JPH05880A - 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法Info
- Publication number
- JPH05880A JPH05880A JP17453491A JP17453491A JPH05880A JP H05880 A JPH05880 A JP H05880A JP 17453491 A JP17453491 A JP 17453491A JP 17453491 A JP17453491 A JP 17453491A JP H05880 A JPH05880 A JP H05880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- crystal
- compound semiconductor
- longitudinal direction
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】不純物無添加高抵抗で双晶やリネージ等の結晶
欠陥の発生が少な結晶を歩留よく育成でき、円形ウェハ
が結晶をスライスして容易に得られる。 【構成】＜１００＞方向がボート長手方向になるように
加工したＧａＡｓ種結晶３を、テール側が開放し長手方
向に垂直な断面形状が円弧状であるボート１の所定の位
置にセットし、ボート１内にＧａとＢ2 Ｏ3 を所定量い
れる。テール部キャップ２を所定の位置にはめ込む。反
応容器の他端にＡｓを入れ反応容器内にボートを設置
し、真空状態に減圧し反応容器を封じきる。反応容器を
結晶育成炉にいれボート上方から結晶を観察しつつ育成
する。育成後にキャップを取り外し開放部よりＧａＡｓ
単結晶をボートを破壊せずに取りだすことができた。該
結晶は双晶欠陥もなく、ＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下
の無添加半絶縁性であった。
欠陥の発生が少な結晶を歩留よく育成でき、円形ウェハ
が結晶をスライスして容易に得られる。 【構成】＜１００＞方向がボート長手方向になるように
加工したＧａＡｓ種結晶３を、テール側が開放し長手方
向に垂直な断面形状が円弧状であるボート１の所定の位
置にセットし、ボート１内にＧａとＢ2 Ｏ3 を所定量い
れる。テール部キャップ２を所定の位置にはめ込む。反
応容器の他端にＡｓを入れ反応容器内にボートを設置
し、真空状態に減圧し反応容器を封じきる。反応容器を
結晶育成炉にいれボート上方から結晶を観察しつつ育成
する。育成後にキャップを取り外し開放部よりＧａＡｓ
単結晶をボートを破壊せずに取りだすことができた。該
結晶は双晶欠陥もなく、ＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下
の無添加半絶縁性であった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水平ブリッジマン法
（ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による
化合物半導体結晶の製造装置に関するものである。
（ＨＢ法）や温度傾斜法（ＧＦ法）等のボート法による
化合物半導体結晶の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体結晶をボート法で育
成する場合には、使用するボートの長手方向に垂直な断
面形状は、図６〜９に示したような形状であった。
成する場合には、使用するボートの長手方向に垂直な断
面形状は、図６〜９に示したような形状であった。
【０００３】図６、７、８の断面形状は、それぞれ半
円、Ｕ型、角型になっている。これらの特徴は、育成し
た結晶がボートから上方に簡単に取り出せるように、ボ
ート上方が結晶の最大径より大きく開口されていること
である。これらの形状のボートから育成した単結晶をス
ライスして得られるウエハ形状もＤ型や角型となる。従
って、これらの単結晶から円形ウエハを製造する場合に
は、円形に切削する必要があった。この場合、加工のロ
スが非常に多く結晶のコストアップを招いていた。
円、Ｕ型、角型になっている。これらの特徴は、育成し
た結晶がボートから上方に簡単に取り出せるように、ボ
ート上方が結晶の最大径より大きく開口されていること
である。これらの形状のボートから育成した単結晶をス
ライスして得られるウエハ形状もＤ型や角型となる。従
って、これらの単結晶から円形ウエハを製造する場合に
は、円形に切削する必要があった。この場合、加工のロ
スが非常に多く結晶のコストアップを招いていた。
【０００４】前記問題点を解決するために、実開平２−
１１１６５号などが提案されている。この提案は、図９
のように断面形状を円形にし、結晶を円形に切削するロ
スを小さくするものである。しかし、断面形状の大部分
を円形にしているので、結晶育成時に結晶を観察する窓
がないか、あるいは観察に充分な大きさではなかった。
