JPH04359162A - 半導体集積回路の信号波形測定方法 - Google Patents
半導体集積回路の信号波形測定方法Info
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- JPH04359162A JPH04359162A JP3134589A JP13458991A JPH04359162A JP H04359162 A JPH04359162 A JP H04359162A JP 3134589 A JP3134589 A JP 3134589A JP 13458991 A JP13458991 A JP 13458991A JP H04359162 A JPH04359162 A JP H04359162A
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- Japan
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- lsi
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- optic crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学効果を用いてＬ
ＳＩの入出力端子に現れる高速の信号波形を精度よく測
定可能な信号波形測定方法に関する。
ＳＩの入出力端子に現れる高速の信号波形を精度よく測
定可能な信号波形測定方法に関する。
【０００２】ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体素子を製造
し、また使用する上で入出力信号波形とこの遅延時間（
τ）を正確に測定することが必要不可欠となっている。 然し、信号の高速化に伴い、従来の電気的な測定方法で
は信号波形を精度よく測定することは困難になってきた
。
し、また使用する上で入出力信号波形とこの遅延時間（
τ）を正確に測定することが必要不可欠となっている。 然し、信号の高速化に伴い、従来の電気的な測定方法で
は信号波形を精度よく測定することは困難になってきた
。
【０００３】一方、半導体素子基板結晶の電気光学効果
を用いることにより微細な測定領域で光学的に高速信号
が計測できることが確かめられており、（例えばＪ．Ａ
．Ｖａｌｄｍａｎｉｓ， Ｇ．Ｍｏｕｒｏｕ，ＩＥＥＥ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｖｏｌ． ＱＥ−２２， ６９〜７８）
また、発明者は電気光学結晶の上に測定すべきＬＳＩを
当接し、電気光学効果を用いて電気信号の波形測定を行
う検出方法を出願している。 （特開平０１−２８５６６）
を用いることにより微細な測定領域で光学的に高速信号
が計測できることが確かめられており、（例えばＪ．Ａ
．Ｖａｌｄｍａｎｉｓ， Ｇ．Ｍｏｕｒｏｕ，ＩＥＥＥ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｖｏｌ． ＱＥ−２２， ６９〜７８）
また、発明者は電気光学結晶の上に測定すべきＬＳＩを
当接し、電気光学効果を用いて電気信号の波形測定を行
う検出方法を出願している。 （特開平０１−２８５６６）
【０００４】
【従来の技術】図３は発明者等の提案に係り、電気光学
効果を用いてＬＳＩの電極端子に現れる信号波形を計測
する測定部の構成を示している。
効果を用いてＬＳＩの電極端子に現れる信号波形を計測
する測定部の構成を示している。
【０００５】すなわち、測定部はＬＳＩパッケージ１を
当接するＬＳＩ駆動用プリント板２と、このＬＳＩ駆動
用プリント板２に当接するコンタクトプローブ３と、こ
のコンタクトプローブ３に当接する電気光学結晶４とか
ら構成されている。
当接するＬＳＩ駆動用プリント板２と、このＬＳＩ駆動
用プリント板２に当接するコンタクトプローブ３と、こ
のコンタクトプローブ３に当接する電気光学結晶４とか
ら構成されている。
【０００６】こゝで、ＬＳＩ駆動用プリント板２は多層
回路基板からなり、測定すべきＬＳＩの複数の端子５に
対応して複数のソケット６が埋め込み成形されていて、
図示を省略したＬＳＩテスターと回路接続して計測が行
なえるよう構成されている。
回路基板からなり、測定すべきＬＳＩの複数の端子５に
対応して複数のソケット６が埋め込み成形されていて、
図示を省略したＬＳＩテスターと回路接続して計測が行
なえるよう構成されている。
【０００７】また、コンタクトプローブ３は上下両方向
に突出してスプリング性をもつ複数のコンタクトピン７
，８が測定すべきＬＳＩの複数の端子５に対応して設け
られている。
に突出してスプリング性をもつ複数のコンタクトピン７
，８が測定すべきＬＳＩの複数の端子５に対応して設け
られている。
【０００８】また、電気光学結晶４の上面には測定すべ
きＬＳＩの複数の端子５に対応して金属電極９が薄膜形
成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて
作られており、また、下面には酸化錫（ＳｎＯ）と酸化
インジウム（Ｉｎ２Ｏ３） の固溶体（ 略称ＩＴＯ）
よりなる透明導電膜１０が膜形成されている。
きＬＳＩの複数の端子５に対応して金属電極９が薄膜形
成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて
作られており、また、下面には酸化錫（ＳｎＯ）と酸化
インジウム（Ｉｎ２Ｏ３） の固溶体（ 略称ＩＴＯ）
よりなる透明導電膜１０が膜形成されている。
【０００９】そして、測定方法としてはＬＳＩ駆動用プ
リント板２のソケット６にＬＳＩパッケージ１の端子を
挿入して固定し、またＬＳＩ駆動用プリント板２の下面
に突出しているソケット６にコンタクトプローブ３のコ
ンタクトピン７を当接し、また電気光学結晶４の金属電
極９をそれぞれ対応するコンタクトピン８に当接すると
共に、透明導電膜１０を接地しておく。
リント板２のソケット６にＬＳＩパッケージ１の端子を
挿入して固定し、またＬＳＩ駆動用プリント板２の下面
に突出しているソケット６にコンタクトプローブ３のコ
ンタクトピン７を当接し、また電気光学結晶４の金属電
極９をそれぞれ対応するコンタクトピン８に当接すると
共に、透明導電膜１０を接地しておく。
【００１０】この状態でＬＳＩテスタよりＬＳＩパッケ
ージ１の入力端子に順次に信号を入力しつゝ、図示を省
略した光走査部より偏光１１を電気光学結晶４を通して
出力端子に対応する電気光学結晶４の金属電極９を照射
し、金属電極９と透明導電膜１０との間に加わる電圧の
大きさに比例して電気光学結晶４の屈折率が変化し、こ
れにより偏光１１の偏光状態が変化するが、この変化量
が印加電圧に比例することから出力波形を計測している
。
ージ１の入力端子に順次に信号を入力しつゝ、図示を省
略した光走査部より偏光１１を電気光学結晶４を通して
出力端子に対応する電気光学結晶４の金属電極９を照射
し、金属電極９と透明導電膜１０との間に加わる電圧の
大きさに比例して電気光学結晶４の屈折率が変化し、こ
れにより偏光１１の偏光状態が変化するが、この変化量
が印加電圧に比例することから出力波形を計測している
。
【００１１】そして、入力波形と出力波形との経過時間
差から遅延時間（τ） 求めている。こゝで、従来のＬ
ＳＩテスタでは遅延時間の測定精度は約４００ ｐｓ（
ピコ秒） であるが、半導体素子製造技術の進歩によ
り信号の高速化が進んでおり、これを使用する情報処理
装置を実用化するためには遅延時間を数１０ ｐｓ の
精度で測定できることが必要となり、図３に示す従来例
の信号波形測定装置が開発された。
差から遅延時間（τ） 求めている。こゝで、従来のＬ
ＳＩテスタでは遅延時間の測定精度は約４００ ｐｓ（
ピコ秒） であるが、半導体素子製造技術の進歩によ
り信号の高速化が進んでおり、これを使用する情報処理
装置を実用化するためには遅延時間を数１０ ｐｓ の
精度で測定できることが必要となり、図３に示す従来例
の信号波形測定装置が開発された。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】高性能の情報処理装置
を形成するにはこの装置の主体を占めるＬＳＩの信号波
形およひ遅延時間を数１０ ｐｓ の高い精度で測定で
きる計測装置を必要とする。
を形成するにはこの装置の主体を占めるＬＳＩの信号波
形およひ遅延時間を数１０ ｐｓ の高い精度で測定で
きる計測装置を必要とする。
【００１３】そのため、電気光学効果を用いる計測装置
を実用化したが、ＬＳＩ端子一本ごとに検出感度に差異
のあることが確かめられた。そこで、この差異を解消す
ることが課題である。
を実用化したが、ＬＳＩ端子一本ごとに検出感度に差異
のあることが確かめられた。そこで、この差異を解消す
ることが課題である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＬＳＩパッ
ケージを当接するＬＳＩ駆動用プリント板と、このＬＳ
Ｉ駆動用プリント板に当接するコンタクトプローブと、
このコンタクトプローブに当接する電気光学結晶よりな
り、この電気光学結晶に偏光を入射せしめ、ＬＳＩ端子
部に現れる電圧波形および信号遅延時間を測定する計測
装置の信号波形測定部において、コンタクトプローブと
電気光学結晶との間に高誘電率材料よりなる薄板を介在
させ、この薄板の表面と電気光学結晶の表面に同一配置
