JPH04357420A - 赤外光検出素子 - Google Patents
赤外光検出素子Info
- Publication number
- JPH04357420A JPH04357420A JP3143997A JP14399791A JPH04357420A JP H04357420 A JPH04357420 A JP H04357420A JP 3143997 A JP3143997 A JP 3143997A JP 14399791 A JP14399791 A JP 14399791A JP H04357420 A JPH04357420 A JP H04357420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- infrared light
- phosphor
- light
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外光検出素子に係わり
、特に安価で感度の高い赤外光検出素子に関する。
、特に安価で感度の高い赤外光検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術および問題点】光通信技術、光情報処理技
術の進展により、近赤外域に発光波長をもつ赤外源が近
年各所で用いられるようになってきている。これに伴い
、光部品、光材料等の製造部門や、これら部品を用いて
システムを構成する部門、またはこれらシステムの保守
をする部門で赤外光を用いた検査の需要が増大し、赤外
光検出器の需要もますます高まってきている。光通信部
品、光情報処理部品の適用領域が広くなるにつれ検査方
法も多岐にわたり必ずしも赤外光強度の正確な測定が必
要でなく、赤外光の有無だけを検知すれば充分である検
査も急速に増大しつつある。特に光部品の接続不良箇所
から漏洩する赤外光を検出することによりシステムの不
良箇所を特定する検査では赤外光の検知のみで充分であ
る場合が多い。
術の進展により、近赤外域に発光波長をもつ赤外源が近
年各所で用いられるようになってきている。これに伴い
、光部品、光材料等の製造部門や、これら部品を用いて
システムを構成する部門、またはこれらシステムの保守
をする部門で赤外光を用いた検査の需要が増大し、赤外
光検出器の需要もますます高まってきている。光通信部
品、光情報処理部品の適用領域が広くなるにつれ検査方
法も多岐にわたり必ずしも赤外光強度の正確な測定が必
要でなく、赤外光の有無だけを検知すれば充分である検
査も急速に増大しつつある。特に光部品の接続不良箇所
から漏洩する赤外光を検出することによりシステムの不
良箇所を特定する検査では赤外光の検知のみで充分であ
る場合が多い。
【０００３】現在、光通信用の光源としては１．３μｍ
帯、１．５５μｍ帯の赤外光源が主として用いられてお
り、これら波長域の赤外光を検出する検出器としてはＩ
ｎＧａＡｓを用いた半導体光検出器が広く用いられてい
る。これらの検出器は光強度を正確に測定できるものの
非常に高価であるという欠点があった。
帯、１．５５μｍ帯の赤外光源が主として用いられてお
り、これら波長域の赤外光を検出する検出器としてはＩ
ｎＧａＡｓを用いた半導体光検出器が広く用いられてい
る。これらの検出器は光強度を正確に測定できるものの
非常に高価であるという欠点があった。
【０００４】一方、量産性に優れ安価な光検出器として
はＳｉを用いた半導体光検出器があるが、１．３μｍ帯
、１．５５μｍ帯の光に対して感度を有していないため
この波長域の光を利用する装置の検査に用いることがで
きない。
はＳｉを用いた半導体光検出器があるが、１．３μｍ帯
、１．５５μｍ帯の光に対して感度を有していないため
この波長域の光を利用する装置の検査に用いることがで
きない。
【０００５】これら半導体光検出器に対し、光強度の精
密測定は困難であるが安価である光検出器として赤外輝
尽蛍光体を用いた光検出器がある。赤外輝尽蛍光体とは
、予め短波長の光を照射した後、赤外光を照射すると可
視域の発光を発生するという蛍光体である。アルカリ土
類金属の硫化物あるいはセレン化物にユーロピウム（Ｅ
ｕ）とサマリウム（Ｓｍ）あるいはセリウム（Ｃｅ）と
サマリウム（Ｓｍ）などの２種類以上の希土類を添加し
た蛍光体が最も赤外可視変換効率の高い蛍光体としてよ
く知られている。
密測定は困難であるが安価である光検出器として赤外輝
尽蛍光体を用いた光検出器がある。赤外輝尽蛍光体とは
、予め短波長の光を照射した後、赤外光を照射すると可
視域の発光を発生するという蛍光体である。アルカリ土
類金属の硫化物あるいはセレン化物にユーロピウム（Ｅ
ｕ）とサマリウム（Ｓｍ）あるいはセリウム（Ｃｅ）と
サマリウム（Ｓｍ）などの２種類以上の希土類を添加し
た蛍光体が最も赤外可視変換効率の高い蛍光体としてよ
く知られている。
【０００６】従って、赤外輝尽蛍光体は赤外光の有無を
検知するだけの検査に対して充分機能する検出器である
。そこで我々は各種赤外輝尽蛍光体を作製しその性能を
評価した。その結果、赤外光の検出感度は最大でも−３
５ｄＢｍにしか達せず、微弱な漏洩光を検出するために
は感度不足であることが判明した。これは、赤外輝尽蛍
光体を用いた赤外検知法では、赤外輝尽蛍光体によって
変換された光を肉眼によって検知するため、肉眼の光検
出能力によって検出感度の限界が規定されるためである
。
検知するだけの検査に対して充分機能する検出器である
。そこで我々は各種赤外輝尽蛍光体を作製しその性能を
評価した。その結果、赤外光の検出感度は最大でも−３
５ｄＢｍにしか達せず、微弱な漏洩光を検出するために
は感度不足であることが判明した。これは、赤外輝尽蛍
光体を用いた赤外検知法では、赤外輝尽蛍光体によって
変換された光を肉眼によって検知するため、肉眼の光検
出能力によって検出感度の限界が規定されるためである
。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明は以上の欠点に
鑑みなされたものであり、赤外光検出素子をシリコン光
検出器の受光部の前面に赤外輝尽蛍光体を設けた赤外光
検出素子とすることにより安価で感度の高い赤外光検出
素子を実現したものである。
鑑みなされたものであり、赤外光検出素子をシリコン光
検出器の受光部の前面に赤外輝尽蛍光体を設けた赤外光
検出素子とすることにより安価で感度の高い赤外光検出
素子を実現したものである。
【０００８】前記赤外輝尽蛍光体としては、好ましくは
硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）または硫化カルシウム（
ＣａＳ）またはセレン化カルシウム（ＣａＳｅ）にユー
ロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（Ｓｍ）を共に添加した
ものを用いる。
硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）または硫化カルシウム（
ＣａＳ）またはセレン化カルシウム（ＣａＳｅ）にユー
ロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（Ｓｍ）を共に添加した
ものを用いる。
【０００９】硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）または硫化
カルシウム（ＣａＳ）またはセレン化カルシウム（Ｃａ
Ｓｅ）に添加するユーロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（
Ｓｍ）の量は、好ましくはそれぞれ１０ｐｐｍ〜５％で
ある。この範囲を逸脱すると、後述の効果を発揮しない
からである。もっとも好ましくは１００ｐｐｍのオーダ
である。
カルシウム（ＣａＳ）またはセレン化カルシウム（Ｃａ
Ｓｅ）に添加するユーロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（
Ｓｍ）の量は、好ましくはそれぞれ１０ｐｐｍ〜５％で
ある。この範囲を逸脱すると、後述の効果を発揮しない
からである。もっとも好ましくは１００ｐｐｍのオーダ
である。
【００１０】
【作用】図１に示すように本発明の赤外光検出素子は赤
外輝尽蛍光体１とＳｉ光検出器とから構成される。本発
明の赤外光検出素子では、赤外輝尽蛍光体によって赤外
光をＳｉ光検出器が感度を有する波長域の光に変換し、
変換後の光をＳｉ光検出器で検出することを最大の特徴
としている。これにより、従来１．３μｍ帯、１．５５
μｍ帯の光に対して感度を有していないＳｉ光検出器を
用いてこの波長域の光を検出することを可能にしたもの
である。
外輝尽蛍光体１とＳｉ光検出器とから構成される。本発
明の赤外光検出素子では、赤外輝尽蛍光体によって赤外
光をＳｉ光検出器が感度を有する波長域の光に変換し、
変換後の光をＳｉ光検出器で検出することを最大の特徴
としている。これにより、従来１．３μｍ帯、１．５５
μｍ帯の光に対して感度を有していないＳｉ光検出器を
用いてこの波長域の光を検出することを可能にしたもの
である。
【００１１】以上に記載した赤外光検出機構を本発明の
赤外光検出素子、特に硫化カルシウム（ＣａＳ）にユー
ロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（Ｓｍ）を共に添加した
赤外輝尽蛍光体（今後はＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍと記載）を
用いた赤外光検出素子を例に取り詳細に説明する。
赤外光検出素子、特に硫化カルシウム（ＣａＳ）にユー
ロピウム（Ｅｕ）とサマリウム（Ｓｍ）を共に添加した
赤外輝尽蛍光体（今後はＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍと記載）を
用いた赤外光検出素子を例に取り詳細に説明する。
【００１２】図２はＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍの赤外波長感度
特性を示す図である。図２から明らかなようにＣａＳ：
Ｅｕ，Ｓｍは０．８μｍ〜１．７μｍにわたる波長域の
赤外光に対し感度を有しているため１．３μｍ帯、１．
５５μｍ帯の赤外光を検出することができる。図２の波
長域の波長をもった光がＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍
光体に入射すると図３に示す波長域の可視光に変換され
る。
特性を示す図である。図２から明らかなようにＣａＳ：
Ｅｕ，Ｓｍは０．８μｍ〜１．７μｍにわたる波長域の
赤外光に対し感度を有しているため１．３μｍ帯、１．
５５μｍ帯の赤外光を検出することができる。図２の波
長域の波長をもった光がＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍
光体に入射すると図３に示す波長域の可視光に変換され
る。
【００１３】図４はＳｉ光検出器の波長感度領域を示す
図である。図４と図３を比較すると明らかなようにＣａ
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍光体によって変換された可視
光の波長域はＳｉ検出器の波長感度領域に入っているた
めＳｉ光検出器によって効率よく検出することができる
。
図である。図４と図３を比較すると明らかなようにＣａ
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍光体によって変換された可視
光の波長域はＳｉ検出器の波長感度領域に入っているた
めＳｉ光検出器によって効率よく検出することができる
。
【００１４】以上の過程すなわち赤外光の入射、蛍光体
内での赤外可視変換、Ｓｉ光検出器による光検出により
感度よく赤外検出が可能となるものである。
内での赤外可視変換、Ｓｉ光検出器による光検出により
感度よく赤外検出が可能となるものである。
【００１５】
【実施例】以下本発明、赤外光検出素子について、実施
例によってさらに具体的に説明する。
例によってさらに具体的に説明する。
【００１６】
【実施例１】図１において赤外可視変換部１としてＣａ
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外光
検出素子について説明する。
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外光
検出素子について説明する。
【００１７】赤外可視変換部１を作製するに当たっては
、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中に
分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍光
体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部に
