JPH0555825B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0555825B2 JPH0555825B2 JP57097784A JP9778482A JPH0555825B2 JP H0555825 B2 JPH0555825 B2 JP H0555825B2 JP 57097784 A JP57097784 A JP 57097784A JP 9778482 A JP9778482 A JP 9778482A JP H0555825 B2 JPH0555825 B2 JP H0555825B2
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- JP
- Japan
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- dimensional
- film
- phosphor film
- radiation
- panel
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
- G01T1/2014—Reading out of stimulable sheets, e.g. latent image
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は二次元放射線検出器に関する。
本発明に関係の深い従来発明例を第１図ａ，ｂ
に示す。これらは特開昭56−11393号、特開昭56
−11397号公報に開示されているもので、図ａは
放射線像の記録状態を、又、図ｂは再生状態を表
わしている。図中、１はＸ線管、２は被検体、３
は蓄積性蛍光体膜、４はHe−Neレーザ、５は偏
光装置、６は集光シート、７は光電子増倍管、８
はデータ処理装置、９は画像表示装置をそれぞれ
示す。
に示す。これらは特開昭56−11393号、特開昭56
−11397号公報に開示されているもので、図ａは
放射線像の記録状態を、又、図ｂは再生状態を表
わしている。図中、１はＸ線管、２は被検体、３
は蓄積性蛍光体膜、４はHe−Neレーザ、５は偏
光装置、６は集光シート、７は光電子増倍管、８
はデータ処理装置、９は画像表示装置をそれぞれ
示す。
しかるにこの従来例は以下のような欠点や問題
点が存在する。
点が存在する。
(1) 蓄積性蛍光体膜は放射線像記録後に、付属す
る再生装置に改めてかける必要があり、即時性
に欠ける。
る再生装置に改めてかける必要があり、即時性
に欠ける。
(2) 蓄積性蛍光体膜の放射線像再生時における光
掃引は、機械的手段によつてなされているた
め、再生時間の短縮化が困難である。
掃引は、機械的手段によつてなされているた
め、再生時間の短縮化が困難である。
この発明は上述した従来装置の欠点を改良した
もので、操作性がよく放射線像の再生時間も短か
い二次元放射線検出器を提供することを目的とす
る。
もので、操作性がよく放射線像の再生時間も短か
い二次元放射線検出器を提供することを目的とす
る。
本発明は、放射線照射後に光励起することによ
りこの放射線の照射量に対応する量の光を発する
蛍光体膜と、前記蛍光体膜を光励起掃引するため
の二次元励起パネルと、前記蛍光体から発する光
を検出するための二次元光検出機能膜とを有し、
これらが互いに近接して多層構造をなしているこ
とを特徴とする二次元放射線検出器を提供するも
のである。
りこの放射線の照射量に対応する量の光を発する
蛍光体膜と、前記蛍光体膜を光励起掃引するため
の二次元励起パネルと、前記蛍光体から発する光
を検出するための二次元光検出機能膜とを有し、
これらが互いに近接して多層構造をなしているこ
とを特徴とする二次元放射線検出器を提供するも
のである。
［発明の効果］
本発明の効果は以下の点である。
(1) 蓄積性蛍光体膜と光励起用の二次元励起パネ
ルおよび光検出用の二次元光検出機能膜が一体
化されているので、特別な像再生装置が不要で
ある。
ルおよび光検出用の二次元光検出機能膜が一体
化されているので、特別な像再生装置が不要で
ある。
(2) 蓄積性蛍光体膜の放射線像再生時における励
起掃引は、二次元励起パネルにより電気的に行
われるので、像再生時間の短縮が可能である。
起掃引は、二次元励起パネルにより電気的に行
われるので、像再生時間の短縮が可能である。
以下本発明の一実施例を第２図に示す。図中、
１０はＸ線管、１１は被検体、１２はアモルフア
スシリコン光検出膜、１３は蓄積性蛍光体膜、１
４は二次元励起パネル、１５はＸアドレス回路、
１６はＹアドレス回路、１７は増幅器、１８はデ
ータ処理装置、１９は画像表示装置をそれぞれ示
す。
１０はＸ線管、１１は被検体、１２はアモルフア
スシリコン光検出膜、１３は蓄積性蛍光体膜、１
４は二次元励起パネル、１５はＸアドレス回路、
１６はＹアドレス回路、１７は増幅器、１８はデ
ータ処理装置、１９は画像表示装置をそれぞれ示
す。
上記のような構成により、蓄積性蛍光体膜に記
録される放射線像は、二次元励起パネルにより高
速に掃引され、光信号として１７，１８，１９に
よつて再生される。第３図は光励起としてプラズ
マ放電を利用する方式で、図中、２０はガラス基
板、２１はＸ電極、２２は放電ガス、２３はＹ電
極、２４はガラス基板、２５は蓄積性蛍光体膜
（希土類元素付活バリウムフルオロハライドな
ど）、２６はITO透明信号電極（In2O3−SnO2）、
２７はｎ−a.Si（ｎ型アモルフアスシリコン）、２
８はｉ−a.Si（ｉ型アモルフアスシリコン）、２９
はｐ−a.Si（ｐ型アモルフアスシリコン）、３０は
Al接地電極をそれぞれ示す。２６〜３０は、pin
型アモルフアスシリコン光検出膜で、２５の蛍光
体膜から発する光を検出する役割を果す。製造方
法としては、例えば、ガラス基板２４に連続的に
２５〜３０の膜を形成すればよい。
録される放射線像は、二次元励起パネルにより高
速に掃引され、光信号として１７，１８，１９に
よつて再生される。第３図は光励起としてプラズ
マ放電を利用する方式で、図中、２０はガラス基
板、２１はＸ電極、２２は放電ガス、２３はＹ電
極、２４はガラス基板、２５は蓄積性蛍光体膜
（希土類元素付活バリウムフルオロハライドな
ど）、２６はITO透明信号電極（In2O3−SnO2）、
２７はｎ−a.Si（ｎ型アモルフアスシリコン）、２
８はｉ−a.Si（ｉ型アモルフアスシリコン）、２９
はｐ−a.Si（ｐ型アモルフアスシリコン）、３０は
Al接地電極をそれぞれ示す。２６〜３０は、pin
型アモルフアスシリコン光検出膜で、２５の蛍光
