式の三つの調ｆｒＪ装首例えば２４によ
りもたらされ、その調節ビン例えば２５は二重矢印２６
の方向の一方に付加部２ｂに作用する。二つの付加部２
６に作用する三つの調節ａ ｖ１２４により、マスク２
とマスク支持具１９との間の前記の相対運動を引き起こ
すことができる。このように形成されたマスク支持具は
それ自体、例えば「アイビーエム テクニカル ディス
クロージャー ブレテ４ ｙ （ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎ、
Ｄｉｓｃｌ。
Ｂｕｌｌ、 ） Ｊ 、第２５巻、第１２号、１９８３
年５月、第６４００ページないし第６４０１ページから
既に知られている。
年５月、第６４００ページないし第６４０１ページから
既に知られている。
半導体基板ｌとマスク２との相互調節は少なくとも二つ
の光学装置例えば２７と２８により行われ、これらの光
学装置は第１図において前後に重なっているので、これ
らの装置の内の一つ例えば２７だけが見える。光学装置
とは特に顕ｍ鏡の二つの対物レンズと解釈でき、この顕
微鏡は望ましくは支柱２９の中に配置され、調節マーク
の像は鏡３０を介してテレビジョン撮影装置３２の映像
面３１上に伝達され、テレビジョン撮影装置はこの像か
ら電気信号を導出し、この信号は電子式データ処理装置
３３に供給される。データ処理装置は受は取った電鉢信
号から調節信号を導出し、調節信号はＨＪ節装置２４に
供給される。この調節信号を用いて、ここでは固定され
ていると考えることができる半導体基板１に関するマス
ク２の位置の微調節が行われるので、これらの両部品の
正確な位置合わせが達成される。
の光学装置例えば２７と２８により行われ、これらの光
学装置は第１図において前後に重なっているので、これ
らの装置の内の一つ例えば２７だけが見える。光学装置
とは特に顕ｍ鏡の二つの対物レンズと解釈でき、この顕
微鏡は望ましくは支柱２９の中に配置され、調節マーク
の像は鏡３０を介してテレビジョン撮影装置３２の映像
面３１上に伝達され、テレビジョン撮影装置はこの像か
ら電気信号を導出し、この信号は電子式データ処理装置
３３に供給される。データ処理装置は受は取った電鉢信
号から調節信号を導出し、調節信号はＨＪ節装置２４に
供給される。この調節信号を用いて、ここでは固定され
ていると考えることができる半導体基板１に関するマス
ク２の位置の微調節が行われるので、これらの両部品の
正確な位置合わせが達成される。
放射窓４ｃは放射方向５にマスク２の直前に置かれ、そ
の際放射窓は孔２０の中又は第１図に応じてマスク２の
枠状に補強された縁領域２ａの中に固定配置されている
。その際光学装置２７゜２８は放射線案内部４ｂの脇に
設けられ、同様に孔２０の内部に置かれている。マスク
又は半導体基板の放射を４０に向かい合った部分を照射
面と呼ぶとき、基板１．マスク２．放射窓４の第１図に
示された相対位ｎにおいて、供給されるシンクロトロン
放射の照射面の外側に存在するマスク２の部分に、光学
装置２７．２８が位置合わせされている。
の際放射窓は孔２０の中又は第１図に応じてマスク２の
枠状に補強された縁領域２ａの中に固定配置されている
。その際光学装置２７゜２８は放射線案内部４ｂの脇に
設けられ、同様に孔２０の内部に置かれている。マスク
又は半導体基板の放射を４０に向かい合った部分を照射
面と呼ぶとき、基板１．マスク２．放射窓４の第１図に
示された相対位ｎにおいて、供給されるシンクロトロン
放射の照射面の外側に存在するマスク２の部分に、光学
装置２７．２８が位置合わせされている。
半導体基板１の露光のために、基板１はまず台板１２に
対して従って台板に支持されたマスク２に対して、定め
られた露光域ＢＦがマスクに向かい合うような位置に持
ってこられるように悪行される。このことは後に第２図
により説明する方法で行われる。それにより半導体基板
とマスク２との調節マークは、それらの像が光学装置２
７゜２８を介して撮影され映像面３１へ伝達できるよう
に、密接して並んでいる。装置３３の中で導出された調
節信号は調節装置２４に影響し、それにより基板１とマ
スク２の相互の正確な調節が保証される。
対して従って台板に支持されたマスク２に対して、定め
られた露光域ＢＦがマスクに向かい合うような位置に持
ってこられるように悪行される。このことは後に第２図
により説明する方法で行われる。それにより半導体基板
とマスク２との調節マークは、それらの像が光学装置２
７゜２８を介して撮影され映像面３１へ伝達できるよう
に、密接して並んでいる。装置３３の中で導出された調
節信号は調節装置２４に影響し、それにより基板１とマ
スク２の相互の正確な調節が保証される。
調節された位置で台板１２及びそれと共に半導体基板１
とマスク２とが、調節ビン１８の上向きの運動により垂
直に一ヒに向かって動かされるので、平行なＸ線５を供
給する際に、照射面はゆっくりと上から下に向かって露
光域ＢＦ全全体わたって移動される。放射窓４ｃのそば
を通り過ぎる基板ｌとマスク２の共通なこの運動は走査
運動とも呼ぶことができる。露光域ＢＦの露光の後にマ
スク２が新しい露光域ＢＦ’ に向かい合うように、半
導体基板１が台板１２に対して従ってマスク２に対して
移動される。この調節はステップ連動と解釈することが
できる。
とマスク２とが、調節ビン１８の上向きの運動により垂
直に一ヒに向かって動かされるので、平行なＸ線５を供
給する際に、照射面はゆっくりと上から下に向かって露
光域ＢＦ全全体わたって移動される。放射窓４ｃのそば
を通り過ぎる基板ｌとマスク２の共通なこの運動は走査
運動とも呼ぶことができる。露光域ＢＦの露光の後にマ
スク２が新しい露光域ＢＦ’ に向かい合うように、半
導体基板１が台板１２に対して従ってマスク２に対して
移動される。この調節はステップ連動と解釈することが
できる。
第２図は放射方向５に逆向きに見た第１図に示す装置の
立面図を示す、半導体基板を取り付けた装てん板８がそ
の孔の中にはめ込まれている台１０は、駆！！ｌＪ装置
３４．３５．３６により台板１２に対して相対的に動か
すことができる０台１０は台板１２とＵ字形のリンク３
７との間に支持されるのが有利であり、このリンクは台
板１２に取り付けられた案内部３８の中に水平に移動可