で金属電極を設けて計測を行うことを特徴として半導体
集積回路の信号波形測定方法を構成することにより解決
することができる。
ケージを当接するＬＳＩ駆動用プリント板と、このＬＳ
Ｉ駆動用プリント板に当接するコンタクトプローブと、
このコンタクトプローブに当接する電気光学結晶よりな
り、この電気光学結晶に偏光を入射せしめ、ＬＳＩ端子
部に現れる電圧波形および信号遅延時間を測定する計測
装置の信号波形測定部において、コンタクトプローブと
電気光学結晶との間に高誘電率材料よりなる薄板を介在
させ、この薄板の表面と電気光学結晶の表面に同一配置
で金属電極を設けて計測を行うことを特徴として半導体
集積回路の信号波形測定方法を構成することにより解決
することができる。
【００１５】
【作用】図３に示す現在の計測装置を用いて信号の遅延
時間を計測する際に端子ごどに変動を生ずる原因を研究
した結果、コンタクトプローブ３のコンタクトピン７，
８の高さのバラツキによることが判った。
時間を計測する際に端子ごどに変動を生ずる原因を研究
した結果、コンタクトプローブ３のコンタクトピン７，
８の高さのバラツキによることが判った。
【００１６】すなわち、ＬＳＩ駆動用プリント板２や電
気光学結晶４の表面は平滑と見做してよいが、これに当
接するコンタクトプローブ３のコンタクトピン７，８の
高さにはバラツキがある。
気光学結晶４の表面は平滑と見做してよいが、これに当
接するコンタクトプローブ３のコンタクトピン７，８の
高さにはバラツキがある。
【００１７】このバラツキはコンタクトプローブ３がＬ
ＳＩ駆動用プリント板２および電気光学結晶４に接触す
る際にコンタクトプローブ３を構成するスプリングによ
り吸収するよりに構成されているが、然し、このばねス
トロークの差は電気光学結晶４に接触する際の接触圧の
差に変換されてしまうために接触圧に分布が生じている
のである。
ＳＩ駆動用プリント板２および電気光学結晶４に接触す
る際にコンタクトプローブ３を構成するスプリングによ
り吸収するよりに構成されているが、然し、このばねス
トロークの差は電気光学結晶４に接触する際の接触圧の
差に変換されてしまうために接触圧に分布が生じている
のである。
【００１８】こゝで、電気光学結晶４に圧力を加える場
合は応力歪みが発生し、応力のない状態では発生しない
複屈折性が発生するが、コンタクトプローブ３を電気光
学結晶４に接触させる場合は多少なりとも圧力が加わる
ことから、応力複屈折が生じしており、更にコンタクト
ピンの不揃いによる応力複屈折が加わっている。
合は応力歪みが発生し、応力のない状態では発生しない
複屈折性が発生するが、コンタクトプローブ３を電気光
学結晶４に接触させる場合は多少なりとも圧力が加わる
ことから、応力複屈折が生じしており、更にコンタクト
ピンの不揃いによる応力複屈折が加わっている。
【００１９】そのため、図３の構成では測定信号に対し
て場所依存性をもつバイアスが重畳されていることが判
った。発明者は、この対策として電気光学結晶のコンタ
クトプローブと接する上面に薄板を介在させ、この接触
圧の分布をこの薄板で吸収することにより、応力複屈折
の発生をなくし、これによりバイアスの重畳されない信
号波形測定装置を実現するものである。
て場所依存性をもつバイアスが重畳されていることが判
った。発明者は、この対策として電気光学結晶のコンタ
クトプローブと接する上面に薄板を介在させ、この接触
圧の分布をこの薄板で吸収することにより、応力複屈折
の発生をなくし、これによりバイアスの重畳されない信
号波形測定装置を実現するものである。
【００２０】図１は本発明に係る測定部の構成を示すも
ので、従来と異なるところはコンタクトプローブ３と電
気光学結晶４との間に上面に測定すべきＬＳＩの複数の
端子に対応する金属電極１２を備えた薄板１３を介在さ
せることである。
ので、従来と異なるところはコンタクトプローブ３と電
気光学結晶４との間に上面に測定すべきＬＳＩの複数の
端子に対応する金属電極１２を備えた薄板１３を介在さ
せることである。
【００２１】この場合に、薄板１３の必要条件はこの介
在による電圧降下量が少ないことで、そのための必要条
件は薄板の厚さが薄く、また誘電率の高いことである。 すなわち、コンタクトプローブ３のコンタクトピン８と
接地（アース）との間に加わる電圧を電気光学結晶４の
金属電極９とアースとの電圧に近似させるためには薄膜
の金属電極１２，９間の静電容量をＣ１， また電気光
学結晶４の金属電極９，アース間の静電容量をＣ２とす
る場合、電気光学結晶４の両端に加わる電圧ＶａはＶａ
∝ Ｃ１／（Ｃ１ ＋Ｃ２） ・
・・・（１）の関係があることからＣ１＞Ｃ２であるこ
とが必要で、これを実現するためには薄板の厚さが薄く
、また誘電率の高いことが必要である。
在による電圧降下量が少ないことで、そのための必要条
件は薄板の厚さが薄く、また誘電率の高いことである。 すなわち、コンタクトプローブ３のコンタクトピン８と
接地（アース）との間に加わる電圧を電気光学結晶４の
金属電極９とアースとの電圧に近似させるためには薄膜
の金属電極１２，９間の静電容量をＣ１， また電気光
学結晶４の金属電極９，アース間の静電容量をＣ２とす
る場合、電気光学結晶４の両端に加わる電圧ＶａはＶａ
∝ Ｃ１／（Ｃ１ ＋Ｃ２） ・
・・・（１）の関係があることからＣ１＞Ｃ２であるこ
とが必要で、これを実現するためには薄板の厚さが薄く
、また誘電率の高いことが必要である。
【００２２】このような方法をとることにより、従来の
コンタクトプローブによる応力複屈折の影響を除くこと
ができる。
コンタクトプローブによる応力複屈折の影響を除くこと
ができる。
【００２３】
【実施例】図１に示す電気光学結晶４としては表面研磨
を施して厚さが１ｍｍのビスマス・シリコンオキサイド
（略称ＢＳＯ）の結晶を使用し、この上にスパッタ法を
用いて金（Ａｕ） を約３０００Åの厚さに膜形成した
後、写真蝕刻技術を用いてＬＳＩの端子位置に対応して
径が約５００ μｍ の金属電極９を形成し、また、電
気光学結晶４の裏面にはＩＴＯ よりなる透明導電膜１
０を形成した。
を施して厚さが１ｍｍのビスマス・シリコンオキサイド
（略称ＢＳＯ）の結晶を使用し、この上にスパッタ法を
用いて金（Ａｕ） を約３０００Åの厚さに膜形成した
後、写真蝕刻技術を用いてＬＳＩの端子位置に対応して
径が約５００ μｍ の金属電極９を形成し、また、電
気光学結晶４の裏面にはＩＴＯ よりなる透明導電膜１
０を形成した。
【００２４】こゝで、ＢＳＯの誘電率は約５０である。
次に、薄板１３としては厚さが１００ μｍ で表面研
磨を施したＢＳＯを使用し、この上面に電気光学結晶４
と同一形状，同一配置で同様な方法でＡｕよりなる金属
電極１２を形成した。
磨を施したＢＳＯを使用し、この上面に電気光学結晶４
と同一形状，同一配置で同様な方法でＡｕよりなる金属
電極１２を形成した。
【００２５】そして、従来と同様な方法でＬＳＩ駆動用
プリント板２のソケット６にＬＳＩパッケージ１の端子
を挿入し、またＬＳＩ駆動用プリント板２の下面に突出
しているソケット６にコンタクトプローブ３のコンタク
トピン７を当接し、また電気光学結晶４の金属電極９の
上に薄板１３を置き、金属電極１２と金属電極９とを対
応させた状態で、コンタクトプローブ３のコンタクトピ
ン８に当接した。
プリント板２のソケット６にＬＳＩパッケージ１の端子
を挿入し、またＬＳＩ駆動用プリント板２の下面に突出
しているソケット６にコンタクトプローブ３のコンタク
トピン７を当接し、また電気光学結晶４の金属電極９の
上に薄板１３を置き、金属電極１２と金属電極９とを対
応させた状態で、コンタクトプローブ３のコンタクトピ
ン８に当接した。
【００２６】また、電気光学結晶４の透明導電膜１０を
接地した。この状態でＬＳＩテスタよりＬＳＩパッケー
ジ１の入力端子に順次に信号を入力しつゝ、図示を省略
した光走査部より偏光１１を電気光学結晶４を通して金
属電極９を照射し、この偏光１１の偏光状態の変化を受
光器で測定した。
接地した。この状態でＬＳＩテスタよりＬＳＩパッケー
ジ１の入力端子に順次に信号を入力しつゝ、図示を省略
した光走査部より偏光１１を電気光学結晶４を通して金
属電極９を照射し、この偏光１１の偏光状態の変化を受
光器で測定した。
【００２７】図２はコンタクトプローブ３のコンタクト
ピン８の圧力と電気光学結晶に現れる応力複屈折率によ
り実際には存在しないにも拘らず検出されるオフセット
電圧との関係を示している。
ピン８の圧力と電気光学結晶に現れる応力複屈折率によ
り実際には存在しないにも拘らず検出されるオフセット
電圧との関係を示している。
【００２８】また、オフセット電圧に対応する位相差変
化も示しているが、この図からも明らかなように薄板の
使用によりオフセット電圧の影響は無くなっている。
化も示しているが、この図からも明らかなように薄板の
使用によりオフセット電圧の影響は無くなっている。
【００２９】
【発明の効果】本発明の実施により電気光学結晶内に誘
起される応力複屈折の影響をなくすることができ、これ
により信号波形の高精度測定が可能となる。
起される応力複屈折の影響をなくすることができ、これ
により信号波形の高精度測定が可能となる。
【図１】本発明に係る計測装置の測定部構成図である。
【図２】コンタクトピンとオフセット電圧との関係図で
ある。
ある。
【図３】従来の計測装置の測定部構成図である。
１ ＬＳＩパッケージ
２ ＬＳＩ駆動用プリント板３