体膜から発する光を検出する役割を果す。製造方
法としては、例えば、ガラス基板２４に連続的に
２５〜３０の膜を形成すればよい。
(1) 二次元励起パネルとしては、前述の実施例で
説明したもの以外に、二次元LEDパネル、二
次元EL（エレクトロ・ルミネツセンス）パネル
などを使用することが可能である。
説明したもの以外に、二次元LEDパネル、二
次元EL（エレクトロ・ルミネツセンス）パネル
などを使用することが可能である。
(2) 前述の実施例においては、多層構造が（二次
元励起パネル）→（蓄積性蛍光体膜）→（二次
元光検出機能膜）の順序であるが、この順序は
任意に偏向可能である。
元励起パネル）→（蓄積性蛍光体膜）→（二次
元光検出機能膜）の順序であるが、この順序は
任意に偏向可能である。
(3) 二次元励起パネルから発する光と、蓄積性蛍
光体膜から発する光とを分離するために、波長
選択性フイルタ膜を多層構造の要素として挿入
することができる。（前述の実施例（第３図）
の場合、２５と２６の間に挿入する。） (4) 二次元光検出機能膜としては、アモルフアス
シリコン膜以外に任意の素材から構成される光
検出機能膜を利用することができる。
光体膜から発する光とを分離するために、波長
選択性フイルタ膜を多層構造の要素として挿入
することができる。（前述の実施例（第３図）
の場合、２５と２６の間に挿入する。） (4) 二次元光検出機能膜としては、アモルフアス
シリコン膜以外に任意の素材から構成される光
検出機能膜を利用することができる。
(5) 二次元光検出機能膜からの信号出力の取り出
しは、単一の電極だけで行うのではなく、分離
されている複数個の電極を利用する穂法もあ
る。
しは、単一の電極だけで行うのではなく、分離
されている複数個の電極を利用する穂法もあ
る。
第１図は従来例を示す図、第２図及び第３図は
本発明の実施例を示す図である。 １……Ｘ線管、２……被検体、３……蓄積性蛍
光体膜、４……He−Neレーザ、５……偏光装
置、６……集光シート、７……光電子増倍管、８
……データ処理装置、９……画像表示装置、１０
……Ｘ線管、１１……被検体、１２……アモルフ
アスシリコン光検出膜、１３……蓄積性蛍光体
膜、１４……二次元励起パネル、１５……Ｘアド
レス回路、１６……Ｙアドレス回路、１７……増
幅器、１８……データ処理装置、１９……画像表
示装置、２０，２４……ガラス基板、２１……Ｘ
電極、２２……放電ガス、２３……Ｙ電極、２５
……蓄積性蛍光体膜、２６……ITO透明信号電
極、２７……ｎ−ａ・Si、２８……ｉ−ａ・Si、
２９……ｐ−ａ・Si、３０……Al接地電極。
本発明の実施例を示す図である。 １……Ｘ線管、２……被検体、３……蓄積性蛍
光体膜、４……He−Neレーザ、５……偏光装
置、６……集光シート、７……光電子増倍管、８
……データ処理装置、９……画像表示装置、１０
……Ｘ線管、１１……被検体、１２……アモルフ
アスシリコン光検出膜、１３……蓄積性蛍光体
膜、１４……二次元励起パネル、１５……Ｘアド
レス回路、１６……Ｙアドレス回路、１７……増
幅器、１８……データ処理装置、１９……画像表
示装置、２０，２４……ガラス基板、２１……Ｘ
電極、２２……放電ガス、２３……Ｙ電極、２５
……蓄積性蛍光体膜、２６……ITO透明信号電
極、２７……ｎ−ａ・Si、２８……ｉ−ａ・Si、
２９……ｐ−ａ・Si、３０……Al接地電極。
Claims (1)
- １ 放射線照射後に光励起することによりこの放
射線の照射量に対応する量の光を発する蛍光体膜
と、前記蛍光体膜を光励起掃引するための二次元
パネルと、前記蛍光体から発する光を検出するた
めの二次元光検出機能膜とを有し、これらが互い
に近接して多層構造をなしていることを特徴とす
る二次元放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778482A JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778482A JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215575A JPS58215575A (ja) | 1983-12-15 |
| JPH0555825B2 true JPH0555825B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=14201437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9778482A Granted JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215575A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4767927A (en) * | 1984-08-16 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for reading radiation image information stored in imaging plate |
| JPH0776800B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1995-08-16 | 化成オプトニクス株式会社 | 放射線画像変換パネル及び放射線画像読取方法 |
| JP2651689B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-09-10 | コニカ株式会社 | 放射線画像情報記録読取装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123000A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-26 | Kogyo Gijutsuin | Radiation recording medium |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9778482A patent/JPS58215575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58215575A (ja) | 1983-12-15 |
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