接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加する
添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕを
５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿気
などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布した
ガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に接
する向きで接着した。
、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中に
分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍光
体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部に
接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加する
添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕを
５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿気
などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布した
ガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に接
する向きで接着した。
【００１８】表１は上記のようにして作製した赤外光検
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【実施例２】図１において赤外可視変換部１としてＳｒ
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外光
検出素子について説明する。
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外光
検出素子について説明する。
【００２１】赤外可視変換部１を作製するに当たっては
、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中に
分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍光
体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部に
接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加する
添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕを
５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿気
などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布した
ガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に接
する向きで接着した。
、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中に
分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍光
体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部に
接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加する
添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕを
５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿気
などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布した
ガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に接
する向きで接着した。
【００２２】表２は上記のようにして作製した赤外光検
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【実施例３】図１において赤外可視変換部１としてＣａ
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ薄膜を形成したガラス基板を用いたこと
を特徴とする赤外光検出素子について説明する。
Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ薄膜を形成したガラス基板を用いたこと
を特徴とする赤外光検出素子について説明する。
【００２５】上記素子を作製するに当たっては、まず、
ガラス基板を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内
に設置し、ガラス基板上にユーロピウムとサマリウムを
添加したＣａＳ蛍光体膜を１０μｍの厚さで形成した。 ここで、該蛍光体層は赤外可視変換素子を作製するため
に酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）を５００ｐｐｍ、酸
化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）を１５０ｐｐｍ添加したＣ
ａＳペレットを蒸発源として電子ビーム蒸着法によって
形成した。この後、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ薄膜を形成した
ガラス基板を適切な大きさに切断しシリコン光検出器の
受光部に接着して素子を形成した。
ガラス基板を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内
に設置し、ガラス基板上にユーロピウムとサマリウムを
添加したＣａＳ蛍光体膜を１０μｍの厚さで形成した。 ここで、該蛍光体層は赤外可視変換素子を作製するため
に酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）を５００ｐｐｍ、酸
化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）を１５０ｐｐｍ添加したＣ
ａＳペレットを蒸発源として電子ビーム蒸着法によって
形成した。この後、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ薄膜を形成した
ガラス基板を適切な大きさに切断しシリコン光検出器の
受光部に接着して素子を形成した。
【００２６】表３は上記のようにして作製した赤外光検
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
【００２７】
【表３】
【００２８】
【実施例４】図１において赤外可視変換部１としてＣａ
Ｓｅ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外
光検出素子について説明する。
Ｓｅ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体を用いたことを特徴とする赤外
光検出素子について説明する。
【００２９】赤外可視変換部１を作製するに当たっては
、ＣａＳｅ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中
に分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍
光体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部
に接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加す
る添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕ
を５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿
気などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布し
たガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に
接する向きで接着した。
、ＣａＳｅ：Ｅｕ，Ｓｍ蛍光体粉末を有機バインダー中
に分散させ、ガラス基板上に塗布し乾燥させる。この蛍
光体粉末を塗布したガラスをシリコン光検出器の受光部
に接着して素子を形成した。ここで、該蛍光体に添加す
る添加物の濃度は赤外可視変換効率を高めるためにＥｕ
を５００ｐｐｍ、Ｓｍを１５０ｐｐｍとした。また、湿
気などによる蛍光体の劣化を防ぐために蛍光体を塗布し
たガラス基板は蛍光体面をシリコン光検出器の受光面に
接する向きで接着した。
【００３０】表４は上記のようにして作製した赤外光検
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
出素子の１．３μｍ帯、１．５５μｍ帯の赤外光に対す
る最小検出感度と、Ｓｉ光検出器を用いずに肉眼によっ
て検出した場合の最小検出感度と赤外輝尽蛍光体を用い
ずにＳｉ光検出器だけを用いて検出した場合の最小検出
感度とを比較して示したものである。この結果から、本
発明の赤外光検出素子が肉眼による検出感度と比較して
、検出感度が高いことが明らかである。
【００３１】
【表４】
【００３２】なお上記実施例においては、蛍光体層とし
ては、粉末蛍光体を有機バインダーに分散したものや電
子ビーム蒸着法によって作製した蛍光体薄膜を用いたが
、本発明においては、これに限定されるものではなく、
蛍光体層形成方法としてはスパッタ法、ＭＯＣＶＤ法、
ＣＶＤ法などの各種薄膜形成法を用いた場合でも検出感
度の高い赤外光検出素子が実現できる。また、素子構成
としては反射防止を目的とする層や、蛍光体の保護を目
的とするための層などをさらに加えて形成した多層構造
の素子でも検出感度の高い赤外光検出素子が実現できる
。
ては、粉末蛍光体を有機バインダーに分散したものや電
子ビーム蒸着法によって作製した蛍光体薄膜を用いたが
、本発明においては、これに限定されるものではなく、
蛍光体層形成方法としてはスパッタ法、ＭＯＣＶＤ法、
ＣＶＤ法などの各種薄膜形成法を用いた場合でも検出感
度の高い赤外光検出素子が実現できる。また、素子構成
としては反射防止を目的とする層や、蛍光体の保護を目
的とするための層などをさらに加えて形成した多層構造
の素子でも検出感度の高い赤外光検出素子が実現できる
。
【００３３】
【発明の効果】以上述べてきたように、赤外光検出素子
を本発明構成の赤外検出素子とすること、すなわち、シ
リコン光検出器の受光部の前面に硫化ストロンチウム（
ＳｒＳ）または硫化カルシウム（ＣａＳ）またはセレン
化カルシウム（ＣａＳｅ）にユーロピウム（Ｅｕ）とサ
マリウム（Ｓｍ）を共に添加した赤外輝尽蛍光体を用い
た赤外可視変換部を設けたことを特徴とする赤外光検出
素子とすることによって、従来技術の有していた課題を
解決して検出感度が高く、かつ安価な赤外光検出素子を
提供することができた。
を本発明構成の赤外検出素子とすること、すなわち、シ
リコン光検出器の受光部の前面に硫化ストロンチウム（
ＳｒＳ）または硫化カルシウム（ＣａＳ）またはセレン
化カルシウム（ＣａＳｅ）にユーロピウム（Ｅｕ）とサ
マリウム（Ｓｍ）を共に添加した赤外輝尽蛍光体を用い
た赤外可視変換部を設けたことを特徴とする赤外光検出
素子とすることによって、従来技術の有していた課題を
解決して検出感度が高く、かつ安価な赤外光検出素子を
提供することができた。
【図１】本発明赤外光検出素子の基本的構成を示す断面
図。
図。
【図２】ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍光体の赤外波長
感度特性を示す図。
感度特性を示す図。
【図３】ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ赤外輝尽蛍光体の赤外輝尽
発光スペクトルを示す図。
発光スペクトルを示す図。
【図４】Ｓｉ光検出器の波長感度特性を示す図。
１ 赤外輝尽蛍光体
２ Ｓｉ光検出器
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン光検出器の受光部の前面に赤
外可視変換部を設けた構造の赤外光検出素子において、