能に支持されている。この方向へのリンク３７の駆動は
、同様に台板１２に固定された駆動装置３日の調節ビン
３９を介して行われる。リンク３７に固定された駆動装
置３４．３５の調節ビン４０．４１は、台１０に固定さ
れたビン４２゜４３を用いて台ｌＯを移動し、これらの
ビンのうちビン４３は調節ビン４１の孔４４の中に保持
されている。調節ビン３９，４０．４１はそれぞれ図示
の二重矢印の両方向に可動である。装置ａ３４ないし３
６により前記のステップ運動が引き起こされ、このステ
ップ連動により半導体基板工がマスク２に対して異なる
露光域ＢＦ又はＢＦ’ に調節される。ここでも両光
学装置は符号２７と２８が付けられ、これらの光学装置
はマスクと半導体基板との微調部のために用いられる。
立面図を示す、半導体基板を取り付けた装てん板８がそ
の孔の中にはめ込まれている台１０は、駆！！ｌＪ装置
３４．３５．３６により台板１２に対して相対的に動か
すことができる０台１０は台板１２とＵ字形のリンク３
７との間に支持されるのが有利であり、このリンクは台
板１２に取り付けられた案内部３８の中に水平に移動可
能に支持されている。この方向へのリンク３７の駆動は
、同様に台板１２に固定された駆動装置３日の調節ビン
３９を介して行われる。リンク３７に固定された駆動装
置３４．３５の調節ビン４０．４１は、台１０に固定さ
れたビン４２゜４３を用いて台ｌＯを移動し、これらの
ビンのうちビン４３は調節ビン４１の孔４４の中に保持
されている。調節ビン３９，４０．４１はそれぞれ図示
の二重矢印の両方向に可動である。装置ａ３４ないし３
６により前記のステップ運動が引き起こされ、このステ
ップ連動により半導体基板工がマスク２に対して異なる
露光域ＢＦ又はＢＦ’ に調節される。ここでも両光
学装置は符号２７と２８が付けられ、これらの光学装置
はマスクと半導体基板との微調部のために用いられる。
台１０に固定されるのが合口的である間隔要素１１は、
真空制御された吸引装置を備えるのが有利であり、この
吸引装置は第１図において溝４５により示されている。
真空制御された吸引装置を備えるのが有利であり、この
吸引装置は第１図において溝４５により示されている。
その際溝４５の中の真空の形成により台板１２と台１０
とが相互に固定される。これが行われるのは、装置３４
ないし３６を用いて半導体基板１をマスク２に向かい合
った露光域例えばＢＦ上に調節した後で、かつ調節装置
２４を用いて基板ｌとマスク２を相互に調節する前であ
る。
とが相互に固定される。これが行われるのは、装置３４
ないし３６を用いて半導体基板１をマスク２に向かい合
った露光域例えばＢＦ上に調節した後で、かつ調節装置
２４を用いて基板ｌとマスク２を相互に調節する前であ
る。
第１図はこの発明に基づく露光装置の一実施例の縦断面
図、第２図は第１図に示す露光装置の放射方向に対し逆
向きに見た立面図である。 １◆拳番半導体基板、 ２・自・マスク、４ａ、４ｂ＊
壷−放射線案内部、 ４ｃ・・争放射窓、 ５争・争放
射方向、 ８，１０・・・支持具、 １２・・・台板
、 １２ａ−働・孔、１９壷・・マスク支持具、
２４拳・・駆動装置、 ２７．２８・φや光学装置
。 ＩＧ １
図、第２図は第１図に示す露光装置の放射方向に対し逆
向きに見た立面図である。 １◆拳番半導体基板、 ２・自・マスク、４ａ、４ｂ＊
壷−放射線案内部、 ４ｃ・・争放射窓、 ５争・争放
射方向、 ８，１０・・・支持具、 １２・・・台板
、 １２ａ−働・孔、１９壷・・マスク支持具、
２４拳・・駆動装置、 ２７．２８・φや光学装置
。 ＩＧ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）放射線案内部（４ａ、４ｂ）の中を導かれる平行な
Ｘ線が放射窓（４ｃ）から放射さ れ、パターンを描かれたマスク（２）とマスクの後ろに
間隔を離して置かれパターンを形成すべき半導体基板（
１）との上に照射さ れ、放射窓（４ｃ）により決められるＸ線の照射面より
大きい一つの露光域（ＢＦ）をカバーするために、マス
ク（２）と半導体基板（１）とが一緒に放射方向（５）
に垂直に可動であり、マスク（２）と半導体基板（１）
との上に設けられた調節マークが光学装置 （２７、２８）を介して評価されて調節信号の導出のた
めに用いられ、この調節信号がマスクと半導体基板との
相互調節のための装置（２４）を制御するようになって
いる、リ ソグラフィ装置でのシンクロトロン放射に よる半導体基板露光装置において、放射窓 （４ｃ）がスリット形に形成されてマスク （２）の直前に固定配置され、光学装置 （２７、２８）が放射線案内部の脇に設けられ、調節時
に照射面の外に存在するマスク （２）の部分に位置合わせされていることを特徴とする
半導体基板露光装置。 ２）マスク（２）と半導体基板（１）とが台板（１２）
上に支持され、この台板を用いてマスクと半導体基板と
を一緒に放射方向（５）に垂直に動かすことができ、マ
スク（２）が台板の孔（１２ａ）の中に配置されている か、又はこの孔に対して放射方向（５）に或はその反対
方向にずらして配置されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の装置。 ３）光学装置（２７、２８）が部分的に台板（１２）の
孔の中に固定配置されているこ とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は 第２項記載の装置。 ４）半導体基板（１）のための支持具（８、１０）が設
けられ、複数の露光域（ＢＦ、 ＢＦ′）が順次露光できるように、支持具がマスク（２
）に対して相対的にかつ放射方向（５）に垂直に半導体
基板を動かすことが可能であることを特徴とする特許請
求の範囲 第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の装置。 ５）半導体基板のための支持具（８、１０）が、台板（
１２）の放射方向（５）後ろ側の面上に設けられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の装置。 ６）マスク支持具（１９）が設けられ、この支持具が台
