JPH04359471A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH04359471A JPH04359471A JP3133983A JP13398391A JPH04359471A JP H04359471 A JPH04359471 A JP H04359471A JP 3133983 A JP3133983 A JP 3133983A JP 13398391 A JP13398391 A JP 13398391A JP H04359471 A JPH04359471 A JP H04359471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- light
- substrate
- semiconductor
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学画像を電気信号に変
換するイメージセンサに関するものである。
換するイメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、イメージセンサは、図２に於て導
体配線を形成した基板上２０に、受光素子２２を含む半
導体素子２１を導電性接着剤により固定し、半導体の電
極２５と回路導体層２４とをワイヤーボンド法により金
やアルミニウムなどの金属細線で接続し、さらに、その
上から透明なガラス封止材によって封止する構造をとっ
ていた。
体配線を形成した基板上２０に、受光素子２２を含む半
導体素子２１を導電性接着剤により固定し、半導体の電
極２５と回路導体層２４とをワイヤーボンド法により金
やアルミニウムなどの金属細線で接続し、さらに、その
上から透明なガラス封止材によって封止する構造をとっ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ワイヤーボンド等複雑な工程が必要であ
った。
うな構成では、ワイヤーボンド等複雑な工程が必要であ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、表面上に回路導体層を形成した透光性基
板に、光硬化型絶縁樹脂を介して受光素子を有する半導
体素子を、フェイスダウンで、その素子上に形成された
取り出し電極が上記回路導体層に当接するように実装す
ることによりイメージセンサを作成する。ここに於て、
上記透光性基板の表面を適度に粗した。
めに本発明は、表面上に回路導体層を形成した透光性基
板に、光硬化型絶縁樹脂を介して受光素子を有する半導
体素子を、フェイスダウンで、その素子上に形成された
取り出し電極が上記回路導体層に当接するように実装す
ることによりイメージセンサを作成する。ここに於て、
上記透光性基板の表面を適度に粗した。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成によって、光硬化型絶縁
樹脂と透光性基板との接着性を向上させ、半導体素子と
透光性基板との密着性を上げ、イメージセンサの信頼性
を向上させるものである。
樹脂と透光性基板との接着性を向上させ、半導体素子と
透光性基板との密着性を上げ、イメージセンサの信頼性
を向上させるものである。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例のイメージセンサにつ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００７】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例にお
けるイメージセンサの正面断面図と側面断面図を示すも
のである。１１は透光性基板、１２は透光性基板１１の
表面上に形成された回路導体層、１３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサチップ、１４はイメージセンサ
チップ１３に設けられている電極、１５は半導体イメー
ジセンサチップ１３を、透光性基板１１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、１６は半導体イメージセンサ
チップ１３を保護するための保護層、１７は半導体イメ
ージセンサチップ１３に設けられている受光素子である
。
けるイメージセンサの正面断面図と側面断面図を示すも
のである。１１は透光性基板、１２は透光性基板１１の
表面上に形成された回路導体層、１３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサチップ、１４はイメージセンサ
チップ１３に設けられている電極、１５は半導体イメー
ジセンサチップ１３を、透光性基板１１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、１６は半導体イメージセンサ
チップ１３を保護するための保護層、１７は半導体イメ
ージセンサチップ１３に設けられている受光素子である
。
【０００８】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を説明する。まず半導体プロセスを用いて単結
晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトランジスタま
たはフォトダイオード等の受光素子１７とＣＣＤやＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設
けたものを作る。各電極１４については、２層Ａｌ配線
のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μｍ程
度ウエハ表面より突出した構造になっている。その後こ
のウエハを高精度ダイシング技術により切断し、半導体
イメージセンサチップ１３を作る。次にポリアリレート
（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板１
１上に、銅等の金属を、蒸着法やスパッタリング法、ま
たは箔等を用いて形成し、後にフォトリソ法によって回
路導体層１２を形成する。この透光性基板１１の所定に
位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１５を
スタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量塗布し、
その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１４が
所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダウン
で配置する。
製造方法を説明する。まず半導体プロセスを用いて単結
晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトランジスタま
たはフォトダイオード等の受光素子１７とＣＣＤやＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設
けたものを作る。各電極１４については、２層Ａｌ配線
のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μｍ程
度ウエハ表面より突出した構造になっている。その後こ
のウエハを高精度ダイシング技術により切断し、半導体
イメージセンサチップ１３を作る。次にポリアリレート
（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板１
１上に、銅等の金属を、蒸着法やスパッタリング法、ま
たは箔等を用いて形成し、後にフォトリソ法によって回
路導体層１２を形成する。この透光性基板１１の所定に
位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１５を
スタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量塗布し、
その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１４が
所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダウン
で配置する。
【０００９】その後、この半導体イメージセンサチップ
１３の上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹
脂１５に透光性基板１１を通して紫外線照射をし、硬化
させ、実装を完了する。さらにその上からシリコーン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護層１６を形成
する。
１３の上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹
脂１５に透光性基板１１を通して紫外線照射をし、硬化
させ、実装を完了する。さらにその上からシリコーン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護層１６を形成
する。
【００１０】このイメージセンサについては、透光性基
板１１及び透明光硬化型絶縁樹脂１５を通して光情報を
受光素子１７が検知し、これを電気信号に変換するよう
になっている。
板１１及び透明光硬化型絶縁樹脂１５を通して光情報を
受光素子１７が検知し、これを電気信号に変換するよう
になっている。
【００１１】透明光硬化型絶縁樹脂１５としては、ウレ
タンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系
の紫外線硬化樹脂が接着性、光感度の点から好適である
。
タンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系
の紫外線硬化樹脂が接着性、光感度の点から好適である
。
【００１２】上記、図１の構成のイメージセンサを作成
する際に、透光性基板１１にポリアリレートフィルムを
用い、またその上に銅箔を貼り、フォトリソ法により回
路導体層を形成した。
する際に、透光性基板１１にポリアリレートフィルムを
用い、またその上に銅箔を貼り、フォトリソ法により回
路導体層を形成した。
【００１３】このポリアリレートフィルムの表面にＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１による表記法で中心線平均粗さＲ
ａ＝０．５ａ、最大高さＲｍａｘ＝１．５Ｓ程度の粗さ
を設けることにより透明光硬化型絶縁樹脂１５との接着
性を向上させ、高温高湿（８５℃、８５％）、高温（８
５℃）、低温（ー４０℃）及び熱衝撃（ー４０℃〜＋８
５℃）等の種々の試験に耐えることを可能にし、イメー
ジセンサとしての信頼性を飛躍的に向上させ、実用化を
可能にした。
Ｓ Ｂ ０６０１による表記法で中心線平均粗さＲ
ａ＝０．５ａ、最大高さＲｍａｘ＝１．５Ｓ程度の粗さ
を設けることにより透明光硬化型絶縁樹脂１５との接着
性を向上させ、高温高湿（８５℃、８５％）、高温（８
５℃）、低温（ー４０℃）及び熱衝撃（ー４０℃〜＋８
５℃）等の種々の試験に耐えることを可能にし、イメー
ジセンサとしての信頼性を飛躍的に向上させ、実用化を
可能にした。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体イ
メージセンサ素子を金属細線による配線（ワイヤーボン
ド）作業を行なわず、また、半導体素子においてもバン
プ電極を形成することなく、回路導体層を設けた透光性
基板に、高信頼性で実装することができ、しかも安価な
イメージセンサを提供することができる。
メージセンサ素子を金属細線による配線（ワイヤーボン
ド）作業を行なわず、また、半導体素子においてもバン
プ電極を形成することなく、回路導体層を設けた透光性
基板に、高信頼性で実装することができ、しかも安価な
イメージセンサを提供することができる。
【図１】（ａ） 本発明の実施例におけるイメージセ
ンサの正面断面図である。 （ｂ） 本発明の実施例におけるイメージセンサの側
面断面図である。
ンサの正面断面図である。 （ｂ） 本発明の実施例におけるイメージセンサの側
面断面図である。
【図２】従来のイメージセンサの断面図である。
１１ 透光性基板
１２ 回路導体層
１３ 半導体イメージセンサチップ
１４ 電極
１５ 透明光硬化型絶縁樹脂
１６ 保護膜
１７ 受光素子
２０ 基板
２１ 半導体イメージセンサチップ
２２ 受光素子
２３ 封止ガラス
２４ 回路導体層
２５ 電極
２６ 金属細線
Claims (1)
- 【請求項１】 表面上に回路導体層を形成した透光性
基板と、この透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂
を介して実装した受光素子を有する半導体素子とを備え
、上記半導体素子はフェイスダウンで、その素子上に形
成された取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造
をしたイメージセンサにおいて、上記透光性基板の表面
の粗さをＪＩＳ Ｂ ０６０１による表記法で、中
心線平均粗さＲａ＝（１．６〜０．１）ａ、最大高さＲ
ｍａｘ＝（３．２〜０．４）Ｓとしたイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133983A JPH04359471A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133983A JPH04359471A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359471A true JPH04359471A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15117649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3133983A Pending JPH04359471A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359471A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614780A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Tadashi Takemoto | スポツト溶接用仮止め接着剤組成物 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP3133983A patent/JPH04359471A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614780A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Tadashi Takemoto | スポツト溶接用仮止め接着剤組成物 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
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