JPH04359425A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高周波電源と磁場に
より発生するプラズマを用いた半導体製造装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図４は従来のこの種の半導体製造装置を
示す断面図であり、図において、１はプラズマを発生さ
せる反応室、２はこの反応室内に半導体材料ガスを導く
導入口、３，４は上部と下部の電極、５は加工される半
導体基板、６は反応室内のガスを排気する排気口、７は
高周波電源、８は下部電極４と高周波電源７とのマッチ
ングボックス、９ａ，９ｂは夫々反応室１の左右両側に
配置され該反応室内に発生するプラズマの発生効率を向
上させるための電磁コイルである。

【０００３】次に動作について説明する。半導体材料ガ
スを導入口２から反応室１内へ導入し、次いで電源７よ
り例えば１３．５６ＭＨｚの高周波をマッチングボック
ス８により制御し、反応室１内に印加する。これと同時
に、電磁コイル９ａ，９ｂの双方に異なった極性の磁場
を発生させ、これによりすでに導入した半導体材料ガス
に作用させてプラズマを発生し、このプラズマ中に発生
した半導体材料ガスのイオン及びラジカルが半導体基板
５の表面に到達し、この半導体基板上で化学反応を起こ
し、その部分の半導体表面を部分的に除去、すなわちエ
ッチングするものである。即ち、電磁コイル９ａ，９ｂ
により磁場を変化させることによって、プラズマ中にあ
る電子の運動量が変化し、これが半導体材料ガス分子に
衝突することにより、電子イオン及びラジカルが発生す
る。このイオン及びラジカルが半導体表面での化学反応
に寄与するので、磁場の変化を制御することによってエ
ッチングを制御できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているが、これでは反応室１内
の磁場の制御が困難であり、したがって発生するプラズ
マの精密な制御ができないので、半導体基板の加工精度
が悪いなどの問題点があった。

【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体基板上の加工精度の均一
性を向上することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、電磁コイルを反応室の側周辺に配置していた
ものに加え、上側、又は下側もしくはその両方に配置し
たものである。

【０００７】

【作用】この発明における半導体製造装置は、上側、又
は下側もしくはその両方に配置した電磁コイルにより、
反応室内に発生するプラズマは、この磁場によって精密
に制御することが可能となり、半導体基板の加工精度の
向上が図れる。

【０００８】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１〜８は上記従来装置と全く同一
のものであるので、説明を省略する。本実施例では電磁
コイルを、反応室１の側周辺９ａ，９ｂに配置する他、
反応室１の上下側９ｃ，９ｄにも配置したものである。

【０００９】以上のように構成された半導体製造装置に
おいては、反応室１の側周辺部と上下両側に取付けた電
磁コイル９ａ〜９ｄにより、反応室１内の磁場を様々に
制御することができる。従来の側周辺部のみの電磁コイ
ル９ａ，９ｂでは半導体基板５が例えば８インチなどの
大口径になるに従い、不均一性が増大するものであった
が、上記実施例においては、電磁コイル９ａ〜９ｄによ
り磁場を与えることによって、電磁コイルでの磁場を９
ｃ，９ｄの磁場が補い、反応室内で様々な磁場を形成す
る。従って発生するプラズマの精密な制御も可能となる
。

【００１０】以上のように電磁コイル９ａ〜９ｄの磁場
を変化させることにより、プラズマを制御することがで
きるので、半導体基板５の全面上均一なプラズマを形成
でき、従ってプラズマ中に発生した半導体材料ガスのイ
オン及びラジカルが半導体基板の全面に均一に作用し、
高精度な表面の加工が得られる。

【００１１】なお上記実施例では、反応室１の上下両側
に電磁コイル９ｃ，９ｄを設けたものを示したが、装置
によっては図２，図３に示すように上側又は下側のみに
設けてもよい。また電磁コイルの代りに永久磁石を使用
しても上記実施例と同様の効果を奏する。

【００１２】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、反応室
内の磁場をより精密に制御できる構成としたので、半導
体基板が８インチなど大口径となっても、加工精度の均
一性を維持し得る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。

【図２】この発明の他の実施例を示す断面図である。

【図３】この発明の他の実施例を示す断面図である。

【図４】従来の半導体製造装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１　　　　　　　　反応室 ２　　　　　　　　ガス導入口 ３　　　　　　　　上部電極 ４　　　　　　　　下部電極 ５　　　　　　　　半導体基板 ６　　　　　　　　排気口 ７　　　　　　　　高周波電源 ８　　　　　　　　マッチングボックス９ａ〜９ｄ　　
電磁コイル

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　反応室内へ半導体ガスを導入して、該
   反応室内の半導体基板を加工する半導体製造装置におい
   て、上記反応室の側周辺部、及び上側もしくは下側、ま
   たはその両方に、その磁場を個々に制御できるマグネッ
   トを配置したことを特徴とする半導体製造装置。