JPH04361531A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04361531A JPH04361531A JP13771991A JP13771991A JPH04361531A JP H04361531 A JPH04361531 A JP H04361531A JP 13771991 A JP13771991 A JP 13771991A JP 13771991 A JP13771991 A JP 13771991A JP H04361531 A JPH04361531 A JP H04361531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- source gas
- film
- compound
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に不純物の少ない元素間の結合が強固で緻密
な膜質の化合物膜を形成することができる半導体装置の
製造方法に関する。近時、Ｔａ２ Ｏ５ 等のＤＲＡＭ
キャパシター材料においては、元素間の結合が強固で緻
密な膜質にすることができる半導体装置の製造方法が要
求されている。
に係り、特に不純物の少ない元素間の結合が強固で緻密
な膜質の化合物膜を形成することができる半導体装置の
製造方法に関する。近時、Ｔａ２ Ｏ５ 等のＤＲＡＭ
キャパシター材料においては、元素間の結合が強固で緻
密な膜質にすることができる半導体装置の製造方法が要
求されている。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭのキャパシター材料としてＴａ
２ Ｏ５ が注目されている。段差形状を有するキャパ
シターに適合するようにＣＶＤ法で形成されているが塩
化物、有機ソースを用い、酸素や窒素酸化物ガスで酸化
する熱またはプラズマ（連続プラズマあるいはパルスプ
ラズマ）ＣＶＤ法等が検討されている。
２ Ｏ５ が注目されている。段差形状を有するキャパ
シターに適合するようにＣＶＤ法で形成されているが塩
化物、有機ソースを用い、酸素や窒素酸化物ガスで酸化
する熱またはプラズマ（連続プラズマあるいはパルスプ
ラズマ）ＣＶＤ法等が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の熱またはプラズマＣＶＤ法では、連続的にソー
スガスが供給されるため、表面だけでなく気相反応を伴
った化合物膜が形成されてしまい、このため、炭素、塩
素等の不純物が膜中に取り込まれるだけでなく、化学量
論的な組成を得ることも難しかった。
た従来の熱またはプラズマＣＶＤ法では、連続的にソー
スガスが供給されるため、表面だけでなく気相反応を伴
った化合物膜が形成されてしまい、このため、炭素、塩
素等の不純物が膜中に取り込まれるだけでなく、化学量
論的な組成を得ることも難しかった。
【０００４】また、カバレージに関しても微細化が進に
つれて問題になっており、従来の熱またはプラズマＣＶ
Ｄ法では限界が見えてきており、バリメタの窒化チタン
に関しても薄くて強固な化合物膜との要求が強いのに対
して、結合が不完全な化合物膜又は不純物の多い化合物
膜しか形成することができなかった。一方、ソースガス
・ラジカルと反応ガスを交互に供給して成膜するデジタ
ルＣＶＤ法の提案が以前からなされており、このデジタ
ルＣＶＤ法では、熱またはプラズマＣＶＤ法による場合
よりもある程度カバレージを改善することができるもの
のポーラスな化合物膜しか形成することができず、緻密
な膜質を得ることができなかった。
つれて問題になっており、従来の熱またはプラズマＣＶ
Ｄ法では限界が見えてきており、バリメタの窒化チタン
に関しても薄くて強固な化合物膜との要求が強いのに対
して、結合が不完全な化合物膜又は不純物の多い化合物
膜しか形成することができなかった。一方、ソースガス
・ラジカルと反応ガスを交互に供給して成膜するデジタ
ルＣＶＤ法の提案が以前からなされており、このデジタ
ルＣＶＤ法では、熱またはプラズマＣＶＤ法による場合
よりもある程度カバレージを改善することができるもの
のポーラスな化合物膜しか形成することができず、緻密
な膜質を得ることができなかった。
【０００５】そこで本発明は、元素間の結合が強固で緻
密な膜質にすることができ、しかもカバレージに優れた
化合物膜を形成することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的としている。
密な膜質にすることができ、しかもカバレージに優れた
化合物膜を形成することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、ソースガスを間欠的
に導入してレイアー毎に化合物を成長させるか、あるい
はソースガスを連続的に供給している状態でプラズマ、
光、熱のエネルギーを間欠的に導入して化合物を成長さ
せる工程を有する半導体装置の製造方法において、ソー
スガスを基板に吸着させる工程と、次いで、第一の弱エ
ネルギーを導入してソースガスから余分な元素を少なく
とも一部取り除いて該基板に化学吸着させる工程と、次
いで、該第１の弱エネルギーよりも強い第二の強エネル
ギーを導入しながら所望の化合物成分ガス雰囲気で化学
反応させて化合物膜を形成する工程とを含み、上記三段
階の工程を交互に繰り返すものである。
の製造方法は上記目的達成のため、ソースガスを間欠的