このため、結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低
下させる結晶欠陥が発生しても、結晶育成時には観察が
できず結晶育成中にメルトバックなどのフィードバック
をかけることが不可能であった。このため、結晶育成の
歩留の低下を招いていた。
１１１６５号などが提案されている。この提案は、図９
のように断面形状を円形にし、結晶を円形に切削するロ
スを小さくするものである。しかし、断面形状の大部分
を円形にしているので、結晶育成時に結晶を観察する窓
がないか、あるいは観察に充分な大きさではなかった。
このため、結晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低
下させる結晶欠陥が発生しても、結晶育成時には観察が
できず結晶育成中にメルトバックなどのフィードバック
をかけることが不可能であった。このため、結晶育成の
歩留の低下を招いていた。
【０００５】また、これら図９のような構造のボートで
は、１回結晶を育成するとその結晶を取り出すためにボ
ートを破壊するしか方法がなく、ボートの再利用は困難
であった。特にボート材質に高価なパイロリティックボ
ロンナイトライド（以下ｐＢＮとする）を用いた場合に
は、コストアップを招き大きな問題となっていた。
は、１回結晶を育成するとその結晶を取り出すためにボ
ートを破壊するしか方法がなく、ボートの再利用は困難
であった。特にボート材質に高価なパイロリティックボ
ロンナイトライド（以下ｐＢＮとする）を用いた場合に
は、コストアップを招き大きな問題となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は従来技
術が有していた前述の問題点を解消するものである。
術が有していた前述の問題点を解消するものである。
【０００７】
【０００８】本発明は、前述の問題点を解決すべくなさ
れたものであり、化合物半導体結晶をボート法により製
造する製造装置において、結晶育成用ボートの長手方向
に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広
く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部
に中央部の最大幅の１００％未満の幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能となっていることを特徴とする化合物半導体結晶
の製造装置、および、化合物半導体結晶をボート法によ
り製造する製造方法において、結晶育成用ボートの長手
方向に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅
が広く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その
上部に中央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能になっており、前記ボートの材質がパイロリティ
ックボロンナイトライドであり、前記ボートを用いその
中にＢ2 Ｏ3 を添加して結晶を育成することを特徴とす
る化合物半導体結晶の製造方法を提供するものである。
れたものであり、化合物半導体結晶をボート法により製
造する製造装置において、結晶育成用ボートの長手方向
に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広
く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部
に中央部の最大幅の１００％未満の幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能となっていることを特徴とする化合物半導体結晶
の製造装置、および、化合物半導体結晶をボート法によ
り製造する製造方法において、結晶育成用ボートの長手
方向に垂直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅
が広く上部の幅が再度狭くなっている形状であり、その
上部に中央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有
し、さらに前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開
放可能になっており、前記ボートの材質がパイロリティ
ックボロンナイトライドであり、前記ボートを用いその
中にＢ2 Ｏ3 を添加して結晶を育成することを特徴とす
る化合物半導体結晶の製造方法を提供するものである。
【０００９】ボート長手方向の開放部は、育成した結晶
を取り出すことのできる大きさが必要である。また、結
晶育成中にボートより原料融液が流れ出ないように、何
らかの工夫が必要であり、それにはいくつかの方法があ
る。その代表的なものとして、ボートテール部に設けた
開放部に取り外し可能なキャップを用いること、あるい
は結晶の種結晶方向に開放部を設けその開放部に種結晶
を設置することが可能で、しかもボートから取り外し可
能なキャップを用いることができる。
を取り出すことのできる大きさが必要である。また、結
晶育成中にボートより原料融液が流れ出ないように、何
らかの工夫が必要であり、それにはいくつかの方法があ
る。その代表的なものとして、ボートテール部に設けた
開放部に取り外し可能なキャップを用いること、あるい
は結晶の種結晶方向に開放部を設けその開放部に種結晶
を設置することが可能で、しかもボートから取り外し可
能なキャップを用いることができる。
【００１０】ボートの長手方向に垂直な断面形状として
は、円弧あるいは楕円弧等の中央部の幅が最も大きいボ
ートを用いる。好ましくは、結晶成長方位と作製しよう
とする円形ウエハの面方位の関係によって、その楕円の
偏平率を設計する。この偏平率は、得ようとする円形ウ
エハの面方位で結晶をスライスした断面形状が、より円
形に近い形になるように設計する。この事によって結晶
の加工ロスが低減できる。
は、円弧あるいは楕円弧等の中央部の幅が最も大きいボ
ートを用いる。好ましくは、結晶成長方位と作製しよう
とする円形ウエハの面方位の関係によって、その楕円の
偏平率を設計する。この偏平率は、得ようとする円形ウ
エハの面方位で結晶をスライスした断面形状が、より円
形に近い形になるように設計する。この事によって結晶
の加工ロスが低減できる。
【００１１】また、ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ガラスに比べ弾性に富むためにキャッ
プの着脱が簡単に行うことができ、しかも結晶徐冷中に
結晶に与えるストレスも小さく低転移の結晶が得られ
る。また、石英ボートでは避けることのできないＳｉな
どの微量不純物による結晶の汚染がｐＢＮを用いること
により防止でき、不純物無添加で高抵抗の単結晶を育成
することができる。
ことにより、石英ガラスに比べ弾性に富むためにキャッ
プの着脱が簡単に行うことができ、しかも結晶徐冷中に
結晶に与えるストレスも小さく低転移の結晶が得られ
る。また、石英ボートでは避けることのできないＳｉな
どの微量不純物による結晶の汚染がｐＢＮを用いること
により防止でき、不純物無添加で高抵抗の単結晶を育成
することができる。
【００１２】さらに、ｐＢＮボートを用いボート内に原
料とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボー
トと結晶の直接のヌレを防ぐことができる。このため、
リネージなどの結晶欠陥を低減でき歩留の向上が図れ
る。これらの理由よりボート材質としてはｐＢＮを用い
ることが好ましい。
料とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボー
トと結晶の直接のヌレを防ぐことができる。このため、
リネージなどの結晶欠陥を低減でき歩留の向上が図れ
る。これらの理由よりボート材質としてはｐＢＮを用い
ることが好ましい。
【００１３】また、（１００）面の円形ウエハを作成す
る場合の結晶成長方位としては、＜１００＞方向にする
ことにより、円形（１００）ウエハを切り出す際の加工
ロスが小さくできる理由で好ましい。
る場合の結晶成長方位としては、＜１００＞方向にする
ことにより、円形（１００）ウエハを切り出す際の加工
ロスが小さくできる理由で好ましい。
【００１４】ボート上部の開口の幅は上方より育成中の
結晶を観察するためには、ボート断面中央部の最大幅の
１０％以上あることが好ましく、また結晶をスライスす
る場合の加工ロスを小さくするためには中央部の最大幅
の１００％未満であることが好ましい。また、前記開口
は上方より見た場合の形状が長方形となるようなスリッ
ト型が好ましいが、結晶欠陥の発生しやすい部分の幅を
広くしたような形状、その他の形状も採用できる。
結晶を観察するためには、ボート断面中央部の最大幅の
１０％以上あることが好ましく、また結晶をスライスす
る場合の加工ロスを小さくするためには中央部の最大幅
の１００％未満であることが好ましい。また、前記開口
は上方より見た場合の形状が長方形となるようなスリッ
ト型が好ましいが、結晶欠陥の発生しやすい部分の幅を
広くしたような形状、その他の形状も採用できる。
【００１５】本発明の製造装置は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等
の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等の２−６族化
合物半導体結晶の製造に使用できる。また、これら化合
物半導体の単結晶の製造のみならず、多結晶の製造にも
使用できる。
の３−５族化合物半導体結晶、ＺｎＳｅ等の２−６族化
合物半導体結晶の製造に使用できる。また、これら化合
物半導体の単結晶の製造のみならず、多結晶の製造にも
使用できる。
【００１６】
【作用】本発明において、ボート上部に観察用の開口を
有し、ボートの長手方向に垂直な断面の形状が円弧もし
くは楕円弧であるボートを用いることにより、得ようと
する円形ウエハの面方位で結晶をスライスしたときの断
面形状を、そのまま円形に近い形状にでき、結晶育成中
に結晶を観察しながら育成することも可能である。
有し、ボートの長手方向に垂直な断面の形状が円弧もし
くは楕円弧であるボートを用いることにより、得ようと
する円形ウエハの面方位で結晶をスライスしたときの断
面形状を、そのまま円形に近い形状にでき、結晶育成中
に結晶を観察しながら育成することも可能である。
【００１７】ボートの長手方向の少なくとも一端を開放
部にすることにより、ボートを破壊することなくその開
放部より育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。
部にすることにより、ボートを破壊することなくその開
放部より育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。
【００１８】また、ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗単結晶を育成することができる。さら
に、ｐＢＮボートを用い、ボート内に原料とともにＢ2
Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接
のヌレを防ぐことができ転位などの結晶欠陥を低減でき
るため、歩留よく無添加の高抵抗単結晶を育成すること
ができる。
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗単結晶を育成することができる。さら
に、ｐＢＮボートを用い、ボート内に原料とともにＢ2
Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボートと結晶の直接
のヌレを防ぐことができ転位などの結晶欠陥を低減でき
るため、歩留よく無添加の高抵抗単結晶を育成すること
ができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の化合物半導体製造装置におい
て、テール部（種結晶と反対側）を開放部にしたボート
とキャップのボート長手方向の断面図、図２は図１のボ
ートのＡ−Ａ１の断面図、図３は種結晶側を開放部にし
たボートと種結晶取り付け及び取り外し可能なキャップ
を用いた場合のボート長手方向の断面図、図４は図３の
ボートのＢ−Ｂ１の断面図、図５は図１のボートを用い
てＧａＡｓ単結晶を製造する場合の反応容器の長手方向
の断面図である。
明する。図１は本発明の化合物半導体製造装置におい
て、テール部（種結晶と反対側）を開放部にしたボート
とキャップのボート長手方向の断面図、図２は図１のボ
ートのＡ−Ａ１の断面図、図３は種結晶側を開放部にし
たボートと種結晶取り付け及び取り外し可能なキャップ
を用いた場合のボート長手方向の断面図、図４は図３の
ボートのＢ−Ｂ１の断面図、図５は図１のボートを用い
てＧａＡｓ単結晶を製造する場合の反応容器の長手方向
の断面図である。
【００２０】これらの図において１はテール部開口ボー
ト、２はテール部キャップ、３は種結晶、４は種結晶側
開放ボート、５は種結晶設置可能なキャップ、６は反応
容器、７は原料のＧａ、８はＢ2 Ｏ3 、９はＡｓを示
す。
ト、２はテール部キャップ、３は種結晶、４は種結晶側
開放ボート、５は種結晶設置可能なキャップ、６は反応
容器、７は原料のＧａ、８はＢ2 Ｏ3 、９はＡｓを示
す。
【００２１】（実施例１）ＧａＡｓの単結晶を製造する
のに図１の形状のｐＢＮ製ボートを用いた場合について
説明する。＜１００＞方向がボート長手方向になるよう
に加工したＧａＡｓ種結晶３をボート１の所定の位置に
セットし、ボート内に図５のようにＧａ７を２１００ｇ
と、Ｂ2 Ｏ3 ８を１００ｇをいれる。その後、テール部
キャップ２を所定の位置にはめ込む。反応容器６の他端
にＡｓ９を２３００ｇ入れ反応容器６内に原料を入れた
ボートを設置し、真空状態に減圧し反応容器６を封じき
る。
のに図１の形状のｐＢＮ製ボートを用いた場合について
説明する。＜１００＞方向がボート長手方向になるよう
に加工したＧａＡｓ種結晶３をボート１の所定の位置に
セットし、ボート内に図５のようにＧａ７を２１００ｇ
と、Ｂ2 Ｏ3 ８を１００ｇをいれる。その後、テール部
キャップ２を所定の位置にはめ込む。反応容器６の他端
にＡｓ９を２３００ｇ入れ反応容器６内に原料を入れた
ボートを設置し、真空状態に減圧し反応容器６を封じき
る。
【００２２】次に反応容器６を結晶育成炉にいれ、反応
容器６内のＡｓを６００℃に加熱し反応容器６内のＡｓ
蒸気圧を１ａｔｍに維持し、反応容器６内ボート部を１
２００℃とし、ＧａとＡｓ蒸気を反応させＧａＡｓを合
成する。その後、さらに昇温し種結晶温度を１２３８
℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／ｃｍ程度に
し種結晶とＧａＡｓ融液を接触させる。その後、融液の
温度を徐々に下げて冷却し結晶の育成を行う。
容器６内のＡｓを６００℃に加熱し反応容器６内のＡｓ
蒸気圧を１ａｔｍに維持し、反応容器６内ボート部を１
２００℃とし、ＧａとＡｓ蒸気を反応させＧａＡｓを合
成する。その後、さらに昇温し種結晶温度を１２３８
℃、ＧａＡｓ融液中の温度勾配を０．５℃／ｃｍ程度に
し種結晶とＧａＡｓ融液を接触させる。その後、融液の
温度を徐々に下げて冷却し結晶の育成を行う。
【００２３】結晶育成中に結晶の観察は容易にボート上
方からでき、双晶欠陥が発生した場合には、その部分を
メルトバックし再度融液温度を徐々に下げ結晶育成を続
ける。完全に固化後さらに温度を室温まで下げてボート
のキャップを取り外し、その開放部より結晶を取り出す
ことによりＧａＡｓ単結晶４４５０ｇが得られた。
方からでき、双晶欠陥が発生した場合には、その部分を
メルトバックし再度融液温度を徐々に下げ結晶育成を続
ける。完全に固化後さらに温度を室温まで下げてボート
のキャップを取り外し、その開放部より結晶を取り出す
ことによりＧａＡｓ単結晶４４５０ｇが得られた。
【００２４】この得られた結晶は双晶欠陥もなく良好な
もので、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の無
添加半絶縁性であった。
もので、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の無
添加半絶縁性であった。
【００２５】得られた単結晶より（１００）面円形ウエ
ハを製造する場合は、この単結晶を結晶長手方向と垂直
な（１００）面でスライスし切削することにより、加工
ロスがほとんどなく（１００）面円形ウエハを得ること
ができる。
ハを製造する場合は、この単結晶を結晶長手方向と垂直
な（１００）面でスライスし切削することにより、加工
ロスがほとんどなく（１００）面円形ウエハを得ること
ができる。
【００２６】（実施例２）ＧａＡｓの単結晶を、図３の
形状のｐＢＮ製ボート４を用いた場合について説明す
る。ｐＢＮボート４の中にＧａを２１００ｇとＢ2 Ｏ3
１００ｇを入れ、実施例１で示した方位に切り出したＧ
ａＡｓ種結晶をｐＢＮ製キャップ５の所定の位置にセッ
トし、そのキャップをｐＢＮボート４の開放部の所定の
位置にはめ込む。
形状のｐＢＮ製ボート４を用いた場合について説明す
る。ｐＢＮボート４の中にＧａを２１００ｇとＢ2 Ｏ3
１００ｇを入れ、実施例１で示した方位に切り出したＧ
ａＡｓ種結晶をｐＢＮ製キャップ５の所定の位置にセッ
トし、そのキャップをｐＢＮボート４の開放部の所定の
位置にはめ込む。
【００２７】反応容器６の他端にＡｓ９を２３００ｇ入
れ、ボートを反応容器６内に設置し、反応容器６内を真
空状態に減圧し反応容器６を封じきる。次に反応容器６
を結晶育成炉にいれ、実施例１と同様の操作で結晶を観
察しながら結晶育成を行う。育成後ボート４のキャップ
５を取り外し、その開放部より結晶を取り出すことによ
りＧａＡｓ単結晶４４５０ｇを得ることができた。
れ、ボートを反応容器６内に設置し、反応容器６内を真
空状態に減圧し反応容器６を封じきる。次に反応容器６
を結晶育成炉にいれ、実施例１と同様の操作で結晶を観
察しながら結晶育成を行う。育成後ボート４のキャップ
５を取り外し、その開放部より結晶を取り出すことによ
りＧａＡｓ単結晶４４５０ｇを得ることができた。
【００２８】得られた結晶は双晶欠陥もなく良好なもの
で、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の良好な
半絶縁性結晶であった。
で、その特性はＥＰＤが２０００／ｃｍ2 以下の良好な
半絶縁性結晶であった。
【００２９】ウエハの加工は実施例１と同様に行うこと
ができる。
ができる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は次のような
優れた効果がある。
優れた効果がある。
【００３１】（１）ボートの長手方向に垂直な断面で上
部の開口が、中央部の最大幅の１００％未満の形状をし
たボートを用い、さらにボートの少なくとも一端を開放
部にすることにより、その開放部よりボートを破壊する
ことなく育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。これは特に、石英ボート
に比べ高価なｐＢＮボートを使用する際に有効である。
部の開口が、中央部の最大幅の１００％未満の形状をし
たボートを用い、さらにボートの少なくとも一端を開放
部にすることにより、その開放部よりボートを破壊する
ことなく育成した結晶を取り出すことができ、ボートを
複数回使用することができる。これは特に、石英ボート
に比べ高価なｐＢＮボートを使用する際に有効である。
【００３２】（２）ボートの材質としてｐＢＮを用いる
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。
ことにより、石英ボートでは避けることのできないＳｉ
などの微量不純物による結晶の汚染を防ぐことができ、
無添加の高抵抗結晶を育成することができる。
【００３３】（３）ｐＢＮボートを用いボート内に原料
とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボート
と結晶の直接のヌレを防ぐことができ、リネージなどの
結晶欠陥を低減できるため、歩留よく無添加の高抵抗結
晶を育成できる。
とともにＢ2 Ｏ3 を添加することにより、ｐＢＮボート
と結晶の直接のヌレを防ぐことができ、リネージなどの
結晶欠陥を低減できるため、歩留よく無添加の高抵抗結
晶を育成できる。
【００３４】（４）結晶育成用ボートの長手方向に垂直
な断面の形状が円弧もしくは楕円弧であることにより、
得ようとする円形ウエハの面方位で結晶をスライスした
ときの断面形状を、円形に近い形にできるため、結晶の
加工ロスが低減でき経済的効果が大きい。
な断面の形状が円弧もしくは楕円弧であることにより、
得ようとする円形ウエハの面方位で結晶をスライスした
ときの断面形状を、円形に近い形にできるため、結晶の
加工ロスが低減でき経済的効果が大きい。
【００３５】（５）ボート上部に観察用開口を設けるこ
とにより、その開口を窓として結晶育成炉上部から、結
晶育成時に結晶を観察することができる。このため、結
晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低下させる結晶
欠陥の発生が観測された場合には、メルトバックなどを
行うことにより結晶育成中にフィードバックをかけるこ
とが可能であり、結果的に歩留の向上がなされる。
とにより、その開口を窓として結晶育成炉上部から、結
晶育成時に結晶を観察することができる。このため、結
晶育成時に双晶などの結晶歩留を著しく低下させる結晶
欠陥の発生が観測された場合には、メルトバックなどを
行うことにより結晶育成中にフィードバックをかけるこ
とが可能であり、結果的に歩留の向上がなされる。
【図１】テール側開放のボートとそのキャップのボート
長手方向の断面図。
長手方向の断面図。
【図２】図１ボートのＡ−Ａ１の断面図。
【図３】種結晶側を開放にしたボートと種結晶取付及び
取り外し可能なキャップを用いた場合のボート長手方向
の断面図。
取り外し可能なキャップを用いた場合のボート長手方向
の断面図。
【図４】図３ボートのＢ−Ｂ１の断面図。
【図５】図１のボートを用いてＧａＡｓ単結晶を製造す
る場合の反応容器の長手方向の断面図。
る場合の反応容器の長手方向の断面図。
【図６】半円型断面形状ボート断面図。
【図７】Ｕ型断面形状ボート断面図。
【図８】角型断面形状ボート断面図。
【図９】円型断面形状ボート断面図。
１ テール部開放ボート
２ テール部キャップ
３ 種結晶
４ 種結晶側開放ボート
５ 種結晶設置可能なキャップ
６ 反応容器
７ 原料Ｇａ
８ Ｂ2 Ｏ3
９ Ａｓ
Claims (6)
- 【請求項１】化合物半導体結晶をボート法により製造す
る製造装置において、結晶育成用ボートの長手方向に垂
直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上
部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部に中
央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有し、さらに
前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開放可能にな
っていることを特徴とする化合物半導体結晶の製造装
置。 - 【請求項２】前記ボートの長手方向の少なくとも１端の
開放部に、取り外し可能なキャップを設ける請求項１の
化合物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項３】前記取り外し可能なキャップに種結晶を設
置する請求項２の化合物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項４】前記ボートの材質がパイロリティックボロ
ンナイトライドである請求項１〜３いずれか１項の化合
物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項５】前記キャップの材質がパイロリティックボ
ロンナイトライドである請求項２〜４いずれか１項の化
合物半導体結晶の製造装置。 - 【請求項６】化合物半導体結晶をボート法により製造す
る製造方法において、結晶育成用ボートの長手方向に垂
直な断面の形状が、底部の幅が狭く中央部の幅が広く上
部の幅が再度狭くなっている形状であり、その上部に中
央部の最大幅より小さい幅を有する開口を有し、さらに
前記ボートの長手方向の少なくとも１端が開放可能にな
っており、前記ボートの材質がパイロリティックボロン
ナイトライドであり、前記ボートを用いその中にＢ2 Ｏ
3 を添加して結晶を育成することを特徴とする化合物半