該赤外可視変換部に赤外輝尽蛍光体を用いたことを特徴
とする赤外光検出素子。 - 【請求項２】 前記赤外輝尽蛍光体は硫化ストロンチ
ウム（ＳｒＳ）、あるいは硫化カルシウム（ＣａＳ）、
あるいはセレン化カルシウム（ＣａＳｅ）にユーロピウ
ム（Ｅｕ）とサマリウム（Ｓｍ）を共に添加したもので
あることを特徴とする請求項１記載の赤外光検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143997A JPH04357420A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 赤外光検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143997A JPH04357420A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 赤外光検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357420A true JPH04357420A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15351913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143997A Pending JPH04357420A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 赤外光検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523319A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-08-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システムに関する光学受信器 |
| US8157441B2 (en) * | 2007-11-22 | 2012-04-17 | Yamatake Corporation | Temperature sensor probe |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3143997A patent/JPH04357420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8157441B2 (en) * | 2007-11-22 | 2012-04-17 | Yamatake Corporation | Temperature sensor probe |
| JP2011523319A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-08-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システムに関する光学受信器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5952665A (en) | Composite nanophosphor screen for detecting radiation | |
| JP2003521671A (ja) | 放射線検出用複合ナノ発光体スクリーン | |
| JP2006189453A (ja) | フィルムのスペクトル特性の測定装置 | |
| Canfield et al. | Silicon photodiodes with integrated thin-film filters for selective bandpasses in the extreme ultraviolet | |
| CA1123976A (en) | Radiation detection device | |
| JPS6263929A (ja) | 像記録読取装置 | |
| US6713795B2 (en) | Photodetector for ultraviolet light radiation | |
| JPS60230132A (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
| JP6558676B2 (ja) | 放射線検出素子及び放射線検出装置 | |
| JPH07254724A (ja) | Ｘ線検出器 | |
| US7446332B2 (en) | Radiation image read-out apparatus and radiation image convertor panel | |
| US6072187A (en) | Apparatus and method for reducing stray laser light in particle sensors using a narrow band filter | |
| JP2636098B2 (ja) | 赤外線検出方法および赤外線検出器 | |
| JP2624410B2 (ja) | 赤外光検出素子および赤外光検出器 | |
| JP2860027B2 (ja) | 紫外線検知装置の製造方法 | |
| US3699350A (en) | Radiant energy mark sensor | |
| JPH0294670A (ja) | 光センサー | |
| JPH02105090A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JPH1144573A (ja) | 炎検出装置 | |
| RU1436794C (ru) | Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получени | |
| JP2881619B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
| JP2621750B2 (ja) | 光学式温度測定装置 | |
| JPH0555825B2 (ja) | ||
| JPH0587633A (ja) | 赤外線量測定方法および赤外線量計 | |
| RU2522737C1 (ru) | Автономный приемник рентгеновского и ультрафиолетового излучения |