に導入してレイアー毎に化合物を成長させるか、あるい
はソースガスを連続的に供給している状態でプラズマ、
光、熱のエネルギーを間欠的に導入して化合物を成長さ
せる工程を有する半導体装置の製造方法において、ソー
スガスを基板に吸着させる工程と、次いで、第一の弱エ
ネルギーを導入してソースガスから余分な元素を少なく
とも一部取り除いて該基板に化学吸着させる工程と、次
いで、該第１の弱エネルギーよりも強い第二の強エネル
ギーを導入しながら所望の化合物成分ガス雰囲気で化学
反応させて化合物膜を形成する工程とを含み、上記三段
階の工程を交互に繰り返すものである。
【０００７】本発明においては、少なくとも炭素を含む
ソースガスを使用する際、第一の弱エネルギーを加えて
ソースガスから余分な元素を取り除いて基板に化学吸着
させる工程で、不活性ガスの主たるガスに加えて微量の
酸素、水分及びＯＨ基の内少なくとも１種を導入しても
よく、この場合、Ｃ（カーボン）を効率よく取り除くこ
とができ、リーク電流を小さくすることもできる等膜質
を向上させることができ好ましい。
ソースガスを使用する際、第一の弱エネルギーを加えて
ソースガスから余分な元素を取り除いて基板に化学吸着
させる工程で、不活性ガスの主たるガスに加えて微量の
酸素、水分及びＯＨ基の内少なくとも１種を導入しても
よく、この場合、Ｃ（カーボン）を効率よく取り除くこ
とができ、リーク電流を小さくすることもできる等膜質
を向上させることができ好ましい。
【０００８】本発明においては、ソースガスを連続的に
導入する場合であっても、不連続的に導入する場合であ
ってもよい。不連続的の場合は実施例で後述するが、連
続的に導入する際はＲＦパワーを３段階で適宜調整する
ようにすればよい。
導入する場合であっても、不連続的に導入する場合であ
ってもよい。不連続的の場合は実施例で後述するが、連
続的に導入する際はＲＦパワーを３段階で適宜調整する
ようにすればよい。
【０００９】
【作用】ＣＶＤにおけるソースガスは、成膜元素とハロ
ゲン、有機物等の化合物であることが多く、成長時に発
生する副生成物等が生じることから連続成長では完全に
不純物の取り込みをなくすことはできない。そこで、成
膜を一層毎に行うデジタルＣＶＤ法が不純物の取り込み
の少ない膜を形成することができる成膜方法であると考
えられている。
ゲン、有機物等の化合物であることが多く、成長時に発
生する副生成物等が生じることから連続成長では完全に
不純物の取り込みをなくすことはできない。そこで、成
膜を一層毎に行うデジタルＣＶＤ法が不純物の取り込み
の少ない膜を形成することができる成膜方法であると考
えられている。
【００１０】しかしながら上記したように、ポーラスな
膜質を緻密な膜質になるように改善しなければならない
。このため、ラジカルの発生又は反応ガスの励起をウェ
ーハから離れた場所で行われていた従来法とは違って、
ウェーハ上でプラズマ励起する方法を取ったところ、不
純物の非常に少ない緻密な膜を形成することができた。 更にソースガスを吸着するだけでなく基板に化学結合す
るようにするため、ソースガスが全て分解してしまわな
い程度のエネルギーで吸着ソースガスを励起させ、この
状態で基板に化学吸着させた。そして、反応性ガスを導
入してウェーハをプラズマに曝した状態で化合物膜を形
成するようにした。
膜質を緻密な膜質になるように改善しなければならない
。このため、ラジカルの発生又は反応ガスの励起をウェ
ーハから離れた場所で行われていた従来法とは違って、
ウェーハ上でプラズマ励起する方法を取ったところ、不
純物の非常に少ない緻密な膜を形成することができた。 更にソースガスを吸着するだけでなく基板に化学結合す
るようにするため、ソースガスが全て分解してしまわな
い程度のエネルギーで吸着ソースガスを励起させ、この
状態で基板に化学吸着させた。そして、反応性ガスを導
入してウェーハをプラズマに曝した状態で化合物膜を形
成するようにした。
【００１１】このように、本発明では、まずプラズマを
発生させない状態でソースガスを基板にガス吸着させる
。次いで、第１のプラズマエネルギーを加えてソースガ
スから余分な元素（炭素、水素、塩素等）を取り除いて
基板に化学吸着させる。この時、分解され低分子化され
て膜質が緻密化される。そして、第１のプラズマエネル
ギーよりも強い第２のプラズマエネルギーを加えながら
所望の化合物成分ガス雰囲気に曝して化学反応させて化
合物膜を形成する。この時、化学反応によって元素間の
結合が強固になり、しかも緻密な膜質の化合物膜が形成
される。
発生させない状態でソースガスを基板にガス吸着させる
。次いで、第１のプラズマエネルギーを加えてソースガ
スから余分な元素（炭素、水素、塩素等）を取り除いて
基板に化学吸着させる。この時、分解され低分子化され
て膜質が緻密化される。そして、第１のプラズマエネル
ギーよりも強い第２のプラズマエネルギーを加えながら
所望の化合物成分ガス雰囲気に曝して化学反応させて化
合物膜を形成する。この時、化学反応によって元素間の
結合が強固になり、しかも緻密な膜質の化合物膜が形成
される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は、本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構成
を示す図である。図１において、１はウェーハを搬送す
るための搬送室であり、この搬送室１を介してロードロ
