JPH0613196A - プラズマ発生方法および発生装置 - Google Patents
プラズマ発生方法および発生装置Info
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- JPH0613196A JPH0613196A JP4167177A JP16717792A JPH0613196A JP H0613196 A JPH0613196 A JP H0613196A JP 4167177 A JP4167177 A JP 4167177A JP 16717792 A JP16717792 A JP 16717792A JP H0613196 A JPH0613196 A JP H0613196A
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- processed
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J37/3266—Magnetic control means
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、適当な交流電界のもとでは電子が
回転運動するという現象を用いて高真空のもとで高密度
プラズマを発生させ、均一性がよく、加工物への損傷の
少ないプラズマ発生方法および装置を提供するものであ
る。 【構成】 絶縁物で構成したチャンバー１に、３以上の
電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周波
を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の電
子を回転させることと、前記３以上の電極以外に被処理
物を載置する試料台を有することと、前記プラズマ発生
部で生じた反応生成物で前記被処理物をプラズマ処理す
る。 【効果】 適当な複数の交流電界のもと電子が回転運動
するという現象を用いて、高真空のもとで高密度プラズ
マを発生させるものであり、微細加工性にすぐれかつ量
産性が高く、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損傷も
極めて少ないプラズマプロセスが実現できる。
回転運動するという現象を用いて高真空のもとで高密度
プラズマを発生させ、均一性がよく、加工物への損傷の
少ないプラズマ発生方法および装置を提供するものであ
る。 【構成】 絶縁物で構成したチャンバー１に、３以上の
電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周波
を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の電
子を回転させることと、前記３以上の電極以外に被処理
物を載置する試料台を有することと、前記プラズマ発生
部で生じた反応生成物で前記被処理物をプラズマ処理す
る。 【効果】 適当な複数の交流電界のもと電子が回転運動
するという現象を用いて、高真空のもとで高密度プラズ
マを発生させるものであり、微細加工性にすぐれかつ量
産性が高く、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損傷も
極めて少ないプラズマプロセスが実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体および薄膜開
路の製造過程に利用するプラズマ発生装置のプラズマ発
生方法および発生装置に関するものである。
路の製造過程に利用するプラズマ発生装置のプラズマ発
生方法および発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用した微細加工は、半導体
および薄膜回路製造過程において年々さかんとなってき
ている。なかでもドライエッチング，ＣＶＤ，ドーピン
グといった工程は、真空チャンバーに電極を有し、その
目的に応じたガスをチャンバー内に導入し、高周波電力
を電極に印加することで比較的簡単におこなえるため数
多くの工程に使用されている。
および薄膜回路製造過程において年々さかんとなってき
ている。なかでもドライエッチング，ＣＶＤ，ドーピン
グといった工程は、真空チャンバーに電極を有し、その
目的に応じたガスをチャンバー内に導入し、高周波電力
を電極に印加することで比較的簡単におこなえるため数
多くの工程に使用されている。
【０００３】ドライエッチングを例にとって近年の利用
方法を見ると、パターンの微細化とともにイオンの散乱
を押さえイオンの方向性を向上させることが不可欠であ
る。そのためにはプラズマの真空度を高め手イオンの平
均自由工程を大きくするのが効果的で、高真空のもとで
のエッチング技術が求められる。
方法を見ると、パターンの微細化とともにイオンの散乱
を押さえイオンの方向性を向上させることが不可欠であ
る。そのためにはプラズマの真空度を高め手イオンの平
均自由工程を大きくするのが効果的で、高真空のもとで
のエッチング技術が求められる。
【０００４】一般に、真空度を高めると高周波放電が生
じ難くなる。この対策として、プラズマ質に磁場を印加
し、放電を容易にする方法、即ちマグネトロン放電やＥ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電が開発された。
じ難くなる。この対策として、プラズマ質に磁場を印加
し、放電を容易にする方法、即ちマグネトロン放電やＥ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電が開発された。
【０００５】図３は従来のマグネトロン放電を用いたド
ライエッチング装置を示す模式図である。真空チャンバ
ー２９内には、ガスコントローラ３０を通して反応性ガ
スが導入され、排気系３１によって適切な圧力に制御さ
れる。チャンバー２９の上部にはアノード（陽極）３２
が設けられ、下部にはカソード（陰極）となる試料台３
３が設けられている。試料台３３には、インピーダンス
整合回路３４を介してＲＦ電源３５が接続されており、
試料台３３とアノード３２との間で高周波放電を起こす
ことができる。チャンバー２９内には、側面に設置され
た交流電磁石３６によって磁界が印加され高真空中での
放電を容易にさせている。電子は印加磁界により、サイ
クロイド運動をするため、イオン化効率が高くなるとい
うものである。
ライエッチング装置を示す模式図である。真空チャンバ
ー２９内には、ガスコントローラ３０を通して反応性ガ
スが導入され、排気系３１によって適切な圧力に制御さ
れる。チャンバー２９の上部にはアノード（陽極）３２
が設けられ、下部にはカソード（陰極）となる試料台３
３が設けられている。試料台３３には、インピーダンス
整合回路３４を介してＲＦ電源３５が接続されており、
試料台３３とアノード３２との間で高周波放電を起こす
ことができる。チャンバー２９内には、側面に設置され
た交流電磁石３６によって磁界が印加され高真空中での
放電を容易にさせている。電子は印加磁界により、サイ
クロイド運動をするため、イオン化効率が高くなるとい
うものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなマグネトロン放電やＥＣＲ放電は、プラズマ密度が
不均一で扱いが難しく、また加工する試料に損傷が導入
されてしまうという問題があった。例えば従来のマグネ
トロンドライエッチング装置では、磁場によって局所的
なプラズマの偏りを有し、局所的な電位差の発生で、Ｍ
ＯＳＬＳＩに適用するとゲート酸化膜破壊を生じること
がある。同様にＥＣＲエッチング装置では、磁場がチャ
ンバーの径方向に分布を持つため、プラズマ密度の局所
的な粗密により、エッチング種の不均一を生じたり、局
所的な電位差を発生したりする。
うなマグネトロン放電やＥＣＲ放電は、プラズマ密度が
不均一で扱いが難しく、また加工する試料に損傷が導入
されてしまうという問題があった。例えば従来のマグネ
トロンドライエッチング装置では、磁場によって局所的
なプラズマの偏りを有し、局所的な電位差の発生で、Ｍ
ＯＳＬＳＩに適用するとゲート酸化膜破壊を生じること
がある。同様にＥＣＲエッチング装置では、磁場がチャ
ンバーの径方向に分布を持つため、プラズマ密度の局所
的な粗密により、エッチング種の不均一を生じたり、局
所的な電位差を発生したりする。
【０００７】本発明は上記問題点を鑑み、高真空のもと
で高密度かつ均一性のすぐれたプラズマ発生方法および
発生装置を提供するものである。
で高密度かつ均一性のすぐれたプラズマ発生方法および
発生装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ発生方
法は、絶縁物で構成したチャンバーに３以上の電極を配
置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周波を印加し
プラズマを発生させる際、プラズマ発生部の電子を回転
させるものである。
法は、絶縁物で構成したチャンバーに３以上の電極を配
置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周波を印加し
プラズマを発生させる際、プラズマ発生部の電子を回転
させるものである。
【０００９】ある好ましい実施形態では、チャンバーの
３以上の電極の配置がほぼ同一円周上にしてプラズマを
発生させるものである。
３以上の電極の配置がほぼ同一円周上にしてプラズマを
発生させるものである。
【００１０】また本発明のプラズマ発生装置は、絶縁物
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記被処理物をエッチングするものである。
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記被処理物をエッチングするものである。
【００１１】またある好ましい実施形態として試料台に
バイアスを印加してエッチングするものである。
バイアスを印加してエッチングするものである。
【００１２】また本発明のプラズマ発生装置は、絶縁物
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記処理物をＣＶＤするものである。
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記処理物をＣＶＤするものである。
【００１３】またある好ましい実施形態として試料台に
バイアスを印加してエッチングするものである。
バイアスを印加してエッチングするものである。
【００１４】また本発明のプラズマ発生装置は、絶縁物
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記被処理物をドーピングするものである。
で構成したチャンバーに３以上の電極を配置し、前記電
極に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発
生させる際、プラズマ発生部の電子を回転させること
と、前記３以上の電極以外に被処理物を載置する試料台
を有することと、前記プラズマ発生部で生じた反応生成
物で前記被処理物をドーピングするものである。
【００１５】またある好ましい実施形態として、試料台
にバイアスを印加してドーピングするもの、または試料
台とプラズマ発生部との間に電位差を発生させてドーピ
ングするものである。
にバイアスを印加してドーピングするもの、または試料
台とプラズマ発生部との間に電位差を発生させてドーピ
ングするものである。
【００１６】
【作用】本発明は上記構成によって、絶縁物で構成した
チャンバーの３以上の電極に、位相が配置順に異なる高
周波を印加している。これにより、チャンバー内に電子
の振動、回転させる磁場が形成され、高真空中にもかか
わらず高いイオン化効率が得られ、放電を容易にしてい
る。従来の磁場によるマグネトロン放電やＥＣＲ放電に
比べて、電界が均一なので均一性の良いプラズマが得ら
れ、また装置の大型化も容易である。またプラズマの局
所的な偏りがほとんど内にで、加工物への損傷もきわめ
て少なくなる。また、チャンバーの材質が絶縁物である
ため、放電をさせた場合、チャンバーへの電子の流出を
防ぐことができる。
チャンバーの３以上の電極に、位相が配置順に異なる高
周波を印加している。これにより、チャンバー内に電子
の振動、回転させる磁場が形成され、高真空中にもかか
わらず高いイオン化効率が得られ、放電を容易にしてい
る。従来の磁場によるマグネトロン放電やＥＣＲ放電に
比べて、電界が均一なので均一性の良いプラズマが得ら
れ、また装置の大型化も容易である。またプラズマの局
所的な偏りがほとんど内にで、加工物への損傷もきわめ
て少なくなる。また、チャンバーの材質が絶縁物である
ため、放電をさせた場合、チャンバーへの電子の流出を
防ぐことができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明のプラズマ発生装置の第一の実
施例であるエッチングについて、図面を参照しながら説
明する。
施例であるエッチングについて、図面を参照しながら説
明する。
【００１８】図１は本発明のプラズマ発生装置の実施例
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
【００１９】以下のように構成された本発明のエッチン
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
【００２０】チャンバー１内にエッチングガスとしてＳ
Ｆ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が１Ｐａとなるように制
御した状態で、電極２，３に５０ＭHzの高周波電源８，
９より１００ｗの電力を印加した。試料台１１には、ポ
リシリコンが表面に堆積させ、フォトリソ工程によりレ
ジストをパターニングした被処理物１２を載置してい
る。また、試料台１１には、整合回路１３を介して８０
０ＫHzの電源より１００ｗの電源を印加した。
Ｆ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が１Ｐａとなるように制
御した状態で、電極２，３に５０ＭHzの高周波電源８，
９より１００ｗの電力を印加した。試料台１１には、ポ
リシリコンが表面に堆積させ、フォトリソ工程によりレ
ジストをパターニングした被処理物１２を載置してい
る。また、試料台１１には、整合回路１３を介して８０
０ＫHzの電源より１００ｗの電源を印加した。
【００２１】結果としてポリシリコンのエッチングレー
トは、４０００〜５０００Å／分、均一性は±５％以下
と良好なエッチング特性を示した。エッチング形状は、
従来のドライエッチング装置に比べてサイドエッチング
が極めて少ないこともわかった。またプラズマの局所的
な偏りがほとんどないのでＭＯＳＬＳＩのゲート酸化膜
破壊等のデバイスへの損傷もきわめて少なかった。
トは、４０００〜５０００Å／分、均一性は±５％以下
と良好なエッチング特性を示した。エッチング形状は、
従来のドライエッチング装置に比べてサイドエッチング
が極めて少ないこともわかった。またプラズマの局所的
な偏りがほとんどないのでＭＯＳＬＳＩのゲート酸化膜
破壊等のデバイスへの損傷もきわめて少なかった。
【００２２】以下に本発明のプラズマ発生装置の第二の
実施例であるＣＶＤについて、図面を参照しながら説明
する。
実施例であるＣＶＤについて、図面を参照しながら説明
する。
【００２３】図１は本発明のプラズマ発生装置の実施例
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
【００２４】以下のように構成された本発明のＣＶＤ装
置について、図１を用いてその動作を説明する。
置について、図１を用いてその動作を説明する。
【００２５】チャンバー１内にＳｉＨ4（Ｎ2２０％希
釈）、ＮＨ3，Ｎ2ガスをそれぞれ１５，３４ｓｃｃｍ導
入し、圧力が１Ｐａとなるように制御した状態で、電極
２，３に５０ＭHzの高周波電源８，９より２００ｗの電
力を印加した。またシリコン基板である被処理物１２を
載置している試料台１１は、温度が３００℃一定に制御
し、整合回路１３を介して８００ＫHzの電源より５０ｗ
の電力を印加した。
釈）、ＮＨ3，Ｎ2ガスをそれぞれ１５，３４ｓｃｃｍ導
入し、圧力が１Ｐａとなるように制御した状態で、電極
２，３に５０ＭHzの高周波電源８，９より２００ｗの電
力を印加した。またシリコン基板である被処理物１２を
載置している試料台１１は、温度が３００℃一定に制御
し、整合回路１３を介して８００ＫHzの電源より５０ｗ
の電力を印加した。
【００２６】結果としてプラズマナイトランドの成膜速
度は８００Å／分、均一性は±３％以下と良好な成膜特
性を示した。
度は８００Å／分、均一性は±３％以下と良好な成膜特
性を示した。
【００２７】以下に本発明のプラズマ発生装置の第三の
実施例であるドーピングについて、図面を参照しながら
説明する。
実施例であるドーピングについて、図面を参照しながら
説明する。
【００２８】図１は本発明のプラズマ発生装置の実施例
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
の断面構造を示す模式図である。図１において、１は絶
縁物の石英で構成したチャンバー、２，３は、整合回路
６，７を介して高周波電力が印加される電極。４，５
は、アース電極である。高周波電源８，９より電極２，
３に印加する高周波電力はほぼ同一であるが、電力の位
相は１０のフェーズロック機構によりおよそ９０度ずら
せてある。
【００２９】以下のように構成された本発明のドーピン
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
グ装置について、図１を用いてその動作を説明する。
【００３０】チャンバー１内にドーピングガスとしてＢ
2Ｈ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が０．３Ｐａとなるよう
に制御した状態で、電極２，３に５０ＭHzの高周波電源
８，９より１００ｗの電力を印加した。またシリコン基
板である被処理物１２を載置している試料台１１には、
整合回路１３を介して８００ＫHzの電源より５００ｗの
電力を印加した。
2Ｈ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が０．３Ｐａとなるよう
に制御した状態で、電極２，３に５０ＭHzの高周波電源
８，９より１００ｗの電力を印加した。またシリコン基
板である被処理物１２を載置している試料台１１には、
整合回路１３を介して８００ＫHzの電源より５００ｗの
電力を印加した。
【００３１】結果として１分間放電させた後、シリコン
表面近傍のボロン濃度をＳＩＭＳ分析したところ、２×
１０21個存在していることがわかり、良好なドーピング
結果となった。
表面近傍のボロン濃度をＳＩＭＳ分析したところ、２×
１０21個存在していることがわかり、良好なドーピング
結果となった。
【００３２】以下に本発明のプラズマ発生装置の第四の
実施例であるドーピングについて、図面を参照しながら
説明する。
実施例であるドーピングについて、図面を参照しながら
説明する。
【００３３】図２は本発明のプラズマ発生装置の実施例
の断面構造を示す模式図である。図２において、１５は
絶縁物の石英で構成したチャンバー、１６，１７は、整
合回路２０，２１を介して高周波電力が印加される電
極。１８，１９は、アース電極である。高周波電源２
２，２３より電極１６，１７に印加する高周波電力はほ
ぼ同一であるが、電力の位相は２４のフェーズロック機
構によりおよそ９０度ずらせてある。
の断面構造を示す模式図である。図２において、１５は
絶縁物の石英で構成したチャンバー、１６，１７は、整
合回路２０，２１を介して高周波電力が印加される電
極。１８，１９は、アース電極である。高周波電源２
２，２３より電極１６，１７に印加する高周波電力はほ
ぼ同一であるが、電力の位相は２４のフェーズロック機
構によりおよそ９０度ずらせてある。
【００３４】以下のように構成された本発明のドーピン
グ装置について、図２を用いてその動作を説明する。
グ装置について、図２を用いてその動作を説明する。
【００３５】チャンバー１５内にドーピングガスとして
Ｂ2Ｈ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が０．３Ｐａとなるよ
うに制御した状態で、電極１６，１７に５０ＭHzの高周
波電源２２，２３より１００ｗの電力を印加した。また
シリコン基板である被処理物２５を載置している試料台
２６は、グリッド２７との間にＤＣ電源２８より２ＫＶ
の電位差をもたせてある。
Ｂ2Ｈ6を５ｓｃｃｍ導入し、圧力が０．３Ｐａとなるよ
うに制御した状態で、電極１６，１７に５０ＭHzの高周
波電源２２，２３より１００ｗの電力を印加した。また
シリコン基板である被処理物２５を載置している試料台
２６は、グリッド２７との間にＤＣ電源２８より２ＫＶ
の電位差をもたせてある。
【００３６】結果として２分間放電させた後、シリコン
表面近傍のボロン濃度をＳＩＭＳ分析したところ、５×
１０21個存在していることがわかり、良好なドーピング
結果となった。
表面近傍のボロン濃度をＳＩＭＳ分析したところ、５×
１０21個存在していることがわかり、良好なドーピング
結果となった。
【００３７】以上のように本実施例によれば、絶縁物で
構成したチャンバーに、４ケの電極を配置し、前記電極
に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発生
させ、プラズマ発生部の電子を回転させることで、高真
空にもかかわらず高いイオン化効率が得られ、放電を容
易にした。またチャンバーを絶縁物とすることで、チャ
ンバーへの電子の流出を防いでいる。
構成したチャンバーに、４ケの電極を配置し、前記電極
に位相が配置順に異なる高周波を印加しプラズマを発生
させ、プラズマ発生部の電子を回転させることで、高真
空にもかかわらず高いイオン化効率が得られ、放電を容
易にした。またチャンバーを絶縁物とすることで、チャ
ンバーへの電子の流出を防いでいる。
【００３８】なお、本実施例ではエッチング、ＣＶＤ、
ドーピングに関するものを示したがスパッタ、イオン注
入装置のイオン源等、高真空プラズマの必要とされる装
置への適用が可能なことは言うまでもない。
ドーピングに関するものを示したがスパッタ、イオン注
入装置のイオン源等、高真空プラズマの必要とされる装
置への適用が可能なことは言うまでもない。
【００３９】また、高周波電力の位相差は９０度一定に
した場合を示したが、時間の関数の様に変化させてもよ
い。
した場合を示したが、時間の関数の様に変化させてもよ
い。
【００４０】また、電極数が４ケの場合を示したが、電
極数Ｎ（Ｎは３以上の整数）の場合も位相差を３６０／
Ｎとすることにより同様の効果が得られる。
極数Ｎ（Ｎは３以上の整数）の場合も位相差を３６０／
Ｎとすることにより同様の効果が得られる。
【００４１】また、チャンバーを絶縁物としたが、導電
性のチャンバーの内面を絶縁にすることでも同様の効果
が得られる。
性のチャンバーの内面を絶縁にすることでも同様の効果
が得られる。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明は、適当な複数の交
流電界のもと電子が回転運動するという現象を用いて、
高真空のもとで高密度プラズマを発生させるものであ
る。
流電界のもと電子が回転運動するという現象を用いて、
高真空のもとで高密度プラズマを発生させるものであ
る。
【００４３】また本発明により、微細加工性にすぐれか
つ量産性が高く、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損
傷も極めて少ないプラズマプロセスが実現できる。
つ量産性が高く、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損
傷も極めて少ないプラズマプロセスが実現できる。
【図１】本発明のプラズマ発生技術を適用した第１，第
２，第３の実施例のプラズマ発生装置の構造を示す模式
図
２，第３の実施例のプラズマ発生装置の構造を示す模式
図
【図２】本発明のプラズマ発生技術を適用した第４の実
施例のプラズマ発生装置の構造を示す模式図
施例のプラズマ発生装置の構造を示す模式図
【図３】従来のマグネトロン放電を用いた反応性イオン
エッチング装置を示す模式図
エッチング装置を示す模式図
１，１５ 絶縁物で構成したチャンバー ２，３，４，５，１６，１７，１８，１９ 電極 １１，２６ 試料台 １２，２５ 被処理物 ８，９，１４，２２，２３ 高周波電源 ２７ グリッド ２８ ＤＣ電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大國 充弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 久保田 正文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 絶縁物で構成したチャンバーに、３以上
の電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周
波を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の
電子を回転させることを特徴とするプラズマ発生方法。 - 【請求項２】 チャンバーの３以上の電極の配置がほぼ
同一円周上にあることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ発生方法。 - 【請求項３】 絶縁物で構成したチャンバーに、３以上
の電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周
波を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の
電子を回転させ、前記３以上の電極以外に被処理物を載
置する試料台を配するとともに前記プラズマ発生部で生
じた反応生成物で前記被処理物をエッチングすることを
特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項４】 試料台にバイアスを印加することを特徴
とする請求項３記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項５】 試料台の位置がチャンバーの３以上の電
極とほぼ同じ高さであることを特徴とする請求項３記載
のプラズマ発生装置。 - 【請求項６】 絶縁物で構成したチャンバーに、３以上
の電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周
波を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の
電子を回転させ、前記３以上の電極以外に被処理物を載
置する試料台を配するとともに前記プラズマ発生部で生
じた反応生成物で前記被処理物をＣＶＤすることを特徴
とするプラズマ発生装置。 - 【請求項７】 試料台にバイアスを印加することを特徴
とする請求項６記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項８】 試料台の位置がチャンバーの３以上の電
極とほぼ同じ高さであることを特徴とする請求項６記載
のプラズマ発生装置。 - 【請求項９】 絶縁物で構成したチャンバーに３以上の
電極を配置し、前記電極に位相が配置順に異なる高周波
を印加しプラズマを発生させる際、プラズマ発生部の電
子を回転させることと、前記３以上の電極以外に被処理
物を載置する試料台を有することと、前記プラズマ発生
部で生じた反応生成物で前記被処理物をドーピングする
ことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項１０】 試料台にバイアスを印加することを特
徴とする請求項９記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項１１】 試料台とプラズマ発生部との間に電位
差を発生させることを特徴とする請求項９記載のプラズ
マ発生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167177A JPH0613196A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | プラズマ発生方法および発生装置 |
| US08/080,824 US5436424A (en) | 1992-06-25 | 1993-06-24 | Plasma generating method and apparatus for generating rotating electrons in the plasma |
| KR1019930011564A KR0139402B1 (ko) | 1992-06-25 | 1993-06-24 | 플라즈마발생방법 및 플라즈마발생장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167177A JPH0613196A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | プラズマ発生方法および発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613196A true JPH0613196A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15844852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4167177A Pending JPH0613196A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | プラズマ発生方法および発生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436424A (ja) |
| JP (1) | JPH0613196A (ja) |
| KR (1) | KR0139402B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996039794A1 (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Power supply for multielectrode discharge |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330606A (en) * | 1990-12-14 | 1994-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
| TW249313B (ja) * | 1993-03-06 | 1995-06-11 | Tokyo Electron Co | |
| US5945008A (en) * | 1994-09-29 | 1999-08-31 | Sony Corporation | Method and apparatus for plasma control |
| US5705433A (en) * | 1995-08-24 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Etching silicon-containing materials by use of silicon-containing compounds |
| US5573595A (en) * | 1995-09-29 | 1996-11-12 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for generating plasma |
| US5824606A (en) * | 1996-03-29 | 1998-10-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling phase difference in plasma processing systems |
| WO2000044207A1 (en) * | 1999-01-20 | 2000-07-27 | Nkt Research Center A/S | Method for the excitation of a plasma and a use of the method |
| US6265831B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-07-24 | Lam Research Corporation | Plasma processing method and apparatus with control of rf bias |
| US7602127B2 (en) * | 2005-04-18 | 2009-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source |
| DE102007055010A1 (de) * | 2007-11-14 | 2009-05-28 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung |
| CN103606508A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-26 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种颗粒材料表面等离子体处理装置 |
| US9713243B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-07-18 | California Institute Of Technology | Toroidal plasma systems |
| KR102913190B1 (ko) | 2018-11-21 | 2026-01-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 위상 제어를 사용하여 플라즈마 분배를 조절하기 위한 디바이스 및 방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2538987A1 (fr) * | 1983-01-05 | 1984-07-06 | Commissariat Energie Atomique | Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif |
| JPS60153129A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6244576A (ja) * | 1984-09-14 | 1987-02-26 | Anelva Corp | 多電極放電反応処理装置 |
| JPH06104898B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1994-12-21 | 忠弘 大見 | 減圧表面処理装置 |
| US4871421A (en) * | 1988-09-15 | 1989-10-03 | Lam Research Corporation | Split-phase driver for plasma etch system |
| JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
| US5150375A (en) * | 1989-06-14 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substance vaporizing apparatus |
| JPH0747820B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1995-05-24 | 株式会社日立製作所 | 成膜装置 |
| TW221318B (ja) * | 1990-07-31 | 1994-02-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JPH0729734B2 (ja) * | 1991-08-27 | 1995-04-05 | 株式会社トヨックス | ホース巻取リール |
| US5228939A (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Cheng Chu | Single wafer plasma etching system |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4167177A patent/JPH0613196A/ja active Pending
-
1993
- 1993-06-24 US US08/080,824 patent/US5436424A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-24 KR KR1019930011564A patent/KR0139402B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996039794A1 (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Power supply for multielectrode discharge |
| US5932116A (en) * | 1995-06-05 | 1999-08-03 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Power supply for multi-electrode discharge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5436424A (en) | 1995-07-25 |
| KR0139402B1 (ko) | 1998-08-17 |
| KR940006428A (ko) | 1994-03-23 |
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