JPH04359457A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】［発明の目的］

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法にかかり、特に複数のベアＩＣチップを両面基
板に実装して小形・高密度化を図ったＣＯＢ構造に関す
るものである

【０００３】。

【従来の技術】近年、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　　ｏｎ　　ｂ
ｏａｒｄ）などの高密度実装における軽薄短小高機能化
の傾向は高まる一方である。

【０００４】高機能化という点に着目すると、限られた
寸法の混成集積回路内により多くの品種を複数個並べて
搭載し接続するには困難な状況にある。

【０００５】図１１には全体図、図１２は要部拡大図、
図１３は斜視図を示す。この半導体装置では、プリント
基板１の表面に６つの多品種のベアＩＣチップ（チップ
コーティング前のＩＣチップ）６を搭載し、ボンディン
グワイヤ７を介してベアＩＣチップの電極と基板の配線
パターンとの相互接続配線を行い、パッケージ８内に封
止を行うようにしたものである。９および１０はリード
端子（配線パターン）である。

【０００６】このように長さの決められた混成集積回路
内にパッケージ内に多品種のベアＩＣチップを複数個並
べて実装した場合、その種類および数が限られるばかり
でなく、混成集積回路内におけるベアＩＣチップの占有
面積が大きくなり、ワイヤボンディングが難しくなると
いう問題がある。

【０００７】ところでさらに高密度化しようとする場合
は、両面実装が望ましい。

【０００８】しかしながら、この従来の構造の場合プリ
ント基板１裏面に部品等が実装されていると、ワイヤボ
ンディングの際に基板をクランプすることが不可能とな
るため、ベアベアチップを複数個実装する場合は図１１
，図１２，図１３に示したようにプリント基板片面にし
か実装できない等の不具合がある。

【０００９】また、従来技術で両面実装を行った例とし
ては、図１４（ａ）　および（ｂ）　，図１５に示すよ
うに、パッケ―ジタイプのＩＣ１１を使用する方法があ
る。このようにパッケ―ジタイプのＩＣ１１を使用する
ことにより、プリント基板１の両面に実装ができる。１
０はリード端子である。

【００１０】この両面実装型の半導体装置は、片面にし
かベアＩＣチップが実装できない図１１，図１２，図１
３に示したような混成集積回路に比べ、厚さが厚くなる
上、パッケ―ジタイプのＩＣ１１を両面に実装している
ため、ものによっては混成集積回路イズが、片面実装型
混成集積回路とほぼ同等レベルもしくは大きくなってし
まうことがある。

【００１１】また両面実装型の半導体装置の他の例とし
て、図１６に示すように、プリント基板１の表面にベア
ＩＣチップを実装するとともに、裏面にはチップコンデ
ンサ３０，チップ抵抗３１，ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　　Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ　　Ｐａｋｋａｇｅ）３２等のパッケージ
ングのなされた表面実装部品を搭載したものも提案され
ている。しかしながら、従来の実装構造によると、ワイ
ヤボンディングに際してのクランプができないため、片
面にしかベアＩＣチップ６を搭載することができない。 したがって、これらのベアＩＣチップ６が搭載されてい
る表面でほとんど実装占有面積が決まり、裏面にはチッ
プコンデンサ３０，チップ抵抗３１，ＳＯＰ（Ｓｍａｌ
ｌ　　Ｏｕｔｌｉｎｅ　　Ｐａｃｋａｇｅ）３２等の表
面実装部品が搭載されているにすぎず、かなりのすき間
が生じ、高密度に実装することが出来ない等の問題があ
る。

