JPH04362082A - 化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH04362082A JPH04362082A JP16108091A JP16108091A JPH04362082A JP H04362082 A JPH04362082 A JP H04362082A JP 16108091 A JP16108091 A JP 16108091A JP 16108091 A JP16108091 A JP 16108091A JP H04362082 A JPH04362082 A JP H04362082A
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- JP
- Japan
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- crystal
- boat
- compound semiconductor
- gaas
- semiconductor crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水平ブリッジマン法（
ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による化
合物半導体結晶の製造装置及び製造方法に関するもので
ある。
ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による化
合物半導体結晶の製造装置及び製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体結晶をボート法で育
成する場合には、使用するボートの長手方向に垂直な断
面形状は、図５〜８に示すような形状であった。
成する場合には、使用するボートの長手方向に垂直な断
面形状は、図５〜８に示すような形状であった。
【０００３】図５〜７の断面形状は、それぞれ半円、Ｕ
型、角型になっている。これらの特徴は、育成した結晶
がボートから上方に簡単に取り出せるように、ボート上
方が結晶の最大径より大きく開放されていることである
。これらの形状のボートから育成した結晶をスライスし
て得られるウエハ形状もＤ型や角型となる。従って、こ
れらの結晶から円形ウエハを製造する場合には、さらに
円形に切削する必要があった。この場合、加工のロスが
非常に多く、結晶のコストアップを招いていた。
型、角型になっている。これらの特徴は、育成した結晶
がボートから上方に簡単に取り出せるように、ボート上
方が結晶の最大径より大きく開放されていることである
。これらの形状のボートから育成した結晶をスライスし
て得られるウエハ形状もＤ型や角型となる。従って、こ
れらの結晶から円形ウエハを製造する場合には、さらに
円形に切削する必要があった。この場合、加工のロスが
非常に多く、結晶のコストアップを招いていた。
【０００４】前記問題点を解決するために、実開平２−
１１１６５号などが提案されている。この提案は図８の
ように断面形状を円形にし、結晶を円形に切削するロス
を小さくするものである。しかし、断面形状の大部分を
円形にすることで、結晶育成時に結晶を観察する窓がな
い。あるいは窓があっても観察に充分な大きさではなか
った。このため、結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著
しく低下させる結晶欠陥が発生しても、結晶育成時には
観察ができず、結晶育成中にメルトバックなどのフィー
ドバックをかけることが不可能であった。このため、結
晶育成の歩留の低下を招いていた。
１１１６５号などが提案されている。この提案は図８の
ように断面形状を円形にし、結晶を円形に切削するロス
を小さくするものである。しかし、断面形状の大部分を
円形にすることで、結晶育成時に結晶を観察する窓がな
い。あるいは窓があっても観察に充分な大きさではなか
った。このため、結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著
しく低下させる結晶欠陥が発生しても、結晶育成時には
観察ができず、結晶育成中にメルトバックなどのフィー
ドバックをかけることが不可能であった。このため、結
晶育成の歩留の低下を招いていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術のこうした問題点を解消するものである。
技術のこうした問題点を解消するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、化合物半導体結晶を
ボート法により製造するための装置であって、化合物半
導体結晶育成用のボートの長手方向に垂直な断面の形状
が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっている形状で、前記上部が開口してありその開口
部の幅が中央部の最大幅の１０〜９０％であることを特
徴とする化合物半導体結晶の製造装置、および、化合物
半導体結晶をボート法により製造する方法において、化
合物半導体結晶育成用のボートの長手方向に垂直な断面
の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が
再度狭くなっている形状で、前記上部が開口してありそ
の開口部の幅が中央部の最大幅の１０〜９０％であり、
前記ボートの材質はパイロリティックボロンナイトライ
ドであり、前記ボート内に化合物半導体結晶の原料とと
もにＢ２ Ｏ３ を添加し結晶を育成することを特徴と
する化合物半導体結晶の製造方法を提供するものである
。
を解決すべくなされたものであり、化合物半導体結晶を
ボート法により製造するための装置であって、化合物半
導体結晶育成用のボートの長手方向に垂直な断面の形状
が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が再度狭
くなっている形状で、前記上部が開口してありその開口
部の幅が中央部の最大幅の１０〜９０％であることを特
徴とする化合物半導体結晶の製造装置、および、化合物
半導体結晶をボート法により製造する方法において、化
合物半導体結晶育成用のボートの長手方向に垂直な断面
の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部の幅が
再度狭くなっている形状で、前記上部が開口してありそ
の開口部の幅が中央部の最大幅の１０〜９０％であり、
前記ボートの材質はパイロリティックボロンナイトライ
ドであり、前記ボート内に化合物半導体結晶の原料とと
もにＢ２ Ｏ３ を添加し結晶を育成することを特徴と
する化合物半導体結晶の製造方法を提供するものである
。
【０００７】ボート長手方向に垂直な断面形状としては
、円弧、楕円弧、５角形や６角形等の多角形、長円等、
中央部が上部と底部より幅広い形状を用いる。好ましく
は、結晶成長方位と、結晶のインゴットをスライスして
作製する円形ウエハの面方位の関係によって、楕円弧と
してその偏平率を設計するのがよい。この偏平率は、得
ようとする円形ウエハの面方位で結晶をスライスした時
の断面形状が、より円形に近い形になるように設計する
。このことによって結晶の加工ロスが低減できる。
、円弧、楕円弧、５角形や６角形等の多角形、長円等、
中央部が上部と底部より幅広い形状を用いる。好ましく
は、結晶成長方位と、結晶のインゴットをスライスして
作製する円形ウエハの面方位の関係によって、楕円弧と
してその偏平率を設計するのがよい。この偏平率は、得
ようとする円形ウエハの面方位で結晶をスライスした時
の断面形状が、より円形に近い形になるように設計する
。このことによって結晶の加工ロスが低減できる。
【０００８】また、ボートの材質として、好ましくはパ
イロリティックボロンナイトライド（以下ｐＢＮとする
）を用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３ を添加す
ることにより、石英ボートでは避けることのできないＳ
ｉなどの微量不純物による結晶の汚染が防止でき、無添
加の高抵抗結晶を育成できるなどの理由で好ましい。さ
らに、ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２
Ｏ３ を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の
直接のヌレを防ぐことができる。このため、ヌレ、ツイ
ン、リネージなどの結晶欠陥を低減でき、歩留の向上が
なされるなどの理由でより望ましい。
イロリティックボロンナイトライド（以下ｐＢＮとする
）を用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３ を添加す
ることにより、石英ボートでは避けることのできないＳ
ｉなどの微量不純物による結晶の汚染が防止でき、無添
加の高抵抗結晶を育成できるなどの理由で好ましい。さ
らに、ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２
Ｏ３ を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の
直接のヌレを防ぐことができる。このため、ヌレ、ツイ
ン、リネージなどの結晶欠陥を低減でき、歩留の向上が
なされるなどの理由でより望ましい。
【０００９】また、結晶成長方位としては＜１００＞方
向への成長とすることにより、（１００）ウエハを切り
出す際の加工ロスが小さくできる理由で好ましい。
向への成長とすることにより、（１００）ウエハを切り
出す際の加工ロスが小さくできる理由で好ましい。
【００１０】本発明の製造装置及び製造方法は、ＧａＡ
ｓ等の化合物半導体の単結晶のみならず多結晶の製造に
も応用できる。また、化合物半導体結晶としてはＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ等の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等
の２−６族化合物半導体結晶の製造にも応用できる。
ｓ等の化合物半導体の単結晶のみならず多結晶の製造に
も応用できる。また、化合物半導体結晶としてはＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ等の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等
の２−６族化合物半導体結晶の製造にも応用できる。
【００１１】
【作用】本発明において、上部に開口部を有する円筒形
あるいは楕円筒形等のボートの、前記開口部を中央部の
最大幅の１０％以上の幅を有するスリットとすることに
より、そのスリットを観察窓として結晶育成炉上部から
結晶育成時に結晶を観察することができる。このため、
結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低下させる結
晶欠陥の発生が観測された場合には、メルトバックなど
の結晶育成時にフィードバックをかけることが可能で、
結晶育成の歩留が向上する。
あるいは楕円筒形等のボートの、前記開口部を中央部の
最大幅の１０％以上の幅を有するスリットとすることに
より、そのスリットを観察窓として結晶育成炉上部から
結晶育成時に結晶を観察することができる。このため、
結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低下させる結
晶欠陥の発生が観測された場合には、メルトバックなど
の結晶育成時にフィードバックをかけることが可能で、
結晶育成の歩留が向上する。
【００１２】前記開口部の形状としては、ボート上面よ
り見た場合ほぼ長方形となるようなスリット型が結晶全
体を観察するうえで好ましいが、本発明はこれに限定さ
れず結晶欠陥の発生しやすい部分の開口部を大きくする
ような形状や、部分的に開口部を設けた形状等その他の
形状も採用できる。
り見た場合ほぼ長方形となるようなスリット型が結晶全
体を観察するうえで好ましいが、本発明はこれに限定さ
れず結晶欠陥の発生しやすい部分の開口部を大きくする
ような形状や、部分的に開口部を設けた形状等その他の
形状も採用できる。
【００１３】結晶育成用ボートの長手方向に垂直な断面
の形状を円弧もしくは楕円弧等にすることで、得ようと
するウエハの面方位でのスライス断面形状を、円形に近
い形にできる。このため結晶の加工ロスが低減でき経済
的効果が大きい。また、前記スリットの幅を中央部の最
大幅の９０％以上にすると、円形ウエハを加工する際の
ロスが大きくなりコストアップを招く。好ましくは、こ
のスリットの大きさは中央部の最大幅の１０％以上９０
％以下が、結晶育成コストとともに加工コスト低減の効
果が大きく望ましい。
の形状を円弧もしくは楕円弧等にすることで、得ようと
するウエハの面方位でのスライス断面形状を、円形に近
い形にできる。このため結晶の加工ロスが低減でき経済
的効果が大きい。また、前記スリットの幅を中央部の最
大幅の９０％以上にすると、円形ウエハを加工する際の
ロスが大きくなりコストアップを招く。好ましくは、こ
のスリットの大きさは中央部の最大幅の１０％以上９０
％以下が、結晶育成コストとともに加工コスト低減の効
果が大きく望ましい。
【００１４】また、ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。さらに、
ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３
を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接の
ヌレを防ぐことができ、リネージなどの結晶欠陥を低減
できるため、歩留よく無添加の高抵抗結晶を育成するこ
とができる。
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。さらに、
ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３
を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接の
ヌレを防ぐことができ、リネージなどの結晶欠陥を低減
できるため、歩留よく無添加の高抵抗結晶を育成するこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の化合物半導体結晶製造装置の石
英ボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面図
、図２は図１のボートを上方からみた図、図３はｐＢＮ
ボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面図、
図４は図１のボートを用いてＧａＡｓ単結晶を製造する
場合の反応容器の長手方向の断面図である。
明する。図１は本発明の化合物半導体結晶製造装置の石
英ボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面図
、図２は図１のボートを上方からみた図、図３はｐＢＮ
ボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面図、
図４は図１のボートを用いてＧａＡｓ単結晶を製造する
場合の反応容器の長手方向の断面図である。
【００１６】これらの図において１は石英ボート、２は
スリット、３は原料融液、４は種結晶設置部、５はｐＢ
Ｎボート、６はＢ２ Ｏ３ 、７は種結晶、８はＧａ、
９はＧａＡｓ化合物原料、１０は反応容器、１１はＡｓ
を示す。
スリット、３は原料融液、４は種結晶設置部、５はｐＢ
Ｎボート、６はＢ２ Ｏ３ 、７は種結晶、８はＧａ、
９はＧａＡｓ化合物原料、１０は反応容器、１１はＡｓ
を示す。
【００１７】（実施例１）ＧａＡｓの単結晶を石英ボー
トを用いた場合について説明する。＜１００＞方向をボ
ート長手方向になるように加工したＧａＡｓ種結晶７を
、石英ボート１の所定の種結晶設置部（ボート端部の棚
部）４にセットし、石英ボート１内に図４の様にＧａ８
を２１００ｇとＧａＡｓ化合物原料９を３００ｇ入れ、
反応容器１０の他端にＡｓ１１を２３００ｇ入れ反応容
器１０内を真空状態に減圧し封じきる。
トを用いた場合について説明する。＜１００＞方向をボ
ート長手方向になるように加工したＧａＡｓ種結晶７を
、石英ボート１の所定の種結晶設置部（ボート端部の棚
部）４にセットし、石英ボート１内に図４の様にＧａ８
を２１００ｇとＧａＡｓ化合物原料９を３００ｇ入れ、
反応容器１０の他端にＡｓ１１を２３００ｇ入れ反応容
器１０内を真空状態に減圧し封じきる。
【００１８】次に反応容器１０を結晶育成炉にいれ、反
応容器１０内のＡｓ１１を６００℃に加熱し反応容器１
０内のＡｓ蒸気圧を１ａｔｍに維持し、反応容器１０内
ボート部を１２００℃とし、ＧａとＡｓ蒸気を反応させ
ＧａＡｓを合成する。その後、さらに昇温し種結晶温度
を１２３８℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／
ｃｍ程度にし、種結晶７とＧａＡｓ融液を接触させる。
応容器１０内のＡｓ１１を６００℃に加熱し反応容器１
０内のＡｓ蒸気圧を１ａｔｍに維持し、反応容器１０内
ボート部を１２００℃とし、ＧａとＡｓ蒸気を反応させ
ＧａＡｓを合成する。その後、さらに昇温し種結晶温度
を１２３８℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／
ｃｍ程度にし、種結晶７とＧａＡｓ融液を接触させる。
【００１９】その後、融液の温度を徐々に下げて冷却し
結晶の育成を行う。結晶育成中に結晶の観察は容易にボ
ート上方からでき、双晶欠陥が発生した場合には、その
部分をメルトバックし再度融液温度を徐々に下げ結晶育
成を続ける。完全に固化後さらに温度を室温まで下げて
、結晶を取り出すことにより、ＧａＡｓ単結晶４４５０
ｇを得ることができた。
結晶の育成を行う。結晶育成中に結晶の観察は容易にボ
ート上方からでき、双晶欠陥が発生した場合には、その
部分をメルトバックし再度融液温度を徐々に下げ結晶育
成を続ける。完全に固化後さらに温度を室温まで下げて
、結晶を取り出すことにより、ＧａＡｓ単結晶４４５０
ｇを得ることができた。
【００２０】得られた結晶は、双晶欠陥もなく良好なも
ので、その特性はＥＰＤが１０００／ｃｍ２ 以下の良
好な結晶であった。
ので、その特性はＥＰＤが１０００／ｃｍ２ 以下の良
好な結晶であった。
【００２１】得られた単結晶より（１００）面円形ウエ
ハを製造する場合は、この単結晶を結晶長手方向と垂直
な（１００）面でスライスし切削する事により、加工ロ
スがほとんどなく、（１００）円形ウエハを得ることが
できる。
ハを製造する場合は、この単結晶を結晶長手方向と垂直
な（１００）面でスライスし切削する事により、加工ロ
スがほとんどなく、（１００）円形ウエハを得ることが
できる。
【００２２】（実施例２）ＧａＡｓの単結晶をｐＢＮボ
ート５を用いた場合について説明する。ＧａＡｓ種結晶
７をｐＢＮボート５の所定の位置にセットし、ｐＢＮボ
ート５内にＧａを２１００ｇとＢ２ Ｏ３ １００ｇを
入れ、反応容器１０の他端にＡｓ１１を２３００ｇ入れ
反応容器１０内を真空状態に減圧し封じきる。次に反応
容器１０を結晶育成炉にいれ、実施例１と同様の操作で
結晶を観察しながら結晶育成を行うことにより、ＧａＡ
ｓ単結晶４１５０ｇを得ることができた。
ート５を用いた場合について説明する。ＧａＡｓ種結晶
７をｐＢＮボート５の所定の位置にセットし、ｐＢＮボ
ート５内にＧａを２１００ｇとＢ２ Ｏ３ １００ｇを
入れ、反応容器１０の他端にＡｓ１１を２３００ｇ入れ
反応容器１０内を真空状態に減圧し封じきる。次に反応
容器１０を結晶育成炉にいれ、実施例１と同様の操作で
結晶を観察しながら結晶育成を行うことにより、ＧａＡ
ｓ単結晶４１５０ｇを得ることができた。
【００２３】得られた結晶は、ボートとのヌレもなく、
その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ２ 以下の良好な半
絶縁性結晶であった。ウエハの加工は実施例１と同様に
行うことができる。
その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ２ 以下の良好な半
絶縁性結晶であった。ウエハの加工は実施例１と同様に
行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次の
ような効果がある。
ような効果がある。
【００２５】（１）結晶育成用ボートの長手方向に垂直
な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部
の幅が再度狭くなっている形状であることにより、得よ
うとする円形ウエハの面方位で、結晶インゴットをスラ
イスしたときの断面形状を円形に近い形にできるため、
結晶の加工ロスが低減でき経済的効果が大きい。
な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上部
の幅が再度狭くなっている形状であることにより、得よ
うとする円形ウエハの面方位で、結晶インゴットをスラ
イスしたときの断面形状を円形に近い形にできるため、
結晶の加工ロスが低減でき経済的効果が大きい。
【００２６】（２）ボート上部に中央部の最大幅の１０
％〜９０％のスリットを有することにより、そのスリッ
トを窓として、結晶育成炉上部から結晶育成時に結晶を
観察することができる。このため、結晶育成時に双晶な
どの結晶歩留を著しく低下させる結晶欠陥が発生が観測
された場合には、メルトバックなどを行うことにより、
結晶育成中にフィードバックをかけることが可能であり
歩留の向上がなされる。
％〜９０％のスリットを有することにより、そのスリッ
トを窓として、結晶育成炉上部から結晶育成時に結晶を
観察することができる。このため、結晶育成時に双晶な
どの結晶歩留を著しく低下させる結晶欠陥が発生が観測
された場合には、メルトバックなどを行うことにより、
結晶育成中にフィードバックをかけることが可能であり
歩留の向上がなされる。
【００２７】（３）ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。さらに、
ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３
を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接の
ヌレを防ぐことができ、リネージなどの結晶欠陥を低減
できるため歩留の向上がなされる。
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。さらに、
ｐＢＮボートを用いボート内に原料とともにＢ２ Ｏ３
を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接の
ヌレを防ぐことができ、リネージなどの結晶欠陥を低減
できるため歩留の向上がなされる。
【図１】本発明の石英ボートを用いた場合のボート長手
方向に垂直な断面図
方向に垂直な断面図
【図２】図１のボートを上方からみた平面図
【図３】ｐ
ＢＮボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面
図
ＢＮボートを用いた場合のボート長手方向に垂直な断面
図
【図４】図１のボートを用いてＧａＡｓ単結晶を製造す
る場合の反応容器の長手方向の断面図
る場合の反応容器の長手方向の断面図
【図５】従来の半円形ボートの断面図
【図６】従来のＵ形ボートの断面図
【図７】従来の角形ボートの断面図
【図８】従来の大部分が円形ボートの断面図
１ 石英ボート
２ スリット
３ 原料融液
４ 種結晶設置部
５ ｐＢＮボート
６ Ｂ２ Ｏ３
７ 種結晶
８ Ｇａ
９ ＧａＡｓ化合物原料
１０ 反応容器
１１ Ａｓ
Claims (4)
- 【請求項１】化合物半導体結晶をボート法により製造す
るための装置であって、化合物半導体結晶育成用のボー
トの長手方向に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中
央部の幅が広く上部の幅が再度狭くなっている形状で、
前記上部が開口してありその開口部の幅が中央部の最大
幅の１０〜９０％であることを特徴とする化合物半導体
結晶の製造装置。 - 【請求項２】前記ボートの長手方向に垂直な断面の形状
が円弧もしくは楕円弧であることを特徴とする請求項１
の化合物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項３】前記ボートの材質がパイロリティックボロ
ンナイトライドであることを特徴とする請求項１又は２
の化合物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項４】化合物半導体結晶をボート法により製造す
る方法において、化合物半導体結晶育成用のボートの長
手方向に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の
幅が広く上部の幅が再度狭くなっている形状で、前記上
部が開口してありその開口部の幅が中央部の最大幅の１
０〜９０％であり、前記ボートの材質はパイロリティッ
クボロンナイトライドであり、前記ボート内に化合物半
導体結晶の原料とともにＢ２ Ｏ３ を添加し結晶を育
成することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16108091A JPH04362082A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16108091A JPH04362082A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362082A true JPH04362082A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15728248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16108091A Pending JPH04362082A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04362082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113668044A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-19 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶再生长方法 |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP16108091A patent/JPH04362082A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113668044A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-19 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶再生长方法 |
| CN113668044B (zh) * | 2021-07-14 | 2024-03-15 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶再生长方法 |
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