JPH04359539A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
- Publication number
- JPH04359539A JPH04359539A JP3135144A JP13514491A JPH04359539A JP H04359539 A JPH04359539 A JP H04359539A JP 3135144 A JP3135144 A JP 3135144A JP 13514491 A JP13514491 A JP 13514491A JP H04359539 A JPH04359539 A JP H04359539A
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- JP
- Japan
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- pressure
- gas
- holding
- gas flow
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は静電吸着装置に係り、特
にウェハの有無及び保持状態を検出する手段を具備した
静電吸着装置に関する。
にウェハの有無及び保持状態を検出する手段を具備した
静電吸着装置に関する。
【0002】一般に半導体製造装置は、処理部でのウェ
ハを保持する手段として、静電的にウェハを吸着して保
持する静電吸着装置を用いたものがある。また、ウェハ
の保持と共にウェハの冷却も可能とした静電吸着装置も
近年急増して来ている。
ハを保持する手段として、静電的にウェハを吸着して保
持する静電吸着装置を用いたものがある。また、ウェハ
の保持と共にウェハの冷却も可能とした静電吸着装置も
近年急増して来ている。
【0003】このウェハの冷却を可能とした静電吸着装
置では、ウェハの保持状態により冷却状態が大きく変化
することが知られている。
置では、ウェハの保持状態により冷却状態が大きく変化
することが知られている。
【0004】よって、静電吸着装置によるウェハの保持
状態を精度良く検知することが重要となる。
状態を精度良く検知することが重要となる。
【0005】
【従来の技術】従来における静電吸着装置は交流高電圧
を用いたものが一般的である。この交流高電圧式の静電
吸着装置は、一対の電極に交流電圧を印加することによ
り電極上に絶縁物を介して載置されたウェハに誘電分極
を起こし、これによりウェハ表面に誘起される正負の電
荷の静電力により、ウェハを電極に吸着する構成となっ
ている。また、冷却装置には、ウェハが吸着される位置
近傍に冷却機構を設けたものがあり、加工時に加熱され
るウェハを冷却機構により冷却し、熱による悪影響がウ
ェハに及ばないよう構成された静電吸着装置がある。
を用いたものが一般的である。この交流高電圧式の静電
吸着装置は、一対の電極に交流電圧を印加することによ
り電極上に絶縁物を介して載置されたウェハに誘電分極
を起こし、これによりウェハ表面に誘起される正負の電
荷の静電力により、ウェハを電極に吸着する構成となっ
ている。また、冷却装置には、ウェハが吸着される位置
近傍に冷却機構を設けたものがあり、加工時に加熱され
るウェハを冷却機構により冷却し、熱による悪影響がウ
ェハに及ばないよう構成された静電吸着装置がある。
【0006】上記構成の静電吸着装置においてウェハの
保持状態を検出しようとした場合、従来では各電極間に
交流電圧を印加し、この時のウェハと電極との間の静電
容量を検出することによりウェハの吸着の度合いを検出
していた。
保持状態を検出しようとした場合、従来では各電極間に
交流電圧を印加し、この時のウェハと電極との間の静電
容量を検出することによりウェハの吸着の度合いを検出
していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】例えば、上記の静電吸
着装置をRIE装置(反応性イオンエッチング装置)に
適用した場合、静電吸着装置の配設位置近傍にはプラズ
マを発生させるために高周波が印加される。このように
高周波が印加された雰囲気中では、交流電圧を電極に印
加してもウェハと電極との間の静電容量の検出精度は著