板（１２）の放射方向前側の面上に取り付けられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれか１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3623875 | 1986-07-15 | ||
| DE3623875.9 | 1986-07-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379320A true JPS6379320A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=6305228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62174587A Pending JPS6379320A (ja) | 1986-07-15 | 1987-07-13 | 半導体基板露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4856037A (ja) |
| EP (1) | EP0253283A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6379320A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8803171D0 (en) * | 1988-02-11 | 1988-03-09 | English Electric Valve Co Ltd | Imaging apparatus |
| US5276725A (en) * | 1988-05-10 | 1994-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system |
| JP2623123B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | 微動ステージ装置 |
| DE68922945T2 (de) * | 1988-09-09 | 1995-11-16 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsvorrichtung. |
| JP2728898B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1998-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP2860578B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1999-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5241183A (en) * | 1991-03-22 | 1993-08-31 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical xy stage |
| US5235626A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-10 | International Business Machines Corporation | Segmented mask and exposure system for x-ray lithography |
| JPH0661000A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Hitachi Ltd | 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置 |
| JP3287725B2 (ja) * | 1994-06-07 | 2002-06-04 | キヤノン株式会社 | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 |
| DE4424274C1 (de) * | 1994-07-09 | 1996-01-11 | Jenoptik Technologie Gmbh | Einrichtung zur Manipulation eines Synchrotronstrahlenbündels |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH643959A5 (de) * | 1978-04-14 | 1984-06-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur automatischen lageerkennung von halbleiterchips. |
| EP0005462B1 (de) * | 1978-05-22 | 1983-06-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Positionieren von zwei aufeinander einzujustierenden Objekten |
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
-
1987
- 1987-07-07 EP EP87109818A patent/EP0253283A3/de not_active Withdrawn
- 1987-07-13 JP JP62174587A patent/JPS6379320A/ja active Pending
- 1987-07-15 US US07/073,435 patent/US4856037A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0253283A2 (de) | 1988-01-20 |
| EP0253283A3 (de) | 1988-07-20 |
| US4856037A (en) | 1989-08-08 |
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