JPH04356920A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH04356920A JPH04356920A JP12268991A JP12268991A JPH04356920A JP H04356920 A JPH04356920 A JP H04356920A JP 12268991 A JP12268991 A JP 12268991A JP 12268991 A JP12268991 A JP 12268991A JP H04356920 A JPH04356920 A JP H04356920A
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- electrode
- etching
- etching apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ドライエッチング装
置に関する。さらに詳しくは、この発明は、シリコンウ
エハ等の基板に形成されたＳｉＯ２層等の被処理体に高
速、高選択比のエッチングを再現性よく安定的に行うこ
とのできるドライエッチング装置に関する。
置に関する。さらに詳しくは、この発明は、シリコンウ
エハ等の基板に形成されたＳｉＯ２層等の被処理体に高
速、高選択比のエッチングを再現性よく安定的に行うこ
とのできるドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩはデバイスパターンの微
細化とウェハーの大口径化が進展しており、それに伴い
その製造プロセスにおいては各ウェハーの加工の均一性
を確保するために、複数のウェハーを同時に処理するバ
ッチ式から１枚ずつ処理する枚葉式への転換が進められ
ている。例えば、ドライエッチングプロセスにおいても
従来のバッチ式から枚葉式への転換が行われている。
細化とウェハーの大口径化が進展しており、それに伴い
その製造プロセスにおいては各ウェハーの加工の均一性
を確保するために、複数のウェハーを同時に処理するバ
ッチ式から１枚ずつ処理する枚葉式への転換が進められ
ている。例えば、ドライエッチングプロセスにおいても
従来のバッチ式から枚葉式への転換が行われている。
【０００３】この場合、枚葉式ドライエッチング装置を
使用してバッチ式ドライエッチング装置を使用した場合
と同等の生産性を維持するためには、枚葉式ドライエッ
チング装置におけるエッチレートとエッチング選択比と
を大巾に向上させることが必要となる。
使用してバッチ式ドライエッチング装置を使用した場合
と同等の生産性を維持するためには、枚葉式ドライエッ
チング装置におけるエッチレートとエッチング選択比と
を大巾に向上させることが必要となる。
【０００４】エッチレートを大幅に向上させることに関
し、枚葉式のドライエッチング装置として、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン共鳴）放電を利用した有磁場μ波プラ
ズマエッチング装置やマグネトロン放電を利用したマグ
ネトロンＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置等の高
密度のプラズマを利用するドライエッチング装置が使用
されるようになっている。
し、枚葉式のドライエッチング装置として、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン共鳴）放電を利用した有磁場μ波プラ
ズマエッチング装置やマグネトロン放電を利用したマグ
ネトロンＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置等の高
密度のプラズマを利用するドライエッチング装置が使用
されるようになっている。
【０００５】一方、従来のドライエッチング装置におい
ては、エッチングの際にカソード電極がスパッタリング
されてウェハに対する汚染物質を発生しないようにする
ために、カソード電極上に電極保護カバーが設けられて
いたが、このカソード電極保護カバーを一つの材料とし
て、エッチングの際にスパッタリングされると被処理体
をエッチングするエッチャントを供給する材料を使用し
、これによりエッチングの際に、反応ガスの解離以外に
もエッチャントが供給されるようにしてエッチレートの
向上を図ることがなされている。例えば、ＳｉＯ２をエ
ッチングする際の電極保護カバー材料として、ＳｉＯ２
のエッチャントとなるＣＦｘ＋を供給するポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素樹脂が使用されている。
ては、エッチングの際にカソード電極がスパッタリング
されてウェハに対する汚染物質を発生しないようにする
ために、カソード電極上に電極保護カバーが設けられて
いたが、このカソード電極保護カバーを一つの材料とし
て、エッチングの際にスパッタリングされると被処理体
をエッチングするエッチャントを供給する材料を使用し
、これによりエッチングの際に、反応ガスの解離以外に
もエッチャントが供給されるようにしてエッチレートの
向上を図ることがなされている。例えば、ＳｉＯ２をエ
ッチングする際の電極保護カバー材料として、ＳｉＯ２
のエッチャントとなるＣＦｘ＋を供給するポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素樹脂が使用されている。
【０００６】こうした電極保護カバーを、前述の高密度
のプラズマを利用するマグネトロンＲＩＥ装置等のドラ
イエッチング装置に適用し、エッチレートを向上させる
ことが考えられる。図３に、この場合の被処理体付近の
構成を概略的に示す。同図において、グラウンド電位と
なっているアノード電極３２の上方に、図中矢印で示さ
れているように偏心回転する永久磁石３１が設けられて
いる。そして、ブロッキングコンデンサー３８を介して
１３．５６ＭＨｚの高周波電源３７と接続しているカソ
ード電極３６に、表面にＳｉＯ２層が形成されている試
料のシリコンウェハ３５が載置されている。シリコンウ
ェハ３５により覆われていないカソード電極３６の部分
には、カソード電極３６をエッチングから保護するため
に、ポリテトラフルオロエチレン製の電極保護カバー３
４がシリコンウェハ３５の上から配設され、押さえ治具
３３で固定されている。この電極保護カバー３４は、ポ
リテトラフルオロエチレン製であるので、エッチングの
際にそれ自身がプラズマやイオンビームにさらされて、
シリコンウェハ３５に対するエッチャントとなるＣＦｘ
＋を供給するスパッタターゲットとしても機能する。
のプラズマを利用するマグネトロンＲＩＥ装置等のドラ
イエッチング装置に適用し、エッチレートを向上させる
ことが考えられる。図３に、この場合の被処理体付近の
構成を概略的に示す。同図において、グラウンド電位と
なっているアノード電極３２の上方に、図中矢印で示さ
れているように偏心回転する永久磁石３１が設けられて
いる。そして、ブロッキングコンデンサー３８を介して
１３．５６ＭＨｚの高周波電源３７と接続しているカソ
ード電極３６に、表面にＳｉＯ２層が形成されている試
料のシリコンウェハ３５が載置されている。シリコンウ
ェハ３５により覆われていないカソード電極３６の部分
には、カソード電極３６をエッチングから保護するため
に、ポリテトラフルオロエチレン製の電極保護カバー３
４がシリコンウェハ３５の上から配設され、押さえ治具
３３で固定されている。この電極保護カバー３４は、ポ
リテトラフルオロエチレン製であるので、エッチングの
際にそれ自身がプラズマやイオンビームにさらされて、
シリコンウェハ３５に対するエッチャントとなるＣＦｘ
＋を供給するスパッタターゲットとしても機能する。
【０００７】エッチングの際には、カソード電極３６と
アノード電極３２との間に高周波電源３７から電圧を印
加し、アノード電極３２とカソード電極３６との間に、
ほぼシリコンウェハ３５を覆うような高密度のプラズマ
３９を形成する。この時、磁場強度の分布によってプラ
ズマ密度に粗密ができるので、永久磁石３１を偏心回転
させることでウェハ上のプラズマ密度の均一化を図って
いる。
アノード電極３２との間に高周波電源３７から電圧を印
加し、アノード電極３２とカソード電極３６との間に、
ほぼシリコンウェハ３５を覆うような高密度のプラズマ
３９を形成する。この時、磁場強度の分布によってプラ
ズマ密度に粗密ができるので、永久磁石３１を偏心回転
させることでウェハ上のプラズマ密度の均一化を図って
いる。
【０００８】しかしながら、このようにエッチングを行
うと、シリコンウェハ３５側の電極保護カバー３４はプ
ラズマ３９に常時接することとなる。従って、プラズマ
３９に接している電極保護カバー３４の部分は、高密度
のプラズマからの輻射熱や大きな入射イオン電流等の影
響で、図４に示すように、アノード電極３２側に反りか
えるように変形する。このためプラズマが電極保護カバ
ー３４の下方に入り込み、シリコンウェハ３５のエッチ
ング環境が変化するので、エッチングの再現性が低下す
るという問題があった。また、多数回にわたってシリコ
ンウェハ３５をエッチングすると電極保護カバー３４の
変形が著しいものとなり、その結果、カソード電極３６
が露出するようになってカソード電極３６自体がエッチ
ングされるようになる。このため、カソード電極３６が
電極材料として一般に使用されているアルミニウムから
形成されている場合には、カソード電極３６からアルミ
ニウム原子がはじき出され、それがシリコンウェハ３５
を汚染するという問題もあった。
うと、シリコンウェハ３５側の電極保護カバー３４はプ
ラズマ３９に常時接することとなる。従って、プラズマ
３９に接している電極保護カバー３４の部分は、高密度
のプラズマからの輻射熱や大きな入射イオン電流等の影
響で、図４に示すように、アノード電極３２側に反りか
えるように変形する。このためプラズマが電極保護カバ
ー３４の下方に入り込み、シリコンウェハ３５のエッチ
ング環境が変化するので、エッチングの再現性が低下す
るという問題があった。また、多数回にわたってシリコ
ンウェハ３５をエッチングすると電極保護カバー３４の
変形が著しいものとなり、その結果、カソード電極３６
が露出するようになってカソード電極３６自体がエッチ
ングされるようになる。このため、カソード電極３６が
電極材料として一般に使用されているアルミニウムから
形成されている場合には、カソード電極３６からアルミ
ニウム原子がはじき出され、それがシリコンウェハ３５
を汚染するという問題もあった。
【０００９】これらの問題点を解決するため本発明者は
、電極保護カバーに独立した冷却手段を設けることを先
に提案した（特願平１−３１５７２７号）。
、電極保護カバーに独立した冷却手段を設けることを先
に提案した（特願平１−３１５７２７号）。
【００１０】また、枚葉式のドライエッチング装置にお
いてエッチング選択比を向上させるために、異なる材質
の電極保護カバーを配設した複数の処理室において連続
的にエッチングを行うことにより、ＳｉＯ２等のエッチ
ングすべき対象表面にパターン形成されたレジストの表
面に、エッチング保護層となるカーボンやシリコン等の
デポジション反応種を堆積させることと、エッチャント
を供給することの双方を行うことも提案されている（特
願平２−２０５５２５号）。
いてエッチング選択比を向上させるために、異なる材質
の電極保護カバーを配設した複数の処理室において連続
的にエッチングを行うことにより、ＳｉＯ２等のエッチ
ングすべき対象表面にパターン形成されたレジストの表
面に、エッチング保護層となるカーボンやシリコン等の
デポジション反応種を堆積させることと、エッチャント
を供給することの双方を行うことも提案されている（特
願平２−２０５５２５号）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに電極保護カバーに独立した冷却手段を設けたとして
も、電極保護カバ−の変形は徐々に進むので、非常に多
くの回数のエッチングを行うとやはりエッチングの再現
性が低下するという問題があった。また、フッ素樹脂か
らなる電極保護カバーに独立した冷却手段を加工形成す
ることが技術的に困難であるという問題もあった。
うに電極保護カバーに独立した冷却手段を設けたとして
も、電極保護カバ−の変形は徐々に進むので、非常に多
くの回数のエッチングを行うとやはりエッチングの再現
性が低下するという問題があった。また、フッ素樹脂か
らなる電極保護カバーに独立した冷却手段を加工形成す
ることが技術的に困難であるという問題もあった。
【００１２】また、高選択比でエッチングを行うために
、ウェハにパターン形成したレジストの表面にカーボン
等のデポジション反応種も堆積させるためにはエッチン
グの際にエッチャント供給源となるフッ素樹脂等からな
る電極保護カバーとデポジション反応種の供給源となる
シリコンカーバイド等からなる電極保護カバーとがそれ
ぞれ配設されている複数の処理室でエッチングを行わな
ければならないという繁雑な工程が不可欠であるという
問題もあった。
、ウェハにパターン形成したレジストの表面にカーボン
等のデポジション反応種も堆積させるためにはエッチン
グの際にエッチャント供給源となるフッ素樹脂等からな
る電極保護カバーとデポジション反応種の供給源となる
シリコンカーバイド等からなる電極保護カバーとがそれ
ぞれ配設されている複数の処理室でエッチングを行わな
ければならないという繁雑な工程が不可欠であるという
問題もあった。
【００１３】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、シリコンウエハ等の基板
に形成されたＳｉＯ２層等の高速・高選択比エッチング
を再現性よく安定的に行うことのできるドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
解決しようとするものであり、シリコンウエハ等の基板
に形成されたＳｉＯ２層等の高速・高選択比エッチング
を再現性よく安定的に行うことのできるドライエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、電極上に被処理体を載置し、被処理
体が載置されていない部分の電極上に電極保護カバーを
配設して被処理体をエッチングするドライエッチング装
置において、電極保護カバーが耐熱性部材とエッチャン
ト供給部材とからなり、該耐熱性部材がエッチングの際
に高密度のエネルギーが供給される部分に配設され、該
エッチャント供給部材がエッチングの際に高密度のエネ
ルギーが供給される部分以外の少なくとも一部に配設さ
れていることを特徴とするドライエッチング装置を提供
する。
めに、この発明は、電極上に被処理体を載置し、被処理
体が載置されていない部分の電極上に電極保護カバーを
配設して被処理体をエッチングするドライエッチング装
置において、電極保護カバーが耐熱性部材とエッチャン
ト供給部材とからなり、該耐熱性部材がエッチングの際
に高密度のエネルギーが供給される部分に配設され、該
エッチャント供給部材がエッチングの際に高密度のエネ
ルギーが供給される部分以外の少なくとも一部に配設さ
れていることを特徴とするドライエッチング装置を提供
する。
【００１５】この発明のドライエッチング装置は、電極
上に被処理体を載置し、被処理体によって覆われていな
い電極の部分に電極保護カバーを配設して被処理体をエ
ッチングするタイプのエッチング装置において、電極保
護カバーを特定の材質構成にしたものである。従って、
この発明を特徴づける電極保護カバーを使用する限り従
来から使用されているマグネトロンＲＩＥ装置、有磁場
マイクロ波プラスマエッチング装置等もこの発明の範囲
である。また、この発明は、被処理体として、シリコン
ウェハやＧａＡｓウエハ等の半導体基板やその他の種々
の基板に対して適用できる。
上に被処理体を載置し、被処理体によって覆われていな
い電極の部分に電極保護カバーを配設して被処理体をエ
ッチングするタイプのエッチング装置において、電極保
護カバーを特定の材質構成にしたものである。従って、
この発明を特徴づける電極保護カバーを使用する限り従
来から使用されているマグネトロンＲＩＥ装置、有磁場
マイクロ波プラスマエッチング装置等もこの発明の範囲
である。また、この発明は、被処理体として、シリコン
ウェハやＧａＡｓウエハ等の半導体基板やその他の種々
の基板に対して適用できる。
【００１６】この発明において、耐熱性部材はエッチン
グの際に実質的に熱変形しない材料、例えば無機耐熱性
材料から形成することが好ましく、更に、エッチング条
件下で被処理体の表面に設けられたパターン形成された
レジスト表面にエッチング条件下で堆積することのでき
るカーボンやシリコン等のデポジション反応種を供給で
きる材料から形成することが好ましい。デポジション反
応種がカーボンやシリコンである場合には、耐熱性部材
はシリコンカーバイドやアモルファスカーボンから形成
することが好ましい。
グの際に実質的に熱変形しない材料、例えば無機耐熱性
材料から形成することが好ましく、更に、エッチング条
件下で被処理体の表面に設けられたパターン形成された
レジスト表面にエッチング条件下で堆積することのでき
るカーボンやシリコン等のデポジション反応種を供給で
きる材料から形成することが好ましい。デポジション反
応種がカーボンやシリコンである場合には、耐熱性部材
はシリコンカーバイドやアモルファスカーボンから形成
することが好ましい。
【００１７】また、エッチャント供給部材としては、エ
ッチングの対象である被処理体の種類等により異なるが
、被処理体が表面にＳｉＯ２層が形成されたシリコンウ
ェハの場合には、エッチング条件下でＣＦｘ＋を供給で
きる材料のフッ素樹脂、中でもポリテトラフルオロエチ
レンから形成することが好ましい。
ッチングの対象である被処理体の種類等により異なるが
、被処理体が表面にＳｉＯ２層が形成されたシリコンウ
ェハの場合には、エッチング条件下でＣＦｘ＋を供給で
きる材料のフッ素樹脂、中でもポリテトラフルオロエチ
レンから形成することが好ましい。
【００１８】なお，耐熱性部材及びエッチャント供給部
材は、それぞれ複数の材質から構成してもよい。
材は、それぞれ複数の材質から構成してもよい。
【００１９】
【作用】この発明のドライエッチング装置は、カソード
電極を保護するための電極保護カバーの中の、エッチン
グの際に高密度のエネルギーが供給される部分、例えば
高密度プラズマに接し高熱にさらされる部分を耐熱性材
料で形成するので、電極保護カバーを熱変形しないよう
にすることを可能とする。これにより、エッチングの再
現性が向上する。
電極を保護するための電極保護カバーの中の、エッチン
グの際に高密度のエネルギーが供給される部分、例えば
高密度プラズマに接し高熱にさらされる部分を耐熱性材
料で形成するので、電極保護カバーを熱変形しないよう
にすることを可能とする。これにより、エッチングの再
現性が向上する。
【００２０】また、高熱にさらされる部分以外の電極保
護カバーのすくなくとも一部をエッチャントを供給でき
るエッチャント供給部材から構成するので、エッチレー
トを向上させることが可能となる。
護カバーのすくなくとも一部をエッチャントを供給でき
るエッチャント供給部材から構成するので、エッチレー
トを向上させることが可能となる。
【００２１】更に、耐熱性部材を、半導体基板等の被処
理体上に設けられたレジストの表面にエッチング条件下
で析出するカーボンやシリコン等のデポジション反応種
を供給する材料から構成することにより、高選択比での
エッチングを可能とする。
理体上に設けられたレジストの表面にエッチング条件下
で析出するカーボンやシリコン等のデポジション反応種
を供給する材料から構成することにより、高選択比での
エッチングを可能とする。
【００２２】加えて、耐熱性部材とエッチャント供給部
材の表面積の割合を制御することにより、高速で高選択
比のエッチングをするためのエッチング条件の最適化が
可能となる。
材の表面積の割合を制御することにより、高速で高選択
比のエッチングをするためのエッチング条件の最適化が
可能となる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明を図面を参照しながら具体的
に説明する。ただし、この発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
に説明する。ただし、この発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００２４】図１はこの発明のドライエッチング装置の
カソード電極の電極保護カバーの一態様を示す平面図で
ある。ここで、エッチング装置本体は図３で説明したマ
グネトロンＲＩＥ装置と同様とした。
カソード電極の電極保護カバーの一態様を示す平面図で
ある。ここで、エッチング装置本体は図３で説明したマ
グネトロンＲＩＥ装置と同様とした。
【００２５】このようなマグネトロンＲＩＥ装置の場合
、高密度プラズマは、オリエンテーションフラット１４
を有し、表面にＳｉＯ２層が形成されたほぼ円形のシリ
コンウェハ１０をほぼ覆うように形成される。従って、
電極保護カバー１１のシリコンウェハ１０に近い側の内
周部が、エッチングの際に高密度プラズマに常時接する
ことになる。このことから、図１の電極保護カバー１１
は、シリコンウェハ１０のオリエンテーションフラット
１４に適合した中空部を有するドーナツ状の形状を有し
、その内周部にシリコンカーバイドからなる耐熱性部材
１２が配設され、外周部にポリフルオロエチレン製のエ
ッチャント供給部材１３が配設されている。こうして、
高熱にさらされる電極保護カバー１１の内周部を耐熱性
部材１２で構成することにより、電極保護カバー１１が
熱変形しなくなる。更に、シリコンカーバイドからなる
耐熱性部材１２は、エッチングの際にイオン照射を受け
、シリコンウェハ１０上のパターン形成されたレジスト
表面に析出するカーボンやシリコンのデポジション反応
種を供給するので、シリコンウェハ１０上のＳｉＯ２層
の高選択比でのエッチングが可能となる。
、高密度プラズマは、オリエンテーションフラット１４
を有し、表面にＳｉＯ２層が形成されたほぼ円形のシリ
コンウェハ１０をほぼ覆うように形成される。従って、
電極保護カバー１１のシリコンウェハ１０に近い側の内
周部が、エッチングの際に高密度プラズマに常時接する
ことになる。このことから、図１の電極保護カバー１１
は、シリコンウェハ１０のオリエンテーションフラット
１４に適合した中空部を有するドーナツ状の形状を有し
、その内周部にシリコンカーバイドからなる耐熱性部材
１２が配設され、外周部にポリフルオロエチレン製のエ
ッチャント供給部材１３が配設されている。こうして、
高熱にさらされる電極保護カバー１１の内周部を耐熱性
部材１２で構成することにより、電極保護カバー１１が
熱変形しなくなる。更に、シリコンカーバイドからなる
耐熱性部材１２は、エッチングの際にイオン照射を受け
、シリコンウェハ１０上のパターン形成されたレジスト
表面に析出するカーボンやシリコンのデポジション反応
種を供給するので、シリコンウェハ１０上のＳｉＯ２層
の高選択比でのエッチングが可能となる。
【００２６】また、ポリテトラフルオロエチレン製のエ
ッチャント供給部材１３は、耐熱製部材１２と同様にエ
ッチングの際にイオン照射を受け、シリコンウェハ１０
上のＳｉＯ２層のエッチャントとなるＣＦｘ＋を供給す
るので、反応ガスから供給されるエッチャントに加えて
、更にエッチャントを供給することとなり、高速でエッ
チングを行うことができる。
ッチャント供給部材１３は、耐熱製部材１２と同様にエ
ッチングの際にイオン照射を受け、シリコンウェハ１０
上のＳｉＯ２層のエッチャントとなるＣＦｘ＋を供給す
るので、反応ガスから供給されるエッチャントに加えて
、更にエッチャントを供給することとなり、高速でエッ
チングを行うことができる。
【００２７】なお、電極保護カバー１１の表面積に占め
る耐熱性部材１２とエッチャント供給部材１３とのそれ
ぞれの面積比を例えば図１に示すウェハ１０の中心から
耐熱性部材１２とエッチャント供給部材１３との境界ま
での距離ｒを変化させることによりコントロールすると
、反応ガスのコントロールとは別に、高速・高選択比エ
ッチング条件の最適化を行うことが可能となる。
る耐熱性部材１２とエッチャント供給部材１３とのそれ
ぞれの面積比を例えば図１に示すウェハ１０の中心から
耐熱性部材１２とエッチャント供給部材１３との境界ま
での距離ｒを変化させることによりコントロールすると
、反応ガスのコントロールとは別に、高速・高選択比エ
ッチング条件の最適化を行うことが可能となる。
【００２８】また、図２に示すように、この発明におけ
る電極保護カバー２１には、独立した冷却手段、例えば
ポリテトラフルオロエチレン製のエッチャント供給部材
２３の内部に冷却水が循環する冷却水路２４を設けても
よい。これにより電極保護カバーの熱変形を防止するこ
とが一層確実となる。また同図において、シリコンカー
バイドからなる耐熱性部材２２の内周部側をテーパー加
工することが好ましい。これにより、内周部の電界の乱
れを防止できる。
る電極保護カバー２１には、独立した冷却手段、例えば
ポリテトラフルオロエチレン製のエッチャント供給部材
２３の内部に冷却水が循環する冷却水路２４を設けても
よい。これにより電極保護カバーの熱変形を防止するこ
とが一層確実となる。また同図において、シリコンカー
バイドからなる耐熱性部材２２の内周部側をテーパー加
工することが好ましい。これにより、内周部の電界の乱
れを防止できる。
【００２９】以上、この発明を特徴づける電極保護後カ
バーについて詳細に説明したが、電極カバーの形状や、
耐熱性部材を電極保護カバーの内側あるいは外側のどち
らに配設するのかということ等は、使用するドライエッ
チング装置本体の構造などによって適宜変更できる。例
えば、ウェハに高周波電圧を印加するタイプの有磁場マ
イクロ波プラズマエッチング装置において、ウェハの外
周部上の電極をアースしたものは、ウェハの外周部にお
いて高エネルギーのイオン入射が生ずるので、それに対
応して電極保護カバーの外周部に耐熱性部材を配設する
。
バーについて詳細に説明したが、電極カバーの形状や、
耐熱性部材を電極保護カバーの内側あるいは外側のどち
らに配設するのかということ等は、使用するドライエッ
チング装置本体の構造などによって適宜変更できる。例
えば、ウェハに高周波電圧を印加するタイプの有磁場マ
イクロ波プラズマエッチング装置において、ウェハの外
周部上の電極をアースしたものは、ウェハの外周部にお
いて高エネルギーのイオン入射が生ずるので、それに対
応して電極保護カバーの外周部に耐熱性部材を配設する
。
【００３０】また、電極保護カバーの材質等もエッチン
グ条件に応じて適宜選択することができる。
グ条件に応じて適宜選択することができる。
【００３１】
【発明の効果】この発明のドライエッチング装置によれ
ば、シリコンウエハ等の基板に形成されたＳｉＯ２層等
の被処理体を高速・高選択比エッチングをすることが再
現性よく安定的に行うことができる。
ば、シリコンウエハ等の基板に形成されたＳｉＯ２層等
の被処理体を高速・高選択比エッチングをすることが再
現性よく安定的に行うことができる。
【図１】図１は、この発明のドライエッチング装置を特
徴づける電極保護カバーの一態様の平面図である。
徴づける電極保護カバーの一態様の平面図である。
【図２】図２は、この発明のドライエッチング装置を特
徴づける電極保護カバーの別の態様の説明図である。
徴づける電極保護カバーの別の態様の説明図である。
【図３】図３は、従来のドライエッチング装置の説明図
である。
である。
【図４】図４は、従来のドライエッチング装置において
電極保護カバーが熱変形している様子を示す説明図であ
る。
電極保護カバーが熱変形している様子を示す説明図であ
る。
１０、３５ 被処理体
１１、２１、３４ 電極保護カバー
１２、２２ 耐熱性部材
１３、２３ エッチャント供給部材
１４ オリエンテーションフラット
２４ 冷却水路
３２ アノード電極
３６ カソード電極
３９ 高密度プラズマ
Claims (4)
- 【請求項１】 電極上に被処理体を載置し、被処理体
が載置されていない部分の電極上に電極保護カバーを配
設して被処理体をエッチングするドライエッチング装置
において、電極保護カバーが耐熱性部材とエッチャント
供給部材とからなり、該耐熱性部材がエッチングの際に
高密度のエネルギーが供給される部分に配設され、該エ
ッチャント供給部材がエッチングの際に高密度のエネル
ギーが供給される部分以外の少なくとも一部に配設され
ていることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 該電極保護カバーがドーナツ状の形状
を有し、その内周部に該耐熱性部材が配設され、外周部
に該エッチャント供給部材が配設されている請求項１記
載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 該耐熱性部材が、エッチングの際に該
被処理体の表面にパターン形成されているレジストに対
するデポジション反応種を供給する材料から形成されて
いる請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項４】 該耐熱性部材がシリコンカーバイド及
び／又はアモルファスカーボンから形成され、該エッチ
ャント供給部材がフッ素樹脂から形成される請求項３記
載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122689A JP3028860B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122689A JP3028860B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356920A true JPH04356920A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3028860B2 JP3028860B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=14842187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3122689A Expired - Lifetime JP3028860B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028860B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302548A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003197604A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3122689A patent/JP3028860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302548A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003197604A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3028860B2 (ja) | 2000-04-04 |
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