しく低下し、ウェハの有無の認識は困難で、ましてや保
持状態を検出することはできないという問題点があった
。
着装置をRIE装置(反応性イオンエッチング装置)に
適用した場合、静電吸着装置の配設位置近傍にはプラズ
マを発生させるために高周波が印加される。このように
高周波が印加された雰囲気中では、交流電圧を電極に印
加してもウェハと電極との間の静電容量の検出精度は著
しく低下し、ウェハの有無の認識は困難で、ましてや保
持状態を検出することはできないという問題点があった
。
【0008】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高周波が印加された状態においても精度良くウェ
ハの有無及び保持状態を検出できる静電吸着装置を提供
することを目的とする。
あり、高周波が印加された状態においても精度良くウェ
ハの有無及び保持状態を検出できる静電吸着装置を提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、本発明では、静電吸着を用いてウェハを保持すると共
に、ウェハの有無及び保持状態を検出する保持状態検出
手段を具備する静電吸着装置において、上記保持状態検
出手段を、一定圧力の圧力測定用ガスが流れるガス流路
と、一端がガス流路と連通すると共に、他端がウェハと
対向する位置に開口した圧力測定孔と、上記ガス流路内
を流れる圧力測定用ガスの圧力を測定する圧力測定装置
と、により構成したことを特徴とするものである。
、本発明では、静電吸着を用いてウェハを保持すると共
に、ウェハの有無及び保持状態を検出する保持状態検出
手段を具備する静電吸着装置において、上記保持状態検
出手段を、一定圧力の圧力測定用ガスが流れるガス流路
と、一端がガス流路と連通すると共に、他端がウェハと
対向する位置に開口した圧力測定孔と、上記ガス流路内
を流れる圧力測定用ガスの圧力を測定する圧力測定装置
と、により構成したことを特徴とするものである。
【0010】
【作用】上記構成の静電吸着装置は、ウェハと静電吸着
装置(具体的にはウェハの搭載面)との間の離間寸法に
基づきウェハの有無及び保持状態を検出する。即ち、ウ
ェハが強く静電吸着装置に保持されている場合は、ウェ
ハと静電吸着装置との間の離間寸法は小さくなっている
。逆に、静電吸着装置のウェハの保持力が小さい場合に
は、ウェハと静電吸着装置との間の離間寸法は大きくな
っている。
装置(具体的にはウェハの搭載面)との間の離間寸法に
基づきウェハの有無及び保持状態を検出する。即ち、ウ
ェハが強く静電吸着装置に保持されている場合は、ウェ
ハと静電吸着装置との間の離間寸法は小さくなっている
。逆に、静電吸着装置のウェハの保持力が小さい場合に
は、ウェハと静電吸着装置との間の離間寸法は大きくな
っている。
【0011】また、上記離間寸法と圧力測定装置が測定
する圧力測定用ガスの圧力との間には依存関係がある。 即ち、上記離間寸法が小さい程、圧力測定孔は閉鎖され
た状態となるため、圧力測定装置で測定される圧力値は
上記の一定圧力値に近づいた値となる。これに対して、
離間寸法が大きいと、圧力測定孔は開放された状態とな
るため、圧力測定装置で測定される圧力値は上記の一定
圧力値より低い値となる。
する圧力測定用ガスの圧力との間には依存関係がある。 即ち、上記離間寸法が小さい程、圧力測定孔は閉鎖され
た状態となるため、圧力測定装置で測定される圧力値は
上記の一定圧力値に近づいた値となる。これに対して、
離間寸法が大きいと、圧力測定孔は開放された状態とな
るため、圧力測定装置で測定される圧力値は上記の一定
圧力値より低い値となる。
【0012】従って、圧力測定装置が検出する検出値よ
り、静電吸着装置のウェハに対する保持状態を検出する
ことができる。また、上記方法による保持状態の検出は
、静電容量変化ではなく圧力測定用ガスの圧力変化で検
出するため、プラズマ発生雰囲気中であっても精度よく
保持状態の検出を行うことができる。
り、静電吸着装置のウェハに対する保持状態を検出する
ことができる。また、上記方法による保持状態の検出は
、静電容量変化ではなく圧力測定用ガスの圧力変化で検
出するため、プラズマ発生雰囲気中であっても精度よく
保持状態の検出を行うことができる。
【0013】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図1は本発明の一実施例である静電吸着装置1の
構成図である。
する。図1は本発明の一実施例である静電吸着装置1の
構成図である。
【0014】同図中、2は装置本体であり、内部に圧力
測定用ガスが流れるガス流路3,一端がこのガス流路3
と連通すると共に他端がウェハ載置面2aに開口した圧
力測定孔4,ガス流路3内の圧力を外部に引き出すため
の引き出し孔5,及びウェハ6を静電吸着するための電
極7,8が設けられている。
測定用ガスが流れるガス流路3,一端がこのガス流路3
と連通すると共に他端がウェハ載置面2aに開口した圧
力測定孔4,ガス流路3内の圧力を外部に引き出すため
の引き出し孔5,及びウェハ6を静電吸着するための電
極7,8が設けられている。
【0015】ガス流路3の流入口3aにはマスフローメ
ータ(質量流量計)9,ガス供給原10が接続されてお
り、ガス供給原10からはヘリウム(H2)ガスが導入
口3aに向け供給される。また、ガス供給原10から供
給されるH2 ガスの流量はマスフローメター9により
測定され、常に一定量のH2 ガスが導入口3aに流入
するよう制御されている。
ータ(質量流量計)9,ガス供給原10が接続されてお
り、ガス供給原10からはヘリウム(H2)ガスが導入
口3aに向け供給される。また、ガス供給原10から供
給されるH2 ガスの流量はマスフローメター9により
測定され、常に一定量のH2 ガスが導入口3aに流入
するよう制御されている。
【0016】また、ガス流路3の流出口3bには、調圧
弁11を介して真空ポンプ12が接続されている。真空
ポンプ12は、少なくとも静電吸着装置1が配設される
装置(例えばRIE装置)がチェンバ内で生成する真空
度よりも高い真空度を生成できる能力を有したものであ
る。この真空ポンプ12による吸引量は調圧弁11によ
り一定値に保たれている。従って、ガス供給源10,マ
スフローメター9,ガス流路3,調圧弁11,真空ポン
プ12により構成されるガス供給系により、ガス流路3
内の圧力は常に一定になるよう維持されている(但し、
後述する圧力測定孔4からの流入量を無視した場合であ
る)。
弁11を介して真空ポンプ12が接続されている。真空
ポンプ12は、少なくとも静電吸着装置1が配設される
装置(例えばRIE装置)がチェンバ内で生成する真空
度よりも高い真空度を生成できる能力を有したものであ
る。この真空ポンプ12による吸引量は調圧弁11によ
り一定値に保たれている。従って、ガス供給源10,マ
スフローメター9,ガス流路3,調圧弁11,真空ポン
プ12により構成されるガス供給系により、ガス流路3
内の圧力は常に一定になるよう維持されている(但し、
後述する圧力測定孔4からの流入量を無視した場合であ
る)。
【0017】引き出し孔5には、圧力測定装置であるダ
イヤフラムセンサ13が接続されている。引き出し孔5
はガス流路3と連通されているため、ダイヤフラムセン
サ13で検出されるのはガス流路3内の圧力である。ダ
イヤフラムセンサ13で検出され生成された圧力信号は
アナログ−デジタル変換器(A/D変換器)15でデジ
タル化された上で、保持力測定回路15に供給される。 保持力測定回路15は、供給された圧力信号に基づき演
算処理を行い、ガス流路3内の圧力に基づき静電吸着装
置1がウェハ6を保持する保持力を演算する。尚、保持
力測定回路15がウェハ6を保持する保持力を求める原
理については後述する。
イヤフラムセンサ13が接続されている。引き出し孔5
はガス流路3と連通されているため、ダイヤフラムセン
サ13で検出されるのはガス流路3内の圧力である。ダ
イヤフラムセンサ13で検出され生成された圧力信号は
アナログ−デジタル変換器(A/D変換器)15でデジ
タル化された上で、保持力測定回路15に供給される。 保持力測定回路15は、供給された圧力信号に基づき演
算処理を行い、ガス流路3内の圧力に基づき静電吸着装
置1がウェハ6を保持する保持力を演算する。尚、保持
力測定回路15がウェハ6を保持する保持力を求める原
理については後述する。
【0018】保持力測定回路15でウェハ6を保持する
保持力が求められると、保持力測定回路15は求められ
た保持力の値を表示器16に表示すると共に、静電吸着
装置1が配設される装置(例えばRIE装置)の制御回
路17に供給する。尚、保持力の値を静電吸着装置1が
配設される装置の制御回路17に供給するのは、保持力
の値によりウェハ6の冷却度が変化するためである。制
御回路17は保持力測定回路15から供給される信号に
基づきウェハ6の冷却状態を判断し、冷却状態に対応し
た加工制御を行う。
保持力が求められると、保持力測定回路15は求められ
た保持力の値を表示器16に表示すると共に、静電吸着
装置1が配設される装置(例えばRIE装置)の制御回
路17に供給する。尚、保持力の値を静電吸着装置1が
配設される装置の制御回路17に供給するのは、保持力
の値によりウェハ6の冷却度が変化するためである。制
御回路17は保持力測定回路15から供給される信号に
基づきウェハ6の冷却状態を判断し、冷却状態に対応し
た加工制御を行う。
【0019】また、電極7,8はウェハ載置面2a近傍
に配設されると共に、交流電圧供給源18に接続されて
いる。交流電圧供給源18は各電極7,8に交流電圧を
印加し、これによりウェハ表面に誘起される正負の電荷
の静電力により、ウェハ6を電極7,8に吸着する構成
となっている。
に配設されると共に、交流電圧供給源18に接続されて
いる。交流電圧供給源18は各電極7,8に交流電圧を
印加し、これによりウェハ表面に誘起される正負の電荷
の静電力により、ウェハ6を電極7,8に吸着する構成
となっている。
【0020】続いて圧力測定孔4について説明する。前
記したように、圧力測定孔4は一端がガス流路3と連通
し、他端がウェハ載置面2aに開口している(以下、こ
のウェハ載置面2aに開口した部位を開口部4aという
)。従って、ウェハ6が静電吸着装置1に吸着された状
態で、開口部4aはウェハ6と対向した状態となる。 また、真空ポンプ12は静電吸着装置1が配設される装
置がチェンバ内で生成する真空度よりも高い真空度を生
成するよう構成されている。よって、いま圧力測定孔4
が完全に開放された状態(即ち、ウェハ6が静電吸着装
置1に載置されていない状態)では、圧力測定孔4を通
りチェンバ内のガスはガス流路3に自由に流入し、ガス
流路3の圧力は低下する。
記したように、圧力測定孔4は一端がガス流路3と連通
し、他端がウェハ載置面2aに開口している(以下、こ
のウェハ載置面2aに開口した部位を開口部4aという
)。従って、ウェハ6が静電吸着装置1に吸着された状
態で、開口部4aはウェハ6と対向した状態となる。 また、真空ポンプ12は静電吸着装置1が配設される装
置がチェンバ内で生成する真空度よりも高い真空度を生
成するよう構成されている。よって、いま圧力測定孔4
が完全に開放された状態(即ち、ウェハ6が静電吸着装
置1に載置されていない状態)では、圧力測定孔4を通
りチェンバ内のガスはガス流路3に自由に流入し、ガス
流路3の圧力は低下する。
【0021】いま、ウェハ載置面2aとウェハ6の離間
距離をt(図中、矢印で示す)とすると、この離間距離
をtと、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pと
の間には、図2で示されるような関係を有する。同図に
示されるように、離間寸法tが零の時(ウェハ6がウェ
ハ載置面2aに密着した状態の時)、圧力値は静電吸着
装置1のガス供給系が生成する所定の圧力値P0 とな
り、離間寸法tが増すに従い圧力値は小さくなる。これ
は、離間寸法tが増す程、開口部4a近傍の流体抵抗が
小さくなり、チェンバ内のガスがより多くガス流路3に
流入することによる。 一方、ウェハ載置面2aとウ
ェハ6との離間距離tと、静電吸着装置1がウェハ6を
吸着保持する保持力との関係を考えると、保持力が強い
程ウェハ6はウェハ載置面2aに密着するため、離間距
離tは小さくなる。また保持力が弱いとウェハ6とウェ
ハ載置面2aとの離間距離tは大きくなる。
距離をt(図中、矢印で示す)とすると、この離間距離
をtと、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pと
の間には、図2で示されるような関係を有する。同図に
示されるように、離間寸法tが零の時(ウェハ6がウェ
ハ載置面2aに密着した状態の時)、圧力値は静電吸着
装置1のガス供給系が生成する所定の圧力値P0 とな
り、離間寸法tが増すに従い圧力値は小さくなる。これ
は、離間寸法tが増す程、開口部4a近傍の流体抵抗が
小さくなり、チェンバ内のガスがより多くガス流路3に
流入することによる。 一方、ウェハ載置面2aとウ
ェハ6との離間距離tと、静電吸着装置1がウェハ6を
吸着保持する保持力との関係を考えると、保持力が強い
程ウェハ6はウェハ載置面2aに密着するため、離間距
離tは小さくなる。また保持力が弱いとウェハ6とウェ
ハ載置面2aとの離間距離tは大きくなる。
【0022】従って、ウェハ6の保持力が大きな場合に
は、ウェハ載置面2aとウェハ6との離間距離tは小さ
く、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pは大き
くなる。また、逆にウェハ6の保持力が小さな場合には
、ウェハ載置面2aとウェハ6との離間距離tは大きく
、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pは小さく
なる。このように、ガス流路3の圧力を測定することに
より、静電吸着装置1がウェハ6を保持する保持力を測
定することができる。
は、ウェハ載置面2aとウェハ6との離間距離tは小さ
く、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pは大き
くなる。また、逆にウェハ6の保持力が小さな場合には
、ウェハ載置面2aとウェハ6との離間距離tは大きく
、ダイヤフラムセンサ13で検出される圧力Pは小さく
なる。このように、ガス流路3の圧力を測定することに
より、静電吸着装置1がウェハ6を保持する保持力を測
定することができる。
【0023】上記のように静電吸着装置1は、ガス流路
3内の圧力を測定することによりウェハ6の有無及び保
持力を測定する構成であるため、静電吸着装置1を例え
ばRIE装置に適用し、高周波によりプラズマが発生し
ているような環境に静電吸着装置1を配置したとしても
、ウェハ6の有無及び保持力を精度よく確実に測定する
ことができる。また、本実施例ではガス流路3に流すガ
スとして、熱伝導性が高いH2 ガスを用いている。従
って、ウェハ6と静電吸着装置1との間の熱伝導効率を
高めることができ、ウェハ6の温度の精密制御が可能と
なる。
3内の圧力を測定することによりウェハ6の有無及び保
持力を測定する構成であるため、静電吸着装置1を例え
ばRIE装置に適用し、高周波によりプラズマが発生し
ているような環境に静電吸着装置1を配置したとしても
、ウェハ6の有無及び保持力を精度よく確実に測定する
ことができる。また、本実施例ではガス流路3に流すガ
スとして、熱伝導性が高いH2 ガスを用いている。従
って、ウェハ6と静電吸着装置1との間の熱伝導効率を
高めることができ、ウェハ6の温度の精密制御が可能と
なる。
【0024】尚、上記した実施例では、装置本体2にガ
ス流路3,圧力測定孔4等を一つ設けた構成について示
したが、ガス流路3,圧力測定孔4等の配設位置は一箇
所に限定されるものではなく、図3に示すように複数箇
所に配設する構成としてもよい。この構成とすることに
より、複数箇所における保持状態を検出することができ
、より精度の高いウェハ処理を行うことが可能となる。
ス流路3,圧力測定孔4等を一つ設けた構成について示
したが、ガス流路3,圧力測定孔4等の配設位置は一箇
所に限定されるものではなく、図3に示すように複数箇
所に配設する構成としてもよい。この構成とすることに
より、複数箇所における保持状態を検出することができ
、より精度の高いウェハ処理を行うことが可能となる。
【0025】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、静電容量変
化ではなく圧力測定用ガスの圧力変化で検出するため、
プラズマ発生雰囲気中であっても精度よく保持状態の検
出を行うことができる等の特徴を有する。
化ではなく圧力測定用ガスの圧力変化で検出するため、
プラズマ発生雰囲気中であっても精度よく保持状態の検
出を行うことができる等の特徴を有する。
【図1】本発明の一実施例である静電吸着装置の構成図
である。
である。
【図2】ウェハ載置面とウェハ6との離間距離tとダイ
ヤフラムセンサで検出される圧力Pとの関係を示す図で
ある。
ヤフラムセンサで検出される圧力Pとの関係を示す図で
ある。
【図3】本発明の変形例を示す図である。
1 静電吸着装置2 装置本体2a ウェハ搭載
面3 ガス流路3a 流入口3b 流出口4
圧力測定孔4a 開口部5 引き出し孔6 ウェ
ハ7,8 電極9 マスフローメータ10 ガス
供給源11 調圧弁12 真空ポンプ13 ダイ
アフラムセンサ14 A/D変換器15 保持力測
定回路16 表示装置17制御回路18 交流電圧
供給源
面3 ガス流路3a 流入口3b 流出口4
圧力測定孔4a 開口部5 引き出し孔6 ウェ
ハ7,8 電極9 マスフローメータ10 ガス
供給源11 調圧弁12 真空ポンプ13 ダイ
アフラムセンサ14 A/D変換器15 保持力測
定回路16 表示装置17制御回路18 交流電圧
供給源
Claims (3)
- 【請求項1】 静電吸着を用いてウェハ(6)を保持
すると共に、該ウェハ(6)の有無及び保持状態を検出
する保持状態検出手段を具備する静電吸着装置において
、該保持状態検出手段は、一定圧力の圧力測定用ガスが
流れるガス流路(3)と、一端が該ガス流路(3)と連
通すると共に、他端が該ウェハ(6)と対向する位置に
開口した圧力測定孔(4)と、該ガス流路(3)内を流
れる該圧力測定用ガスの圧力を測定する圧力測定装置(
13,15)と、により構成されることを特徴とする静
電吸着装置。 - 【請求項2】 請求項1の静電吸着装置において、該
圧力測定孔(4)を複数個設けたことを特徴とする静電
吸着装置。 - 【請求項3】 請求項1または2の静電吸着装置にお
いて、該圧力測定用ガスの材質を熱伝導性の高い材質と
し、該圧力測定用ガスを用いて該ウェハ(6)の温度制
御を行う構成としたことを特徴とする静電吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3135144A JPH04359539A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3135144A JPH04359539A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359539A true JPH04359539A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15144839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3135144A Withdrawn JPH04359539A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359539A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169825A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nec Corp | 静電吸着装置 |
| US5956837A (en) * | 1996-11-20 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method of detaching object to be processed from electrostatic chuck |
| EP1115146A4 (en) * | 1998-06-30 | 2005-02-02 | Tokyo Electron Ltd | METHOD AND DEVICE FOR VACUUM TREATMENT |
| JP2010045071A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Nikon Corp | 検知装置、基板保持部材、搬送装置および接合装置 |
| WO2010038487A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
| JP2011243834A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置,基板保持機構,基板位置ずれ検出方法 |
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