コンタクトプローブ ４ 電気光学結晶 ７，８ コンタクトピン ９，１２ 金属電極 １０ 透明導電膜 １１ 偏光 １３ 薄板
コンタクトプローブ ４ 電気光学結晶 ７，８ コンタクトピン ９，１２ 金属電極 １０ 透明導電膜 １１ 偏光 １３ 薄板
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬＳＩパッケージを当接するＬＳＩ駆
動用プリント板と、該ＬＳＩ駆動用プリント板に当接す
るコンタクトプローブと、該コンタクトプローブに当接
する電気光学結晶よりなり、該電気光学結晶に偏光を入
射せしめ、ＬＳＩ端子部に現れる電圧波形および信号遅
延時間を測定する計測装置の信号波形測定部において、
前記コンタクトプローブと電気光学結晶との間に高誘電
率材料よりなる薄板を介在させ、該薄膜の表面と該電気
光学結晶の表面に同一配置で金属電極を設け、前記計測
を行うことを特徴とする半導体集積回路の信号波形測定
方法。 - 【請求項２】 前記薄板が測定に使用する電気光学結
晶からなることを特徴とする請求項１記載の半導体集積
回路の信号波形測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134589A JPH04359162A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体集積回路の信号波形測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134589A JPH04359162A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体集積回路の信号波形測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359162A true JPH04359162A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15131917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3134589A Pending JPH04359162A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 半導体集積回路の信号波形測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616225A3 (en) * | 1993-03-15 | 1995-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Electro-optical probe. |
| EP0645635A3 (en) * | 1993-09-28 | 1995-06-14 | Hamamatsu Photonics Kk | Electro-optical voltage detector. |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3134589A patent/JPH04359162A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616225A3 (en) * | 1993-03-15 | 1995-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Electro-optical probe. |
| US5642040A (en) * | 1993-03-15 | 1997-06-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrooptic probe for measuring voltage of an object having a high permittivity film fixed on an end face of a reflecting film fixed on an electrooptic material |
| EP0645635A3 (en) * | 1993-09-28 | 1995-06-14 | Hamamatsu Photonics Kk | Electro-optical voltage detector. |
| US5479106A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electro-optic voltage detector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000613 |