ック室２、ＲＴＡまたはＥＣＲ処理するための前処理室
３、前処理された試料にＴｉＮ等をＣＶＤ成膜するため
のＣＶＤ室４及びＡｌ等をスパッタ成膜するためのスパ
ッタ室５が配置されている。
１は、本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構成
を示す図である。図１において、１はウェーハを搬送す
るための搬送室であり、この搬送室１を介してロードロ
ック室２、ＲＴＡまたはＥＣＲ処理するための前処理室
３、前処理された試料にＴｉＮ等をＣＶＤ成膜するため
のＣＶＤ室４及びＡｌ等をスパッタ成膜するためのスパ
ッタ室５が配置されている。
【００１３】次に、図２は本発明の一実施例に則した枚
葉式の平行平板型ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＣＶＤ室４
に相当する）の構成を示す概略図である。図２において
、１１はチャンバーであり、このチャンバー１１内には
ウェーハ１２が載置され、ヒーター１３が内蔵されたサ
セプタ１４が配置されており、このサセプタ１４と対抗
するように設けられたシャワー１５等が配置されている
下部より排気される。１６はチャンバー１１上に設けら
れた四方弁であり、１７はマスフローコントローラーで
ある。
葉式の平行平板型ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＣＶＤ室４
に相当する）の構成を示す概略図である。図２において
、１１はチャンバーであり、このチャンバー１１内には
ウェーハ１２が載置され、ヒーター１３が内蔵されたサ
セプタ１４が配置されており、このサセプタ１４と対抗
するように設けられたシャワー１５等が配置されている
下部より排気される。１６はチャンバー１１上に設けら
れた四方弁であり、１７はマスフローコントローラーで
ある。
【００１４】次に、その製造方法について説明する。こ
こでは、図１に示す製造装置を用い、前処理室３で試料
をＲＴＡまたはＥＣＲエッチングで前処理し、次いで、
前処理した試料をＣＶＤ室４でＴｉＮ膜を成膜した後、
更にスパッタ室５でＡｌ膜を成膜する場合である。以下
では、本発明の成膜処理を具体的に説明する。
こでは、図１に示す製造装置を用い、前処理室３で試料
をＲＴＡまたはＥＣＲエッチングで前処理し、次いで、
前処理した試料をＣＶＤ室４でＴｉＮ膜を成膜した後、
更にスパッタ室５でＡｌ膜を成膜する場合である。以下
では、本発明の成膜処理を具体的に説明する。
【００１５】図２に示す枚葉式の平行平板型ＲＦプラズ
マＣＶＤ装置を用い、パルス上にＲＦパワーを印加する
とともに、ソースガスとしてテトライソプロポオキサイ
ド（アミド系，四塩化チタン等でもよい）を四方弁１６
によりシャワーを介してチャンバー１１内にパルス的に
導入する。この場合、ソースガスが排気に切り換えられ
ると同時にＨ２ ガスと不活性ガスのＡｒガスがチャン
バー１１内に導入される。プロセスの流れは図３に示す
ように三段階に分けられる。
マＣＶＤ装置を用い、パルス上にＲＦパワーを印加する
とともに、ソースガスとしてテトライソプロポオキサイ
ド（アミド系，四塩化チタン等でもよい）を四方弁１６
によりシャワーを介してチャンバー１１内にパルス的に
導入する。この場合、ソースガスが排気に切り換えられ
ると同時にＨ２ ガスと不活性ガスのＡｒガスがチャン
バー１１内に導入される。プロセスの流れは図３に示す
ように三段階に分けられる。
【００１６】具体的にはまず、温度が５５℃のシリンダ
内でソースガスをバブリングし、チャンバー１１に四方
弁１６を通してソースガスを２０ｓｃｃｍ、０．５ 秒
間、０．１Ｔｏｒｒ で導入する。次いで、ガスをＡｒ
等（Ｈｅ等でもよい）の不活性ガスとＨ２ ガスに切り
換えて２段階で導入するとともに、この時１０Ｗ以下の
ＲＦパワーを０．５ 秒間放電する。更に０．５ 秒間
Ｎ２ ガスとＨ２ ガスを添加した雰囲気でＲＦパワー
を１００ Ｗに増加して窒化する。
内でソースガスをバブリングし、チャンバー１１に四方
弁１６を通してソースガスを２０ｓｃｃｍ、０．５ 秒
間、０．１Ｔｏｒｒ で導入する。次いで、ガスをＡｒ
等（Ｈｅ等でもよい）の不活性ガスとＨ２ ガスに切り
換えて２段階で導入するとともに、この時１０Ｗ以下の
ＲＦパワーを０．５ 秒間放電する。更に０．５ 秒間
Ｎ２ ガスとＨ２ ガスを添加した雰囲気でＲＦパワー
を１００ Ｗに増加して窒化する。
【００１７】このように、ソースガスを導入して吸着さ
せる工程と、Ｈ２ ガスとＡｒガスを導入して膜質を微
密化させる工程と、Ｎ２ ガスとＨ２ ガスを導入して
窒化させる工程の３工程を１サイクルとし、即ち１．５
秒サイクルでレイアー毎に化合物膜を成長させる。こ
の時、成長レートは１００ Å／分程度となる。そして
、この後、Ａｌを堆積するのであるが、図１に示す如く
真空を破らずにスパッタチャンバーに移して連続的に成
膜を行う。これによりコンタクト抵抗が少なくＡｌ配線
の信頼性を向上させることができる。
せる工程と、Ｈ２ ガスとＡｒガスを導入して膜質を微
密化させる工程と、Ｎ２ ガスとＨ２ ガスを導入して
窒化させる工程の３工程を１サイクルとし、即ち１．５
秒サイクルでレイアー毎に化合物膜を成長させる。こ
の時、成長レートは１００ Å／分程度となる。そして
、この後、Ａｌを堆積するのであるが、図１に示す如く
真空を破らずにスパッタチャンバーに移して連続的に成