導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453491A JPH05880A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453491A JPH05880A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05880A true JPH05880A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15980217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453491A Withdrawn JPH05880A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05880A (ja) |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17453491A patent/JPH05880A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0969499A3 (en) | Crystal growth process for a semiconductor device | |
| JP3391503B2 (ja) | 縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP4603386B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| EP1122341A1 (en) | Single crystal SiC | |
| US4299651A (en) | Production of single crystal II-V material | |
| JP3848446B2 (ja) | 低抵抗ＳｉＣ単結晶の育成方法 | |
| JPH05880A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 | |
| TWI281520B (en) | InP single crystal, GaAs single crystal, and method for producing thereof | |
| JPH1087392A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| US5372088A (en) | Crystal growth method and apparatus | |
| JP2004262709A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH05881A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置及び製造方法 | |
| JP3560180B2 (ja) | ＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 | |
| JPH04362082A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| US12385158B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor substrate by forming a growth layer on an underlying substrate having through holes | |
| JPH0536602A (ja) | 六方晶半導体の結晶成長方法 | |
| JPH0524963A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| KR100359229B1 (ko) | ＶＧＦ법에 의한 고품위 ｎ-형 ＧａＡｓ 단결정 성장방법 | |
| JP3806793B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0517196B2 (ja) | ||
| KR950003430B1 (ko) | 더블-도우핑(double-doping)에 의한 p-type GaAs 단결정 성장방법 | |
| JPH03247588A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH07291781A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPH08758B2 (ja) | クロムドープ半絶縁性ガリウム・ヒ素単結晶の製造方法 | |
| JPH09295887A (ja) | 結晶の育成方法及び育成用ルツボ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |