JPH0567761A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0567761A JPH0567761A JP3230137A JP23013791A JPH0567761A JP H0567761 A JPH0567761 A JP H0567761A JP 3230137 A JP3230137 A JP 3230137A JP 23013791 A JP23013791 A JP 23013791A JP H0567761 A JPH0567761 A JP H0567761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- conductor layer
- circuit conductor
- semiconductor
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体イメージセンサチップを、従来の複雑
な金属細線による配線（ワイヤーボンド）作業を行なわ
ず、また、バンプ電極を形成することなく、簡単、短時
間で基板に実装し、信頼性が高く、しかも安価なイメー
ジセンサを提供する。 【構成】 表面にＪＩＳ Ｂ ０６０１表記法で中心線
平均粗さＲａ＝（３．２〜０．４）ａ、最大高さＲｍａ
ｘ＝（６．３〜０．８）Ｓ程度の凹凸を設けた回路導体
層１２をその表面に有する透光性基板１１に、光硬化型
絶縁樹脂１５を介して、受光素子１７を有する半導体イ
メージセンサチップ１３をフェイスダウンで、その電極
１４と回路導体層１２とが当接するように実装して、イ
メージセンサを構成する。
な金属細線による配線（ワイヤーボンド）作業を行なわ
ず、また、バンプ電極を形成することなく、簡単、短時
間で基板に実装し、信頼性が高く、しかも安価なイメー
ジセンサを提供する。 【構成】 表面にＪＩＳ Ｂ ０６０１表記法で中心線
平均粗さＲａ＝（３．２〜０．４）ａ、最大高さＲｍａ
ｘ＝（６．３〜０．８）Ｓ程度の凹凸を設けた回路導体
層１２をその表面に有する透光性基板１１に、光硬化型
絶縁樹脂１５を介して、受光素子１７を有する半導体イ
メージセンサチップ１３をフェイスダウンで、その電極
１４と回路導体層１２とが当接するように実装して、イ
メージセンサを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学画像を電気信号に変
換するイメージセンサに関するものである。
換するイメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、イメージセンサは、図２に於て導
体配線を形成した透明基板上２０に、受光素子２２を含
む半導体素子２１を導電性接着剤により固定し、半導体
の電極２５と回路導体層２４とをワイヤーボンド法によ
り金やアルミニウムなどの金属細線で接続し、さらに、
その上から透明なガラス封止材によって封止する構造を
とっていた。
体配線を形成した透明基板上２０に、受光素子２２を含
む半導体素子２１を導電性接着剤により固定し、半導体
の電極２５と回路導体層２４とをワイヤーボンド法によ
り金やアルミニウムなどの金属細線で接続し、さらに、
その上から透明なガラス封止材によって封止する構造を
とっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ワイヤーボンド等複雑な工程が必要であ
った。
うな構成では、ワイヤーボンド等複雑な工程が必要であ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、表面上に回路導体層を形成した透光性基
板に、光硬化型絶縁樹脂を介して受光素子を有する半導
体素子を、フェイスダウンで、その素子上に形成された
取り出し電極が上記回路導体層に当接するように実装す
ることによりイメージセンサを作成する。ここに於て、
上記回路導体層の表面を適度に粗す事により安定した電
気的接続と物理的接続を得るイメージセンサ。
めに本発明は、表面上に回路導体層を形成した透光性基
板に、光硬化型絶縁樹脂を介して受光素子を有する半導
体素子を、フェイスダウンで、その素子上に形成された
取り出し電極が上記回路導体層に当接するように実装す
ることによりイメージセンサを作成する。ここに於て、
上記回路導体層の表面を適度に粗す事により安定した電
気的接続と物理的接続を得るイメージセンサ。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成によって、半導体イメー
ジセンサチップの電極と回路導体層との物理的及び電気
的接続を向上させ、イメージセンサの信頼性を向上させ
るものである。
ジセンサチップの電極と回路導体層との物理的及び電気
的接続を向上させ、イメージセンサの信頼性を向上させ
るものである。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例のイメージセンサにつ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００７】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例にお
けるイメージセンサの正面断面図と側面断面図を示すも
のである。１１は透光性基板、１２は透光性基板１１の
表面上に形成された回路導体層、１３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサチップ、１４はイメージセンサ
チップ１３に設けられている電極、１５は半導体イメー
ジセンサチップ１３を、透光性基板１１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、１６は半導体イメージセンサ
チップ１３を保護するための保護層、１７は半導体イメ
ージセンサチップ１３に設けられている受光素子であ
る。
けるイメージセンサの正面断面図と側面断面図を示すも
のである。１１は透光性基板、１２は透光性基板１１の
表面上に形成された回路導体層、１３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサチップ、１４はイメージセンサ
チップ１３に設けられている電極、１５は半導体イメー
ジセンサチップ１３を、透光性基板１１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、１６は半導体イメージセンサ
チップ１３を保護するための保護層、１７は半導体イメ
ージセンサチップ１３に設けられている受光素子であ
る。
【０００８】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を説明する。まず半導体プロセスを用いて単結
晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトランジスタま
たはフォトダイオード等の受光素子１７とＣＣＤやＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設
けたものを作る。各電極１４については、２層Ａｌ配線
のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μｍ程
度ウエハ表面より突出した構造になっている。その後こ
のウエハを高精度ダイシング技術により切断し、半導体
イメージセンサチップ１３を作る。次にポリアリレート
（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板１
１上に、銅等の金属を、蒸着法やスパッタリング法、ま
たは箔等を用いて形成し、後にフォトリソ法によって回
路導体層１２を形成する。この透光性基板１１の所定に
位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１５を
スタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量塗布し、
その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１４が
所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダウン
で配置する。その後、この半導体イメージセンサチップ
１３の上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹
脂１５に透光性基板１１を通して紫外線照射をし、硬化
させ、実装を完了する。さらにその上からシリコーン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護層１６を形成
する。
製造方法を説明する。まず半導体プロセスを用いて単結
晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトランジスタま
たはフォトダイオード等の受光素子１７とＣＣＤやＭＯ
Ｓ、バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設
けたものを作る。各電極１４については、２層Ａｌ配線
のプロセスを用い、スパッタリング方法により数μｍ程
度ウエハ表面より突出した構造になっている。その後こ
のウエハを高精度ダイシング技術により切断し、半導体
イメージセンサチップ１３を作る。次にポリアリレート
（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板１
１上に、銅等の金属を、蒸着法やスパッタリング法、ま
たは箔等を用いて形成し、後にフォトリソ法によって回
路導体層１２を形成する。この透光性基板１１の所定に
位置に、アクリレート系の透明光硬化型絶縁樹脂１５を
スタンピング法やスクリーン印刷法等で所定量塗布し、
その上に半導体イメージセンサチップ１３を電極１４が
所定の回路導体層１２に当接するようにフェイスダウン
で配置する。その後、この半導体イメージセンサチップ
１３の上方から圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹
脂１５に透光性基板１１を通して紫外線照射をし、硬化
させ、実装を完了する。さらにその上からシリコーン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護層１６を形成
する。
【０００９】このイメージセンサについては、透光性基
板１１及び透明光硬化型絶縁樹脂１５を通して光情報を
受光素子１７が検知し、これを電気信号に変換するよう
になっている。
板１１及び透明光硬化型絶縁樹脂１５を通して光情報を
受光素子１７が検知し、これを電気信号に変換するよう
になっている。
【００１０】透明光硬化型絶縁樹脂１５としては、ウレ
タンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系
の紫外線硬化樹脂が接着性、光感度の点から好適であ
る。
タンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系
の紫外線硬化樹脂が接着性、光感度の点から好適であ
る。
【００１１】上記図１の構成のイメージセンサを作成す
る際に、透光性基板１１にポリアリレートフィルムを用
い、またその上に銅箔を貼り、フォトリソ法により回路
導体層を形成した。
る際に、透光性基板１１にポリアリレートフィルムを用
い、またその上に銅箔を貼り、フォトリソ法により回路
導体層を形成した。
【００１２】この回路導体層の表面の好ましい粗さはに
ＪＩＳ Ｂ ０６０１による表記法で中心線平均粗さＲ
ａ＝１．５ａ、最大高さＲｍａｘ＝３．０Ｓ程度の粗さ
を設けることにより電極１４との電気的接続性を向上さ
せ、高温高湿（８５℃、８５％）、高温（８５℃）、低
温（ー４０℃）及び熱衝撃（ー４０℃〜＋８５℃）等の
種々の試験に耐えることを可能にし、イメージセンサと
しての信頼性を飛躍的に向上させ、実用化を可能にし
た。
ＪＩＳ Ｂ ０６０１による表記法で中心線平均粗さＲ
ａ＝１．５ａ、最大高さＲｍａｘ＝３．０Ｓ程度の粗さ
を設けることにより電極１４との電気的接続性を向上さ
せ、高温高湿（８５℃、８５％）、高温（８５℃）、低
温（ー４０℃）及び熱衝撃（ー４０℃〜＋８５℃）等の
種々の試験に耐えることを可能にし、イメージセンサと
しての信頼性を飛躍的に向上させ、実用化を可能にし
た。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体イ
メージセンサ素子を金属細線による配線（ワイヤーボン
ド）作業を行なわず、また、半導体素子においてもバン
プ電極を形成することなく、回路導体層を設けた透光性
基板に、高信頼性で実装することができ、しかも安価な
イメージセンサを提供することができる。
メージセンサ素子を金属細線による配線（ワイヤーボン
ド）作業を行なわず、また、半導体素子においてもバン
プ電極を形成することなく、回路導体層を設けた透光性
基板に、高信頼性で実装することができ、しかも安価な
イメージセンサを提供することができる。
【図１】本発明の実施例におけるイメージセンサの正面
断面図と側面断面図
断面図と側面断面図
【図２】従来のイメージセンサの断面図
１１ 透光性基板 １２ 回路導体層 １３ 半導体イメージセンサチップ １４ 電極 １５ 透明光硬化型絶縁樹脂 １６ 保護膜 １７ 受光素子 ２０ 透明基板 ２１ 半導体イメージセンサチップ ２２ 受光素子 ２３ 封止ガラス ２４ 回路導体層 ２５ 電極 ２６ 金属細線
Claims (1)
- 【請求項１】表面上に回路導体層を形成した透光性基板
と、この透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介
して実装した受光素子を有する半導体素子を乗せ、上記
半導体素子はフェイスダウンで、その素子上に形成され
た取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をした
イメージセンサにおいて、 少なくとも上記回路導体層の表面が粗されている事を特
徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230137A JPH0567761A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230137A JPH0567761A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567761A true JPH0567761A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16903165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3230137A Pending JPH0567761A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567761A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614780A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Tadashi Takemoto | スポツト溶接用仮止め接着剤組成物 |
| JPH036828A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH03142880A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3230137A patent/JPH0567761A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614780A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Tadashi Takemoto | スポツト溶接用仮止め接着剤組成物 |
| JPH036828A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH03142880A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット |
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