【００１２】そこでこの問題を解決すべく、ただ単に両
面にベアＩＣチップ６を実装しようとすると最初に裏面
に搭載された部品（ベアＩＣチップ，コンデンサ，抵抗
，ＳＯＰ等）の領域だけはボンディングステ―ジ１７の
方でザグリを入れて逃がさなければならず、さらに表面
にベアＩＣチップ６を搭載してワイヤボンディングを行
なう際、このザグリを入れた領域（部分）はしっかりと
クランプができない。つまり、このザグリを入れた部分
に相当する反対側（表面）の部分に配線パターン４が配
設される場合はこの配線パターン４へのワイヤボンディ
ングは十分プリント基板１上の配線パターン４を押え付
けてクランプすることができないため、熱と超音波エネ
ルギ―を効率良く、伝達できずボンディング性が著しく
悪く品質が大幅に低下する等の問題が生じる。

【００１３】この問題は、ワイヤボンディング方式の実
装構造に限定されることなく、フリップチップなどのフ
ェイスダウンボンディング方式すなわちボンディングワ
イヤを用いることなく実装を行うダイレクトボンディン
グ方式の実装構造においても、ボンディングに際しての
十分なクランプができなかったり、表面の平坦性が悪く
なったりして、十分に高精度の位置決めを行うことがで
きないという問題があった。

【００１４】

【発明が解決しようとする問題点】このようにワイヤボ
ンディングに際しては、プリント基板，ベアＩＣチップ
，金ワイヤに対して熱と超音波を効率良くまた均一に伝
え安定かつ良好な接合強度を確保しなければならない。 そのためプリント基板をボンディングステ―ジに密着さ
せ、押え治具でしっかり固定させる必要がある。従って
、ボンディングステ―ジの基板接触面は凹凸のない平坦
な面になるような構造となっているために、プリント基
板裏面に部品等が実装されていることは許されず、ワイ
ヤボンディング方法によりベアＩＣチップを複数個実装
する場合でもプリント基板片面にしか実装できず、実装
密度が上がらないという問題点があった。

【００１５】また、ただ単に両面にベアＩＣチップを実
装して高密度化をはかろうとすると、先に表面に実装さ
れた部品は裏面にベアＩＣチップを搭載してワイヤボン
ディングする際はじゃまになり、この部分だけは逃げが
必要となる。

【００１６】これはワイヤボンディング方式の実装のみ
ならず、ワイヤレス（ダイレクト）ボンディング方式の
実装においても大きな問題となっていた。

【００１７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、小形でしかも高密度実装を行うことのできる両面実
装構造を提供することを目的とする。

【００１８】

【問題点を解決するための手段】そこで本発明の第１で
は、配線パターンの形成されたプリント基板の両面にそ
れぞれ少なくとも１個のベアＩＣチップを搭載し、両面
を樹脂封止した半導体装置において、プリント基板の表
面または裏面の少なくとも一方に、当該面に搭載される
ベアＩＣチップの高さよりも高い樹脂封止用の枠を配設
するようにしている。

【００１９】望ましくはリード引き出し端子は、枠の形
成された面の反対側の面の所定の領域に配設する。

【００２０】さらにこの枠は、搭載部品およびその周辺
部品のいずれよりも高くなるように形成する必要がある
。

【００２１】本発明の第２では、プリント基板表面に、
少なくとも１個のベアＩＣチップを搭載し、前記プリン
ト基板の配線パターンに結線し、この面に、樹脂封止用
の枠を取付けた後、このプリント基板の裏面に少なくと
も１個のベアＩＣチップを搭載し、配線パターンに結線
するようにしている。

【００２２】本発明の第３では、配線パターンの形成さ
れたプリント基板表面に少なくとも１つのベアＩＣチッ
プを搭載し、このベアＩＣチップと配線パターンとを接
続するとともに、まわりを樹脂封止してなる混成集積回
路を裏面側が相対向するように絶縁性の接着部材を介し
て貼着するようにしている。

【００２３】望ましくは、端部で、両プリント基板をは
さみ込むように形成されたリード引き出し端子を設置し
、このリード引き出し端子は表面および裏面の配線パタ
ーンと接続されるようになっている。

【００２４】また望ましくは、端部で、両プリント基板
の間にをはさみ込まれるように形成されたリード引き出
し端子を配設し、表面および裏面の配線パターンと接続
するようにしている。

【００２５】

【作用】上記第１の構成によれば、表面に部品の高さよ
り高い枠を取付け、しかも裏面の配線パターンは表面の
枠の領域内にあるようにして両面に複数個のベアＩＣチ
ップを実装するようにしているので、従来の片面ベアＩ
Ｃチップ実装に比べて実装面積の縮小化を図ることがで
きる。また従来の両面ベアＩＣチップ実装に比べてボン
ディング性に優れ品質向上が期待できる。

【００２６】また、リード引き出し端子は、枠の形成さ
れた面の反対側の面の所定の領域に配設することにより
、平坦性を良好に維持したまま、裏面側（枠の形成され
た面の反対側の面）の実装を行うことができる。

【００２７】さらにこの枠は、搭載部品およびその周辺
部品のいずれよりも高くなるように形成することにより
、裏面側の実装に際しボンディングステージに密着性よ
く装着することができる。

【００２８】本発明の第２の方法によれば、プリント基
板表面に、少なくとも１個のベアＩＣチップを搭載し、
前記プリント基板の配線パターンに結線し、プリント基
板の裏面にベアＩＣチップを搭載し、結線するに先立ち
、この表面に、樹脂封止用の枠を取付けるようにしてい
るため、この枠によってベアチップＩＣが保護されると
共に表面の平坦性を保つことが可能となり、裏面側の実
装に際し、表面側をボンディングステージに密着性よく
装着することができ、高精度で確実な実装を行うことが
できる。

【００２９】ここで、結線方法としては、ワイヤボンデ
ィング、ダイレクトボンディングのいずれをも適用可能
である。また、表面側の樹脂封止は、裏面側のチップの
搭載の前でも後でも良い。

【００３０】本発明の第３によれば、ベアＩＣチップを
１枚のプリント基板に片面実装し、もう１枚のプリント
基板も同様にベアＩＣチップを用いて片面実装し、その
後２枚のプリント基板の実装されていない片面同志を絶
縁性の接着剤又はシ―トを介し貼り合わせることにより
、疑似的な両面ＣＯＢ構造の混成集積回路を提供できる
ため、従来の片面のみにベアＩＣチップを実装するＣＯ
Ｂ構造の混成集積回路及びパッケ―ジタイプのＩＣで構
成された両面構造の混成集積回路と比較した場合大幅な
小形化，高密度化を計ることができる。

【００３１】

【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。

【００３２】図１は、本発明の一実施例であって、図１
（ａ）　は断面図、図１（ｂ）　は（Ｃ方向から見た）
上面図、図１（ｃ）　は（Ｄ方向から見た）下面図、図
１（ｄ）　は側面図を示す。

【００３３】この半導体装置では、プリント基板１の表
面および裏面にベアＩＣチップ６を搭載し、これらを囲
むようにエポキシ樹脂からなる枠９を配設したことを特
徴とするものである。

【００３４】すなわち、金の配線パターン４の形成され
たプリント基板１の表面に２つ裏面に１つの他品種のベ
アＩＣチップ６を搭載し、ボンディングワイヤ７を介し
てチップの電極（ボンディングパッド）２０と配線パタ
ーン４との間で相互に接続配線を行い、チップコーティ
ング樹脂８によって封止を行うようにしたものである。 １９は圧着ボールである。また前記配線パターン４には
、ガラエピを基材としてＣｕ箔にＮｉめっきをし、その
後金めっきを施して形成されている外部接続用のリード
引き出し端子１０が接続されている。

【００３５】３０はコンデンサ，３１は抵抗，３２はＳ
ＯＰであり、いずれも配線パターン４上に半田あるいは
銀ペーストなどの導電性接着剤で固着されている。

【００３６】次に、この半導体装置の実装方法について
説明する。

【００３７】まず、両面に所定の配線パターン４の形成
されたプリント基板１を用意する。ついで、必要に応じ
て、スクリーン印刷法等を用いて、コンデンサ，抵抗，
ＳＯＰなどを接続する領域の配線パターン上に半田パタ
ーン（図示せず）を形成し、コンデンサ，抵抗，ＳＯＰ
などをリフロー半田付けする。

【００３８】この後、まずプリント基板１の表面側のチ
ップ搭載領域にベアＩＣチップ６を銀ペーストなどを用
いて固着する（ダイボンディング）。

【００３９】そして、図２乃至図４に示す方法でワイヤ
ボンディングを行う。

【００４０】ワイヤボンディングは次のようにして行わ
れる。

【００４１】まずに銀ペ―スト５を介してベアＩＣチッ
プ６を実装したプリント基板１をヒ―タ内蔵（図示され
ていない）の加熱されたボンディングステ―ジ１７上に
載せ位置決めをする。

【００４２】この後、押え治具１５にてプリント基板１
をクランプする。この段階が終了するとワイヤボンティ
ングが開始される。

【００４３】まず、図２に示すようにキャピラリ―１２
に金ワイヤ７を通した後に電気ト―チ棒１４から高電圧
を印加し、放電させて金ワイヤ７の１部を溶融し、金ボ
―ル２１を作る。

【００４４】次に図４に示すように、超音波ホ―ン１３
に取付けたキャピラリ―１２を降下させ、ボンディング
ステージ１７上にクランプされたプリント基板１上のベ
アＩＣチップ６の所定の電極２０に圧着させると同時に
超音波発振器（図示しない）から超音波エネルギ―をキ
ャピラリ―１２に伝達させ接合させる。これをファ―ス
トボンディングという（図２）。

【００４５】このファ―ストボンディングが終了すると
、キャピラリ―１２を上昇させＸＹテ―ブル（図示しな
い）上に搭載されているボンディングヘッド（図示しな
い）をプリント基板１の配線パターン４に移動させ、図
３に示すように再度キャピラリ―１２を降下させプリン
ト基板１の所定のリ―ド端子４に金ワイヤ７を圧着させ
ると同時に超音波発振器（図示しない）からの超音波エ
ネルギ―を印加させ接合させる。これをセカンドボンデ
ィングという。

【００４６】その後、キャピラリ―１２を上昇させ、途
中で下クランパ―２２を閉じ、金ワイヤ７をプリント基
板１の配線パターン４より切断する。

【００４７】このようにしてワイヤボンディングの１サ
イクルが終了する。

【００４８】この工程を繰り返して、複数のベアＩＣチ
ップ６の電極２０とプリント基板１の配線パターン４を
金ワイヤ７にて結線する。このボンディング方法を熱圧
着超音波併用ボ―ルボンディングと言う。

【００４９】このようにして表面に搭載されているベア
ＩＣチップ６の電極２０とプリント基板１の配線パター
ン４とを金ワイヤで結線した後、ベアＩＣチップ６のま
わりをチップコ―ティング樹脂８を用いて封止する。

【００５０】つまり、この装置のボンディングステ―ジ
１７の面はクランプのために凹凸のない平らな面になる
ような構造になっている。

【００５１】続いて、コンデンサ３０，チップ抵抗３１
は半田パターン上に載置し加熱することにより固着する
。

【００５２】そして図１に示すようにあらかじめ形成さ
れたポリイミド製の枠９を絶縁性接着剤を用いて固着し
、枠の上端をつなぐ面とプリント基板表面とが平行とな
るようにする。

【００５３】この後、このプリント基板を裏返しボンデ
ィングステージにこの枠９が密着するように設置する。 このボンディングステ―ジ１７の面はクランプのために
凹凸のない平らな面になっているが、枠のためにプリン
ト基板裏面が平衡度を保つように良好に密着性よくボン
ディングステ―ジ１７に載置される。

【００５４】そして同様にして、プリント基板１の裏面
側のチップ搭載領域にベアＩＣチップ６を銀ペーストな
どを用いて固着する（ダイボンディング）。

【００５５】そして、また同様に図２乃至図４に示した
通常の方法でワイヤボンディングを行う。

【００５６】続いて、ＳＯＰ３２を裏面側の半田パター
ン上に載置し加熱することにより固着する（リフロー半
田付け）。

【００５７】そしてプリント基板の裏面側にもあらかじ
め形成されたポリイミド製の枠９を絶縁性接着剤を用い
て固着する。

【００５８】そして最後に、エポキシ樹脂を枠９内に充
填し、チップコーティング樹脂８から露呈する端部の領
域Ｒの配線パターン４に接続するようにリードフレーム
１０を嵌合し、半田ディップして接続する。

【００５９】このリードフレームは図５（ａ）　および
（ｂ）　に平面図およびそのＡ−Ａ断面図を示すように
４２アロイから構成され、先端が断面コの字状をなすよ
うに形成され、他端をタイバーＴで一体的に形成されて
おり、プリント基板との接続後、タイバーＴを切除する
ようになっている。なお、この基板との接続部は、プリ
ント基板の配線パターンと良好に接続するようにさせる
ため、やや先端の間隔が狭くなるように形成されており
、プリント基板を挟んで嵌め、良好に接合できる。

【００６０】このようにして、両面ＣＯＢ構造が完成す
る。

【００６１】この方法によれば、プリント基板の両面に
ベアＩＣチップ６が信頼性よく実装でき、プリント基板
１の縮小化及び高密度化を図ることができる。

【００６２】なお、前記実施例では、樹脂封止は両面の
ベアチップ搭載後に行うようにしたが、表面に搭載した
のち、一旦表面側の樹脂封止を行い、裏面側のチップを
搭載するようにしてもよい。

【００６３】また、前記実施例では枠は両面に形成した
が、片面のみでもよい。

【００６４】さらにまた、各面での実装はベアＩＣチッ
プ、他の実装部品の順に行ったが、その逆でもよいこと
はいうまでもない。

【００６５】実施例２ 次に、本発明の第２の実施例について説明する。図６（
ａ）　および（ｂ）　は全体平面図および断面図，図７
（ａ）　および（ｂ）　は要部拡大平面図および断面図
，図８は分解構造図，図９は斜視図である。

【００６６】この半導体装置は、それぞれの金の配線パ
ターン４の形成された厚さ０．８ｍｍのプリント基板１
ａ，１ｂ表面にそれぞれ３こづつのベアＩＣチップ６を
搭載し、このベアＩＣチップと配線パターンとを接続す
るとともに、各ベアＩＣチップ６のまわりを樹脂封止し
て、２つの混成集積回路を形成し、これらのプリント基
板１ａ，１ｂの裏面側が相対向するように絶縁性の接着
部材２を介して貼着し、実施例１と同様に端部の領域Ｒ
の配線パターン４に接続するようにリードフレーム１０
を嵌合し、半田ディップして接続したものである。ここ
で金の配線パターン４は、表面を膜厚０．５μｍ　の金
めっき層で被覆したものである。

【００６７】ここで１ａ，１ｂはプリント基板、２は両
プリント基板を接続するための絶縁性接着剤、３は金メ
ッキされたパタ―ンでありベアＩＣチップをダイボンデ
ィングするためのアイランド（ダイパッド）である。４
は金の配線パタ―ンである。６はベアＩＣチップであり
、銀ペ―スト５を介してアイランドにダイボンディング
される。このダイボンディングされたベアＩＣチップか
らプリント基板の配線パターン（ボンディングパッド）
４に、金ワイヤ７にてワイヤボンディングを行う。 ８はダイボンディングされたベアＩＣチップとワイヤボ
ンディングされた金ワイヤの保護のための樹脂である。 １０は外部接続用のリ―ドフレ―ムであり、２枚のプリ
ント基板を挟持する。

【００６８】次に、この半導体装置の製造方法について
説明する。

【００６９】まず、両面に所定の配線パターン４の形成
されたプリント基板１を用意する。ついで、各プリント
基板１ａ，１ｂの表面のチップ搭載領域にベアＩＣチッ
プ６をシルバーペーストなどを用いて固着する（ダイボ
ンディング）。

【００７０】そして、実施例１に図２乃至図４に示した
方法でそれぞれに対しワイヤボンディングを行う。

【００７１】このようにしてそれぞれ片面実装のなされ
た各プリント基板１ａ，１ｂの裏面側が向かい合うよう
に絶縁性接着剤を介して固着する。

【００７２】そして最後に、プリント基板の１端部の領
域Ｒの配線パターン４に接続するようにリードフレーム
１０を嵌合し、半田ディップして接続する。

【００７３】このリードフレームは実施例１で示したの
と同様に、４２アロイから構成され、先端が断面コの字
状をなすように形成され、他端をタイバーＴで一体的に
形成されており、プリント基板との接続後、タイバーＴ
を切除する。

【００７４】このようにして、擬両面ＣＯＢ構造が完成
する。

【００７５】かかる構造をとることにより、複数個のベ
アＩＣチップを実装する場合でも両面実装を高密度に行
うことが可能になるため従来例に比較しかなりの小形化
をはかることが可能となる。

【００７６】また、通常の片面実装構造の半導体装置を
実装すれば良いため、実装方法を何等変更することなく
、容易に実装可能である。

【００７７】なお、この実施例では、配線パターンはプ
リント基板の表面側にのみ形成したが、裏面側にも形成
しスルーホールを介して接続するようにしてもよく、こ
れにより回路設計に自由度が増し、高密度化に際しても
製造が容易で信頼性の高い半導体装置を得ることができ
る。

【００７８】また、前記実施例ではリード端子１０は、
２枚のプリント基板を挾み込むようにして装着したが、
図１０に断面図を示すように、スルーホールＨを介して
表面側の配線パターンと接続するようにプリント基板の
裏面側にも配線パターン４ｓを形成し、この配線パター
ン４ｓに接続するようにリード端子１０を２枚のプリン
ト基板の間に挾み込むようにしても良い。

【００７９】なお、この例では２枚のプリント基板を重
ねるようにしているため、基板の厚さは薄いほうが望ま
しく、また薄い基板を用いて多層構造にしても良いこと
は言うまでもない。

【００８０】また、各実施例において、チップと配線パ
ターンとの間の接続はワイヤボンディングによって行う
ようにしたが、必ずしもワイヤボンディングを用いる必
要はなく、フリップチップ、ＴＡＢ方式などのワイヤレ
ス（ダイレクト）ボンディングを用いたものにも適用可
能である。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１では
、プリント基板の少なくとも一方の面に、部品の高さよ
り高い枠を取付け、両面に複数個のベアチップを実装し
た構造であるため、実装が容易でかつ小形化、高密度化
が可能となる。

【００８２】本発明の第２の方法によれば、プリント基
板表面に、少なくとも１個のベアＩＣチップを搭載し、
前記プリント基板の配線パターンに結線したのち、プリ
ント基板の裏面にベアＩＣチップを搭載し結線するに先
立ち、この表面側に、樹脂封止用の枠を取付けるように
しているため、ボンディングステージに密着性よく装着
することができ、高精度で確実な実装を行うことができ
る。

【００８３】本発明の第３では、ベアＩＣチップを使用
して片面実装されたＣＯＢ構造の２枚の実装プリント基
板を用いて絶縁性の接着剤及びプレ―トを介し貼り合せ
疑似的な両面ＣＯＢ構造の混成集積回路としたため、大
幅な小形・高密度化を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の混成集積回路を示す図
。

【図２】ワイヤボンディング工程を示す図。

【図３】ワイヤボンディング工程を示す図。

【図４】ワイヤボンディング工程を示す図。

【図５】本発明の第１の実施例に用いられるリードフレ
ームを示す図。

【図６】本発明の第２の実施例の混成集積回路を示す図
。

【図７】同混成集積回路の要部拡大図。

【図８】同分解構造図。

【図９】同斜視図

【図１０】本発明の他の実施例を示す図。

【図１１】従来例の混成集積回路を示す図。

【図１２】従来例の混成集積回路を示す図。

【図１３】従来例の混成集積回路を示す図。

【図１４】従来例の混成集積回路を示す図。

【図１５】従来例の混成集積回路を示す図。

【図１６】従来例の混成集積回路を示す図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ　　プリント基板 ２　　絶縁性接着剤 ３　　ダイパッド ４，４ｓ　　配線パターン ５　　銀ペ―スト ６　　ベアＩＣチップ ７　　金ワイヤ ８　　チップコ―ティング樹脂 ９　　枠 １０　　外部接続用リ―ドフレ―ム １２　　キャピラリ― １３　　超音波ホ―ン １４　　電気ト―チ棒 １５　　押え治具 １７　　ボンディングステ―ジ １９　　圧着ボ―ル ２０　　ベアＩＣチップの電極（ボンディングパッド）
２１　　金ボ―ル ２２　　下クランパ ３０　　コンデンサ ３１　　抵抗 ３２　　ＳＯＰ Ｔ　　タイバー

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表面および裏面に配線パターンの形成
   されたプリント基板と、前記プリント基板表面に搭載さ
   れ、前記配線パターンに接続された少なくとも１個の第
   １のベアＩＣチップと、前記プリント基板裏面に搭載さ
   れ、前記配線パターンに接続された少なくとも１個の第
   ２のベアＩＣチップと前記プリント基板の表面または裏
   面の少なくとも一方に配設され、当該面に搭載されるベ
   アＩＣチップの高さよりも高い樹脂封止用の枠とを具備
   し、前記プリント基板の表面および裏面が樹脂封止され
   ていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】　　プリント基板表面に、少なくとも１個
   のベアＩＣチップを搭載し、前記プリント基板の配線パ
   ターンに結線する第１の搭載工程と、プリント基板の裏
   面に少なくとも１個のベアＩＣチップを搭載し、前記プ
   リント基板の配線パターンに結線する第２の搭載工程と
   、前記プリント基板の表面および裏面のベアＩＣチップ
   を樹脂封止する樹脂封止工程とを含む半導体装置の実装
   方法において、前記第２の搭載工程に先立ち、前記プリ
   ント基板の表面側に、樹脂封止用の枠を取付ける工程を
   含むようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
   。
3. 【請求項３】　　第１の配線パターンの形成された第１
   のプリント基板表面に少なくとも１つのベアＩＣチップ
   を搭載し、前記ベアＩＣチップと前記第１の配線パター
   ンとを接続するとともに、前記ベアＩＣチップのまわり
   を樹脂封止してなる第１の混成集積回路と、第２の配線
   パターンの形成された第２のプリント基板表面に少なく
   とも１つのベアＩＣチップを搭載し、前記ベアＩＣチッ
   プと前記第２の配線パターンとを接続するとともに、前
   記ベアＩＣチップのまわりを樹脂封止してなる第２の混
   成集積回路とを具備し、前記第１および第２のプリント
   基板の裏面側が相対向するように絶縁性の接着部材を介
   して貼着せしめられていることを特徴とする半導体装置
   。
4. 【請求項４】　　前記第１および第２のプリント基板は
   その端部で、両者をはさみ込むように設置され、第１お
   よび第２の配線パターンとの接続のなされたリ―ド端子
   を具備したことを特徴とする請求項（３）　記載の半導
   体装置。