膜を行う。これによりコンタクト抵抗が少なくＡｌ配線
の信頼性を向上させることができる。
【００１８】このように、本実施例では、まずプラズマ
を発生させない状態でソースガスを基板にガス吸着させ
、次いで、プラズマエネルギーとＨ２ ガス＋Ａｒガス
を加えてソースガスから余分な元素、炭素、水素等を取
り除いて基板に化学吸着させているため、ソースガスが
分解され低分子化されて膜質を緻密化することができる
。そして、上記プラズマエネルギーよりも強いプラズマ
エネルギーを加えながら所望の化合物成分ガスとしてＮ
２ ガスとＨ２ ガス（Ｈ２ ガスによってより窒化が
促進される）雰囲気に曝し化学反応させて化合物膜を形
成しているため、化学反応によって元素間の結合を強固
にすることができる。
を発生させない状態でソースガスを基板にガス吸着させ
、次いで、プラズマエネルギーとＨ２ ガス＋Ａｒガス
を加えてソースガスから余分な元素、炭素、水素等を取
り除いて基板に化学吸着させているため、ソースガスが
分解され低分子化されて膜質を緻密化することができる
。そして、上記プラズマエネルギーよりも強いプラズマ
エネルギーを加えながら所望の化合物成分ガスとしてＮ
２ ガスとＨ２ ガス（Ｈ２ ガスによってより窒化が
促進される）雰囲気に曝し化学反応させて化合物膜を形
成しているため、化学反応によって元素間の結合を強固
にすることができる。
【００１９】従って、元素間の結合が強固で緻密な膜質
の化合物を形成することができる。そして、ＴｉＮのバ
リア性を格段に強くすることができ、５０ｎｍの膜厚で
もＡｌに対してのバリアとなるだけでなくＡｌ配線自身
の信頼性も向上させることができる。この結果０．３
μｍ以下のコンタクトホールを実現することができ、信
頼性の高い大規模集積回路を形成することができる。
の化合物を形成することができる。そして、ＴｉＮのバ
リア性を格段に強くすることができ、５０ｎｍの膜厚で
もＡｌに対してのバリアとなるだけでなくＡｌ配線自身
の信頼性も向上させることができる。この結果０．３
μｍ以下のコンタクトホールを実現することができ、信
頼性の高い大規模集積回路を形成することができる。
【００２０】なお、上記実施例では、Ｈ２ ガスとＡｒ
ガスを導入してソースガス成分を分解し低分子化するた
めに導入しているが、Ｈ２ ガス単独を導入する場合で
あってもよく、十分効果を得ることができる。次に、本
発明においては、Ｔａ２ Ｏ５ を形成する場合にも好
ましく適用させることができる。以下、具体的に説明す
る。
ガスを導入してソースガス成分を分解し低分子化するた
めに導入しているが、Ｈ２ ガス単独を導入する場合で
あってもよく、十分効果を得ることができる。次に、本
発明においては、Ｔａ２ Ｏ５ を形成する場合にも好
ましく適用させることができる。以下、具体的に説明す
る。
【００２１】テトラメトキシタンタル（テトラエトキシ
タンタル，五塩化タンタル等でもよい）のソースガスを
用い、図２に示した装置により成膜する。三段階に分け
られる工程の二，三段階に酸素、水分、ＯＨを含むガス
を導入する。二段階では、この酸素、水分、ＯＨの量を
微量にして、Ｃ、Ｈ元素の低減をして膜質を緻密化し、
三段階での酸化ではこれらのガス量を増やして酸化を完
全なものとする。なお、Ｔａ２ Ｏ５ を形成始める直
前に（ソースガスを供給前に）、基板表面をこれらのガ
スで酸化してＳｉＯ２ などを形成すればＴａ２ Ｏ５
と反応するシリコンなどの基板材料上にもＴａ２ Ｏ
５ 等の酸化膜を高耐圧、高容量の性能を保ったまま形
成することができる。
タンタル，五塩化タンタル等でもよい）のソースガスを
用い、図２に示した装置により成膜する。三段階に分け
られる工程の二，三段階に酸素、水分、ＯＨを含むガス
を導入する。二段階では、この酸素、水分、ＯＨの量を
微量にして、Ｃ、Ｈ元素の低減をして膜質を緻密化し、
三段階での酸化ではこれらのガス量を増やして酸化を完
全なものとする。なお、Ｔａ２ Ｏ５ を形成始める直
前に（ソースガスを供給前に）、基板表面をこれらのガ
スで酸化してＳｉＯ２ などを形成すればＴａ２ Ｏ５
と反応するシリコンなどの基板材料上にもＴａ２ Ｏ
５ 等の酸化膜を高耐圧、高容量の性能を保ったまま形
成することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、元素間の結合が強固で
緻密な膜質にすることができ、カバレージに優れた化合
物膜を形成することができるという効果がある。バリア
膜のバリア性が向上しまたキャパシターの耐容量が向上
するので、集積度を上げることが出来る。
緻密な膜質にすることができ、カバレージに優れた化合
物膜を形成することができるという効果がある。バリア
膜のバリア性が向上しまたキャパシターの耐容量が向上
するので、集積度を上げることが出来る。
【図１】本発明の一実施例に則した半導体製造装置の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施例に則した枚葉式の平行平板型
ＲＦＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。
ＲＦＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の一実施例に則したＲＦパワーとガスの
供給方法を説明する図である。
供給方法を説明する図である。
１ 搬送室
２ ロードロック室
３ 前処理室
４ ＣＶＤ室
５ スパッタ室
１１ チャンバー
１２ ウェーハ
１３ ヒーター
１４ サセプタ
１５ シャワー
１６ 四方弁
Claims (2)
- 【請求項１】 ソースガスを間欠的に導入してレイア
ー毎に化合物を成長させるか、あるいはソースガスを連
続的に供給している状態でプラズマ、光、熱のエネルギ
ーを間欠的に導入して化合物を成長させる工程を有する
半導体装置の製造方法において、ソースガスを基板に吸
着させる工程と、次いで、第一の弱エネルギーを導入し
てソースガスから余分な元素を少なくとも一部取り除い
て該基板に化学吸着させる工程と、次いで、該第１の弱
エネルギーよりも強い第二の強エネルギーを導入しなが
ら所望の化合物成分ガス雰囲気で化学反応させて化合物
膜を形成する工程とを含み、上記三段階の工程を交互に
繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも炭素を含むソースガスを使
用する際、第一の弱エネルギーを加えてソースガスから
余分な元素を取り除いて基板に化学吸着させる工程で、
不活性ガスの主たるガスに加えて微量の酸素、水分及び
ＯＨ基の内少なくとも１種を導入することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137719A JP3046643B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137719A JP3046643B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361531A true JPH04361531A (ja) | 1992-12-15 |
| JP3046643B2 JP3046643B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=15205230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3137719A Expired - Fee Related JP3046643B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046643B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521579A (ja) * | 1999-04-06 | 2003-07-15 | ゼニテックインコーポレイテッド | 薄膜形成方法 |
| WO2004008513A1 (ja) * | 2002-07-15 | 2004-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| WO2004050948A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Limited | プラズマｃｖｄを利用する成膜方法及び装置 |
| WO2004079042A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Limited | 薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体 |
| JP2005277426A (ja) * | 2000-06-08 | 2005-10-06 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| JP2006009152A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高速原子層堆積装置及び使用方法 |
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2007211326A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2010067993A (ja) * | 2004-03-26 | 2010-03-25 | Ulvac Japan Ltd | 単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法 |
| JP2010514938A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | エクスアテック、エル．エル．シー． | プラズマアークコーティング用装置および方法 |
| JP4824671B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 原子層堆積を実行するための方法およびシステム |
| JP2012069998A (ja) * | 2005-02-17 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2019212714A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
| WO2022259868A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3149223B2 (ja) | 1991-10-07 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP4083512B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3137719A patent/JP3046643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521579A (ja) * | 1999-04-06 | 2003-07-15 | ゼニテックインコーポレイテッド | 薄膜形成方法 |
| JP2010278473A (ja) * | 2000-06-08 | 2010-12-09 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| JP2005277426A (ja) * | 2000-06-08 | 2005-10-06 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| JP2010280991A (ja) * | 2000-06-08 | 2010-12-16 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| WO2004008513A1 (ja) * | 2002-07-15 | 2004-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP4559223B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2010-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US7524766B2 (en) | 2002-07-15 | 2009-04-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JPWO2004008513A1 (ja) * | 2002-07-15 | 2005-11-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR100788061B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2007-12-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 ｃｖｄ를 이용한 성막 방법 및 장치 |
| CN1777694B (zh) | 2002-12-05 | 2010-05-12 | 东京毅力科创株式会社 | 利用等离子体cvd的成膜方法以及装置 |
| KR100788060B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2007-12-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 ｃｖｄ를 이용한 성막 방법 및 장치 |
| WO2004050948A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Tokyo Electron Limited | プラズマｃｖｄを利用する成膜方法及び装置 |
| WO2004079042A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Limited | 薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体 |
| JP2010067993A (ja) * | 2004-03-26 | 2010-03-25 | Ulvac Japan Ltd | 単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法 |
| JP4824671B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 原子層堆積を実行するための方法およびシステム |
| JP2006009152A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高速原子層堆積装置及び使用方法 |
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US9029244B2 (en) | 2005-01-19 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9406502B2 (en) | 2005-01-19 | 2016-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9702041B2 (en) | 2005-01-19 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| JP2012069998A (ja) * | 2005-02-17 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2007211326A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| US8679253B2 (en) | 2006-02-13 | 2014-03-25 | Renesas Electronics Corporation | Deposition apparatus and method for depositing film |
| JP2010514938A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | エクスアテック、エル．エル．シー． | プラズマアークコーティング用装置および方法 |
| JP2019212714A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 国立大学法人名古屋大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
| WO2022259868A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3046643B2 (ja) | 2000-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6468924B2 (en) | Methods of forming thin films by atomic layer deposition | |
| US6124158A (en) | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants | |
| JP4704618B2 (ja) | ジルコニウム酸化膜の製造方法 | |
| US7211506B2 (en) | Methods of forming cobalt layers for semiconductor devices | |
| JP3687651B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| US10595477B2 (en) | Oxide with higher utilization and lower cost | |
| JP4974676B2 (ja) | バリア膜の形成方法 | |
| US20100227476A1 (en) | Atomic layer deposition processes | |
| JPH04361531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050123690A1 (en) | Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate | |
| JPH1187341A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPWO2004061154A1 (ja) | 窒化タングステン膜の成膜方法 | |
| JP2005029821A (ja) | 成膜方法 | |
| JP2789587B2 (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| KR100391026B1 (ko) | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 | |
| US6800570B2 (en) | Method of forming a metal oxide film | |
| WO2004008513A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| Chae et al. | New high-k SrTa2O6 gate dielectrics prepared by plasma-enhanced atomic layer chemical vapor deposition | |
| US6168837B1 (en) | Chemical vapor depositions process for depositing titanium silicide films from an organometallic compound | |
| JP3718297B2 (ja) | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 | |
| US20020197828A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device and processing a substrate | |
| JPWO2001007677A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、その製造装置 | |
| JP2000353780A (ja) | 容量素子の製造方法及び容量素子 | |
| TW202403076A (zh) | 有機材料之選擇性沉積 | |
| CN120866812A (zh) | 区域选择性沉积 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000307 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080317 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090317 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |